TWI548107B - 氣密組件、具有其之裝置及其測漏方法 - Google Patents

氣密組件、具有其之裝置及其測漏方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI548107B
TWI548107B TW103129215A TW103129215A TWI548107B TW I548107 B TWI548107 B TW I548107B TW 103129215 A TW103129215 A TW 103129215A TW 103129215 A TW103129215 A TW 103129215A TW I548107 B TWI548107 B TW I548107B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
accommodating space
disposed
closure
gas
sealing member
Prior art date
Application number
TW103129215A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201608731A (zh
Inventor
江建志
Original Assignee
財團法人工業技術研究院
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 財團法人工業技術研究院 filed Critical 財團法人工業技術研究院
Priority to TW103129215A priority Critical patent/TWI548107B/zh
Priority to CN201410497705.9A priority patent/CN105508622B/zh
Publication of TW201608731A publication Critical patent/TW201608731A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI548107B publication Critical patent/TWI548107B/zh

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Description

氣密組件、具有其之裝置及其測漏方法
本發明係關於一種氣密組件、具有其之裝置及其測漏方法,尤其是關於一種可用於偵測洩漏氣體的氣密組件、具有其之裝置及其測漏方法。
太陽能是目前最具潛力的能源,它具有取之不盡、用之不竭的特性之外,對環境並不造成任何威脅,也無特殊地理位置上的限制,應用範圍廣,可說是相當潔淨且實用的再生能源。目前薄膜型太陽能電池中,以CIGS作為吸收層除了擁有最高的吸收係數外,並可輕易地藉由組成及比例的調控,改變其能隙與電性,且目前已可達到接近20%的光電轉換效率,位居所有薄膜型太陽能電池之冠,為目前相當具有潛力的材料。
在薄膜型太陽能電池中,主吸收層CIGS為最關鍵的材料,不論是濺鍍、電鍍及塗佈製程均需後段的硒化長晶製程技術,國外已量產的硒化長晶製程以H2Se高溫硒化為主流,但大都採用批次量產,產能不易放大。 因此,如何提供連續量產、維持氣流分佈(H2/H2Se/N2混合氣)以及毒性氣體的防護成為重要的課題。
從批次量產製程轉換到連續量產製程時,如何有效提供封閉的製程空間是一項非常關鍵的技術,在連續量產的製程系統裡,常見的方法是利用氣密組件或利用氣閥通以大量的惰性氣體形成具壓差之氣牆來避免氣體洩漏。
美國專利公開號US20110189806A1公開利用一組或多組之process isolation unit(PIU),在該PIU中通以氣體,避免前後之腔體連通,在PIU中可以利用氣體抽氣之壓差使得第一腔體中的氣體不會進入第二腔體,甚至可使用兩組以上之PIU來控制氣體在兩腔體中有效隔絕,但是本方式並不適用於須精準特氣濃度控制反應程度之實驗,僅適用於單一氣體或是反應濃度對反應進行影響不大之實驗,且特氣排放受大量氣體稀釋後之廢棄處理將更加難以處理。
因此,仍需要一種使用方便、機構簡單、減少氣體用量、有效地形成封閉空間並偵測漏氣的氣密閥件、具有其之裝置及其測漏方法。
本發明提供一種氣密組件、具有其之裝置及其測漏方法,當帶材通過閥口時,氣密組件能夠在帶材存在下有效密封閥口;另外,當帶材溫度升高時,也能夠避免密封件黏著在帶材上。此外,當使用毒性反應氣體時,本發明之氣密組件能夠維持腔體內氣體分佈且偵測洩漏情形
本發明提供一種氣密組件,包含有一本體,具有至少一容置空間,每一該容置空間具有一第一端以及一第二端,該第一端設置於該本體之表面,該第一端的面積大於或等於該第二端的面積;至少一閉合件,設置於該容置空間上;一密封件,設置於該閉合件或該本體其中之一,該密封件內具有至少一開口;複數通孔,設置於該閉合件或該本體其中之一;以及其中當該閉合件設置於該容置空間內時,該些通孔與該至少一開口相連通,該密封件與該些通孔形成一流體通道。本發明之氣密組件除了可以提供多重氣密擋牆外,所形成之流體通道可以用來偵測洩漏氣體,並即時調整施加壓力,避免環境氣體過度消耗且有效控制製程品質。
本發明再提供一種具有氣密組件之裝置,包含有一腔體,包含有一本體,該本體具有至少一容置空間以及一基材通道,每一該容置空間具有一第一端以及一第二端,該第一端設置於該本體之表面,該第一端的面積 大於或等於該第二端的面積,該基材通道通過該第二端,該基材通道具有二個相對設置的閥口;至少一閉合件,設置於該容置空間上;一密封件,設置於該閉合件或該本體其中之一,該密封件內具有至少一開口;複數通孔,設置於該閉合件或該本體其中之一;以及其中當該閉合件設置於該容置空間內時,該些通孔與該至少一開口相連通,該密封件與該些通孔形成一流體通道。
本發明又提供一種氣密組件之測漏方法,包含下列步驟:提供一氣密組件;將該閉合件設置於該容置空間內,該密封件被夾於該容置空間內,該密封件接收一施加壓力;該密封件與該些通孔形成該流體通道;以及接收一流體通過該流體通道。
1、1’、1”‧‧‧氣密組件
10、10’‧‧‧本體
11‧‧‧容置空間
111‧‧‧第一端
112‧‧‧第二端
113‧‧‧側面
114‧‧‧第一容置空間
1141‧‧‧第一端
1142‧‧‧第二端
1143‧‧‧側面
115‧‧‧第二容置空間
1151‧‧‧第一端
1152‧‧‧第二端
1153‧‧‧側面
12‧‧‧基材通道
13‧‧‧閥口
2、2’、2”‧‧‧帶材
20‧‧‧閉合件
201‧‧‧底面
202‧‧‧側面
203‧‧‧第一閉合件
2031‧‧‧底面
2032‧‧‧側面
204‧‧‧第二閉合件
2041‧‧‧底面
2042‧‧‧側面
21‧‧‧延伸部
30‧‧‧密封件
301‧‧‧第一密封件
311‧‧‧開口
302‧‧‧第二密封件
312‧‧‧開口
31‧‧‧開口
40‧‧‧通孔
50、50’‧‧‧彈性件
60‧‧‧流體通道
90‧‧‧腔體
91‧‧‧驅動元件
92‧‧‧流體供應單元
93‧‧‧氣體偵測單元
94‧‧‧回饋單元
900‧‧‧裝置
第1A圖係本發明之第一實施例之氣密組件的前視圖。
第1B圖係本發明之第一實施例之氣密組件的側面剖視圖。
第2A圖至第2D圖係本發明之本體與閉合件之變化實施例的前視圖。
第3A圖至第3D圖係本發明之密封件之變化實施例的示意圖。
第4A圖係本發明之第一實施例之氣密組件之使用狀態的前剖視圖。
第4B圖係本發明之第一實施例之氣密組件之使用狀態的側面剖視圖。
第5圖係本發明之第二實施例之氣密組件之使用狀態的側面剖視圖。
第6圖係本發明之第三實施例之氣密組件之使用狀態的側面剖視圖。
第7圖係具有本發明氣密組件之裝置之示意圖。
第8圖係本發明氣密組件之測漏方法之流程圖。
以下藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式,熟習此項技藝之人士可由本文所揭示之內容輕易地瞭解本發明之其他優點及功效。須知,本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等,均僅用以配合說明書所揭示之內容,以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀,並非用以限定本發明可實施之限定條件,故不具技術上之實質意義,任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整,在不影響本發明所能產生之功效及所能達成之目的下,均應仍落在本發明所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內,其以之後的專利範圍為準。
如第1A圖至第1B圖所示之第一實施例中,氣密組件1包含有本體10、閉合件20、密封件30以及複數通孔40。本體10具有容置空間11,容置空間11具有一第一端111以及一第二端112,容置空間11之第一端111設置於本體10之頂端表面,其中容置空間11之第一端111面積大於或等於容置空間11之第二端112面積。閉合件20設置於容置空間11上,閉合件20與容置空間11之形狀相匹配。密封件30設置於閉合件20之底端,密封件30內具有二個開口31。通孔40設置於閉合件20上,並且穿過閉合件20,通孔40之一端與密封件30之開口31相連通,通孔40之另一端連通至閉合件20之頂部,在變化實施例中,通孔40之另一端也可連通至閉合件20的側邊,只要能夠使密封件30之開口31藉由通孔40與外部相連通,惟並不以此為限。在本實施例中,本體10還包含有基材通道12,基材通道12通過容置空間11之第二端112,基材通道12具有二個相對設置的閥口13,設置於本體10的側邊,基材通道12係供基板或帶材通過,其中閥口13的寬度小於或等於容置空間11之第二端112的寬度,以確保閉合件20能夠達成氣密效果。基材通道12之設置方向與容置空間11之設置方向呈垂直關係,當閉合件20設置於容置空間11內時,閉合件20會阻絕基材通道12,形成封 閉效果。本發明之氣密組件1可運用於連續式製程裝置或批次式製程裝置,因此當閉合件20設置於容置空間11時,可以夾持基板或帶材形成封閉狀態,或者直接形成封閉狀態。基板的厚度優選小於100μm,帶材的厚度優選小於1mm,帶材可為一金屬薄膜,惟並不以此為限。
在本實施例中,本體10之容置空間11為一凹槽,第一端111為一開口,第二端112為一封閉面,容置空間11還包含有一側面113,閉合件20具有底面201以及側面202,其中容置空間11之封閉面112、側面113分別與閉合件20之底面201、側面202之形狀相匹配。容置空間11之第一端111面積A大於或等於容置空間11之第二端112面積B,閉合件20之側面202以及容置空間11之側面113為斜面狀或階梯狀,本體10與閉合件20之變化實施例如第2A圖至第2D圖所示,惟並不以此為限。利用不同閉合件20與本體10之容置空間11相匹配,除了可以防止閉合件20過度施壓,造成氣密組件1損壞外,在第2A圖及第2B圖之變化實施例中,還可以達成一個方向施力,同時具有多方向受力的功效;若閉合件20具有垂直側壁,如第2C圖及第2D圖,對於同樣施予垂直方向施力時,可能無法達到有效全面受力,進一步還需要增設密封件,提供垂直側壁的 氣密性。在第2B圖至第2D圖之變化實施例中,閉合件20還可以包含有一延伸部21,設置於閉合件20之側邊,防止閉合件20過度施壓,造成氣密組件1損壞,延伸部21與本體10之間可以再設置其他密封件,避免氣體經從上方洩漏,以達到全面的密封性。
在本實施例中,密封件30涵蓋於閉合件20之底面201上,通孔40與密封件30之開口31相連通,當閉合件20設置於容置空間11內時,密封件30之開口31與複數通孔40能夠形成一流體通道。密封件30之變化實施例如第3A圖至第3D圖所示,密封件30可以全部覆蓋於閉合件20之底面201以及側面202上或覆蓋於閉合件20之底面201、側面202以及延伸部21上,密封件30具有至少一個開口31,複數通孔40與至少一開口31相連通。在變化實施例中,密封件30也可以覆蓋於閉合件20之底面201以及容置空間11之側面113上,只要能夠避免氣體從閉合件20與容置空間11之間的側面空間洩漏,惟並不以此為限。當閉合件2設置於容置空間11內時,密封件30之開口31在容置空間11內能夠形成一封閉的流體通道,藉由通孔40與外部相連通,供流體的進出,其中流體通道可以形成於閉合件20之底面201與容置空間11之封閉面112之間或閉合件20之底面201、側面202與容置空間11之封閉面 112、側面113之間。在變化實施例中,密封件30可由複數密封條所形成,密封條之間形成開口31,如第3B圖及第3C圖所示。在另一實施例中,閉合件20可以設置溝槽(圖未示),供密封件30部份鑲嵌於閉合件20上,只要能讓密封件30固定於閉合件20上,惟並不以此為限。在本實施例中,氣密組件1還可以包含一彈性件50,覆蓋於容置空間11之封閉面112上,在連續式製程裝置中,能夠增加基板或帶材與封閉面112之間的氣密性。在本實施例中,密封件30之開口31為二個,通孔40為四個,惟並不以此為限,開口31至少為單數個,每一開口31內至少設置二個通孔40,一個供流體進入,另一個供流體抽出。此外在變化實施例中,密封件30也可以設於本體10之容置空間11內,將於下面的實施例中說明。本發明之密封件30、彈性件50可採用例如鐵氟龍、橡膠、矽膠或上述材料組合之複合材料所製成,惟並不以此為限。
如第4A圖至第4B圖為本發明之第一實施例之氣密組件1之使用狀態的前剖視圖及側面剖視圖,當帶材2進入基材通道12之閥口13後,帶材2至少部分設置於彈性件50上,閉合件20向下設置於本體10之容置空間11內,密封件30受力被擠壓於閉合件20與帶材2之間,藉由密封件30以及彈性件50使閉合件20、帶材 2與本體10彼此之間形成緊配狀態,阻絕基材通道12,達成氣密封閉的效果,此時,密封件30之開口31在容置空間11內形成一封閉的流體通道60,藉由通孔40與外部相連通,供流體的進出。在本實施例中,閉合件20之延伸部21也可以設置有其他密封件,避免氣體經從上方洩漏,以達到全面的密封性。
如第5圖所示之第二實施例中,氣密組件1’與第一實施例之氣密組件1具有相似的結構,在此不再贅述,兩者主要差別在於密封件30及通孔40設於本體10上,密封件30覆蓋於容置空間11之封閉面112上,通孔40通過本體10之底部,通孔40之一端與密封件30之開口31相連通,通孔40之另一端連通至本體10之底部,在變化實施例中,通孔40之另一端也可連通至本體10的側邊,只要能夠使密封件30之開口31藉由通孔40與外部相連通,惟並不以此為限。氣密組件1’還可以包含一彈性件50’,可以覆蓋於閉合件20之底面201以及側面202或閉合件20之底面201和容置空間11之側面113上,除了能夠增加帶材2’與閉合件20之底部201之間的氣密性外,也可以避免氣體從閉合件20與容置空間11之間的側面空間洩漏。上述所舉的實施例中,由於夾持基板或帶材,所以密封件30以及複數通孔40需同時設於本體10或閉合件20上,才能夠形 成一流體通道60;若氣密組件1’係以直接封閉方式時,密封件30以及複數通孔40可以分別設置於本體10或閉合件20其中之一上,只要閉合件20設置於容置空間11內時,能夠形成一封閉的流體通道60,惟並不以此為限。
如第6圖所示之第三實施例中,氣密組件1”之本體10’具有相對設置之第一容置空間114以及第二容置空間115,分別對應第一閉合件203以及第二閉合件204,第一閉合件203設置於第一容置空間114上,第二閉合件204設置於第二容置空間115上。第一容置空間114之第一端1141以及第二容置空間115之第一端1151為一開口,第一容置空間114之第二端1142與第二容置空間115之第二端1151相連接,第一容置空間114還具有一側面1143,第二容置空間115具有一側面1153,第一閉合件203具有一底面2031以及一側面2032,第二閉合件204具有一底面2041以及一側面2042,其中第一容置空間114之側面1143、第二容置空間115之側面1153、第一閉合件203之側面2032以及第二閉合件204之側面2042為斜面狀或階梯狀,第一閉合件203之底面2031具有第一密封件301,第二閉合件204之底面2041具有第二密封件302。當帶材2”進入基材通道12之閥口13後,第一閉合件203以及第二 閉合件204分別往帶材2”方向設置於本體10之第一容置空間114以及第二容置空間115內,第一密封件301、第二密封件302分別受力被擠壓於第一閉合件203與帶材2”之間及第二閉合件204與帶材2”之間,藉由第一密封件301、第二密封件302使第一閉合件203、帶材2”與第二閉合件204彼此之間形成緊配狀態,阻絕基材通道12,達成氣密封閉的效果,此時,第一密封件301之開口311、第二密封件302之開口312分別在第一閉合件203之底面2031與帶材2”之間以及第二閉合件204之底面2041與帶材2”之間形成一封閉的流體通道60,藉由通孔40與外部相連通,供流體的進出。在變化實施例中,彈性件可以設於第一閉合件203或第二閉合件204其中之一,以減少密封件以及通孔之數量配置。在另一變化實施例中,若氣密組件1”係以直接封閉方式時,密封件以及通孔可以分別設置於第一閉合件202或第二閉合件204其中之一上,在第一閉合件203之底面2031以及第二閉合件204之底面2041之間形成至少一封閉的流體通道60,惟並不以此為限。
如第7圖所示,本發明另提供一種具有本發明之氣密組件1、1’、1”之裝置900,包含有一腔體90,包含有一本體10,本體10具有至少一容置空間11以及一基材通道12,容置空間11具有一第一端111以及一第 二端112,容置空間11之第一端11設置於本體10之表面,容置空間11之第一端111面積大於或等於容置空間11之第二端112面積,基材通道12通過容置空間11之第一端111,基材通道12具有二個相對設置的閥口13;至少一閉合件20設置於容置空間11上;一密封件30設置於閉合件20或本體10其中之一,密封件30內具有至少一開口31;複數通孔40設置於閉合件20或本體10其中之一;以及其中當閉合件20設置於容置空間11內時,通孔40與密封件30之開口31相連通,密封件30與複數通孔40形成一流體通道60。其中腔體90與本體10可為一體成型或氣密組件1、1’、1”係安裝至腔體90內使用,在連續式製程裝置中,氣密組件1、1’、1”至少為兩組;在批次式製程裝置中,氣密組件1、1’、1”可為一組。在變化實施例中,裝置900還包含有一驅動元件91、流體供應單元92、氣體偵測裝置93以及回饋單元94,驅動元件91連接並驅動閉合件20,使閉合件20能夠於容置空間11上移動,驅動元件可為一油壓缸組或氣壓缸組;流體供應單元92以及氣體偵測裝置93分別與複數通孔40相連接,流體供應單元92所供應之流體包含有一氣體或一液體,氣體偵測單元93能夠偵測液體中是否存在氣體或偵測非供應氣體之另一氣體,偵測液體中是否存在氣體之方式可以採用電性改變 或光學特性改變偵測,偵測非供應氣體之另一氣體可以採用特定之氣體感測器進行;回饋單元94與氣體偵測裝置93、驅動元件91相連接,當氣體偵測裝置93偵測到洩漏氣體時,回饋單元94會控制驅動元件91增加密封件30之施加壓力,以防止繼續洩漏,避免影響製程品質。在另一變化實施例中,流體供應單元92可以提供一冷卻液體,如冷卻水或冷卻矽油,一般在製程進行中往往伴隨高溫環境,藉由冷卻液體之供應,除了可有效降低氣密組件1、1’、1”之溫度,在密封件30之材料選擇上也可不侷限於耐高溫材料。在其他變化實施例中,本發明之裝置900還可以包含一冷卻單元,可以設置於本體10內部或外部,幫助降低氣密組件1、1’、1”之溫度。本發明之裝置900可為生產鍍膜太陽能電池、LED或OLED之製程裝置,惟並不以此為限。
一般在製程進行時,裝置之腔體內會提供一氣體環境,並維持在一定的氣體環境範圍內,以確保製程品質,而本發明之氣密組件1、1’、1”除了可以提供多重氣密擋牆外,所形成之流體通道可以用來偵測洩漏氣體,並即時調整施加壓力,避免環境氣體過度消耗且有效控制製程品質。如第8圖所示之流程圖,本發明提供一種氣密組件之測漏方法,此方法可運用上述實施例所述之氣密組件1、1’、1”,包含下列步驟:S1:提供一 本發明之氣密組件1、1’、1”;S2:將閉合件20設置於容置空間11內,密封件30被夾於容置空間11內,密封件30接收一施加壓力,其中密封件30可以被夾於閉合件20與本體10之間或兩個閉合件20之間;S3:密封件30與複數通孔40形成一流體通道60;以及S4:接收一流體通過流體通道60,其中流體包含一氣體或一液體,氣體可為惰性氣體或低反應性氣體,液體可為水或矽油,只要接收之流體不影響氣密組件運作,惟並不以此為限。在步驟S4中,若接收之流體為氣體,包含下列步驟:S5:偵測流體通道60內之一非接收氣體之另一氣體;S6:當偵測到另一氣體時,增加施加壓力。在步驟S4中,若接收之流體為液體,包含下列步驟:S5’:偵測流體通道60內之一氣體;S6’:當偵測到氣體時,增加施加壓力。在步驟S4中,採用液體除了可以形成有效之阻牆,避免洩漏氣體通過並偵測外,當流體通道60內接收一冷卻液體時,還可以進行熱交換,有效降低氣密組件1、1’、1”之溫度。在步驟S6’後,還可以增加一清潔步驟,提供一惰性氣體將液體清除,以避免閉合件20開啟時汙染製程有效區域。在變化實施例中,步驟S3中若形成複數流體通道時,步驟S4可以在部分流體通道60內接收一氣體,偵測洩漏之另一氣體, 另一部分的流體通道60內接收一冷卻液體,但不偵測洩漏氣體,僅作為降溫使用,惟並不以此為限。
上述實施樣態僅例示性說明本發明之功效,而非用於限制本發明,任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下,對上述該些實施態樣進行修飾與改變。此外,在上述該些實施態樣中之結構的數目僅為例示性說明,亦非用於限制本發明。因此本發明之權利保護範圍,應如後述之申請專利範圍所列。
1‧‧‧氣密組件
10‧‧‧本體
11‧‧‧容置空間
111‧‧‧第一端
112‧‧‧第二端
113‧‧‧側面
13‧‧‧閥口
20‧‧‧閉合件
201‧‧‧底面
202‧‧‧側面
21‧‧‧延伸部
30‧‧‧密封件
40‧‧‧通孔
50‧‧‧彈性件

Claims (26)

  1. 一種氣密組件,包含有一本體,具有至少一容置空間,每一該容置空間具有一第一端以及一第二端,該第一端設置於該本體之表面,該第一端的面積大於或等於該第二端的面積;至少一閉合件,設置於該容置空間上;一密封件,設置於該閉合件或該本體其中之一,該密封件形成至少一開口;複數通孔,設置於該閉合件或該本體其中之一;以及其中當該閉合件設置於該容置空間內且該密封件被夾於該容置空間時,該些通孔與該密封件形成之至少一開口相連通,該密封件與該些通孔形成一流體通道。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之氣密組件,其中該本體更包含有一基材通道,該基材通道通過該第二端,該基材通道具有二個相對設置的閥口。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之氣密組件,其中該容置空間為一凹槽,該第一端為一開口,該第二端為一封閉面,該容置空間還具有一側面,該閉合件具有一底面以及一側面。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之氣密組件,其中該容置空間之該側面和該閉合件之該側面為斜面狀或階梯狀。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之氣密組件,其中當該閉合件設置於該容置空間內時,該流體通道至少形成於該容置空間之該封閉面與該閉合件之該底面之間。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之氣密組件,其中該密封件覆蓋於該閉合件之該底面或該閉合件之該底面以及該側面上,該些通孔設置於該閉合件內,該些通孔與該至少一開口相連通。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之氣密組件,更包含一彈性件,覆蓋於該容置空間之該封閉面。
  8. 如申請專利範圍第3項所述之氣密組件,其中該密封件覆蓋於該容置空間之該封閉面上,該些通孔設置於該本體內,該些通孔與該至少一開口相連通。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之氣密組件,更包含一彈性件,覆蓋於該閉合件之該底面以及該側面或該閉合件之該底面以及該容置空間之該側面上。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之氣密組件,其中該密封件係由複數密封條所形成,該些密封條之間形成該至少一開口。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之氣密組件,其中該至少一容置空間包含有相對設置之一第一容置空間以及一第二容置空間,該至少一閉合件包含有一第一閉合件以及一 第二閉合件,該第一閉合件設置於該第一容置空間上,該第二閉合件設置於該第二容置空間上。
  12. 如申請專利範圍11項所述之氣密組件,其中該第一容置空間之該第一端以及該第二容置空間之該第一端為一開口,該第一容置空間之該第二端以及該第二容置空間之該第二端相連接,該第一容置空間還具有一側面,該第二容置空間還具有一側面,該第一閉合件具有一底面以及一側面,該第二閉合件具有一底面以及一側面。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之氣密組件,其中當該第一閉合件以及該第二閉合件分別設置於該第一容置空間以及該第二容置空間內時,該流體通道至少形成於該第一閉合件之該底面與該第二閉合件之該底面之間。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之氣密組件,其中該第一容置空間之該側面、該第二容置空間之該側面、該第一閉合件之該側面以及該第二閉合件之該側面為斜面狀或階梯狀。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之氣密組件,其中該密封件至少設置於該第一閉合件或該第二閉合件其中之一。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之氣密組件,其中該些通孔至少設置於該第一閉合件或該第二閉合件其中之一。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之氣密組件,更包含一彈性件,設置於該第一閉合件或該第二閉合件其中之一。
  18. 一種具有氣密組件之裝置,包含有一腔體,包含有一本體,該本體具有至少一容置空間以及一基材通道,每一該容置空間具有一第一端以及一第二端,該第一端設置於該本體之表面,該第一端的面積大於或等於該第二端的面積,該基材通道通過該第二端,該基材通道具有二個相對設置的閥口;至少一閉合件,設置於該容置空間上;一密封件,設置於該閉合件或該本體其中之一,該密封件形成至少一開口;複數通孔,設置於該閉合件或該本體其中之一;以及其中當該閉合件設置於該容置空間內且該密封件被夾於該容置空間時,該些通孔與該密封件形成之至少一開口相連通,該密封件與該些通孔形成一流體通道。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之裝置,更包含一驅動元件,連接並驅動該閉合件。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之裝置,更包含一流體供應單元以及一氣體偵測單元,分別與該些通孔相連接。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之裝置,更包含有一回饋單元,與該氣體偵測單元和該驅動元件相連接。
  22. 一種氣密組件之測漏方法,包含下列步驟:提供一如申請專利範圍第1項所述之該氣密組件; 將該閉合件設置於該容置空間內,該密封件被夾於該容置空間內,該密封件接收一施加壓力;該密封件與該些通孔形成該流體通道;以及接收一流體通過該流體通道。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之氣密組件之測漏方法,於接收該流體通過該流體通道的步驟中,該流體為一氣體。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之氣密組件之測漏方法,更包含偵測該流體通道內之一非該氣體的另一氣體;以及當偵測到該另一氣體,增加該施加壓力。
  25. 如申請專利範圍第22項所述之氣密組件之測漏方法,於接收該流體通過該流體通道的步驟中,該流體為一液體。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之氣密組件之測漏方法,更包含偵測該流體通道內之一氣體;以及當偵測到該氣體,增加該施加壓力。
TW103129215A 2014-08-25 2014-08-25 氣密組件、具有其之裝置及其測漏方法 TWI548107B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW103129215A TWI548107B (zh) 2014-08-25 2014-08-25 氣密組件、具有其之裝置及其測漏方法
CN201410497705.9A CN105508622B (zh) 2014-08-25 2014-09-25 气密组件、具有其的装置及其测漏方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW103129215A TWI548107B (zh) 2014-08-25 2014-08-25 氣密組件、具有其之裝置及其測漏方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201608731A TW201608731A (zh) 2016-03-01
TWI548107B true TWI548107B (zh) 2016-09-01

Family

ID=55716821

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103129215A TWI548107B (zh) 2014-08-25 2014-08-25 氣密組件、具有其之裝置及其測漏方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN105508622B (zh)
TW (1) TWI548107B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114909596B (zh) * 2022-06-23 2023-04-07 西安热工研究院有限公司 便于施工的重力式储气库结构

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2417090Y (zh) * 2000-01-12 2001-01-31 张熙 检漏装置
TW509764B (en) * 1998-08-12 2002-11-11 Kimberly Clark Co Leakage control system for treatment of moving webs
TW200528700A (en) * 2004-02-20 2005-09-01 Cosumo Instr Co Ltd Seal member for leakage inspection device, seal ring for leakage inspection device, and seal jig for leakage inspection device
CN102680189A (zh) * 2012-05-10 2012-09-19 黄山科能汽车散热器有限公司 一种检漏装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW348279B (en) * 1995-04-10 1998-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Substrate grinding method
JP4717179B2 (ja) * 2000-06-21 2011-07-06 日本電気株式会社 ガス供給装置及び処理装置
EP1489404A1 (de) * 2003-06-16 2004-12-22 GeSIM Gesellschaft für Silizium-Mikrosysteme mbH Verfahren zum Herstellen einer 3-D-Mikroskop-Durchflusszelle
US7449067B2 (en) * 2003-11-03 2008-11-11 International Business Machines Corporation Method and apparatus for filling vias
SG10201400835QA (en) * 2005-09-27 2014-07-30 Entegris Inc Reticle Pod
CN101553902B (zh) * 2006-12-01 2010-11-10 夏普株式会社 半导体器件的制造装置及制造方法、以及利用该制造方法制造的半导体器件
KR100954212B1 (ko) * 2007-11-13 2010-04-21 송성태 진공 게이트밸브
US7749917B1 (en) * 2008-12-31 2010-07-06 Applied Materials, Inc. Dry cleaning of silicon surface for solar cell applications
US8187386B2 (en) * 2010-12-22 2012-05-29 Primestar Solar, Inc. Temporally variable deposition rate of CdTe in apparatus and process for continuous deposition
CN102674246B (zh) * 2012-05-25 2014-02-19 中山大学 一种太阳能加热型板式甲醇重整制氢微反应器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW509764B (en) * 1998-08-12 2002-11-11 Kimberly Clark Co Leakage control system for treatment of moving webs
CN2417090Y (zh) * 2000-01-12 2001-01-31 张熙 检漏装置
TW200528700A (en) * 2004-02-20 2005-09-01 Cosumo Instr Co Ltd Seal member for leakage inspection device, seal ring for leakage inspection device, and seal jig for leakage inspection device
CN102680189A (zh) * 2012-05-10 2012-09-19 黄山科能汽车散热器有限公司 一种检漏装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN105508622A (zh) 2016-04-20
CN105508622B (zh) 2018-01-05
TW201608731A (zh) 2016-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7665951B2 (en) Multiple slot load lock chamber and method of operation
CN102230155A (zh) 可分离式腔体
CN109781359B (zh) 燃料电池双极板的密封性检测装置与方法
ATE308122T1 (de) Brennstoffzellenplatten mit durch spritzguss hergestellten dichtungen
CN101086973B (zh) 一种有机发光器件的密封压合方法以及用于该方法中的封装设备
TWI548107B (zh) 氣密組件、具有其之裝置及其測漏方法
JP6125851B2 (ja) バルブシステム
PL1757887T3 (pl) Blok wymiennika ciepła
CN104145345A (zh) 太阳能电池模块的制造方法及层压装置
JP6257616B2 (ja) コーティングされた基板を処理するための、プロセスボックス、装置及び方法
US10175138B1 (en) Packaging structure and detection method for the tightness thereof and manufacturing method for the same, display apparatus, and photovolaic device
WO2007132219A3 (en) Gaskets for fuel cells
AU2014376966B2 (en) Fuel cell unit
CN109563622A (zh) 匀流板和工艺腔匀气装置
US20170025643A1 (en) Crucible and evaporation device
KR101268874B1 (ko) 진공 공정용 게이트 밸브의 도어
KR101452341B1 (ko) 기판처리장치
KR102260370B1 (ko) 전체-영역 대향류 열 교환 기판 지지부
TW201339356A (zh) Pecvd系統的熱傳控制
TWI742047B (zh) 半導體處理室狹縫閥開口之清洗設備
JP3063497B2 (ja) 薄膜光電変換素子の製造装置
CN207489814U (zh) 一种刻蚀设备的上电极安装结构以及刻蚀设备
US20120145724A1 (en) Vacuum container
CN102762905B (zh) 插板阀的密封结构
KR101608595B1 (ko) 자성 유체 씰