TWI539563B - 軟性基材之封裝製程及其結構 - Google Patents

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Description

軟性基材之封裝製程及其結構
本發明係有關於一種軟性基材之封裝製程及其結構；更詳而言之，特別係指一種利用前製程、裝載、封裝、卸載、雷射等步驟完成軟性基材的封裝製程，其主要係藉由裝載步驟在軟性基材上接著承載補強板，使得軟性基材在封裝製程中減少翹曲、變形，可精確進行晶片的封裝作業，有效提升晶片封裝製程的良率，使成本降低的軟性基材之封裝製程及其結構。
按，隨著電子產業的蓬勃發展與資訊產品的擴增，對半導體電子元件的需求日益殷切，因此，在科技進步及市場需求下，半導體元件的封裝技術進步迅速，主要係將銅箔經由沖切、蝕刻、沖壓等製程製作而成導線基材，並在導線基材上進行晶片的封裝作業的封裝技術，迄今，導線基材的封裝技術已漸趨成熟。
而習知較常見的導線架基材的封裝技術為球狀矩陣(Ball Grid Array，以下簡稱BGA)封裝技術，而習知BGA封裝技術根據使用導線基材材料的不同，分為塑膠球柵陣列(Plastic BGA，以下簡稱PBGA)、捲帶球柵陣列(Tape BGA，以下簡稱TBGA)等封裝技術。
請參閱第一圖，第一圖係為習知捲帶球柵陣列封裝技術之封裝結構；由圖可知，該導線基材(4)係由電鍍層(40)、導電材(41)以及軟性載板(42)所組合而成，該 導電材(41)上、下方係分別形成有電鍍層(40)，該導電材(41)上方之電鍍層(40)上係形成有黏著層(C)，該導電材(41)下方之電鍍層(40)上係接著有軟性載板(42)，該軟性載板(42)係穿置有錫球(A)，該導線基材(4)中間斷開處係連接有絕緣層(B)，在絕緣層(B)上係設置有晶片(E)，於晶片(E)兩側形成有絕緣層(B)，且於晶片(E)上方係形成有覆蓋有熱固性材料(F)，其中，於黏著層(C)、熱固性材料(F)上方係覆蓋有散熱層(D)。
所述導線基材(4)之導電材(41)係為銅箔，而該軟性載板(42)係為醯胺化合物(Polyimide,PI)，因此，導線基材(4)既輕且薄，能夠較以往完成更小間距的封裝尺寸，因此被廣泛應用於記憶體或通訊IC或高附加價值的IC上。
然，由於TBGA封裝技術係採用可撓性的捲帶式基板(如前述由電鍍層(40)、導電材(41)以及軟性載板(42)所組合而成的導線基材(4))，因此，在利用TBGA封裝技術進行晶片封裝時，可撓性的捲帶式基板常有翹曲、變形的情況發生，降低封裝製程的良率。
有鑑於此，本案發明人遂依其多年從事相關領域之研發經驗，針對前述利用可撓性的捲帶式基板在晶片封裝上之缺失進行深入探討，並依前述需求積極尋求解決之道，歷經長時間的努力研究與多次測試，終於完成此發明。
本發明之主要目的係在於提供一種利用前製程、裝載、封裝、卸載、雷射等步驟完成軟性基材的封裝製程，其主要係藉由裝載步驟在軟性基材上接著承載補強板，使得軟性基材在封裝製程中減少翹曲、變形，可精確進行晶片的封裝作業，有效提升晶片封裝製程的良率，使成本降低的軟性基材之封裝製程及其結構。
依據上述目的，本發明為矩形軟性載板之封裝製程，大致包含有前製程、裝載、雷射及封裝等步驟；主要係將一由導電材及軟性載板上下接著的軟性基材經過薄膜、光罩、蝕刻製程而形成有外框架，在外框架內係形成有由複數個呈矩形陣列排列的晶片基材，其中，該晶片基材係由一銲墊及複數個相互斷開的導線與一為醯胺化合物(Polyimide,PI)的軟性載板上下相互接著而成，而在導線及軟性載板上方係可依需求塗佈防銲漆。
接著，在軟性基材的外框架上方、外框架下方的軟性載板、或者同時在軟性基材的外框架上方及外框架下方的軟性載板上接著承載補強板，以增加軟性基材的結構強度。
接續，在軟性載板上進行雷射鑽孔作業，使得軟性載板上形成有與導線相互連通的導孔，而在軟性載板上可依需求設置與銲墊相連通的整數個導孔，其中，在與導孔相連通的導線及銲墊表面係鍍有金屬保護層；續再於銲墊上進行晶片的封裝作業。
最後，再利用熱固性材料在接著有晶片的晶片基材上進行封膠作業；其中，該雷射及封裝步驟係可依使用者需求而變換順序，倘若雷射步驟在封裝步驟之後，則在與導孔相連通的導線及銲墊表面係不形成有金屬保護層；此外，當軟性載板下方為完全接著承載補強板時，使用者必須在雷射步驟前先進行卸載步驟移除軟性載板下方的承載補強板，以維持雷射品質；據此，本發明可藉由承載補強板增加軟性基材的結構強度，有效地提升晶片封裝製程的良率，同時使成本降低。
因此，依據前述之封裝製程可知，本發明所述軟性基材之封裝結構，主要係具有由導電材及軟性載板上下接著的軟性基材，該軟性基材係形成有外框架，在外框架內係形成有由複數個呈矩形陣列排列的晶片基材，該晶片基材係由一銲墊及複數個相互斷開的導線與軟性載板上下相互接著而成，其中，該軟性載板內係形成有連通導線的導孔以及連通銲墊的整數個導孔，在銲墊上係接著有晶片，該晶片上係以錫球或金屬線與導線接著導通，而在接著有晶片的晶片基材上係覆蓋有熱固性材料；而所述軟性基材的外框架上方、或外框架下方的軟性載板上、或者同時在軟性基材的外框架上方及對應外框架下方的軟性載板上係接著有承載補強板。
為期許發明作之目的、功效、特徵及結構能夠有更為詳盡之瞭解，茲舉數個實施例並配合圖式說明如後。
第一實施例：
首先請參閱第二圖：本發明所述一種軟性基材之封裝製程(1)，係包含有下列步驟：前製程(10)：將一由導電材(G)及軟性載板(212)上下接著而成的軟性基材(2)經過薄膜、光罩、蝕刻製程後形成有外框架(20)，該軟性基材(2)之外框架(20)內係形成有由複數個呈矩形陣列排列的晶片基材(21)，該晶片基材(21)係由一銲墊(210)及複數個相互斷開的導線(211)與軟性載板(212)上下相互接著而成；其中，該軟性載板(212)係為醯胺化合物(Polyimide,PI)，該銲墊(210)及導線(211)係由第一導電材(G0)及第二導電材(G1)上下接著而成，該第一導電材(G0)係為銅箔，而該第二導電材(G1)係可為銅、銀、鎳、鈀或金之單一組合或多重組合而成。
裝載(11)：該裝載(11)步驟主要係在軟性基材(2)之外框架(20)上方接著承載補強板(3)(其中，該承載補強板(3)係為鋁或不鏽鋼等之金屬材質，亦可為聚對苯二甲酸乙二脂(polyethylene terephthalate,PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate,PEN)或醯胺化合物(Polyimide,PI))，藉以間接增加軟性基材(2)的結構強度。
雷射(12)：在軟性載板(212)上進行雷射鑽孔作 業，使得軟性載板(212)上形成有與導線(211)相互連通的導孔(2120)，而在軟性載板(212)上可依需求設置與銲墊(210)相連通的整數個導孔(2100)(本發明第二圖係以兩個導孔(2100)為較佳實施)，其中，在分別與導孔(2120)及導孔(2100)相連通的導線(211)及銲墊(210)表面係鍍有可為銅、銀、鎳、鈀或金之單一組合或多重組合而成金屬保護層(23)。
封裝(13)：在晶片基材(21)上進行晶片(213)的封裝作業，主要係在銲墊(210)上接著晶片(213)後，再進行銲線作業，使得晶片(213)透過金屬線(214)或是錫球(圖中未示)與晶片基材(21)的導線(211)連接導通，接續，再利用為環氧樹脂、矽膠或陶瓷的熱固性材料(215)在軟性載板(212)上方及銲墊(210)與導線(211)之間進行封膠作業，以令晶片(213)和外界隔絕，避免金屬線(214)被破壞，同時可防止濕氣進入接觸晶片(213)，避免晶片(213)遭到腐蝕，亦可避免不必要的訊號干擾，並且能有效地將晶片(213)運作時所產生的熱氣排出到外界，提升晶片(213)散熱效果。
因此，本發明係將為醯胺化合物(Polyimide,PI)的軟性載板(212)來當作軟性基材(2)的組成之一，藉以間接增加軟性基材(2)的結構強度，可精確的在軟性基材(2)進行雷射(12)及封裝(13)步驟，徒增利用軟性基材(2)進行晶片(213)封裝製程的良率，使成本降低。
而依據前述之封裝製程可知，本發明第一實施例所 述軟性基材之封裝結構，主要係具有由導電材及軟性載板(212)上下接著的軟性基材(2)，該軟性基材係形成有外框架(20)，在外框架(20)內係形成有由複數個呈矩形陣列排列的晶片基材(21)，該晶片基材(21)係由一銲墊(210)及複數個相互斷開的導線(211)與為醯胺化合物(Polyimide,PI)的軟性載板(212)上下相互接著而成，而該軟性基材(2)之外框架(20)上方係額外接著有承載補強板(3)，其中，該軟性載板(212)內係形成有連通導線(211)的導孔(2120)以及連通銲墊(210)的整數個導孔(2100)，在銲墊(210)上係接著有晶片(213)，該晶片(213)上係以錫球或金屬線(214)與導線(211)接著導通，而在接著有晶片(213)的晶片基材(21)上係覆蓋有為環氧樹脂、矽膠或陶瓷材質的熱固性材料(215)。
第二實施例：
續請參閱第三圖；本發明第二實施例大致上同於第一實施例，其主要差異在於，本發明第二實施例係可依需求在前製程(10)步驟及裝載(11)步驟後，先進行封裝(13)步驟再進行雷射(12)步驟，倘若雷射(12)步驟在封裝(13)步驟之後，則在分別與導孔(2120)及導孔(2100)相連通的導線(211)及銲墊(210)表面係不形成有金屬保護層(圖中未示)。
而本發明第二實施例同樣係可在外框架(20)上接著有承載補強板(3)的軟性基材(2)上精確的進行晶片(213)的封裝製程，而其所能達成的功效如同第一實施 例，在此不再贅述。
第三實施例：
續請參閱第四圖；本發明第三實施例大致上同於第一實施例，其主要差異在於，本發明第三實施例之前製程(10)步驟後的裝載(11)步驟所使用的承載補強板(3)係接著在軟性基材(2)之對應外框架(20)下方的軟性載板(212)上，同樣係可間接增加軟性基材(2)的結構強度，以精確的進行雷射(12)及封裝(13)步驟，徒增利用軟性基材(2)進行晶片(213)封裝製程的良率。
而依據第三實施例之封裝製程可知，本發明第三實施例的軟性基材之封裝結構與第一實施例的軟性基材之封裝結構差異在於，該承載補強板(3)係接著於軟性基材(2)之外框架(20)下方的軟性載板(212)上。
第四實施例：
續請參閱第五圖；本發明第四實施例大致上同於第二實施例，其主要差異在於，本發明第四實施例係可依需求在前製程(10)步驟及裝載(11)步驟後，先進行封裝(13)步驟再進行雷射(12)步驟，同樣係可在接著有承載補強板(3)的軟性基材(2)上精確的進行晶片(213)的封裝製程，而其所能達成的功效如同第二實施例，在此不再贅述。
第五實施例：
續請參閱第六圖；本發明第五實施例大致上同於第一實施例及第三實施例，其主要差異在於，本發明第五 實施例之前製程(10)步驟後的裝載(11)步驟主要係在軟性基材(2)之外框架(20)上方及對應外框架(20)下方的軟性載板(212)上同時接著有承載補強板(3)，大幅提升軟性基材(2)的結構強度，可精確的進行雷射(12)及封裝(13)步驟，徒增利用軟性基材(2)進行晶片(213)封裝製程的良率及產率，使成本降低。
而依據第五實施例之封裝製程可知，本發明第五實施例的軟性基材之封裝結構與第一實施例的軟性基材之封裝結構的結構差異在於，該軟性基材(2)之外框架(20)上方及對應外框架(20)下方的軟性載板(212)上係分別接著有承載補強板(3)。
第六實施例：
續請參閱第七圖；本發明第六實施例大致上同於第五實施例，其主要差異在於，本發明第六實施例係可依需求在前製程(10)步驟及裝載(11)步驟後，先進行封裝(13)步驟再進行雷射(12)步驟，同樣係可利用承載補強板(3)大幅提升軟性基材(2)的結構強度，而其封裝製程所能達成之功效如同第五實施例，在此不再贅述。
第七實施例：
續請參閱第八圖；本發明第七實施例大致上同於第四實施例，其主要差異在於，本發明第七實施例之前製程(10)步驟的裝載(11)步驟，其主要係在軟性載板(212)下方完全接著承載補強板(3)，使得軟性基材(2)藉由承載補強板(3)而在封裝製程中減少翹曲、變形，因此， 可精確進行晶片(213)的封裝(13)作業；而當晶片基材(21)完成封裝(13)步驟後，係先進一步進行卸載(14)步驟，其主要係用以移除軟性載板(212)下方的承載補強板(3)，使得軟性載板(212)在進行雷射(12)作業時，不會有任何的承載補強板(3)碎屑殘留，保有晶片(213)運作的品質，免除承載補強板(3)碎屑有阻礙晶片基材(21)後續與基板(圖中未示)導通的虞慮，有效的維持雷射品質，俾具提升晶片封裝製程的良率。
第八實施例：
續請參閱第九圖；本發明第八實施例大致上同於第七實施例，其主要差異在於，本發明第八實施例在前製程(10)步驟後的裝載(11)步驟時，除了在軟性載板(212)下方完全接著承載補強板(3)之外，同時，在軟性基材(2)的外框架(20)上方亦同時接著有承載補強板(3)，同樣使得軟性基材(2)藉由承載補強板(3)而在封裝製程中減少翹曲、變形，可精確進行後續晶片(213)的封裝製程，而其封裝製程所能達成之功效如同第七實施例，在此不再贅述。
第九實施例：
續請參閱第十圖，並配合參閱第二圖至第九圖；由圖可知，本發明第九實施例所述軟性基材之封裝結構係依據前述軟性基材之封裝製程所得的軟性基材(2)成品中的晶片基材(21)之剖視視角來當作較佳實施例，其中，該晶片(213)係以銲線方式與導線(211)相互接著導 通。
而該具有導孔(2120)的晶片基材(21)可進行後續的植球作業，使得晶片基材(21)上的晶片(213)可藉由錫球(22)與基板(圖中未示)接著導通。
第十實施例：
續請參閱第十一圖；由圖可知，本發明第十實施例大致上同於第九實施例，其主要差異在於，第十實施例所述晶片基材(21)上的導線(211)係可為環繞在銲墊(210)周緣呈矩形陣列態樣，使得晶片(213)可利用複數條金屬線(214)分別連接各個導線(211)，以連結多個導通訊號。
此外，為了防止晶片(213)運作時有溫度過高的情況發生，可以在銲墊(210)下方額外設置導孔(2100)，並且在導孔(2100)上植上熱球(24)，以利用熱球(24)傳導、逸散晶片(213)的熱量，延長晶片(213)的使用壽命。
第十一實施例：
續請參閱第十二A圖及第十二B圖；由第十二A圖可知，本發明第十一實施例所述軟性基材之封裝結構大致上同於第九實施例及第十實施例，其主要差異在於，該晶片基材(21)上的複數個導孔(2120)係係環繞在銲墊(210)周緣呈矩形陣列態樣，且該複數個導線(211)之一端係分別連結複數個導孔(2120)，而複數個導線(211)另一端則與晶片(213)連接導通。
再由第十二B圖可知，該晶片係以錫球(216)而分 別與複數條導線(211)及銲墊(210)相互接著，晶片透過錫球(216)與複數條導線(211)相互導通，以連結多個訊號；其中，該銲墊(210)及複數個導線(211)係由第一導電材(G0)及第二導電材(G1)相互接著而成。
此外，為了維持複數個導線(211)有良好的導電性，可依需求在晶片(213)外圍的晶片基材(21)上表面塗佈防銲漆(25)，接著，再於晶片(213)上以熱固型材料(215)進行封膠作業。
又，為了防止晶片(213)運作時有溫度過高的情況發生，可以在銲墊(210)下方額外設置導孔(2100)，並且在導孔(2100)上植上熱球(24)，以利用熱球(24)傳導、逸散晶片(213)的熱量，延長晶片(213)的使用壽命。
而藉由上述結構，本發明第十一實施例的晶片基材(21)可藉由導孔(2120)進行後續的植球作業，使得晶片基材(21)上的晶片(213)可藉由錫球(22)與基板(圖中未示)接著導通。
綜上述可知，本發明所述軟性基材之封裝製程及其結構，其係有下列之優點：
一、使用者可依據軟性載板上所接著的承載補強板，而依需求選擇雷射及封裝得先後順序。
二、藉由軟性基材之外框架上方及軟性載板上所接著的承載補強板，使得軟性基材在封裝製程中減少翹曲、變形，可精確進行晶片的封裝作業，提升晶片封裝製程的良率。
故，本發明在同類產品中具有極佳之進步性以及實用性，同時查遍國內外關於此類結構之技術資料文獻後，確實未發現有相同或近似之構造存在於本案申請之前，因此本案應已符合「新穎性」、「進步性」以及「合於產業利用性」等專利要件，爰依法提出申請之。
唯，以上所述者，僅係本發明之較佳實施例而已，舉凡應用本發明說明書及申請專利範圍所為之其它等效結構變化者，理應包含在本發明之申請專利範圍內。
1‧‧‧軟性基材之封裝製程
10‧‧‧前製程
11‧‧‧裝載
12‧‧‧雷射
13‧‧‧封裝
14‧‧‧卸載
2‧‧‧軟性基材
20‧‧‧外框架
21‧‧‧晶片基材
210‧‧‧銲墊
2100‧‧‧導孔
211‧‧‧導線
212‧‧‧軟性載板
2120‧‧‧導孔
213‧‧‧晶片
214‧‧‧金屬線
215‧‧‧熱固性材料
216‧‧‧錫球
22‧‧‧錫球
23‧‧‧金屬保護層
24‧‧‧熱球
25‧‧‧防銲漆
3‧‧‧承載補強板
4‧‧‧導線基材
40‧‧‧電鍍層
41‧‧‧導電材
42‧‧‧軟性載板
A‧‧‧錫球
B‧‧‧絕緣層
C‧‧‧黏著層
D‧‧‧散熱層
E‧‧‧晶片
F‧‧‧熱固性材料
G‧‧‧導電材
G0‧‧‧第一導電材
G1‧‧‧第二導電材
第一圖係為習知捲帶球柵陣列封裝技術之封裝結構。
第二圖係為本發明第一實施例之流程及其結構圖。
第三圖係為本發明第二實施例之流程及其結構圖。
第四圖係為本發明第三實施例之流程及其結構圖。
第五圖係為本發明第四實施例之流程及其結構圖。
第六圖係為本發明第五實施例之流程及其結構圖。
第七圖係為本發明第六實施例之流程及其結構圖。
第八圖係為本發明第七實施例之流程及其結構圖。
第九圖係為本發明第八實施例之流程及其結構圖。
第十圖係為本發明第九實施例之晶片基材植球示意圖。
第十一圖係為本發明第十實施例之晶片基材植球示意圖。
第十二A圖係為本發明第十一實施例之晶片基材俯視示意圖。
第十二B圖係為本發明第十一實施例之晶片基材剖視示意圖。
10‧‧‧前製程
11‧‧‧雷射
12‧‧‧封裝
13‧‧‧裝載
2‧‧‧軟性基材
20‧‧‧外框架
212‧‧‧軟性載板
213‧‧‧晶片
3‧‧‧承載補強板

Claims (46)

  1. 一種軟性基材之封裝製程，係包含有下列步驟：前製程：將一由導電材及軟性載板上下接著的軟性基材經過薄膜、光罩、蝕刻製程而形成有外框架，在外框架內係形成有由複數個呈矩形陣列排列的晶片基材，其中，該晶片基材係由一銲墊及複數個相互斷開的導線與軟性載板上下相互接著而成，而在導線及軟性載板上方係可依需求塗佈防銲漆；裝載：在軟性基材的外框架上方接著承載補強板；雷射：在軟性載板上進行雷射鑽孔作業，使得軟性載板上形成有與導線相互連通的導孔，而在軟性載板上可依需求設置與銲墊相連通的整數個導孔，其中，在與導孔相連通的導線及銲墊表面係鍍有金屬保護層；封裝：在晶片基材上進行晶片的封裝作業，接著，再利用熱固性材料在接著有晶片的晶片基材上進行封膠作業。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述軟性基材之封裝製程，其中，該軟性載板係為醯胺化合物(Polyimide,PI)。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述軟性基材之封裝製程，其中，該銲墊及導線係由一第一導電材及一第二導電材上下接著而成，該第一導電材係為銅箔， 該第二導電材係可為銅、銀、鎳、鈀或金之單一組合或多重組合而成，而該金屬保護層係可為銅、銀、鎳、鈀或金之單一組合或多重組合而成。
  4. 依據申請專利範圍第1項所述軟性基材之封裝製程，其中，該熱固性材料係為環氧樹脂、矽膠或陶瓷。
  5. 依據申請專利範圍第1項所述軟性基材之封裝製程，其中，在裝載步驟時，在對應外框架下方的軟性載板上係同時接著有承載補強板。
  6. 依據申請專利範圍第1項所述軟性基材之封裝製程，其中，該承載補強板係為金屬材質。
  7. 依據申請專利範圍第1項所述軟性基材之封裝製程，其中，該承載補強板係為聚對苯二甲酸乙二脂(polyethylene terephthalate,PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate,PEN)或醯胺化合物(Polyimide,PI)。
  8. 一種軟性基材之封裝製程，係包含有下列步驟：前製程：將一由導電材及軟性載板上下接著的軟性基材經過薄膜、光罩、蝕刻製程而形成有外框架，在外框架內係形成有由複數個呈矩形陣列排列的晶片基材，其中，該晶片基材係由一銲墊及複數個相互斷開的導線與軟性載板上下相互接著而成，而在導線及軟性載板上方係可依需求塗佈防銲漆；裝載：在對應外框架下方的軟性載板上接著承載 補強板；雷射：在軟性載板上進行雷射鑽孔作業，使得軟性載板上形成有與導線相互連通的導孔，而在軟性載板上可依需求設置與銲墊相連通的整數個導孔，其中，在與導孔相連通的導線及銲墊表面係鍍有金屬保護層；封裝：在晶片基材上進行晶片的封裝作業，接著，再利用熱固性材料在接著有晶片的晶片基材上進行封膠作業。
  9. 依據申請專利範圍第8項所述軟性基材之封裝製程，其中，該軟性載板係為醯胺化合物(Polyimide,PI)。
  10. 依據申請專利範圍第8項所述軟性基材之封裝製程，其中，該銲墊及導線係由一第一導電材及一第二導電材上下接著而成，該第一導電材係為銅箔，該第二導電材係可為銅、銀、鎳、鈀或金之單一組合或多重組合而成，而該金屬保護層係可為銅、銀、鎳、鈀或金之單一組合或多重組合而成。
  11. 依據申請專利範圍第8項所述軟性基材之封裝製程，其中，該熱固性材料係為環氧樹脂、矽膠或陶瓷。
  12. 依據申請專利範圍第8項所述軟性基材之封裝製程，其中，在裝載步驟時，在外框架上方係同時接著有承載補強板。
  13. 依據申請專利範圍第8項所述軟性基材之封裝製程，其中，該承載補強板係為金屬材質。
  14. 依據申請專利範圍第8項所述軟性基材之封裝製程，其中，該承載補強板係為聚對苯二甲酸乙二脂(polyethylene terephthalate,PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate,PEN)或醯胺化合物(Polyimide,PI)。
  15. 一種軟性基材之封裝製程，係包含有下列步驟：前製程：將一由導電材及軟性載板上下接著的軟性基材經過薄膜、光罩、蝕刻製程而形成有外框架，在外框架內係形成有由複數個呈矩形陣列排列的晶片基材，其中，該晶片基材係由一銲墊及複數個相互斷開的導線與軟性載板上下相互接著而成，而在導線及軟性載板上方係可依需求塗佈防銲漆；裝載：在軟性基材的外框架上方接著承載補強板；封裝：在晶片基材上進行晶片的封裝作業，接著，再利用熱固性材料在接著有晶片的晶片基材上進行封膠作業；雷射：在軟性載板上進行雷射鑽孔作業，使得軟性載板上形成有與導線相互連通的導孔，而在軟性載板上可依需求設置與銲墊相連通的整數個導孔。
  16. 依據申請專利範圍第15項所述軟性基材之封裝製程，其中，該軟性載板係為醯胺化合物(Polyimide, PI)。
  17. 依據申請專利範圍第15項所述軟性基材之封裝製程，其中，該銲墊及導線係由一第一導電材及一第二導電材上下接著而成，該第一導電材係為銅箔，而該第二導電材係可為銅、銀、鎳、鈀或金之單一組合或多重組合而成。
  18. 依據申請專利範圍第15項所述軟性基材之封裝製程，其中，該熱固性材料係為環氧樹脂、矽膠或陶瓷。
  19. 依據申請專利範圍第15項所述軟性基材之封裝製程，其中，在裝載步驟時，在對應外框架下方的軟性載板上係同時接著有承載補強板。
  20. 依據申請專利範圍第15項所述軟性基材之封裝製程，其中，該承載補強板係為金屬材質。
  21. 依據申請專利範圍第15項所述軟性基材之封裝製程，其中，該承載補強板係為聚對苯二甲酸乙二脂(polyethylene terephthalate,PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate,PEN)或醯胺化合物(Polyimide,PI)。
  22. 一種軟性基材之封裝製程，係包含有下列步驟：前製程：將一由導電材及軟性載板上下接著的軟性基材經過薄膜、光罩、蝕刻製程而形成有外框架，在外框架內係形成有由複數個呈矩形陣列排列的晶片基材，其中，該晶片基材係由一銲墊及複數個相 互斷開的導線與軟性載板上下相互接著而成，而在導線及軟性載板上方係可依需求塗佈防銲漆；裝載：在對應外框架下方的軟性載板上接著承載補強板；封裝：在晶片基材上進行晶片的封裝作業，接著，再利用熱固性材料在接著有晶片的晶片基材上進行封膠作業；雷射：在軟性載板上進行雷射鑽孔作業，使得軟性載板上形成有與導線相互連通的導孔，而在軟性載板上可依需求設置與銲墊相連通的整數個導孔。
  23. 依據申請專利範圍第22項所述軟性基材之封裝製程，其中，該軟性載板係為醯胺化合物(Polyimide,PI)。
  24. 依據申請專利範圍第22項所述軟性基材之封裝製程，其中，該銲墊及導線係由一第一導電材及一第二導電材上下接著而成，該第一導電材係為銅箔，而該第二導電材係可為銅、銀、鎳、鈀或金之單一組合或多重組合而成。
  25. 依據申請專利範圍第22項所述軟性基材之封裝製程，其中，該熱固性材料係為環氧樹脂、矽膠或陶瓷。
  26. 依據申請專利範圍第22項所述軟性基材之封裝製程，其中，在裝載步驟時，在外框架上方係同時接著有承載補強板。
  27. 依據申請專利範圍第22項所述軟性基材之封裝製程，其中，該承載補強板係為金屬材質。
  28. 依據申請專利範圍第22項所述軟性基材之封裝製程，其中，該承載補強板係為聚對苯二甲酸乙二脂(polyethylene terephthalate,PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate,PEN)或醯胺化合物(Polyimide,PI)。
  29. 一種軟性基材之封裝製程，係包含有下列步驟：前製程：將一由導電材及軟性載板上下接著的軟性基材經過薄膜、光罩、蝕刻製程而形成有外框架，在外框架內係形成有由複數個呈矩形陣列排列的晶片基材，其中，該晶片基材係由一銲墊及複數個相互斷開的導線與軟性載板上下相互接著而成，而在導線及軟性載板上方係可依需求塗佈防銲漆；裝載：在軟性載板下方接著承載補強板；封裝：在晶片基材上進行晶片的封裝作業，接著，再利用熱固性材料在接著有晶片的晶片基材上進行封膠作業；卸載：移除軟性載板下方的承載補強板；雷射：在軟性載板上進行雷射鑽孔作業，使得軟性載板上形成有與導線相互連通的導孔，而在軟性載板上可依需求設置與銲墊相連通的整數個導孔。
  30. 依據申請專利範圍第29項所述軟性基材之封裝製程，其中，該軟性載板係為醯胺化合物(Polyimide, PI)。
  31. 依據申請專利範圍第29項所述軟性基材之封裝製程，其中，該銲墊及導線係由一第一導電材及一第二導電材上下接著而成，該第一導電材係為銅箔，而該第二導電材係可為銅、銀、鎳、鈀或金之單一組合或多重組合而成。
  32. 依據申請專利範圍第29項所述軟性基材之封裝製程，其中，該熱固性材料係為環氧樹脂、矽膠或陶瓷。
  33. 依據申請專利範圍第29項所述軟性基材之封裝製程，其中，在裝載步驟時，在外框架上方係同時接著有承載補強板。
  34. 依據申請專利範圍第29項所述軟性基材之封裝製程，其中，該承載補強板係為金屬材質。
  35. 依據申請專利範圍第29項所述軟性基材之封裝製程，其中，該承載補強板係為聚對苯二甲酸乙二脂(polyethylene terephthalate,PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate,PEN)或醯胺化合物(Polyimide,PI)。
  36. 一種軟性基材之封裝結構，主要係具有由導電材及軟性載板上下接著的軟性基材，該軟性基材係形成有外框架，在外框架內係形成有由複數個呈矩形陣列排列的晶片基材，該晶片基材係由一銲墊及複數個相互斷開的導線與軟性載板上下相互接著而成， 而該軟性基材的外框架上係接著有承載補強板，其中，該軟性載板內係形成有連通導線的導孔以及連通銲墊的整數個導孔，在銲墊上係接著有晶片，而在接著有晶片的晶片基材上係覆蓋有熱固性材料。
  37. 一種軟性基材之封裝結構，主要係具有由導電材及軟性載板上下接著的軟性基材，該軟性基材係形成有外框架，在外框架內係形成有由複數個呈矩形陣列排列的晶片基材，該晶片基材係由一銲墊及複數個相互斷開的導線與軟性載板上下相互接著而成，而該軟性基材的外框架下方係接著有承載補強板，其中，該軟性載板內係形成有連通導線的導孔以及連通銲墊的整數個導孔，在銲墊上係接著有晶片，而在接著有晶片的晶片基材上係覆蓋有熱固性材料。
  38. 一種軟性基材之封裝結構，主要係具有由導電材及軟性載板上下接著的軟性基材，該軟性基材係形成有外框架，在外框架內係形成有由複數個呈矩形陣列排列的晶片基材，該晶片基材係由一銲墊及複數個相互斷開的導線與軟性載板上下相互接著而成，而該軟性基材的外框架上方與對應外框架下方的軟性載板係分別接著有承載補強板，其中，該軟性載板內係形成有連通導線的導孔以及連通銲墊的整數個導孔，在銲墊上係接著有晶片，而 在接著有晶片的晶片基材上係覆蓋有熱固性材料。
  39. 依據申請專利範圍第38項所述軟性基材之封裝結構，其中，該軟性載板係為醯胺化合物(Polyimide,PI)。
  40. 依據申請專利範圍第38項所述軟性基材之封裝結構，其中，該銲墊及導線係由一第一導電材及一第二導電材上下接著而成，該第一導電材係為銅箔，而該第二導電材係可為銅、銀、鎳、鈀或金之單一組合或多重組合而成。
  41. 依據申請專利範圍第38項所述軟性基材之封裝結構，其中，該熱固性材料係為環氧樹脂、矽膠或陶瓷。
  42. 依據申請專利範圍第38項所述軟性基材之封裝結構，其中，該承載補強板係為金屬材質。
  43. 依據申請專利範圍第38項所述軟性基材之封裝結構，其中，該承載補強板係為聚對苯二甲酸乙二脂(polyethylene terephthalate,PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate,PEN)或醯胺化合物(Polyimide,PI)。
  44. 依據申請專利範圍第38項所述軟性基材之封裝結構，其中，在與導孔相連通的導線及銲墊表面係鍍有可為銅、銀、鎳、鈀或金之單一組合或多重組合而成的金屬保護層。
  45. 依據申請專利範圍第38項所述軟性基材之封裝結 構，其中，該晶片係以金屬線與該導線接著導通。
  46. 依據申請專利範圍第38項所述軟性基材之封裝結構，其中，該晶片係以錫球與該導線接著導通。
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