TWI542142B - 差動二級放大器與其運作方法 - Google Patents

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Description

差動二級放大器與其運作方法
本發明為一種差動放大器，特別是一種可以具有高溫電流補償機制的差動二級放大器。
在現今製程進步到90、45nm甚至更低如28nm等製程底下時，功率消耗所產生的熱能相對於一個微小的晶片而言就是相當高的環境溫度，如此的溫度變化勢必對電路帶來一定程度的影響，在許多需要精密量測結果的電路，如溫度感測器，這樣的高溫影響是我們必須避免的問題。
本發明的一實施例提供一種差動二級放大器。該差動二級放大器包括一輸入級電路、一偏壓電路、一第一級放大電路、一第二級放大電路、一共模回授電路以及一電流補償電路。該輸入級電路，接收一輸入電流。該偏壓電路，耦接該輸入級電路，產生一偏壓電流。該第一級放大電路，耦接該輸入級電路與該第二級放大電路。該共模回授電路，耦接該第二級放大電路，並根據一共模電壓調整一共模回授電流，其中該輸入電流由該偏壓電流與該共模回授電流所組成。該電流補償電路，用以提供一補償電流，其中當該差動二級放大器的一溫度大於一預定溫度值時，將該補償電流輸入該輸入級電路。
本發明的一實施例提供一種動二級放大器的運作方法，包括：計算一差動二級放大器內的一共模回授電路的一臨界溫度；根據該臨界溫度計算一補償電流；當該差動二級放大器的一溫度低於該臨界溫度時，該共模回授電路提供一共模回授電流給該差動二級放大器內的一輸入級電路；當該差動二級放大器的一溫度高於該臨界溫度時，該共模回授電路停止提供該共模回授電流給該輸入級電路，該輸入級電路接收一電流補償電路輸出的一補償電流。
10、30、80、90‧‧‧差動二級放大器
11、81‧‧‧雙端輸出放大器
12、82‧‧‧偏壓電路
13、83‧‧‧共模回授電路
31、91‧‧‧偏壓電路
32、92‧‧‧輸入級電路
33、93‧‧‧第‧‧‧級放大器
34、94‧‧‧第二級放大器
35、95‧‧‧共模回授電路
84‧‧‧電流補償電路
MC‧‧‧電流補償電晶體
S1301‧‧‧計算共模回授電路的一臨界溫度T
S1302‧‧‧根據該臨界溫度T計算一補償電流
S1303‧‧‧根據該補償電流計算電晶體的寬長比
S1304‧‧‧電路溫度>T？
S1305‧‧‧電流補償電晶體提供電流給差動二級放大器的輸入級電路
S1306‧‧‧共模回授電路提供電流給輸入級電路
第1圖為一差動二級放大器的示意圖。
第2圖為一共模回授電路的示意圖。
第3圖為一差動二級放大器的電路圖。
第4A、4B圖為第3圖的差動二級放大器的電路中的四個端點的電壓變化示意圖。
第5A~5C圖為第3圖的電路中的電流與溫度的變化示意圖。
第6A~6D圖為第3圖的電路中的第一級放大器33內的電壓電流與溫度的變化示意圖。
第7A圖與7B圖分別為第一級放大器的輸出電壓與差動二級放大器的輸出電壓與溫度的示意圖。
第8圖為根據本發明之具有電流補償機制的一差動二級放大器的一實施例的示意圖。
第9圖為根據本發明之具有電流補償電晶體的一差動二級 放大器的一實施例的電路圖。
第10A~10D圖為第9圖的電路中的電流與溫度的變化示意圖。
第11圖為電流補償電晶體的寬長比與溫度的示意圖。
第12A與第12B圖則是有無電流補償下，差動二級放大器中的電流Icmfb的示意圖。
第13圖為一差動二級放大器的運作方法的一實施例的流程圖。
溫度一直是影響電路效能的一個重要因素。隨著製程的進步，積體電路的越來越微小化，熱對於積體電路的影響就越來越明顯，這樣的影響會使得電路的效能開始變差，更嚴重時甚至是無法使用。
以常用的場效電晶體(MOSFET)而言，其飽合區電流公式為：
其中漂移率μ以及臨界電壓VT會受到溫度影響。
從方程式2.2中可以發現，在T0溫度時，漂移率μ (T)為一定值μ(T0)，且漂移率μ(T)隨溫度變化比例(T/T0)成γμ次方而變化。
一般來說，臨界電壓VT隨溫度變化約為線性變化，α為其溫度變化係數。隨著製程的不同，α也會有變化。舉例來說，在1.8um製程中，α為0.00017mV/℃，但是在90nm製程中，α值高達0.05mV/℃。可知在未來元件製程越來越小的趨勢下，溫度的影響勢必越來越嚴重。
以放大器為例說明。放大器為電路中使用相當頻繁且重要的電路之一，放大器中為了追求大的放大率，我們會將電晶體偏壓於飽和區。當VGS固定時，電流I D 就會正比於VGS與臨界電壓VT的電壓差的平方。當溫度升高到一定程度時，會使得放大器內部部分電晶體脫離飽和區進入線性區，最終導致放大器放大率下降，更嚴重時導致放大器無法繼續工作。同樣的情形也可能出現在差動二級放大器上。
第1圖為一差動二級放大器的示意圖。差動二級放大器10包括了雙端輸出放大器11、共模回授電路13與偏壓電路12。偏壓電路12是由Bandgap電路及電流產生電路組成，以輸入電流的方式偏壓雙端輸出放大器11。共模回授電路13，如第2圖所示，是一種普遍運用於差動二級放大器10的一項技術。共模回授電路13偵測雙端輸出放大器11的輸出端的共模電壓準位(Vcm)的變化，並調整差動二級放大器10的輸入級電流，以避免差動二級放大器10受到溫度的影響。共模電壓準位由外部所提供的common mode電壓。
但是當溫度過高時，如超過110℃，共模回授電路 13無法提供足夠的電流去調整差動二級放大器10的輸入級電流，使得雙端輸出放大器11的輸出電壓偏壓點無法被控制，造成雙端輸出放大器11無法正常運作。
第3圖為一差動二級放大器的電路圖。差動二級放大器30包括偏壓電路31、輸入級電路32、第一級放大器33、第二級放大器34以及共模回授電路35。偏壓電路31以電流鏡的方式產生不同的偏壓電流，並傳送到其他電路，如輸入級電路32。第一級放大器33為一疊接放大器，用以對輸入信號Vi+與Vi-做第一次的放大。選擇疊接放大器的原因是要提高輸入信號的信號擺幅，且疊接放大器有較高的放大率。第二級放大器34為一共源極放大器，以針對第一級放大器32的輸出信號進行第二次的放大及增加輸出擺幅。共模回授電路35根據輸出共模電壓準位變化(Vcm)來調整第一級放大器33的偏壓電流Icmfb。
偏壓電路31以固定電流源來產生偏壓，首先是偏壓放大器的部分，由於是由固定電流偏壓，在VT改變時，VGS以及VDS會變動使得電流不改變，VGS的改變即使得偏壓放大器的電壓改變，由電流公式(2.1)我們可以推導出第3圖所示差動二級放大器30電路上，四個偏壓點bp0、bp1、bn0、bn1的電壓變化，電壓變化請參考第4A-4B圖。第4A-4B圖為第3圖的差動二級放大器30的電路中的四個偏壓點bp0、bp1、bn0、bn1的電壓變化示意圖。各偏壓點電壓如下所示：
從上述的公式中可以發現每個部分(term)都有VT的成份。在固定電流為前提下，可以發現根號內部的數值僅受到μ溫度係數的影響，μ本身受溫度影響並不明顯，所以四個電壓偏壓的變化狀況為接近線性的變化。
從第4A-4B圖上來看，Vbp0、Vbp1隨溫度升高而升高，Vbn0、Vbn1隨溫度升高而降低，其中Vbp0、Vbp1變化幅度接近，Vbn1由於受到通道長度調變效應影響，變化較Vbn0大。
從第4A-4B圖來看，雖然偏壓點bp0、bp1、bn0、bn1的電壓有變化，但是並不明顯，因此溫度對這幾個偏壓點的電壓的影響應該是有限的。
第3圖的電路中，輸入電壓為固定的直流電壓(VDD/2)，而輸入級電路32的電流來源有兩種，一個是以電流鏡的方式，由偏壓電路31產生的偏壓電流，另一為共模回授電路35所提供回授控制的電流Icmfb。接著，以第4圖的電壓變化來觀察第3圖的電路中，與輸入級電路32有關的電流的變化。流經電晶體T1的輸入電流I1如下所示：I1=Ibp0+Icmfb
第5A~5C圖為第3圖的電路中的電流與溫度的變化示意圖。在第5B圖中可以清楚發現，共模回授電路35所提供回授控制的電流Icmfb，在溫度大於110度左右時，即趨近於0。雖 然電流Ibp0會隨著溫度增高而增加，但是因為回授控制的電流Icmfb所造成輸入電流I1(I2)所減少的部分，如第5A圖所示，仍無法被補足。
從第5C圖可以發現，即使讓共模回授電路35所提供共模回授電壓Vcmfb準位固定的情況下，電流Ibp0並不會因為電流鏡效果而為固定電流，而是會因為VT受到溫度的變化下降，而有上升的趨勢。此外由於共模回授電路35偵測到溫度上升以及共模回授電壓Vcmfb準位的改變，共模回授電路35會調整回授電流Icmfb以抑制輸入級電流，進而抑制電壓變化。而其中電流調整變化幅度隨著輸出電壓受溫度影響的強弱(與製程相關)而改變。
第6A~6D圖為第3圖的電路中的第一級放大器33內的電壓電流與溫度的變化示意圖。疊接放大器(第一級放大器33)對於二級差動放大器而言，最主要的功用在於提供高的輸出阻抗。所以當確定第一級放大器33(疊接放大器)是偏壓於飽和區，而具有高阻抗的特性後，需要注意的是第一級放大器33(疊接放大器)輸出的電壓位準。因第一級放大器33(疊接放大器)的輸出直接連接至第二級放大器34(共源極放大器)的輸入，因此，在第6圖中，針對會影響到第二級放大器34(共源極放大器)的輸出電壓的電流或電壓進行觀察。
從第3圖的電路來看，流經電晶體T5與T6之電流I5與I6可以由下列式子表示：I5=I1+I3
I6=I2+I4
流經電晶體T3與T4之電流I3與I4是透過電流鏡複製的電流，從第6C圖來看，在溫度沒有超過110℃前，其變化量是不大的。但是當溫度超過110℃後，電流快速降低。如前所述，電流I5與I6與電流I3與I4是相關的，在第6A圖中也可以發現，當溫度高於110℃時，電流I5與I6也是逐步減少。但是當溫度低於110℃時，電流I5與I6因為電流I1與I2降低的原因，因此也是逐步減少，其中電流I1與I2降低的原因是因為共模回授電路35所提供回授控制電流降低所造成(請參考第5B圖)。
在第6C圖中，在正常運作下(溫度低於110℃)電晶體T5的VDS5與電晶體T6的VDS6是操作在飽和區，受到電晶體T3與T4的影響較低。但是隨著溫度上升，VT下降使得電晶體T3與T4的操作往線性區移動，且電晶體T3的VDS3與電晶體T4的VDS4逐步下降，最後導致電壓VDS5與VDS6的上升，以及第一級放大器33的輸出電壓Vpre-outp的上升。因為電晶體T3的VDS3與電晶體T4的VDS4逐步下降，使得電晶體T3與T4所能提供的阻抗降低，第一級放大器的放大倍率也因此降低。
第7A圖與7B圖分別為第一級放大器33的輸出電壓Vpre-outp與差動二級放大器30的輸出電壓Voutp與溫度的示意圖。第7A圖與第6D圖相似，在溫度大於一定溫度，如110℃時，輸出電壓Vpre-outp會因為電晶體T3的VDS3與電晶體T4的VDS4的下降而逐步上升。但是差動二級放大器30的輸出電壓Voutp卻不會因此上升，反而會逐步下降。差動二級放大器30中的第二級放大器34為一共源極放大器，接收到的偏壓電流為偏壓電路31之電流鏡複製的固定電流。同樣地，因為電晶體T11(T12)會 受到溫度影響，在溫度增加時，VT會下降，電晶體的VGS會被拉高，導致電晶體T11(T12)的操作往線性區移動，使得輸出電壓Voutp逐步下降。
從上述說明可以明顯看出，當溫度超過一臨界溫度後，差動二級放大器30就無法正常運作。因為溫度的變化造成臨界電壓的變化過大，超出電晶體本身的操作範圍，而共模回授電路35也無法再提供回授抑制(因為Icmfb降至約0)。因此，必須先得知共模回授電路35在溫度多少時會開始失效。
從第2圖來看，共模回授電路13藉由輸出電壓Voutp與Voutn產生共模回授電壓Vcmfb，並與共模電壓Vcm比較。第3圖中的電晶體T15~T22即是用以比較共模回授電壓Vcmfb與共模電壓Vcm。當溫度沒有變化時，共模回授電壓Vcmfb大致上等於共模電壓Vcm。
當溫度開始升高時，共模回授電壓由Vcmfb變動成VcmfbHT，其變化量為β△T。溫度變化造成的電壓變化可由下列公式表示：
共模回授電壓Vcmfb的變化如下式：
在比較過電壓後，是以電流鏡的方式調整輸入電流Icmfb，因此如果電晶體，如電晶體T15，因為VG變化過大而進入截止區時，電流Icmfb為0。電晶體截止區判斷公式如下： V GS <V t (3.22)
根據上述判斷公式，加入溫度的變化後，可推得共模回授電路35正常運作的溫度上限。請參考下列推導： V cmfbT50-△V cmout <V tHT =V tT50-α×△T (3.23)
(β-α)×△T>V cmfbT50-V tT50 (3.24)
從上列式子中可以發現溫度的變化量的大小決定於兩者。分子部分為操作電壓的設計(VcmfbT50)以及製程(VtT50)，分母部分為輸出電壓準位的變化β(可由電路模擬中取得)以及製程因素α(當製程決定的同時即決定)。在本揭露書中，輸出電壓準位的變化β如第7B圖中，輸出電壓Voutp在溫度約-30℃到50℃的電壓變化的斜率。在上述公式中，VcmfbT50是指在溫度50℃時，Vcmfb的電壓值，而VtT50是指在溫度50℃時，Vt值。
換言之，當差動二級放大器30電路設計完後，即可推知共模回授電路35的可容忍溫度範圍△T以及無法正常運作之溫度(T+△T)，其中在本實施例中，T為50℃。
如前所述，差動二級放大器30無法正常運作的原因是因為共模回授電路35無法提供調整電流，因此本說明書提供一種以電流補償機制，以彌補共模回授電路35在高溫無法提供調整電流給差動二級放大器30的輸入級的情況。
第8圖為根據本發明之具有電流補償機制的一差動二級放大器的一實施例的示意圖。差動二級放大器80包括了 雙端輸出放大器81、共模回授電路83、電流補償電路84與偏壓電路82。偏壓電路82是由Bandgap電路及電流產生電路組成，以輸入電流的方式偏壓雙端輸出放大器81。共模回授電路83，如第2圖所示，是一種普遍運用於差動二級放大器80的一項技術。共模回授電路83偵測雙端輸出放大器81的輸出端的共模電壓Vcm準位的變化，並調整差動二級放大器80的輸入級電流，以避免差動二級放大器80受到溫度的影響。共模電壓準位由外部所提供的common mode電壓。
但是當溫度過高時，如超過110℃，因為共模回授電路83無法提供足夠的電流去調整差動二級放大器80的輸入級電流，因此透過電流補償電路82提供電流給差動二級放大器80的輸入級，使得差動二級放大器80可以正常運作。電流補償電路82的實現方式有很多種，其中為了避免過多的電路導致差動二級放大器80運作時產生更多的熱，造成電路的溫度上升更快，因此本發明的一實施例便利用電晶體的漏電流特性來做高溫的電流補償。在其他實施例中，可利用其他的電流補償電路來達到相同的目的。
簡單來說，當差動二級放大器80的溫度低於一預定溫度時，雙端輸出放大器81接收偏壓電路82與共模回授電路83提供的電流。當差動二級放大器80的溫度高於一預定溫度時，雙端輸出放大器81接收偏壓電路82與電流補償電路84提供的電流。
第9圖為根據本發明之具有電流補償電晶體的一差動二級放大器的一實施例的電路圖。差動二級放大器90包括 偏壓電路91、輸入級電路92、第一級放大器93、第二級放大器94、共模回授電路95以及電流補償電晶體MC。偏壓電路91以電流鏡的方式產生不同的偏壓電流，並傳送到其他電路，如輸入級電路92。第一級放大器93為一疊接放大器，用以對輸入信號Vi+與Vi-做第一次的放大。選擇疊接放大器的原因是要提高輸入信號的信號擺幅(input signal swing)，且疊接放大器有較高的放大率。第二級放大器94為一共源極放大器，以針對第一級放大器92的輸出信號進行第二次的放大及增加輸出擺幅(output signal swing)。共模回授電路95在差動二極放大器90內部比較共模電壓Vcm準位變化來調整第一級放大器93的偏壓電流Icmfb。
因為漏電流會隨著溫度上升而增加，因此可以在高溫時提供輸入級電路92電流，而在一般溫度下，漏電流並不明顯，不影響差動二級放大器90的電路運作。透過電流補償電晶體MC提供的漏電流Imc，可使得偏壓電流Icmfb不會降低為0，也不會造成差動二級放大器90無法運作。
在第9圖的電路中，利用電流補償電晶體MC提供的漏電流Imc作為輸入級電路92的另一個輸入電流源，使得原本在高溫會降至0的電流Icmfb，在超過一定溫度後開始獲得額外的電流調整，使得電流Icmfb不再下降，共模回授電路維持正常工作。關於電流補償後的輸入級電流模擬圖，請參考第10A~10D圖。從第10B與第10D圖來看，電流補償電晶體MC提供的漏電流Imc有效地補足電流Icmfb減少的電流量。
至於電流補償電晶體MC該如何選擇，請參考下文 說明。
由於我們是將電晶體漏電流用來彌補共模回授電路所不足的調整電流，所以我們將補償狀況設定在電晶體漏電流等於共模回授電路95調整電流Icmfb的變化量，因為電流Icmfb為電流鏡的方式產生的電流，所以其電流等於電晶體T15的電流：
再將電流Icmfb電流變化代入電晶體飽和區電流公式，其中我們將升高溫度後的Vcmfb電壓命名為VcmfbHT，50℃為比較基準點命名為VcmfbT50，同時VT也以一樣的規則作命名，得到共模回授電路調整電流的變化量△I15：
加入溫度的影響後可得到下列式子：
最後，將基準點溫度(50℃)的共模回授電路95之電流值IcmfbCM加上電晶體漏電流所提供的電流量必須大於溫度變化產生的△I15來做最後補償的判定式如下： I cmfbCM -△I 15+I mc >0 (3.30)
因此可得到電流補償電晶體MC的尺寸如下：
透過式子3.31，便可在不同製程下代入不同的參數值如α、β，以及設計的電壓電流情況判斷VDS及IcmfbCM，最終以調整電晶體尺寸的方式來符合各種狀況下的使用。
此外，由於漏電流以指數型式增加，並且共模回授電路95提供的抑制電流Icmfb只要不要降到0就可以使共模回授電路95正常工作。所以我們分析其最佳的補償尺寸，可以得到一個最大需要補償的目標，若達到此目標在更高溫的變化狀況下也可以達到補償，我們視其為最佳補償尺寸，如第11圖所示。
從第11圖來看，可得知約在100℃左右，電流補償電晶體MC的尺寸最大，與第10B圖中電流Icmfb的最低值對應的溫度值相近，但是與未補償前電流Icmfb的最低值對應的溫度值約110℃，如第5B圖，是不同的。
第12A與第12B圖則是有無電流補償下，差動二級放大器95中的電流Icmfb的示意圖。第12A圖是沒有電流補償電晶體MC的情況下，電流Icmfb與溫度的變化示意圖。明顯從第12A圖中可以發現，當溫度在125度時，電流Icmfb趨近於0。第12B圖是具有電流補償電晶體MC的差動二級放大器90的電流 Icmfb與溫度的變化示意圖。從第12B圖中可以發現，即使溫度超過了125度電流Icmfb仍不會接近0，如此一來共模回授電路95便可正常運作。
第13圖為一差動二級放大器的運作方法的一實施例的流程圖。差動二級放大器包括偏壓電路、輸入級電路、第一級放大器、第二級放大器、共模回授電路以及電流補償電晶體。在步驟S1301中，計算共模回授電路正常操作下的臨界溫度T。當電路溫度大於臨界溫度T時，共模回授電路便無法提供共模回授電流給輸入級電路，使得差動二級放大器無法正常運作。在步驟S1302中，根據該臨界溫度T求得一補償電流。在步驟S1303中，根據該補償電流計算該電流補償電晶體的寬長比。
在步驟S1304中，判斷此時電路的溫度是否有大於該臨界溫度T。如果電路的溫度大於T，則執行步驟S1305，此時因為共模回授電路無法正常提供電流給輸入級電路，因此由電流補償電晶體提供電流給輸入級電流。在本實施例中，因為是利用電晶體的漏電流特性設計電流補償電晶體，使得電流補償電晶體可以在高溫時提供電流給輸入級電流，而漏電流在溫度低的時候並不明顯，因此在電路溫度低時，並不會發生電流補償電晶體提供過多的電流給輸入級電路的情況發生。如果電路的溫度小於T，則執行步驟S1306，由共模回授電路提供電流給輸入級電路。
前述提到過多的電路元件在運作時會產生更多的熱，使得差動二級放大器更容易受到溫度影響，因此本發明利 用電晶體的漏電流特性來補償高溫下，共模回授電路無法提供電流的情形。但是習知技藝者仍可設計特定電路以補償差動二級放大器的輸入電流。舉例來說，習知技藝者可設計一偵測電路，用以偵測共模回授電路輸出的共模回授電流，且當共模回授電流小於一預定值時，由一電流產生電路產生補償電流，並將該補償電流輸入差動二級放大器的輸入級電路。在另一實施方式中，利用一溫度偵測電路偵測差動二級放大器的溫度。當差動二級放大器的溫度大於一臨界溫度T時，由一電流產生電路產生補償電流，並將該補償電流輸入差動二級放大器的輸入級電路。當差動二級放大器溫度小於一臨界溫度T時，由共模回授電路提供共模回授電流給差動二級放大器的輸入級電路。
惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍。另外本發明的任一實施例或申請專利範圍不須達成本發明所揭露之全部目的或優點或特點。此外，摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，並非用來限制本發明之權利範圍。
80‧‧‧差動二級放大器
81‧‧‧雙端輸出放大器
82‧‧‧偏壓電路
83‧‧‧共模回授電路
84‧‧‧電流補償電路

Claims (8)

  1. 一種差動二級放大器，包括：一輸入級電路，接收一輸入電流；一偏壓電路，耦接該輸入級電路，產生一偏壓電流；一第一級放大電路，耦接該輸入級電路；一第二級放大電路，耦接該第一級放大電路；一共模回授電路，耦接該第二級放大電路，並根據一共模電壓調整一共模回授電流，其中該輸入電流由該偏壓電流與該共模回授電流所組成；以及一電流補償電路，用以提供一補償電流，其中當該差動二級放大器的一溫度大於一預定溫度值時，將該補償電流輸入該輸入級電路，其中該電流補償電路為一電晶體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之差動二級放大器，其中該第一級放大電路為一疊接放大器。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之差動二級放大器，其中該第二級放大電路為一共源極放大器。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之差動二級放大器，其中當該差動二級放大器的該溫度大於該預定溫度值時，該共模回授電路輸出的共模回授電流為0。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之差動二級放大器，其中該預定溫度值係根據該共模回授電路內的至少一個電晶體的一臨界電壓的一溫度係數所求得。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之差動二級放大器，其中該溫度係數與該電晶體的製程有關。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之差動二級放大器，其中該電晶體的寬長比係根據該補償電流所決定。
  8. 一種差動二級放大器的運作方法，包括：計算一差動二級放大器內的一共模回授電路的一臨界溫度；根據該臨界溫度計算一補償電流；當該差動二級放大器的一溫度低於該臨界溫度時，該共模回授電路提供一共模回授電流給該差動二級放大器內的一輸入級電路；以及當該差動二級放大器的一溫度高於該臨界溫度時，該共模回授電路停止提供該共模回授電流給該輸入級電路，該輸入級電路接收一電流補償電路輸出的一補償電流，其中該電流補償電路為一電晶體。
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