TWI539343B - 靜電和壓電式的觸控面板 - Google Patents

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Description

靜電和壓電式的觸控面板
本揭露係關於一種靜電和壓電式觸控面板。
隨著電腦的普及，鍵盤及滑鼠已成為一般大眾接受程度最高的資訊輸入設備。但是由於其有體積大和攜帶不便等缺點，因而可開發另一種，與螢幕疊合的觸控輸入裝置。
觸控面板是可以直接以手指或觸控筆，點選面板上特定區域，以達成輸入指令的一種人性化輸入裝置。隨著電子產品輕、薄、短、小及功能複雜的發展趨勢，產品可供放置的空間十分有限，而使用觸控面板可以較不占空間。除了同時具有鍵盤、滑鼠的功能之外，也可提供手寫輸入等人性化的操作方式，因此成為人機介面的最佳選擇。
觸控面板依其工作原理，可分為電阻式、電容式、光學式及表面聲波式。電阻式觸控面板具有透光率差的缺點，因此會降低顯示螢幕的亮度與對比。電容式觸控面板易受板面溫度、濕度等的影響，也會因接地位準改變而產生變化，故其穩定性較差。此外，若使用非導體進行操作，則電容式觸控面板無法感應。光學式觸控面板之解析度，是決定於紅外線發射和接收等對應單元的數目，故其解析度易受到限制。表面聲波式觸控面板是利用發射轉能器發射一表面波、利用接收轉能器接收該表面波、和根據接收訊號強度與時間的關係曲線，即可判斷觸碰面板的位置。美國專利第4,644,100號即揭露一種使用單一發射轉能器，和單一接收轉能器之表面聲波式觸控裝置。但是，由於表面聲波波速快，故需要較快速的信號處理器，及效能較高的類比/數位(A/D)轉換器，因而會大幅增加表面聲波式觸控面板的成本。反之，若要避免成本提高，則只能犧牲其解析度。
現有各類觸控面板仍有諸多問題，例如觸控面板只有單一種 偵測碰觸技術，或電容式觸控面板在手指未接觸前，即往往會因信號交連的敏感效應，而產生類似碰觸的事件，而易使系統發生錯誤判斷。
有鑑於上述問題，本專利諸實施例分別揭示新的觸控面板。
本發明一實施例的靜電和壓電式觸控面板，包含：一第一切換電路、一第二切換電路、至少一第一感測裝置，及至少一第二感測裝置。第一感測裝置包含於一電源與接地之間串聯的一第一電晶體與一壓電感測電晶體。第一切換電路連接至串聯的第一電晶體與壓電感測電晶體之間的連接點。第二感測裝置包含於電源與接地之間串聯的一第二電晶體與兩並聯的靜電感測電晶體。第一切換電路連接至串聯的第二電晶體與兩並聯的靜電感測電晶體之間的連接點。第一電晶體與第二電晶體的閘極連接第二切換電路。兩並聯的靜電感測電晶體，分別包含不同摻雜型態的半導體(Types of Semiconductor Doping)。
本揭露實施例的觸控面板，使用一壓電晶體，與一並聯之靜電感測電晶體所構成的靜電感測電路，共同偵測碰觸。靜電感測電路在物體(如手指)碰觸或不碰觸時，都可感測接觸，使觸控面板有較多的感觸功能。壓電晶體可在靜電感測電路無法使用時，也可感測物體(如手指)觸碰，從而擴大觸控面板的使用功能。
1a、1b‧‧‧觸控面板
11‧‧‧第一切換電路
12‧‧‧第二切換電路
13、13a‧‧‧感測電路
14‧‧‧遮光層
100‧‧‧下層玻璃
101‧‧‧薄膜電晶體
102‧‧‧液晶層
103‧‧‧彩色濾光膜及陣列式遮光層
104‧‧‧感測電路
105‧‧‧上層玻璃
106‧‧‧偏光膜
107‧‧‧光學貼合層
110‧‧‧壓電感測資料選擇線(Data Select Line)
111‧‧‧靜電感測資料選擇線(Data Select Line)
131‧‧‧閘極掃描線(Gate Selection Line)
132、132a‧‧‧第一感測裝置
133、133a‧‧‧第二感測裝置
134、134a‧‧‧第一電晶體
135、135a、135b‧‧‧第一、第二、第三壓電感測電晶體
136、136a‧‧‧第二電晶體
137、138‧‧‧靜電感測電晶體
1340‧‧‧第一電晶體半導體材料
1341、1342、1343‧‧‧第一電晶體電極
1344‧‧‧電晶體通道上方與閘極之間的絕緣層
1345‧‧‧遮光層上方的絕緣層
1350‧‧‧第三壓電感測電晶體閘極
1351‧‧‧壓電感測電晶體壓電材料
1352‧‧‧壓電感測電晶體閘極
1353‧‧‧壓電感測電晶體絕緣層
1354‧‧‧壓電感測電晶體通道
1355、1356‧‧‧壓電感測電晶體源極及汲極電極(為加入N型或P型雜質之非晶矽或多晶矽)
1357‧‧‧壓電材料絕緣層
1400‧‧‧透明電極
1360‧‧‧非晶矽或多晶矽
1361、1362、1363、1371、1372、1373‧‧‧靜電感測電晶體電極
1364、1374‧‧‧靜電感測電晶體通道(如非晶矽或多晶矽等半導體材料)
B端‧‧‧壓電感測資料選擇線之輸出端
D端‧‧‧靜電感測資料選擇線之輸出端
R‧‧‧觸控感測資料線(Data Sensing Line)之輸入端
S‧‧‧第一感測電路
T‧‧‧第二感測電路
D1、D2、D3、D4‧‧‧靜電保護二極體
VDD‧‧‧正極性電源
VSS‧‧‧負極性電源
VGN、VGP‧‧‧閘極電壓
圖1為本發明一實施例使用正極性電源之觸控面板簡化示意圖。
圖2為本發明一實施例使用正極性電源之感測電路簡化示意圖。
圖3A為本發明一實施例使用正極性電源之第一感測裝置平面佈局示意圖。
圖3B為沿圖3A割面線1000-1000之剖視圖。
圖3C為本發明一實施例使用正極性電源並有加兩個二極體作靜電保護用途之第一感測裝置等效電路示意圖。
圖4A為本發明一實施例使用正極性電源之第二感測裝置平面佈局示意圖。
圖4B為沿圖4A割面線2000-2000之剖視圖。
圖4C為本發明一實施例使用正極性電源並有加兩個二極體作靜電保護用途之第二感測裝置等效電路示意圖。
圖5為本發明另一實施例使用負極性電源之觸控面板簡化示意圖。
圖6為本發明另一實施例使用負極性電源之感測電路簡化示意圖。
圖7A為本發明另一實施例使用負極性電源之第一感測裝置平面佈局示意圖。
圖7B為沿圖7A割面線3000-3000之剖視圖。
圖7C為本發明另一實施例使用負極性電源並有加兩個二極體作靜電保護用途之第一感測裝置之等效電路示意圖。
圖8A為本發明一實施例使用負極性電源之第二感測裝置平面佈局示意圖。
圖8B為沿圖8A割面線4000-4000之剖視圖。
圖8C為本發明一實施例使用負極性電源並有加兩個二極體作靜電保護用途之第二感測裝置之等效電路示意圖。
圖9為本發明一實施例之觸控面板結構之各層截面示意圖。
圖10為本發明另一實施例揭露第三壓電感測電晶體示意圖。
參照圖1所示，一種靜電和壓電式(Electrostatic and Piezoelectric)觸控面板1a包含：一正負極性電源、第一切換電路11、一第二切換電路12，以及複數感測電路13。複數感測電路13可為陣列排列，並分別耦接第一切換電路11及第二切換電路12。第一切換電路11與第二切換電路12用於個別選擇感測電路13，整合R端之第一切換電路11的觸 控感測資料線(Data Sensing Line)，即選擇接通B或D端之壓電或靜電資料選擇線(Data Selection Line)之後，便可決定物件(如手指)在觸控面板1a上的單一或多個碰觸點位置。
參照圖2所示，各感測電路13可利用壓電及靜電等兩條感測資料選擇線110和111的B及D端，連接至第一切換電路11，以及利用一閘極掃描線(Gate Selection Line)或觸控感測資料線131連接第二切換電路12。各感測電路13包含一第一感測裝置132及一第二感測裝置133，其中第一感測裝置132連接壓電感測資料選擇線110，而第二感測裝置133連接靜電感測資料選擇線111。再者，在一些實施例中，第一感測裝置132和第二感測裝置133，可透過共同的閘極掃描線131連接第二切換電路12，但本創作不以此為限。此外，第一感測裝置132及第二感測裝置133可接地。
參照圖3A至圖3C所示，第一感測裝置132包含一第一電晶體134及一壓電感測電晶體135，其中第一電晶體134和第一壓電感測電晶體135，於一正極性電源和接地之間串聯。再者，第一切換電路11可利用一壓電感測資料選擇線110，連接至串聯的第一電晶體134和第一壓電感測電晶體135之間的連接點。此外，第一電晶體134的閘極可連接至第二切換電路12。
在一些實施例中，第一電晶體134包含N型金氧半場效電晶體。第一電晶體134和第一壓電感測電晶體135於一正極性電源(+VDD)和接地之間串聯。第一電晶體134及第一壓電感測電晶體135可位於一遮光層14之上。遮光層14可導電。第一壓電感測電晶體135包含一壓電材料1351。如圖3B所示，壓電材料1351夾在絕緣材料1353及絕緣材料1357之中，壓電材料1351是不接其他的電路而為浮空(Floating)的。再者，可在第一壓電感測電晶體135的閘極1352，與對應的遮光層14之間，施加一負極性電壓，使壓電材料1351的極化方向(Polarization Direction)向上(Upward)，即在絕緣層1353的上方，會產生正電荷(Positive Charges)，並在第一壓電感測電晶體通道1354的上表面，感應產生微量的負電荷(Negative Charges)，讓第一壓電感測電晶體135之電流，接近臨界導通的現象(Threshold of Current Conduction)，(如電流小於1微安培，但本創作並不以此為限)。如圖3C所示，觸控面板正常工作時，第一壓電感測電晶體135 的閘極1352是接地。如此，當第一壓電感測電晶體135被觸壓時，壓電材料1351向上的極化強度會增加，而在第一壓電感測電晶體135之通道1354的上表面，會產生更多負電荷(Negative Charges)，即使此時第一壓電感測電晶體135之閘極1352是為不接通其他電路的開路狀態(Open)，而通道1354可導通較大的電流(如大於10微安培，但本創作並不以此為限)。
在一些實施例中，第一壓電感測電晶體135之閘極1352是透明電極。
參照圖3B與圖3C所示，在一些實施例中，在進行掃描時，閘極掃描線131上施加的電壓VGN可大體上等於正極性電源(+VDD)的電壓。
參照圖3B所示，第一電晶體134包含半導體材料1340及三電極(1341、1342和1343)。第一壓電感測電晶體135另包含兩電極(1355和1356)，其中兩電極(1355和1356)的部分在通道1354上延伸。兩電極(1355和1356)包含汲極與源極。
參照圖3B所示，在一些實施例中，靜電和壓電式觸控面板1a包含複數透明電極1400，其中第一電晶體134的電極1341連接一透明電極1400，第一電晶體134的電極1343與第一壓電感測電晶體135的電極1355連接另一透明電極1400，第一壓電感測電晶體135的電極1356連接另一透明電極1400。
在一些實施例中，壓電材料1351包含聚偏二氟乙烯(Polyvinylidene Fluoride or Polyvinylidene Difluoride(PVDF))。在一實施例中，壓電材料1351僅包含聚偏二氟乙烯。在一實施例中，壓電材料1351包含一混合材料，其中該混合材料包含聚偏二氟乙烯及下列其中之一種物質：鈦酸鉛鋯(Lead Zirconate Titanate；PZT)、氧化鋅(ZnO)、鈦酸鋇(BaTiO3)、鈮酸鋰(LiNbO3)、鈦酸鉛(PbTiO3)。
參照圖4A至4C所示，第二感測裝置133包含一第二電晶體136，及兩並聯的靜電感測電晶體137和138。第二電晶體136及兩並聯的靜電感測電晶體137和138，於一正極性電源(+VDD)與接地之間串聯。第一切換電路11透過靜電感測資料選擇線111，連接至第二電晶體136與兩並聯的靜電感測電晶體137和138之間的串聯連接點。第二切換電路12透過閘極掃描線131，連接第二電晶體136的閘極。在一些實施例中，第二電 晶體136包含N型金氧半場效電晶體。靜電感測電晶體137包含N型金氧半場效電晶體。靜電感測電晶體138包含P型金氧半場效電晶體。第二電晶體136及兩並聯的靜電感測電晶體137和138，串聯於一正極性電源(+VDD)與接地之間。在一些實施例中，兩並聯的靜電感測電晶體137和138下方有遮光層14，其中兩並聯的靜電感測電晶體137和138的接地端，可連接至遮光層14(未繪示)。然後一般在面板顯示器電路工作時遮光層14再接地，如此可以做為隔離層(Shielding Isolation Layer)，消除一些來自遮光層下方之面板顯示器電路產生的雜訊。
參照圖4B與圖4C所示，在一些實施例中，在進行掃描時，閘極掃描線131上施加的電壓VGN可大體上等於正極性電源(+VDD)的電壓。
參照圖4B所示，第二電晶體136包含一半導體通道(如非晶矽或多晶矽等半導體材料)1364，及三個電極(1361、1362和1363)。靜電感測電晶體137包含一半導體通道(如非晶矽或多晶矽等半導體材料)1374，及三個電極(1371、1372和1373)。
參照圖3B與3C所示，當物件(如手指)離觸控面板1a很遠時，第一壓電感測電晶體135不導通，故其通道1354的電阻很大。若有電壓施加在其閘極掃描線131時，第一電晶體134會導通而產生電流；此電流會分別流過上述大電阻的第一壓電感測電晶體135，而在壓電感測掃描選擇線(Data Select Line)的B端產生一個絕對值較大的輸出電壓。
參照圖4B與圖4C所示，當物件(如手指)離開觸控面板很遠時，靜電感測電晶體137的半導體通道(如非晶矽或多晶矽等半導體材料)1374，也不能感應出負電荷而導通接地(故其內電阻很大)，而另一電晶體138的半導體通道(如非晶矽或多晶矽等半導體材料)1374也不會感應出負電荷，故也不導通，其內電阻也很大。若有電壓施加在第二電晶體136的閘極掃描線131時，則其通道會導通而產生電流；此電流會分別流過上述兩個大電阻(由靜電感測之電晶體137與電晶體138所構成)，而在D端產生一個絕對值較高的輸出電壓。因此，只要物件(如手指)離觸控面板很遠時，則B端及D端輸出至圖1的壓電及靜電感測掃描選擇線(Data Select Line)的輸出電壓絕對值就會是較大，而圖1的觸摸感測電路(Data Sensing Line)就可以據此電壓判斷物件(如手指)，沒有在做某一個點(或多個點)的觸控。
參照圖3A與3C所示，當物件(如手指)靠近觸控面板1a而尚未觸摸到面板時，第一壓電感測電晶體135不導通。如圖4A至4C所示如果物件(如手指)帶的是正電荷，則靜電感測電晶體137的通道(Channel)，可感應出負電荷而導通接地，而電晶體138的通道(Channel)會感應出負電荷而不導通。相反的，如果物件(如手指)帶的是負電荷，則靜電感測電晶體137的通道(Channel)會感應出正電荷而不導通，而電晶體138的通道(Channel)則會感應出正電荷而導通接地。故此時若有電壓施加在第二電晶體136的閘極掃描線131時，電晶體136就會導通而產生電流，而此電流會流過兩個並聯靜電感測電晶體137與電晶體138中，電阻較小的一個，而使D端產生一個絕對值較低的輸出電壓。如果物件不帶任何電荷，則靜電感測電晶體137及電晶體138都不導通，則在D端會產生一個絕對值較高的輸出電壓。所以，只要物件有帶足夠的正或負電荷，則D端輸出至圖1感測掃描選擇線(Data Select Line)的輸出電壓絕對值就會是較小，而圖1觸摸感測電路(Data Sensing Line)就可以據此電壓判斷物件(如手指)，有在做某一個點(或多個點)的觸控。
參照圖3C所示，當物件(如手指)碰觸面板時，則第一壓電感測電晶體135會導通。此時若有電壓施加在閘極掃描線131時，則第一電晶體134就會導通而產生電流。此電流會流過上述具小電阻的第一壓電感測電晶體135，而在B端產生一個絕對值較小的輸出電壓。參照圖4C所示，如果物件(如手指)帶電荷，則靜電感測之電晶體137或電晶體138中的一個，會感應出電荷而導通，此時若有電壓施加在閘極掃描線131時，則此電流會流過兩個並聯之靜電感測電晶體137與電晶體138中，電阻較小的一個，使D端產生一個絕對值較低的輸出電壓。所以，由以上所述只要物件有觸控面板1a時，則B端及D端輸出至圖1感測掃描選擇線(Data Select Line)的輸出電壓絕對值就會是較小，而圖1觸摸感測電路(Data Sensing Line)就可以據此電壓判斷物件(如手指)，是否有在做某一個點(或多個點)的觸控。
當觸控面板有沾到水，或是面板表面有結冰時，或是在水中工作，或是要進行拍照(因為有些人手很乾燥容易聚積較多的靜電，而使相機快門在還沒觸動時即產生動作)，此時可以將觸摸的感測模式，轉換為壓電感應模式，而將靜電感測電晶體137與電晶體138的靜電感應模式關掉， 只用第一壓電感測電晶體135進行觸摸的偵測。
參照圖4B所示，電晶體136的電極1361可連接一透明電極1400。電晶體136的電極1363與靜電感測電晶體137的電極1371，可連接一透明電極1400。靜電感測電晶體137的電極1373，可連接一透明電極1400
參照圖5所示，在另一實施例中，此電路的簡化示意與圖1觸控面板1a相同，但是不同於上述觸控面板1a的是，其感測電路為13且使用正極性電源，而此觸控面板1b的感測電路為13a，且使用負極性電源。
參照圖6所示，各感測電路13a包含一第一感測裝置132a，及一第二感測裝置133a，其中第一感測裝置132a的輸出端(B點)是連接壓電感測資料選擇線110，而第二感測裝置133a的輸出端(D點)，是連接靜電感測資料選擇線111。再者，在一些實施例中，第一感測裝置132a和第二感測裝置133a，可透過共同的閘極掃描線131，連接第二切換電路12，但本創作不以此為限。此外，第一感測裝置132a及第二感測裝置133a可接地。
參照圖7A至圖7C所示，第一感測裝置132a包含一第一電晶體134a，及一第二壓電感測電晶體135a，其中第一電晶體134a包含P型金氧半場效電晶體，第二壓電感測電晶體135a包含P型金氧半場效電晶體，第一電晶體134a和第二壓電感測電晶體135a串聯於一負極性電源(-VSS)和接地之間。第一電晶體134a及第二壓電感測電晶體135a可設置在遮光層14上方。遮光層14可導電。第二壓電感測電晶體135a包含一壓電材料1351(如圖7B所示)，壓電材料1351夾在絕緣材料1353及絕緣材料1357之中，壓電材料1351是不接其他的電路而為浮空(Floating)的。系統工作前可在第二壓電感測電晶體135a之閘極1352和遮光層14之間，先施加一適當的正電壓，使壓電材料1351的極化方向(Polarization Direction)向下(Downward)，即在絕緣層1353的上方，會產生負電荷(Negative Charges)，並在第二壓電感測電晶體135a的通道1354上表面，感應產生微量的正電荷(Positive Charges)，讓第二壓電感測電晶體135a之電流接近臨界導通的現象(如電流小於1微安培，但本創作並不以此為限)。如圖7C所示，觸控面板正常工作時，第二壓電感測電晶體135a的閘極1352是接地。如此，當第二壓電感測電晶體135a被觸壓時，壓電材料1351的極化強度會增加， 而在第二壓電感測電晶體135a之通道1354的上表面，會感應產生更多正電荷(Positive Charges)，即使此時第二壓電感測電晶體135a之閘極1352是短路(Short)接地狀態，而通道1354可導通較大的電流(如大於10微安培，但本創作並不以此為限)。
參照圖7B與圖7C所示，在一些實施例中，在進行掃描時，閘極掃描線131上施加的電壓VGP可大體上等於負極性電源(-VSS)的電壓。
參照圖8A至8C所示，第二感測裝置133a包含一P型第二電晶體136a，及兩並聯的靜電感測電晶體137和138。第二電晶體136a及兩並聯的靜電感測電晶體137和138，串聯於一負極性電源(-VSS)與接地之間。圖1第一切換電路11透過靜電感測資料選擇線111，連接至第二電晶體136a與兩並聯的靜電感測電晶體137和138之間的串聯連接點。第二切換電路12透過閘極掃描線131，連接至第二電晶體136a的閘極。靜電感測電晶體137包含N型金氧半場效電晶體。靜電感測電晶體138包含P型金氧半場效電晶體。
參照圖9所示，觸控面板1a或1b包含一下層玻璃100、複數薄膜電晶體101、由薄膜電晶體101所控制之一液晶層102、設置在液晶層102上方的一彩色濾光膜及陣列式遮光層103、設置在彩色濾光膜及陣列式遮光層103上方的複數感測電路104、設置在複數感測電路104上方的上層玻璃105、設置在上層玻璃105上方的偏光膜106，及設置在偏光膜106上方的光學貼合層107。
參照圖3C與圖7C所示，第一感測裝置132另包含作為靜電保護用途之兩二極體D1和D2(可分別為複數個)。二極體D1連接第一電晶體134的閘極1342及第一電晶體134連接至負極性電源(-Vss)端的電極；二極體D2連接第一電晶體134的閘極1342，及連接第一電晶體134的閘極至接地端的電極。兩二極體D1和D2(可分別為複數個)作為靜電保護的工作原理，是可將積聚在第一電晶體134閘極1342上過多的靜電放掉，而將VGN和VGP分別限制在VDD和-VSS之間，不會超出電晶體閘極的崩潰電壓，將電晶體閘極打穿燒壞。
參照圖4C與圖8C所示，第二感測裝置133(或133a)另包含作為靜電保護用途之兩二極體D3和D4(可分別為複數個)。二極體D3連接 第二電晶體136(或136a)的閘極1362，及第二電晶體136(或136a)連接至正(或負)極性電源+VDD(或-VSS)端的電極；二極體D4連接第二電晶體136(或136a)的閘極1362，及連接第二電晶體136(或136a)的閘極至接地端的電極。兩二極體D3和D4(可分別為複數個)作為靜電保護的工作原理，是可將積聚在第二電晶體136(或136a)閘極1362上過多的靜電釋放掉，而將第二電晶體136(或136a)的閘極電壓VGN(或VGP)，限制在VDD和-VSS之間，不會超出第二電晶體136(或136a)閘極的崩潰電壓，將電晶體閘極打穿燒壞。
參照圖4C與圖8C所示，在一些實施例中，靜電感測電晶體137和138的閘極與接地之間，也可個別串接一(或複)數個二極體(未繪示)，藉此可讓該些閘極電壓限制在閘極崩潰電壓內，以保護靜電感測電晶體137和138。
參照圖10所示，本發明另一實施例揭露第三壓電感測電晶體135b。第三壓電感測電晶體135b可用於前述實施例中，取代第一及第二壓電感測電晶體135和135a。第三壓電感測電晶體135b的壓電感測電晶體製作方式，如前所述是首先在基板上製作遮光層14，而後蒸鍍一層非晶矽或多晶矽1360，以便在其兩端加入P型或N型摻雜(Doping)，製作第三壓電感測電晶體135b的源極與汲極(如圖10之1355和1356)。其次是再蒸鍍一層非晶矽或多晶矽，作為第三壓電感測電晶體135b的通道1354。而第三壓電感測電晶體135b的源極與汲極電極1355和1356，部分是在第三壓電感測電晶體通道1354下方延伸。再來製作第三壓電感測電晶體壓電材料1351，使其位在第三壓電感測電晶體通道1354上方，並以絕緣層1357相隔。最後製作透明電極1400，以便連接第三壓電感測電晶體的三個電極1350、1355及1356，其中第三壓電感測電晶體閘極1350，對應並形成於第三壓電感測電晶體壓電材料1351上方，並以絕緣材料1357與第三壓電感測電晶體壓電材料1351相隔。在一些實施例中，第三壓電感測電晶體閘極1350為透明電極。如圖10所示，壓電材料1351夾在絕緣材料1353及絕緣材料1357之中，壓電材料1351是不接其他的電路而為浮空(Floating)的。
在至少一些實施例中，觸控面板包含靜電感測電路與壓電感測電路，因此可在物件(如手指)未接觸與接觸觸控面板時，均可感測出物件(如手指)的位置。在至少一些實施例中，靜電感測電路可關閉，獨留壓電感 測電路。在至少一些實施例中，壓電感測電路可關閉，獨留靜電感測電路。在至少一些實施例中，壓電感測電路可用於整合或驗證靜電感測電路所產生的碰觸信號，以避免發生判斷錯誤，提升其可靠度。
本揭露之技術內容及技術特點已揭示如上，然而熟悉本項技術之人士仍可能基於本揭露之教示及揭示而作種種不背離本揭露精神之替換及修飾。因此，本揭露之保護範圍應不限於實施範例所揭示者，而應包括各種不背離本揭露之替換及修飾，並為以下之申請專利範圍所涵蓋。
1a‧‧‧觸控面板
11‧‧‧第一切換電路
12‧‧‧第二切換電路
13‧‧‧第一感測電路
B‧‧‧壓電感測資料選擇線之輸出端(Data Select Line)
D‧‧‧靜電感測資料選擇線之輸出端(Data Select Line)
R‧‧‧觸控感測資料輸出端(Data Sensing Line)
S‧‧‧第一感測電路

Claims (13)

  1. 一種靜電和壓電式觸控面板，包含：一第一切換電路；一第二切換電路；至少一第一感測裝置，包含於一電源與接地間串聯的一第一電晶體與一壓電感測電晶體，其中該第一切換電路連接串聯的該第一電晶體與該壓電感測電晶體之間；以及至少一第二感測裝置，包含於該電源與該接地間串聯的一第二電晶體與兩並聯的靜電感測電晶體，其中該第一切換電路連接串聯的該第二電晶體與該兩並聯的靜電感測電晶體之間；其中該第一電晶體與該第二電晶體的閘極連接該第二切換電路；其中該兩並聯的靜電感測電晶體分別包含不同摻雜型態的半導體；其中該壓電感測電晶體的壓電材料是浮空的。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述之靜電和壓電式觸控面板，其中該第一電晶體為N型金氧半場效電晶體。
  3. 根據申請專利範圍第2項所述之靜電和壓電式觸控面板，其中該電源為正極性電源。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述之靜電和壓電式觸控面板，其中該第一電晶體為P型金氧半場效電晶體。
  5. 根據申請專利範圍第4項所述之靜電和壓電式觸控面板，其中該電源為負極性電源。
  6. 根據申請專利範圍第1項所述之靜電和壓電式觸控面板，其中該壓電感測電晶體為N型壓電感測金氧半場效電晶體。
  7. 根據申請專利範圍第1項所述之靜電和壓電式觸控面板，其中該壓電感測電晶體為P型壓電感測金氧半場效電晶體。
  8. 根據申請專利範圍第1項所述之靜電和壓電式觸控面板，其中該第二電晶體為N型金氧半場效電晶體。
  9. 根據申請專利範圍第1項所述之靜電和壓電式觸控面板，其中該第二電晶體為P型金氧半場效電晶體。
  10. 根據申請專利範圍第1項所述之靜電和壓電式觸控面板，其中該兩並聯的靜電感測電晶體包含一N型金氧半場效電晶體及一P型金氧半場效電晶體。
  11. 根據申請專利範圍第1項所述之靜電和壓電式觸控面板，其中該第一感測裝置或該第二感測裝置分別形成在遮光層上方。
  12. 根據申請專利範圍第1項所述之靜電和壓電式觸控面板，其中該壓電感測電晶體的閘極是接地。
  13. 根據申請專利範圍第1項所述之靜電和壓電式觸控面板，其中該壓電感測電晶體的汲極的部分與源極的部分在該壓電感測電晶體的通道上或下延伸。
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