TWI537537B - 晶片乾燥方法及晶片乾燥裝置 - Google Patents

Description

晶片乾燥方法及晶片乾燥裝置

本發明是有關於一種乾燥方法及乾燥裝置，且特別是有關於一種晶片乾燥方法及晶片乾燥裝置。

在半導體製程中，晶片的洗淨是半導體製程中重要的一環，在晶片的洗淨過程中，常需利用到許多高純度的化學藥品來清洗，因此在清洗後需以高純度的去離子純水(DI Water)來洗濯(Rinse)雜質，並對晶片進行除濕乾燥，以使晶片表面達到非常高的潔淨度，進而使製作出來的半導體電子元件能符合所設計電氣特性。

習知所使用之乾燥方式是將晶片置於一蒸汽室(Vapor Chamber)內，並在蒸汽室內加熱異丙醇(Isopropyl alcohol，IPA)，使IPA受熱蒸發為蒸汽，以藉由此IPA蒸汽的高揮發性而將晶片表面的水分脫水乾燥。然此種晶片乾燥方式其所需的乾燥時間雖然很短，但IPA具有易燃性，容易因意外造成火災而有安全上之憂慮。

另一種晶片乾燥方式是將多個晶片置放於一晶片承載裝置(例如：晶片籃或晶舟)上，且將此晶片承載裝置放置於乾燥室中，進而利用吹氣元件對晶片進行烘乾程序。然而，此種烘乾方式容易因吹氣元件的吹氣方向不易被控制且不易吹入至晶片承載裝置內部，因此容易造成有些晶片的某部分區域(例如：底部)未能完全乾燥的情形 產生。

本發明提供一種能夠有效乾燥晶片的晶片乾燥方法。

本發明提供一種晶片乾燥裝置，其藉由擺動晶片籃的機制，以確保位於晶片槽底部的晶片的部分能夠有效地乾燥。

本發明提供一種晶片乾燥方法，至少包括下列步驟：提供一乾燥室，其中一吹氣構件設置在覆蓋於乾燥室的一蓋體；提供一支撐構件，其中支撐構件可動地配置於乾燥室內；將一晶片籃放置於乾燥室中，晶片籃受支撐構件承載，其中乾燥室的一第一底部與晶片籃的一第二底部相隔一距離，而多個晶片沿一軸向排列於晶片籃的多個晶片槽中，沿著軸向支撐構件具有一第一側以及一第二側；使支撐構件的第一側相對於第二側有沿著一吹氣方向的相對位移，而每一晶片傾靠於相對應之晶片槽的其中一槽壁上並與相對之另一槽壁之間有一空隙，其中吹氣方向垂直於軸向；以及吹氣構件對晶片吹一氣體，且氣體進入空隙中，以乾燥晶片。

在本發明之一實施例中，上述之使支撐構件的第一側與第二側有沿著吹氣方向的相對位移的方法為以支撐構件的中央處或第一側或第二側為支點，而至少一驅動件接觸支撐構件未作為支點的至少第一側或第二側，且驅動驅動件帶動未作為支點的第一側或第二側。

在本發明之一實施例中，上述之支撐構件為一體成形的框架或為由多個支架組合成的框架。

在本發明之一實施例中，晶片乾燥方法更包括於乾燥室的至少一側壁設置一透視開口，且透視開口的位置對應於晶片籃的位置。

在本發明之一實施例中，上述之吹氣構件具有多個噴嘴，且使每一噴嘴的一出氣口與所相對鄰近之晶片之間的距離固定。

本發明提供一種晶片乾燥裝置，包括一乾燥室、一蓋體、一吹氣構件以及一支撐構件，其中乾燥室具有一第一底部，而蓋體覆蓋於乾燥室，且吹氣構件配置於蓋體，而支撐構件可動地配置於乾燥室內，且於晶片乾燥裝置執行一乾燥過程時，支撐構件相對第一底部傾斜。

在本發明之一實施例中，上述之支撐構件為一體成形的框架或為由多個支架組合而成的框架。

在本發明之一實施例中，上述之支撐構件更包括至少一驅動件，驅動件接觸框架的一第一側及一第二側的至少其中之一。

在本發明之一實施例中，上述之框架具有一第一側以及一第二側，而以框架的中央處為支點，第一側相對第一底部的距離與第二側相對第一底部的距離不同。

在本發明之一實施例中，晶片乾燥裝置更包括與支撐構件連接的一晶片籃，且晶片籃受支撐構件帶動而相對第一底部傾斜。

在本發明之一實施例中，上述之乾燥室具有多個側壁以及至少一透視開口，其中透視開口設置於至少其中一個側壁，且透視開口的位置對應於晶片籃的位置。

在本發明之一實施例中，上述之吹氣構件包括多個噴嘴以及一氣體供給元件，其中噴嘴具有一出氣口，且出氣口貫穿蓋體的一表面，而氣體供給元件與噴嘴連通且提供一氣體至噴嘴。

在本發明之一實施例中，上述之這些噴嘴可為等間距排列於蓋體中。

在本發明之一實施例中，上述之噴嘴的出氣口與第一底部等距離。

基於上述，於本發明之晶片乾燥方法與晶片乾燥裝置中，讓晶片籃藉由支撐構件而可以晶片籃的中央處或一側作為支點而於乾燥室內擺動。當晶片籃的第一側與第二側有沿著吹氣方向的相對位移時，藉由此相對位移來讓氣體更能夠吹往晶片籃的槽壁之底部，以確保位於晶片槽底部的晶片的部分能夠有效地乾燥。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1為本發明一實施例之晶片乾燥裝置的示意圖。圖2為圖1之晶片乾燥裝置的示意圖。圖3為不同尺寸的晶片的乾燥時間的示意圖。請參考圖1至圖3，在本實施例 中，晶片乾燥裝置100用於執行一晶片乾燥程序。晶片乾燥裝置100包括一乾燥室110、一支撐構件120、一蓋體140以及一吹氣構件150。

承上述，乾燥室110具有一第一底部112、多個側壁114以及至少一透視開口116。透視開口116設置於這些側壁114的至少其中之一，換言之，也可以依照需求在每個側壁114上設置透視開口116。支撐構件120可動地配置於乾燥室110內且相對靠近蓋體140處，其中本實施例的支撐構件120為一體成形的一框架，但本發明不對支撐構件120的組成方式加以限制，於其他實施例中，支撐構件120也可為多個支架，且這些支架組合成框架。

在本實施例中，蓋體140覆蓋於乾燥室110，而吹氣構件150配置於蓋體140。吹氣構件150包括多個噴嘴152以及一氣體供給元件154，其中每一個噴嘴152具有貫穿蓋體140之一表面S1且可朝向乾燥室110吹氣的一出氣口152a，氣體供給元件154與這些噴嘴152連通，而這些噴嘴152沿平行於乾燥室110的第一底部112的方向等間距排列在蓋體140中。在此並未對噴嘴152的尺寸、數量與間距予以限制，於其他未繪示的實施例中，噴嘴152可為沿平行於乾燥室110的第一底部112的方向不等間距排列在蓋體140中，設計者可依據吹氣構件150在蓋體140內的配置模式與對晶片134的乾燥程度需求而加以適當地變更。藉此，氣體供給元件154提供氣體至這些噴嘴152，而將氣體沿著吹氣方向B吹入乾燥室110中。上述之氣體 例如為氮氣或是去離子水的蒸氣。在此，本實施例並未限制透過何種方式產生氣體，在其他實施例中，也可藉由自然風乾的方式以乾燥這些晶片134。

在本實施例中，一晶片籃130適於置於乾燥室110內，並受到支撐構件120的支承，而透視開口116的位置對應於晶片籃130的位置。附帶一提的是，其中為了圖示簡潔及方便說明，因此僅在圖1中繪示與實際的晶片籃130及放置於其中的晶片134，而其他圖示中的晶片籃130的晶片槽132及晶片134的數量皆被簡化，僅以示意方式描繪以方便說明及了解。需注意的是，於本實施例中，晶片籃130並非是由位於晶片籃130下方的承載單元或運送單元來承載，故本實施例的晶片籃130的第二底部136與乾燥室110的第一底部112之間如圖2所示相隔一距離D1，也就是說，本實施例的晶片籃130藉由支撐構件120以使晶片籃130懸掛在乾燥室110，而並非讓晶片籃130的第二底部136直接承靠在乾燥室110的第一底部112上。因此上述吹氣構件150將氣體吹向晶片籃130的第二底部136的距離得以依照晶片134相對靠近蓋體140的距離而縮減，藉以減少乾燥晶片134的時間。詳細而言，相較於習知的晶片籃為擺設於乾燥室中的相對低處(承載晶片籃的構件放置在乾燥室的底部上)，吹氣構件吹出的氣體須先經過乾燥室的上部及中部才會吹拂到位於相對底部的晶片，造成乾燥室的上部及中部的空間被浪費掉；但本實施例的晶片籃130是設置在乾燥室110的相對高處(靠近吹氣構件 150)，因此氣體吹出後可先經過晶片134再吹到乾燥室110的底部，所以用以乾燥晶片134的時間便可以有效地減少。

此外，於本實施例中，還可調整晶片籃130的第二底部136與乾燥室110的第一底部112的距離D1，以使得吹氣構件150的噴嘴152的出氣口152a與相對鄰近之這些晶片134之間的距離固定。因此，當晶片134的尺寸越小，吹氣構件150提供的氣體經過的晶片134距離越短，所需要的乾燥時間便可以越短。如圖3所示尺寸由小至大的晶片134a、134b、134c所需的乾燥時間分別為t1、t2、t3，且乾燥時間t3大於t2大於t1。

圖4為圖2之晶片乾燥裝置的使用狀態圖。請參考圖1、圖2及圖4，為了圖示簡潔及方便說明，因此圖4中省略了圖2部分之構件。在本實施例中，當使用此晶片乾燥裝置100執行晶片134的乾燥程序時，先將多個晶片134放進晶片籃130的多個晶片槽132中，因此晶片134沿軸向A排列於晶片籃130的晶片槽132中，其中軸向A垂直於吹氣方向B。此外，支撐構件120在沿著軸向A的方向上具有相對的一第一側120a以及一第二側120b。需說明的是，在未執行乾燥過程之前，支撐構件120的第一側120a與第二側120b相對於乾燥室110的第一底部112的距離D2、D3實質上相同，換言之，晶片籃130尚未相對於吹氣方向B而傾倒。

在本實施例中，支撐構件120可更包括一對驅動件122(繪示於圖4)，這對驅動件122各別接觸於為框架的支 撐構件120的第一側120a及第二側120b，接著以支撐構件120之中央處的支點X1為擺動中心，進而讓支撐構件120的第一側120a相對第二側120b有沿著吹氣方向B的相對位移，換言之，於晶片134的乾燥過程中，支撐構件120相對第一底部112傾斜，讓支撐構件120的第一側120a相對上揚而第二側120b下傾。因此，第一側120a相對於第一底部112的距離D2大於第二側120b相對於第一底部112的距離D3，使承放在支撐構件120上的晶片籃130也跟著支撐構件120的擺動而相對第一底部112傾倒。需說明的是，本實施例之驅動件122是以伸縮桿作為讓支撐構件120相對第一底部112傾斜的元件，但是在其他未繪示的實施例中，驅動件122也可以是吊線、汽缸或與其類似之元件，同樣可以達到讓支撐構件120相對第一底部112傾斜的目的。

承上述，當支撐構件120相對第一底部112傾斜時，每一晶片134相對靠近相對應之晶片槽132的一槽壁132a，並與晶片槽132的另一槽壁132b之間有一空隙132c。如此，使得吹氣構件150將氣體沿著吹氣方向B由空隙132c吹向槽壁132b的底部132d，以確保氣體被吹到靠近底部132d的晶片134之部分，藉以有效地乾燥晶片134。另一方面，請復參考圖1，晶片籃130更設置開口132e，故經由吹氣構件150可使留滯在晶片134表面上的水滴從開口132e吹走。此外，使用者可透過透視開口116來全程目視乾燥製程，而能夠觀察靠近底部132d的晶片 134之部分的水滴是否被吹氣構件150所吹出的氣體排除。

在此，本實施例並未對支撐構件120如何讓晶片籃130擺動的方式加以限制，只要支撐構件120沿軸向A方向的第一側120a與第二側120b有沿著吹氣方向B的相對位移即可。以下藉由圖式加以舉例說明。

圖5為本發明另一實施例之晶片乾燥裝置的示意圖。請參考圖5，在類似實施例中，驅動件122的數量僅有一個，且為了圖示簡潔及方便說明，圖5僅以示意方式描繪。需說明的是，標示在圖5中的乾燥室、晶片籃、蓋體及吹氣構件的功能與形狀，和上述實施例中晶片乾燥裝置的乾燥室、晶片籃、蓋體及吹氣構件的功能與形狀相同或近似，因此詳細的內容及設計可參考圖1、圖4及說明，以下不加以贅述。

驅動件122接觸於為框架的支撐構件120的第一側120a，支撐構件120以其中央處為支點X1，而讓支撐構件120的第一側120a相對第二側120b有沿著吹氣方向B的相對位移，使承放在支撐構件120上的晶片籃130也跟著支撐構件120的擺動而相對第一底部112傾倒。在其他未繪示的實施例中，驅動件122也可以是接觸支撐構件120的第二側120b。在此需注意的是，上述為框架的支撐構件120以中央處X1為支點的方式中，驅動件120連接的位置不限制圖4及圖5中的位置，亦可以連接在框架底部的兩側，只要使驅動件120能讓為框架的支撐構件120以中央處為支點X1，而支撐構件120的第一側120a相對第二側 120b有沿著吹氣方向B的相對位移即可。

圖6為本發明再一實施例之晶片乾燥裝置的示意圖。請參考圖6，附帶一提的是，其中為了圖示簡潔及方便說明，因此在圖6僅以示意方式描繪以方便說明及了解。需說明的是，標示在圖6中的乾燥室、晶片籃、蓋體及吹氣構件的功能與形狀，和上述各實施例中晶片乾燥裝置的乾燥室、晶片籃、蓋體及吹氣構件的功能與形狀相同或近似，因此詳細的內容及設計可參考圖1、圖4、圖5及說明，以下不加以贅述。

與上述實施例不同的是，支撐構件120以其第二側120b為支點P1，而此時便可以僅用一驅動件122接觸於支撐構件120的未做為支點的第一側120a。藉由驅動此驅動件122來使支撐構件120的第一側120a相對第二側120b有沿著吹氣方向B的相對位移。在其他未繪示的實施例中，也可以是使支撐構件120以第一側120a為支點，而驅動件122接觸第二側120b。

除此之外，用以作為上述支撐構件並達到讓支撐構件的第一側相對第二側有沿著吹氣方向的相對位移，使承放在支撐構件上的晶片籃也跟著支撐構件的擺動而相對第一底部傾倒。例如彈性桿件亦可作為本發明之支撐構件，同樣也可以達到使支撐構件的第一側相對第二側有沿著吹氣方向的相對位移。

以下以圖1、圖2及圖4之晶片乾燥裝置100的一實施例為例，說明本發明應用晶片乾燥裝置所進行的晶片乾 燥方法。

圖7為圖1之晶片乾燥方法的方法流程圖。請參考圖7，首先，準備如圖1所示的一晶片籃130，並把晶片134放進晶片籃130的多個晶片槽132中，且這些晶片134如圖2所示沿軸向A排列。其次，提供一乾燥室110，其中一吹氣構件150設置在覆蓋於乾燥室110的一蓋體140(步驟S702)，其中吹氣構件150所吹出的吹氣方向B垂直於軸向A。在此說明的是，提供乾燥室110與準備晶片籃130的順序可以是在同時間進行，或是一前一後進行，本實施例中並未限制方法的前後順序。

接著，提供一支撐構件120，可動地配置於乾燥室110內(步驟S704)。而後，讓蓋體140相對於乾燥室110打開，再將上述晶片籃130放置於乾燥室110中，其中乾燥室110的一第一底部112與晶片籃130的一第二底部136相隔一距離D1，而晶片134沿軸向A排列於晶片籃130的晶片槽132中，且沿著軸向A，支撐構件120具有第一側120a以及第二側120b(步驟S706)。在此說明的是，當本實施例晶片籃130置入於乾燥室110時，同時使晶片籃130受支撐構件120支承，且在未執行乾燥過程之前，支撐構件120的第一側120a與第二側120b相對於乾燥室110的第一底部112的距離D2、D3實質上相同，換言之，晶片籃130尚未相對於吹氣方向B而傾倒，而軸向A於此時是垂直於吹氣構件150的吹氣方向B。

再來，讓蓋體140相對於乾燥室110關閉，並使支撐 構件120的第一側120a相對於第二側120b有沿著吹氣方向B的相對位移(步驟S708)。需說明的是，於使支撐構件120的第一側120a相對於第二側120b有沿著吹氣方向B的相對位移的步驟中，本實施例的支撐構件120如圖4所示為採用一對驅動件122，並且使支撐構件120以支撐構件120的中央處為支點X1，讓支撐構件120之第一側120a及第二側120b有如槓桿的兩端而使支撐構件120的第一側120a相對第二側120b有沿著吹氣方向B的相對位移。於此同時，承放在支撐構件120上的晶片籃130也跟著支撐構件120的擺動而相對第一底部112傾倒，每一晶片134受到承放在支撐構件120上的晶片籃130的擺動而如圖4所示傾靠於相對應之晶片槽132的位於下方的一槽壁132a，且晶片134與位於相對上方的另一槽壁132b之間有一空隙132c。

最後，吹氣構件150對這些晶片134吹一氣體，且氣體進入這些空隙中132c，以乾燥這些晶片134(步驟S710)。由於晶片134與位於相對上方的另一槽壁132b之間有一明顯之空隙132c，故經由吹氣構件150可使留滯在晶片134表面上的水滴如圖1所示從開口132e吹走。

在本實施例中，透過上述方法使得氣體更能夠吹往晶片籃的槽壁之底部，以確保吹向靠近底部的晶片之部分，故晶片能夠有效地乾燥，因此在乾燥製程中便不需要使用到其他化學乾燥方式(例如：含有IPA蒸氣之氮氣)來進一步去揮發晶片，進而達到減少化學藥劑的使用，同時減少 化學藥劑造成污染的問題，且可避免易燃的危險而提升工安。

此外，上述晶片乾燥方法更包括於乾燥室110的一側壁114設置一透視開口116，且透視開口116的位置對應於晶片籃130的位置，以能夠觀察靠近底部132d的晶片134之部分的水滴是否被吹氣構件150所吹出的氣體排除。

需說明的是，上述以圖1、圖2及圖4的一實施例說明本發明應用晶片乾燥裝置所進行的晶片乾燥方法，然而於本實施例的晶片乾燥裝置應不僅限定上述實施態樣，如圖5至圖6為與上述實施例的類似或變化實施態樣，而類推出應用圖5至圖6所舉的晶片乾燥裝置所進行的晶片乾燥方法。

綜上所述，本發明藉由重新設計晶片乾燥裝置的架構以有效地使晶片的底部能夠完全乾燥，其中晶片籃藉由支撐構件而可以晶片籃的中央處或一側作為支點而於乾燥室內擺動。當晶片籃的第一側與第二側有沿著吹氣方向的相對位移時，藉由此相對位移來讓氣體更能夠吹往晶片籃的槽壁之底部，以確保位於晶片槽底部的晶片的部分能夠有效地乾燥。

再者，晶片籃藉由支撐構件以使晶片籃懸掛在乾燥室。相較於習知的晶片籃皆是擺設於乾燥室中的相對低處(靠近乾燥室的底部)，吹向晶片籃的距離得以縮減，所以用以乾燥晶片的時間便可以有效地減少，且隨著晶片的尺寸越小，越能降低乾燥晶片的時間。

此外，應用此晶片乾燥裝置的晶片乾燥方法使得氣體更能夠吹往晶片籃的槽壁之底部，以確保吹向靠近底部的晶片之部分，故晶片能夠有效地乾燥，因此在乾燥製程中便不需要使用到其他化學乾燥方式來進一步去揮發晶片，進而達到減少化學藥劑的使用，同時減少化學藥劑造成污染的問題，且可避免易燃的危險而提升工安。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧晶片乾燥裝置

110‧‧‧乾燥室

112‧‧‧第一底部

114‧‧‧側壁

116‧‧‧透視開口

120‧‧‧支撐構件

120a‧‧‧第一側

120b‧‧‧第二側

122‧‧‧驅動件

130‧‧‧晶片籃

132‧‧‧晶片槽

132a、132b‧‧‧槽壁

132c‧‧‧空隙

132d‧‧‧底部

132e‧‧‧開口

134、134a、134b、134c‧‧‧晶片

136‧‧‧第二底部

140‧‧‧蓋體

150‧‧‧吹氣構件

152‧‧‧噴嘴

152a‧‧‧出氣口

154‧‧‧氣體供給元件

A‧‧‧軸向

B‧‧‧吹氣方向

D1‧‧‧距離

X1、P1‧‧‧支點

S1‧‧‧表面

S702~S710‧‧‧步驟

圖1為本發明一實施例之晶片乾燥裝置的示意圖。

圖2為圖1之晶片乾燥裝置的示意圖。

圖3為不同尺寸的晶片的乾燥時間的示意圖。

圖4為圖2之晶片乾燥裝置的使用狀態圖。

圖5為本發明另一實施例之晶片乾燥裝置的示意圖。

圖6為本發明再一實施例之晶片乾燥裝置的示意圖。

圖7為圖1之晶片乾燥方法的方法流程圖。

S702~S710‧‧‧步驟

Claims (12)

1. 一種晶片乾燥方法，包括：提供一乾燥室，其中一吹氣構件設置在覆蓋於該乾燥室的一蓋體；提供一支撐構件，其中該支撐構件可動地配置於該乾燥室內；將一晶片籃放置於該乾燥室中，該晶片籃受該支撐構件承載，其中該乾燥室的一第一底部與該晶片籃的一第二底部相隔一距離，而多個晶片沿一軸向排列於該晶片籃的多個晶片槽中，沿著該軸向該支撐構件具有一第一側以及一第二側；使該支撐構件的該第一側相對於該第二側有沿著一吹氣方向的相對位移，而每一晶片傾靠於相對應之晶片槽的其中一槽壁上並與相對之另一槽壁之間有一空隙，其中該吹氣方向垂直於該軸向；以及該吹氣構件對該些晶片吹一氣體，且該氣體進入該些空隙中，以乾燥該些晶片。
2. 如申請專利範圍第1項所述之晶片乾燥方法，其中使該支撐構件的該第一側與該第二側有沿著該吹氣方向的相對位移的方法為以該支撐構件的中央處或該第一側或該第二側為支點，而至少一驅動件接觸該支撐構件未做為支點的至少該第一側或該第二側，且驅動該至少一驅動件帶動未作為支點的該第一側或該第二側。
3. 如申請專利範圍第1項所述之晶片乾燥方法，其中 該支撐構件為一體成形的框架或為由多個支架組合成的框架。
4. 如申請專利範圍第1項所述之晶片乾燥方法，更包括：於該乾燥室的至少一側壁設置一透視開口，且該透視開口的位置對應於該晶片籃的位置。
5. 如申請專利範圍第1項所述之晶片乾燥方法，其中該吹氣構件具有多個噴嘴，且使每一噴嘴的一出氣口與所相對鄰近之該晶片之間的距離固定。
6. 一種晶片乾燥裝置，包括：一乾燥室，具有一第一底部；一蓋體，覆蓋於該乾燥室；一吹氣構件，配置於該蓋體；以及一支撐構件，可動地配置於該乾燥室內，且於該晶片乾燥裝置執行一乾燥過程時，該支撐構件相對該第一底部傾斜，其中該支撐構件為一體成形的框架或為由多個支架組合而成的框架，而該支撐構件更包括至少一驅動件，該至少一驅動件接觸該框架的至少一第一側及一第二側的其中之一。
7. 如申請專利範圍第6項所述之晶片乾燥裝置，其中該框架具有一第一側以及一第二側，而以該框架的中央處或該第一側或該第二側為支點，該第一側相對該第一底部的距離與該第二側相對該第一底部的距離不同。
8. 如申請專利範圍第6項所述之晶片乾燥裝置，更包 括一晶片籃，與該支撐構件連接，且該晶片籃受該支撐構件帶動而相對該第一底部傾斜。
9. 如申請專利範圍第8項所述之晶片乾燥裝置，其中該乾燥室具有多個側壁以及至少一透視開口，該至少一透視開口設置於至少該些側壁的其中之一，且該至少一透視開口的位置對應於該晶片籃的位置。
10. 如申請專利範圍第6項所述之晶片乾燥裝置，其中該吹氣構件包括：多個噴嘴，具有一出氣口，且該出氣口貫穿該蓋體的一表面；以及一氣體供給元件，與該些噴嘴連通且提供一氣體至該些噴嘴。
11. 如申請專利範圍第10項所述之晶片乾燥裝置，其中該些噴嘴等間距排列於該蓋體中。
12. 如申請專利範圍第10項所述之晶片乾燥裝置，其中該些噴嘴的該些出氣口與該第一底部等距離。