TWI537267B - 新穎化合物及使用其之有機電子裝置 - Google Patents
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Description
本發明主張於2011年7月8日於韓國智慧局申請之專利申請號10-2011-0067965優先權,其所揭露之內容係全數併入本案以供參考。
本發明係關於一種新穎化合物及使用其之有機電子裝置。
有機電子裝置係一種使用電洞及/或電子於電極以及有機材料間進行電荷轉換的裝置。此有機電子裝置可根據操作方式而大致分為以下兩種類型。第一種之電子裝置中,一激子係藉外部光源照射至該裝置所產生的光子以形成於一有機材料層中,激子分為電子及電洞,該些電子及電洞會傳送至不同電極以作為電流源(電壓源);第二種電子裝置中,電洞及/或電子係注入有機半導體材料,藉施加電壓或電流至二或以上個電極而產生相對於電極的介面,並且藉由所注入的電子及電洞來操作該裝置。
有機電子裝置的粒子包含一有機發光裝置、一有機太陽能電池、一有機光導體(OPC)、一有機電晶體及其類似者,所有的範例都需要一電洞注入或傳輸材料、一電子注入或傳輸材料、或一發光材料,以驅動此裝置。以下,將主要針對有機發光裝置進行詳述。然而,於有機電子裝置中,
電洞注入或傳輸材料、電子注入或傳輸材料、或發光材料係依據相同原理而進行操作。
基本上,一有機發光現象表示透過有機材料將電能轉換為光能的現象,應用有機發光現象的有機發光裝置基本上係包含一陽極、一陰極及穿插於兩極間之一有機材料層之結構。在此,多數有機材料層具有不同材料之多層結構,以增加有機發光裝置的效率及穩定性,舉例來說,有機材料層可由一電洞注入層、一電洞傳輸層、一發光層、一電子傳輸層、一電子注入層及其類似者所形成。於有機發光裝置結構中,當將電壓施於兩電極間,使由陽極注入之電洞及由陰極注入之電子注入至有機材料層中,且當注入的電洞及電子相會時,即可產生激子並且於激子掉回基態時釋放光線。習知技術中,此有機發光裝置具有例如磁發光、高亮度、高效能、低驅動電壓、廣角性、高對比及高反應速度之特性。
於有機發光裝置中,可用來作為有機材料層的材料可分為一發光材料以及一電荷傳輸材料,舉例來說,可根據其功能而分為一電洞注入材料、一電洞傳輸材料、一電子傳輸材料、一電子注入材料及其類似材料等。此外,發光材料可分為藍、綠及紅發光材料、黃及橙發光材料,根據發光顏色以應用較佳的天然色光。於此同時,當使用單一材料作為發光材料時,由於分子間之交互作用會使最大發光波長偏移至長波長或使色彩飽和度降低,或者因發光效
應降低而降低裝置的效率,因此可使用主體/摻雜系統作為發光材料以透過能量轉換增加光純度及提高發光效率。
在該裝置中,構成有機材料層之材料,例如電洞注入材料、電洞傳輸材料、發光材料、電子傳輸材料、電子注入材料或其類似者,需藉由穩定且有效率的材料進一步支持以充分展現後述有機發光裝置的優異特性。然而用於有機發光裝置之穩定且有效率的有機材料層材料,目前仍未充分地發展,因此,目前須發展一種新穎材料,且發展該材料之需求係能夠同樣應用於以下其他有機電子裝置。
本發明發現一種新穎結構之含氮雜環化合物,此外本發明更發現當有機電子裝置之有機材料層係使用此新穎含氮雜環化合物而形成時,可提升該裝置的效率,降低驅動電壓,並能提高其穩定性。
因此,本發明提供一種新穎化合物及使用其之有機電子裝置。
本發明之一示範實施例係提供一種新穎化合物。
本發明之另一實施例係提供一種有機電子裝置,其包含:一第一電極、一第二電極、以及穿設於第一電極及第二電極間之一或以上個有機材料層,其中一或多個有機材料層係包含上述新穎化合物。
本發明之新穎化合物可做為含有有機發光裝置之有機電子裝置的有機材料層材料,其中包含使用此有機材料之
有機發光裝置的有機電子裝置具有優異的功效、驅動電壓、壽命等等。此外,本發明之新穎化合物具有優異的熱穩定性、低HOMO能階(deep HOMO level)、高三重態(triplet state)以及電洞穩定性(hole stability),因此具有優異的特性。上述化合物可單獨或混合使用於包含有機發光裝置之有機電子裝置中,藉由此化合物的熱穩定性以提高裝置的光效能及改善其壽命。
以下將為本發明更進一步詳述。
本發明提供一種新穎化,如下化學式1所示。
於化學式1中,X1係N或CR3,X2係N或CR4,X3係N或CR5,X4係N或CR6,且所有X1至X4不同時為N,R3至R6係各自獨立為-(L1)p-(Y1)q,其中p係0至10之整數,q係1至10之整數,二至多個相鄰之R3至R6取代基可形成一單環或多環,L1係氧、硫、經取代或未經取代之氮、經取代或未經取代之磷、經取代或未經取代之亞芳基、經取代或未經取
代之亞烯基、經取代或未經取代之芴基、經取代或未經取代之咔唑(carbazolylene)基或經取代或未經取代之包含一或多個N、O及S原子之雜亞芳基,Y1係氫、重氫、鹵基、腈基、硝基、羥基、經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之環烷基、經取代或未經取代之烷氧基、經取代或未經取代之芳氧基、經取代或未經取代之烷巰氧(alkylthioxy)基、經取代或未經取代之芳巰氧(arylthioxy)基、經取代或未經取代之烷亞碸(alkylsulfoxy)基、經取代或未經取代之芳亞碸(arylsulfoxy)基、經取代或未經取代之烯基、經取代或未經取代之甲矽烷(silyl)基、經取代或未經取代之硼基、經取代或未經取代之烷胺基、經取代或未經取代之芳烷胺(aralkylamine)基、經取代或未經取代之芳胺基、經取代或未經取代之雜芳胺基、經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之芴(fluorenyl)基、經取代或未經取代之咔唑基或經取代或未經取代之包含一個或以上個N、O及S原子之雜環基,R1及R2可彼此連結以形成或不形成經取代或未經取代之脂肪族、芳烴或單環或多環雜芳烴,且當R1及R2未形成環狀結構時,R1及R2可彼此相同或不同,且各自獨立為氫、重氫、鹵基、腈基、硝基、羥基、經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之環烷基、經取代或未經取代之烷氧基、經取代或未經取代之芳氧基、經取代或未經取代之烷巰氧基、經取代或未經取代之芳巰氧基、經取代或未經取代之烷亞碸基、經取代或未經取代之芳亞碸基、經取代
或未經取代之烯基、經取代或未經取代之甲矽烷(silyl)基、經取代或未經取代之硼基、經取代或未經取代之烷胺基、經取代或未經取代之芳烷胺(aralkylamine)基、經取代或未經取代之芳胺基、經取代或未經取代之雜芳胺基、經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之芴基、經取代或未經取代之咔唑基、或經取代或未經取代之包含一個或以上個N、O及S原子之雜環基,上述由R1及R2連接形成的單環或多環芳烴或雜芳烴,以及R1及R2彼此可各自獨立經-(L1)p-(Y1)q取代,當兩個或以上個L1以及兩個或多個Y1出現於化學式1中時,L1及Y1係彼此獨立地為相同或不同。
一A1環係由化學式2表示,
於化學式2中,R7及R8、R8及R9、或R9及R10係與化學式1連結之基團,於R7至10、R11、R12、R13及R14基團中不與化學式1連結者,係各自獨立為-(L2)r-(Y2),其中r係0至10之整數,s係1至10之整數,且在R7至R10、R11、R12、R13及R14中兩個至多個不與化學式1連結之相鄰基團可形成一單環或一多環,
L2係氧、硫、經取代或未經取代之氮、經取代或未經取代之P、經取代或未經取代之亞芳基、經取代或未經取代之亞烯基、經取代或未經取代之芴乙炔(fluorenylene)基、經取代或未經取代之咔唑(carbazolylene)基、或經取代或未經取代之包含一個或多個N、O及S原子之雜環基,Y2係氫、重氫、鹵基、腈基、硝基、羥基、經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之環烷基、經取代或未經取代之烷氧基、經取代或未經取代之芳氧基、經取代或未經取代之烷巰氧(alkylthioxy)基、經取代或未經取代之芳巰氧(arylthioxy)基、經取代或未經取代之烷亞碸(alkylsulfoxy)基、經取代或未經取代之芳亞碸(arylsulfoxy)基、經取代或未經取代之烯基、經取代或未經取代之甲矽烷(silyl)基、經取代或未經取代之硼基、經取代或未經取代之烷胺基、經取代或未經取代之芳烷胺(aralkylamine)基、經取代或未經取代之芳胺基、經取代或未經取代之雜芳胺基、經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之芴(fluorenyl)基、經取代或未經取代之咔唑基、經取代或未經取代之包含一個或以上個N、O及S原子之雜環基,在R7至R10、R11、R12、R13及R14中不與化學式1相連的每一取代基係獨立經-(L2)r-(Y2)取代,且兩個或以上個不連接化合物1之相鄰取代基係形成單環或多環之芳烴或雜芳烴,當兩個或以上個L2及兩個或以上個Y2出現於化學式2時,L2及Y2係各自獨立地為彼此相同或不同,
B1係一芳基,其中組成環狀結構之一個或多個碳更可由氮所取代,B2一芳基,其中組成環狀結構之一個或多個碳可由氮所取代。
於化學式1中,未經取代的氮係指除了氫鍵結至氮之外,氮不具有取代基團,且未經取代的磷係指除了氫鍵結至磷之外,磷不具有取代基團。
化學式2可有化學式2-1至2-7任一者表示。
於化學式2-1中,R7及R8係連接至化學式1之官能基,且其餘定義與化學式2相同。
於化學式2-2中,R8及R9係與化學式1連接之官能基,且其餘定義與化學式2相同。
[化學式2-3]
於化學式2-3中,R9及R10係與化學式1連接之官能基,且其餘定義與化學式2相同。
於化學式2-4中,R7及R8係與化學式1連接之官能基,且其餘定義與化學式2相同。
於化學式2-5中,R8及R9係與化學式1連接之官能基,且其餘定義與化學式2相同。
[化學式2-6]
於化學式2-6中,R9及R10係與化學式1連接之官能基,且其餘定義與化學式2相同。
於化學式2-7中,R7至R14定義與化學式2相同。
此外,本發明由化學式1表示之化合物可由化學式1-1至1-4任一者表示。
[化學式1-2]
於化學式1-1至化學式1-4中,R1a至R4a之定義與化學式1之R1至R2相同,且A1、及X1至X4之定義與化學式1相同。
此外,本發明由化學式1表示之化合物可由以下化學式3-1至3-18表示。
於化學式3-1至化學式3-18中,
R1至R4a之定義與化學式1之R1至R2定義相同,R3至R6定義與化學式1相同,且R7至R14定義與化學式2相同。
尤其,於化學式3-1、化學式3-2、化學式3-3及化學式3-16中,較佳情況下R1a至R4a、R3、R6及R7至R14係氫,且每一R4或R5係獨立為-(L2)r-(Y2)。在此,L2、Y2、r及s之定義與化學式2相同。當L2係亞芳基情況下,較佳之亞芳基可為亞苯基或亞萘基,且當Y2係芳基時,較佳之芳基為苯基、萘基、菲(phenanthrenyl)基、芴(fluorene)基、二甲基芴基、聯伸三苯(triphenylene)基、苯並屈(benzocrycene)基或熒蒽(fluoranthrene)基。
此外,本發明由化學式1所示之新穎合物可由以下化學式4-1至4-4之任一者表示。
[化學式4-1] [化學式4-2] [化學式4-3]
於化合物4-1至化合物4-4中,R1b至R4b之定義與化學式1之R1至R2之定義相同,R3至R6之定義與化學式1相同,R7至R14之定義與化學式2相同,且R15至R18之定義與化學式2之R7至R14相同。
此外,本發明由化學式1表示之新穎化合物可由以下化學式5-1至5-25之任一者表示。
[化學式5-4] [化學式5-5] [化學式5-6]
[化學式5-16] [化學式5-17] [化學式5-18]
於化學式5-1至化學式5-25中,R1a至R4a之定義與化學式1之R1至R2定義相同,R3至R6之定義係與化學式1相同,且R7至R14之定義與化學式2相同。
此外,本發明由化學式1所示之新穎化合物可由以下化學式6-1至6-8任一者表示。
於化學式6-1至化學式6-8中,R1a至R4a之定義與化學式1之R1至R2相同,R3至R6之定義與化學式1相同,且R7至R14之定義與化學式2相同。
取代基之範例如下所示,但不限於此。
於本發明中,較佳的烷基係不會導致立體阻礙之1至30個碳原子,其範例包含甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、t-丁基、戊基、己基、庚基及其類似者,但不限於此。
於本發明中,烷氧基可為直鏈或支鏈。烷氧基之碳數無特別限制,較佳係介於不影響立體阻障之1至30個碳原子間,舉例來說,化學式1之-(L1)p-(Y1)q的Y係烷氧基,由於烷氧基的碳原子數不影響化合物的共軛長度但會影響化合物形成於有機電子裝置的方法,例如真空沉積法或溶液塗佈法,故烷氧基的碳數無特別限制。
於本發明中,烯基(alkenyl group)可為直鏈或支鏈,較佳的烯基係具有2至40個碳原子,由其較佳之烯基係經由芳基所取代,例如二苯乙烯(stylbenyl)基以及苯乙烯(styrenyl)基,但不限於此。
於本發明中,芳基可為單環或多環,且其碳原子數無特別限制,較佳係6至60個。單環芳基的例子包含苯基、聯苯基、三苯基、二苯乙烯(stilben)基及其類似者,但不限於此。多環例子包含萘基、蒽(anthracenyl)基、菲(phenanthrenyl)基、芘(pyrenyl)基、苝(perylenyl)基、四苯(tetracenyl)基、(cryxenyl)基、芴(fluorenyl)基、苊(acenaphthacenyl)基、菲(triphenylene)基、熒蒽(fluoranthrene)基及其類似者,但本發明之範圍不限於此。
於本發明中,雜環基係一種包含O、N或S雜原子之雜環基,且其碳原子數無特別限制,較佳係2至60個。雜環基的例子包含噻吩(thiophene)基、呋喃(furan)基、吡咯
(pyrrole)基、咪唑(imidazole)基、噻唑(thiazole)基、噁唑(oxazol)基、惡二唑(oxadiazol)基、三氮唑(triazol)基、吡啶(pyridyl)基、二吡啶(bipyridyl)基、三嗪(triazine)基、吖啶(acridly)基、二氮雜苯(pyridazine)基、喹啉(quinolinyl)基、異喹啉(soquinoline)基、吲哚(indole)基、咔唑(carbazole)基、苯並噁唑(benzoxazole)基、苯並咪唑(benzimidazole)基、苯並噻唑(benzthiazol)基、苯並咔唑(benzcarbazole)基、苯並噻吩(benzthiophene)基、二苯並噻吩(dibenzothiophene)基、苯並呋喃(benzfuranyl)基、二苯並呋喃(dibenzofuranyl)基及其類似者,但不限於此。
於本發明中,環烷基並無特別限制,其碳原子數較佳係3至60個,且較佳尤為環戊基以及環己基。
於本發明中,鹵基的例子包含氟、氯、溴或碘。
於本發明中,芴(fluorenyl)基具有藉由一原子而將兩個
環狀有機化合物連結的結構,其例子包含及其類似者。
於本發明中,芴(fluorenyl)基包含一開放芴基,此開放芴基之結構係透過一原子將兩個環狀有機化合物連結,且連結之一環狀化合物係成斷裂(broken)狀態,其例子包含及其類似者。
於本發明中,芳胺基的例子係指經取代或未經取代之單環二芳胺基、經取代或未經取之多環二芳胺基或經取代或未經取代之單環及多環二芳胺基。
於本發明中,「經取代或未經取代」一詞係指經由或未經由至少一重氫、鹵基、腈基、硝基、羥基、烷基、環烷基、烷氧基、芳氧基、烷巰氧(alkylthioxy)基、芳巰氧(arylthioxy)基、烷亞碸(alkylsulfoxy)基、芳亞碸(arylsulfoxy)基、烯基、甲矽烷(silyl)基、硼基、烷胺基、芳烷胺(aralkylamine)基、芳胺基、芳基、芴(fluorenyl)基、咔唑基或包含一或以上個N、O及S原子之雜環基取代的意思。
本發明之化合物中,當-(L1)p-(Y1)q之p是0情況下,至少一Y1係重氫、腈基、鹵基、經取代或未經取代之溴基、經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之雜環基或其類似者。
於本發明中,當-(L1)p-(Y1)的p是1或以上,則L1較佳係經取代或未經取代之亞芳基、經取代或未經取代之雜環雅芳基或其類似者,且Y1較佳係經取代或未經取代之溴基、經取代或未經取代之烷胺基、經取代或未經取代之芳烷胺(aralkylamine)基、經取代或未經取代之芳胺基、經取代或未經取代之雜芳胺基、經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之芴基、經取代或未經取代之咔唑基或經取代或未經取代之包含一個或以上個N、O及S原子之雜環基。
於化學式1中,當L1係亞芳基或雜亞芳基,且Y1係芳基或雜芳基,則p+q較佳係為2或以上。
當-(L1)p-(Y1)q之p係2或以上,則L1係彼此相同或不同,且當-(L1)p-(Y1)q的q係2或以上,則Y1係彼此相同或不同。
於本發明中,R3至R14之至少一者較佳係重氫、腈基、鹵基、芳基、經取代或未經取代之亞芳基、雜環基、經取代之雜環基、芴基、咔唑基或其類似者。
於本發明中,上述經取代之亞芳基係指苯基、聯苯基、萘基、芴基、芘(pyrenyl)基、菲(phenanthrenyl)基、苝(perylen)基、四苯(tetracenyl)基、蒽(anthracenyl)基及其類似者藉由其他取代基所取代。
於本發明中,上述經取代之雜亞芳基係指吡啶(pyridyl)基、噻吩(thiophenyl)基、三嗪(triazine)基、喹諾(quinolone)基、鄰菲羅啉(phenanthroline)基、咪唑(imidazole)基、噻唑(thiazole)基、噁唑(oxazole)基、咔唑(carbazole)基以及其縮合雜環基,例如苯並喹啉(benzquinoline)基、苯並咪唑(benzimidazole)基、苯並噁唑(benzoxazole)基、苯並噻唑(benzthiazole)基、苯並咔唑(benzcarbazole)基、二苯並噻唑(dibenzothiophenyl)基、二苯並呋喃(dibenzofurane)基及其類似者,其係由其他取代基所取代。
於本發明中,當R1及R2係經取代或未經取代之芳基或經取代或未經取代之雜芳基時,R1及R2較佳係彼此相同。
此外,R1至R2可彼此獨立為相同或不同,且較佳係由苯基、聯苯、萘基、由腈基取代之吡啶(pyridinyl)或苯基所取代。
於本發明中,化學式1之R1至R14可更由一額外之取代基所取代,且例子包含重氫、鹵基、烷基、烯基、烷氧基、甲矽烷基、芳烯基、芳基、雜芳基、咔唑基、芳胺基、經芳基、腈基、或其類似者取代或未取代之芴基,但不限於此。
由於化學式1之化合物具有高玻璃轉移溫度(Tg),因此具有優異的熱穩定性。此提升之熱穩定性係提供裝置驅動穩定性之重要因素。
本發明係提供一種由以下化學式1表示之新穎化合物,因其結構特性,此化合物可用於有機電子裝置之有機材料層。
較佳之本發明化合物之例子包含以下化合物,但不限於此。
此外,本發明另提供一種製備如化學式1所示之新穎合物的方法。由化學式1所示之化合物(Cpd C)可由以下製程製備。首先,當Cpd A化合物於Pd催化劑下進行鈴木鍵結反應(Suzuki bonding reaction)而製備後,一咪唑延伸物Cpd B可藉由將上述化合物引入1,2-苯二胺(1,2-diaminobenzene)以及甲醯基(formyl group)而製得。接著,化學式1之結構可藉由將分子中咪唑基的NH及芳基或包含氯(Cl)基之雜芳基進行環化反應而製得。
尤其,由Cpd A表示之化合物之製備可藉由
1)於Pd催化劑下進行由鹵素取代之Cpd 1化合物以及硼酸Cpd 2或由甲醯基(formyl group)取代之硼酯Cpd 3進行
鈴木鍵結反應(Suzuki bonding reaction)。亦或,此化合物可於Pd催化劑下進行硼酸Cpd 4或由鹵素取代之硼酯Cpd 5與由甲醯基(formyl group)取代之化合物Cpd 6進行鈴木鍵結反應(Suzuki bonding reaction)而製得。
上述製備方法可有下反應式1表示
尤其,由Cpd B所示之化合物可如下述製備。
2)一咪唑基可藉由混合由鹵基及甲醯基取代之Cpd A、具有R1及R2之二酮(diketo)延伸物(Cpd 7)以及醋酸胺,以進行酸催化製備。亦或此咪唑基可藉由混合由鹵基及甲醯基取代之Cpd A以及具有R1及R2之二酮(diketo)延伸物(Cpd 7),以進行酸催化製備。
上述製備方法可由以下反應式2表示。
尤其,如Cpd C(化學式1)所示之化合物之製備可透過
3)於Pd催化下,將經鹵素取代之Cpd B以及分子中的咪唑基進行一催化反應。
上述製備方法可由以下反應式3表示。
[反應式3]
此外,具有引入之取代基之本質的化合物可藉由將各種取代基引入下述的核結構而合成。舉例來說,能夠藉由引入應用於電洞注入層材料、電洞傳輸層材料、發光層材料以及電子傳輸層材料(用於製備有機發光裝置及有機電子裝置)的取代官能基至下述結構,而於每一層有機材料層中製備滿足所需條件之材料。本發明之化合物可根據一般有機電子裝置的製備方法而應用於有機電子裝置。
於本發明之示範實施例中,上述有機電子裝置可藉由包含一第一電極、一第二電極以及一穿設於兩電極間的一有機材料層之結構而組成,且可藉由習知製備有機電子裝置及其材料之方法而製備,除了將本發明之化合物應用於有機電子裝置之有機材料層之外。
本發明有機電子裝置的有機材料層可由一單層結構而組成,但也可由雙層或多層有機材料層層疊形成的多層結構而組成。舉例來說,本發明之有機電子裝置所具有結構可包含一電洞注入層、一電洞傳輸層、一發光層、一電子傳輸層、一電子注入層及其類似者以作為一有機材料層。然而,此有機電子裝置的結構並不限於此,但可包含較少層數的有機材料層。
因此,於本發明的有機電子裝置中,有機材料層可包含一或多個的電洞注入層、電洞傳輸層以及電洞注入及傳輸層,且該些膜層之一層或以上層可包含由化學式1所示之化合物。
此外,上述有機材料層可包含上述之發光層,且此發光層可包含化學式1所示之化合物。在此,化學式1所示之化合物可在發光層中作為一電洞材料。當於發光層中包含作為電洞材料之化學式1化合物時,此發光層可包含一種以上的磷光摻雜物。
於本發明中,上述用於有機電子裝置的磷光摻雜物無特別限制,較佳之磷光摻雜物係選自由以下化學式7所示之化合物。
[化學式7]M1L10L11L12
於化學式7中,M1係Ir或Os,L10、L11及L12係鍵結至M1的配體,且其每一者係各自獨立選自由以下結構,
R101 to R107係各自獨立為相同或不同,且係各自獨立選自由下列所組成之群組:氫、重氫、鹵基、氰基、經取代或未經取代之具有2至10個碳原子的烷基甲矽烷基、經取代或未經取代之具有6至30個碳原子的芳基甲矽烷基、經取代或未經取代之具有1至10個碳原子的芳基、經取代或未經取代之具有2至10個碳原子的烯基、經取代或未經取代之具有1至10個碳原子的烷氧基、經取代或未經取代之具有6至20個碳原子之芳基、以及經取代或未經取代之具有5至20個碳原子的雜芳基,而且其相鄰的基團可鍵結形成縮環芳基,或縮環雜芳基。
由化學式7表示的化合物較佳係選自由下列結構化學式所組成之群組,但不限於此。
以組成發光層之材料為基準,上述磷光摻雜物的含量可為1至50 wt%,但不限於此。
此外,上述有機材料層可包含一層以上的電子傳輸層、電子注入層以及電子傳輸及注入層,且一或多個之該些膜層可包含由化學式1所示之化合物。在此,包含化學式1化合物之該膜層可更包含鹼金屬、鹼金屬化合物、鹼土金屬、鹼土金屬化合物或其組合之n-型摻雜物。於本發明中,此應用於有機電子裝置的n-型摻雜物無特別限制,較佳係選自Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、La、Nd、Sm、Eu、Tb、Yb、LiF、Li2O、CsF或以下化合物。
當電子傳輸層、電子注入層、電子傳輸及注入層及其類似者係使用n-型摻雜物及化學式1之化合物時,可改善電子注入特性,以提高裝置的原有的效率、降低驅動電壓以提高穩定性。較佳地n-型摻雜物含量係佔1至70%。
於具有多層結構的有機材料層中,化學式1之化合物可包含於發光層、電洞注入/電洞傳輸及發光層、電洞傳輸及發光層、電子傳輸及發光層或其類似者中。
舉例來說,本發明有機電子裝置的結構如圖1至5所示。
圖1所示之有機電子裝置具有陽極2、電洞注入層3、電洞傳輸層4、發光層5、電子傳輸層6及陰極7依序層疊於基板1之結構。於下述結構中,化學式1之化合物可包含於電洞注入層3、電洞傳輸層4、發光層5、或電子傳輸層6中。
圖2所示之有機電子裝置具有陽極2、電洞注入層3、電洞傳輸層4、發光層5、陰極7依序層疊於基板1之結構。於
下述結構中,化學式1之化合物可包含於電洞注入層3、電洞傳輸層或電子傳輸層6中。
圖3所示之有機電子裝置具有陽極2、電洞傳輸層4、發光層5、電子傳輸層6及陰極7依序層疊於基板1之結構。於下述結構中,化學式1之化合物可包含於電洞傳輸層4、發光層5或電子傳輸層6中。
圖4所示之有機電子裝置具有陽極2、發光層5、電子傳輸層6以及陰極7依序層疊於基板1之結構。於下述結構中,化學式1之化合物可包含於發光層5或電子傳輸層6中。
圖5所示之有機電子裝置具有陽極2、發光層5以及陰極7依序層疊於基板1之結構。於下述結構中,化學式1之化合物可包含於發光層5中。
舉例來說,本發明之有機電子裝置可藉由以下方法形成:藉由例如像濺鍍或電子束沉積法之PVD(物理氣相沉積法)而將具有導電特性的金屬或金屬氧化物、或合金沉積於基板上,以形成一陽極;形成包含電洞注入層、電洞傳輸層、發光層以及電子傳輸層之有機材料層於其上;並且沉積能夠作為陰極之材料於其上。
除了此方法外,上述有機電子裝置可藉由依序於基板上沉積一陰極材料、一有機材料層及一陽及材料層而製造(國際專利申請號2003/012890)。上述有機材料層可為包含有電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層及其類似之多層結構,但不限於此且可為單層結構。此外,上述有機材料層可藉由使用各種聚合物材料及溶劑製程之非沉
積方法而製成層數少的膜層,該方法例如像旋轉塗佈法、浸塗法、刮刀法(doctor blading)、絲網印刷法(screen printing)、噴墨法或熱轉印法。
基本上,較佳係使用具有大功函數的材料作為陽極材料,藉此以使電洞流暢地注入至有機材料層中。可應用於本發明陽極材料的特殊例子包含例如像釩、鉻(chrome)、銅、鋅及金或其合金之金屬;例如像氧化鋅、氧化銦、氧化錫銦(ITO)及氧化鋅銦(IZO)之金屬氧化物;例如像ZnO:Al或SnO2:Sb之金屬及氧化物組成物;及例如像聚(3-甲基噻吩)(poly(3-methylthiophene))、聚[3,4-(乙烯基-12-雙氧)噻吩](poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene](PEDT))、聚吡咯(polypyrrole)及聚苯胺(polyaniline)之導電聚合物,但不限於此。
基本上,陰極材料較佳可為具有低功率的材料,藉此已將電子流暢地注入有機材料層中。陰極材料的特殊例子包含例如像鎂、鈣、納、鉀、鈦、銦、釔、鋰、钆、鋁、銀、錫及鉛或其合金之金屬;例如像LiF/Al或LiO2/Al及其類似者之多層結構材料,但不限於此。
上述電洞注入材料係一種能夠在低壓下良好的儲存來自陽極之電洞的材料,且較佳情況下,電洞注入材料之HOMO(最高佔據分子軌道)的值係介於陽極材料之功函數以及圍繞其之有機材料層的HOMO之間。電洞注入層的特殊實施例包含金屬卟啉(porphyrin)、寡聚噻吩(oligothiophene)、芳胺系有機材料、六氮雜三氟乙酸
(hexanitrile hexaazatriphenylene)、喹吖啶酮系有機材料(quinacridone-based organic material)、苝(perylene)系有機材料、蒽醌(anthraquinone)、聚苯胺(polyaniline)以及聚噻吩(polythiophene)系導電聚合物及其類似者,但不限於此。
上述電洞傳輸材料係能夠儲存來自陽極或來自電洞注入層的電洞並能夠將電洞轉移至發光層的材料,且其具有高電洞移動率。電洞傳輸材料的特殊例子包含芳胺系有機材料、導電聚合物、同時具有共軛部分(conjugate portion)及非共軛部分(non-conjugate portion)的嵌段共聚物,但不限於此。
上述發光材料係一種能夠儲存來自電洞傳輸層及電子傳輸層之電洞及電子,並能使其結合發出可見光範圍的光線之材料,且較佳係使用具有優異的螢光或磷光之光子效率的材料,其特殊例子包含8-羥基喹啉鋁複合物(8-hydroxy-quinoline aluminum complex(Alq3));咔唑(carbazole)系化合物;二聚苯乙烯(dimerized styryl)化合物;BAlq;10-羥基苯並喹啉金屬(10-hydroxybenzoquinoline-metal)化合物;苯並噁唑(benzoxazole)、苯並噻唑(benzthiazole)以及苯並咪唑(benzimidazole)系化合物;聚(對-亞苯基亞乙烯基)((p-phenylenevinylene))(PPV)-系聚合物;斯皮羅(spiro)化合物;聚芴(polyfluorene)、紅熒烯(lubrene)及其類似者,但不限於此。
上述電洞傳輸材料係一種能夠良好儲存來自陰極的電子且將電子傳輸自發光層的材料,且其較佳係使用具有高電子移動率之材料,其特殊例子包含羥基喹啉鋁複合物;包含Alq3的複合物;有機自由基化合物;羥基黃酮(hydroxyflavone)金屬複合物及其類似者,但不限於此。
本發明之有機發光裝置可依據使用材料而分為頂部發光型、底部發光型或雙側發光型。
本發明之化合物可依據應用至有機發光裝置的相同原理而應用至有機電子裝置,例如有機太陽能電池、有機光導體及有機電晶體。
為協助了解本發明,以下將由較佳實施例進行詳述,然而以下實施例係用於說明本發明,並不限制本發明之申請專利範圍。
再將2,4-二氯苯硼酸(2,4-dichlorophenylboronic acid)(18.3 g,95.8 mmol)以及2-溴-1-萘甲醛(2-bromo-1-naphthaldehyde)(20.5 g,87.2 mmol)完全溶於四氫呋喃(tetrahydrofurane(THF))(300 mL)後,加入2M的碳酸鉀(potassium carbonate)溶液(180 mL),並置入四(三苯基膦)鈀(tetrakistriphenylphosphino palladium)(Pd(PPh3)4(2.0 g,2 mol%)攪拌及迴流5小時。將溫度降至低於常溫,並將有機層以無水硫酸鎂(MgSO4)乾燥及過濾。將過濾之溶液於減壓條件下進行濃縮,再以四氫呋喃:己烷=1:10進行管柱層析,以製備化合物A-1(21.0 g,80%)。
MS:[M+H]+=301
將製備例1-1之化合物A-1(26.2 g,87.0 mmol)與苯二胺(diaminobenzene)(9.4 g,87.0 mmol)分散溶於二氧六環(dioxane)(1,4-二氧六環)(200 mL)及醋酸(AcOH)(20 mL)中。將獲得的混合物攪拌並迴流約6小時後,冷卻至常溫。再將上述混合物以清水(100 mL)稀釋後,過濾析出的固體,並以清水以及乙醚清洗,以製得化合物A-2(19.3 g,57%)
MS:[M+H]+=389
將製備例1-2製備的化合物A-2(1.99 g,5.10 mmol)、叔丁醇鈉(sodium-tertiary-butoxide)(NaOt-Bu)(0.58 g,6.01 mmol)以及Pd[P(t-Bu)3]2(51 mg,2 mol%)分散溶於甲苯(50 mL)中。將上述混合物攪拌並迴流約6小時,並冷卻至常溫。
將蒸餾水倒入反應物中終止反應再萃出有機層,接著以無水硫酸鎂進行乾燥並進行過濾。於減壓環境下濃縮過濾的溶液後,利用四氫呋喃:己烷=1:5進行管柱層析,以製備化合物A-3(0.756 g,42%)。
MS:[M+H]+=353
將製備例1-3之化合物A-3(14.4 g,40.8 mmol)、雙(戊醯)二硼(bis(pinacolato)diboron)(11.4 g,4.49 mmol)以及醋酸鉀(potassium acetate)(KOAc)(12.0 g,122 mmol)分散溶於二氧六環(dioxane)(250 mL)中。添加Pd(dba)2(0.70 g,3 mol%)以及PCy3(0.69 g,6 mol%)至上述分散溶液中,將此混合物攪拌並迴流約8小時後冷卻至常溫。以清水(250 mL)稀釋此混合物,並透過二氯甲烷(dichloromethane)(3×150 mL)進行萃取。以硫酸鎂乾燥有機萃取材料後,進行過濾。於減壓條件下完成過濾後,透過乙醚及己烷進行再結晶,以獲得化合物A-4(14.5 g,80%)。
MS:[M+H]+=445
[化合物A-7] [化合物A-8]
化合物A-8係使用與製備例1相同的方法製得,差別在於將製備例1的2,4-二氯苯酸(2,4-dichlorophenylboronic acid)置換為2,5-二氯苯酸(2,5-dichlorophenylboronic acid)。
MS:[M+H]+=445
化合物A-12之製備方法與製備例1相同,差別在於將製備例1之2-溴-1-萘甲醛(2-bromo-1-naphthaldehyde)置換為3-溴-2-萘甲醛(3-bromo-2-naphthaldehyde)。
MS:[M+H]+=445
化合物A-16的製備方法與製備例1相同,差別在於將製備例1之2,4-二氯苯酸(2,4-dichlorophenylboronic acid)置換為2,5-二氯苯酸(2,5-dichlorophenylboronic acid),另將2-溴-1-萘甲醛(2-bromo-1-naphthaldehyde)置換為3-溴-2-萘甲醛(3-bromo-2-naphthaldehyde)。
MS:[M+H]+=445
[化合物A-19] [化合物A-20]
化合物A-20的製備方法與製備例1相同,差別在於將製備例1之2-溴-1-萘甲醛(2-bromo-1-naphthaldehyde)置換為1-溴-2-萘甲醛(3-bromo-2-naphthaldehyde)。
MS:[M+H]+=445
化合物A-24的製備方法與製備例1相同,差別在於將製備例1之2,4-二氯苯酸(2,4-dichlorophenylboronic acid)置換為2,5-二氯苯酸(2,5-dichlorophenylboronic acid),另將2-溴-1-萘甲醛(2-bromo-1-naphthaldehyde)置換為1-溴-1-萘甲醛(3-bromo-2-naphthaldehyde)。
MS:[M+H]+=445
化合物A-28的製備方法與製備例1相同,差別在於將製備例1之2-溴-1-萘甲醛(2-bromo-1-naphthaldehyde)置換為2-氯-3-喹啉甲醛(2-chloro-3-quinolinecarboxaldehyd)。
MS:[M+H]+=446
[化合物A-31] [化合物A-32]
化合物A-32的製備方法與製備例1相同,差別在於將製備例1之2,4-二氯苯酸(2,4-dichlorophenylboronic acid)置換為2,5-二氯苯酸(2,5-dichlorophenylboronic acid),另將2-溴-1-萘甲醛(2-bromo-1-naphthaldehyde)置換為2-氯-3-喹啉甲醛(3-bromo-2-naphthaldehyde)。
MS:[M+H]+=446
化合物A-35的製備方法與製備例1相同,差別在於將製備例1中的苯二胺(diaminobenzene)置換為醋酸胺(ammonium acetate)。
MS:[M+H]+=547
化合物A-38的製備方法與製備例1相同,差別在於將製備例1中的苯二胺(diaminobenzene)置換為二氨基萘(diaminonaphthalene)。
MS:[M+H]+=495
[化合物A-41] [化合物A-42]
再將2-氯苯硼酸(2-chlorophenylboronic acid)(17.2 g,110 mmol)以及2-溴-4-氯-1-萘甲醛(2-bromo-4-chloro-1-naphthaldehyde)(26.9 g,100 mmol)完全溶於四氫呋喃(tetrahydrofurane(THF))(300 mL)後,加入2M的碳酸鉀(potassium carbonate)溶液(180 mL),並置入四(三苯基膦)鈀(tetrakistriphenylphosphino palladium)(Pd(PPh3)4(2.3 g,2 mol%)攪拌及迴流5小時。在此,溫度係低於常溫,將水層移除,且將有機層係藉由無水硫酸鎂(MgSO4)乾燥並過濾。將過濾之溶液於減壓條件下濃縮,並以四氫呋喃:己烷=1:10進行管柱層析,以製備化合物A-39(22.8 g,76%)。
MS:[M+H]+=301
化合物A-40的製備方法與製備例1-2相同,差別在於將製備例1-2的化合物A-1置換為化合物A-39。
MS:[M+H]+=389
化合物A-41的製備方法與製備例1-3相同,差別在於將製備例1-3的化合物A-2置換為化合物A-40。
MS:[M+H]+=353
化合物A-42的製備方法與製備例1-3相同,差別在於將製備例1-4的化合物A-3置換為化合物A-41。
MS:[M+H]+=445
化合物A-46的製備方法與製備例1相同,差別在於將製備例1中的2-溴-1-萘甲醛(2-bromo-1-naphthaldehyde)置換為8-溴-3-喹啉甲醛(8-bromo-7-quinolinecarboxaldehyde)。
MS:[M+H]+=446
[化合物A-47] [化合物A-48]
化合物A-50的製備方法與製備例11相同,差別在於將製備例11之2-氯苯硼酸(2-chloropheny1-boronic acid)替換為2,3-二氯吡啶(2,3-dichloropyridine),且將2-溴-4-氯-1-萘甲醛(2-bromo-4-chloro-1-naphthaldehyde)替換為4-氯-1-甲醯-2-萘-2-硼酸(4-chloro-1-formy1-2-naphthalene-2-boronic acid)。
MS:[M+H]+=446
將2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)(2.83 g,10.0 mmol)及化合物A-4(4.44 g,10.0 mmol)溶於四氫呋喃(tetrahydrofurane)(100 mL)後,加入2M的碳酸鉀(potassium carbonate)水溶液(20 mL),並倒入四(三苯基膦)鈀(tetrakistriphenylphosphino palladium)(231 mg,2 mol%)後,攪拌並迴流5小時。將溫度降至常溫,且將析出的固體進行過濾。接著將過濾之固體以氯仿及乙醇進行再結晶,再過濾並乾燥以製成化合物3-1-1-2(3.54 g,68%)。
MS:[M+H]+=521
化合物3-1-1-6製備方法與實施例1相同,差別在於將實施例1之2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)置換為化合物B-1。
MS:[M+H]+=637
[化合物B-2] [化合物3-1-1-7]
化合物3-1-1-7製備方法與實施例1相同,差別在於將實施例1之2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)置換為化合物B-2。
MS:[M+H]+=621
化合物3-1-1-12製備方法與實施例1相同,差別在於將實施例1之2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)置換為化合物B-3。
MS:[M+H]+=587
[化合物B-4] [化合物3-1-1-24]
化合物3-1-1-24製備方法與實施例1相同,差別在於將實施例1之2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)置換為化合物B-4。
MS:[M+H]+=595
將2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)(2.83 g,10.0 mmol)及化合物A-8(4.44 g,10.0 mmol)溶於四氫呋喃(tetrahydrofurane)(100 mL)後,加入2M的碳酸鉀(potassium carbonate)水溶液(20 mL),並倒入四(三苯基膦)鈀(tetrakistriphenylphosphino palladium)(231 mg,2 mol%)後,攪拌並迴流5小時。將溫度降至常溫,並將析出的固體進行過濾。接著以氯仿及乙醇將過濾的固體進行再結晶,再過濾並乾燥以製成化合物3-1-2-2(3.75 g,72%)。
MS:[M+H]+=521
化合物3-1-2-15製備方法與實施例6相同,差別在於將實施例6之2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)置換為化合物C-1。
MS:[M+H]+=676
化合物3-1-2-21製備方法與實施例6相同,差別在於將實施例6之2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)置換為化合物C-2。
MS:[M+H]+=621
[化合物3-2-1-2]
將2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)(2.83 g,10.0 mmol)及化合物A-12(4.44 g,10.0 mmol)溶於四氫呋喃(tetrahydrofurane)(100 mL)後,加入2M的碳酸鉀(potassium carbonate)水溶液(20 mL),並倒入四(三苯基膦)鈀(tetrakistriphenylphosphino palladium)(231 mg,2 mol%)後,攪拌並迴流5小時。將溫度降至常溫,並將產生的固體進行過濾。接著以氯仿及乙醇將過濾的固體進行再結晶,再過濾並乾燥以製成化合物3-2-1-2(2.76 g,53%)。
MS:[M+H]+=521
化合物3-2-1-11製備方法與實施例9相同,差別在於將實施例9之2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)置換為化合物D-1。
MS:[M+H]+=511
將2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)(2.83 g,10.0 mmol)及化合物A-16(4.44 g,10.0 mmol)溶於四氫呋喃(tetrahydrofurane)(100 mL)後,加入2M的碳酸鉀(potassium carbonate)水溶液(20 mL),並倒入四(三苯基膦)鈀(tetrakistriphenylphosphino palladium)(231 mg,2 mol%)後,攪拌並迴流5小時。將溫度降至常溫,並將析出的固體進行過濾。接著以氯仿及乙醇將過濾的固體進行再結晶,再過濾並乾燥以製成化合物3-2-2-2(3.13 g,60%)。
MS:[M+H]+=521
化合物3-2-2-14製備方法與實施例11相同,差別在於將實施例11之2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)置換為化合物E-1。
MS:[M+H]+=725
將2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)(2.83 g,10.0 mmol)及化合物A-20(4.44 g,10.0 mmol)溶於四氫呋喃(tetrahydrofurane)(100 mL)後,加入2M的碳酸鉀(potassium carbonate)水溶液(20 mL),並倒入四(三苯基膦)鈀(tetrakistriphenylphosphino palladium)(231 mg,2 mol%)後,攪拌並迴流5小時。將溫度降至常溫,並將析出的固體進行過濾。接著以氯仿及乙醇將過濾的固體進行再結晶,再過濾並乾燥以製成化合物3-3-1-2(3.80 g,73%)。
MS:[M+H]+=521
[化合物F-1] [化合物3-3-1-18]
化合物3-3-1-18製備方法與實施例13相同,差別在於將實施例13之2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)置換為化合物F-1。
MS:[M+H]+=577
將2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)(2.83 g,10.0 mmol)及化合物A-24(4.44 g,10.0 mmol)溶於四氫呋喃(tetrahydrofurane)(100 mL)後,加入2M的碳酸鉀(potassium carbonate)水溶液(20 mL),並倒入四(三苯基膦)鈀(tetrakistriphenylphosphino palladium)(231 mg,2 mol%)後,攪拌並迴流5小時。將溫度降至常溫,並將析出的固體進行過濾。接著以氯仿及乙醇將過濾的固體進行再結晶,再過濾並乾燥以製成化合物3-3-2-2(3.39 g,65%)。
MS:[M+H]+=521
化合物3-8-1-2製備方法與實施例1相同,差別在於將實施例1之化合物A-4置換為化合物A-28。
MS:[M+H]+=522
化合物3-8-2-2製備方法與實施例1相同,差別在於將實施例1之化合物A-4置換為化合物A-32。
MS:[M+H]+=522
[化合物3-1-1-29]
化合物3-1-1-29製備方法與實施例1相同,差別在於將實施例1之2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)置換為化合物4-溴聯苯(4-bromobiphenyl)。
MS:[M+H]+=471
化合物3-1-1-30製備方法與實施例1相同,差別在於將實施例1之2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)置換為化合物F-2。
MS:[M+H]+=587
[化合物F-3] [化合物3-1-1-33]
化合物3-1-1-33製備方法與實施例1相同,差別在於將實施例1之2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)置換為化合物F-3。
MS:[M+H]+=547
化合物3-1-2-14製備方法與實施例6相同,差別在於將實施例6之2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)置換為化合物E-1。
MS:[M+H]+=725
[化合物3-1-2-29]
化合物3-1-2-29製備方法與實施例6相同,差別在於將實施例6之2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)置換為化合物3-溴菲(3-bromophenanthrene)。
MS:[M+H]+=495
化合物3-1-2-30製備方法與實施例6相同,差別在於將實施例6之2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)置換為化合物2-溴菲(2-bromophenanthrene)。
MS:[M+H]+=495
[化合物F-4] [化合物3-1-2-33]
化合物3-1-2-33製備方法與實施例6相同,差別在於將實施例6之2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)置換為化合物F-4。
MS:[M+H]+=560
化合物3-1-2-33製備方法與實施例9相同,差別在於將實施例9之2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)置換為化合物F-5。
MS:[M+H]+=626
[化合物F-6] [化合物3-3-2-28]
化合物3-3-2-28製備方法與實施例15相同,差別在於將實施例15之2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)置換為化合物F-6。
MS:[M+H]+=595
將化合物F-7(4.09 g,10.0 mmol)及化合物A-35(5.46 g,10.0 mmol)分散溶於四氫呋喃(tetrahydrofurane)(100 mL)後,加入2M碳酸鉀(potassium carbonate)水溶液(20 mL),接著倒入四(三苯基膦)鈀(tetrakistriphenylphosphino palladium)(231 mg,2 mol%)後,攪拌並迴流5小時。將溫度降至常溫,並將析出的固體過濾。以氯仿及乙醇將過濾的固體進行再結晶,隨後乾燥以製得化合物3-4-1-4化合物(5.31 g,71%)。
MS:[M+H]+=749
化合物3-4-1-6製備方法與實施例27相同,差別在於將實施例27之化合物F-7置換為化合物F-8。
MS:[M+H]+=663
將4-溴聯苯(4-bromobiphenyl)(2.33 g,10.0 mmol)及化合物A-38(4.94 g,10.0 mmol)分散溶於四氫呋喃(tetrahydrofurane)(100 mL)後,加入2M碳酸鉀(potassium carbonate)水溶液(20 mL),接著倒入四(三苯基膦)鈀(tetrakistriphenylphosphino palladium)(231 mg,2 mol%)後,攪拌並迴流5小時。將溫度降至常溫,並將析出的固體過濾。
以氯仿及乙醇將過濾的固體進行再結晶,隨後乾燥以製得化合物3-5-1-1化合物(3.85 g,74%)。
MS:[M+H]+=521
化合物3-5-1-7製備方法與實施例29相同,差別在於將實施例29之4-溴聯苯(4-bromobiphenyl)置換為化合物F-9。
MS:[M+H]+=548
將4-溴聯苯(4-bromobiphenyl)(2.33 g,10.0 mmol)及化合物A-42((4.44 g,10.0 mmol)分散溶於四氫呋喃(tetrahydrofurane)(100 mL)後,加入2M碳酸鉀(potassium carbonate)水溶液(20 mL),接著倒入四(三苯基膦)鈀(tetrakistriphenylphosphino palladium)(231 mg,2 mol%)後,
攪拌並迴流5小時。將溫度降至常溫,並將析出的固體過濾。以氯仿及乙醇將過濾的固體進行再結晶,隨後乾燥以製得化合物3-6-1-1化合物(3.05 g,65%)。
MS:[M+H]+=471
化合物3-6-1-4製備方法與實施例31相同,差別在於將實施例31之4-溴聯苯(4-bromobiphenyl)置換為化合物F-10。
MS:[M+H]+=610
將化合物F-11(3.83 g,10.0 mmol)及化合物A-50(4.45 g,10.0 mmol)分散溶於四氫呋喃(tetrahydrofurane)(100 mL)後,加入2M碳酸鉀(potassium carbonate)水溶液(20 mL),接
著倒入四(三苯基膦)鈀(tetrakistriphenylphosphino palladium)(231 mg,2 mol%)後,攪拌並迴流5小時。將溫度降至常溫,並將析出的固體過濾。以氯仿及乙醇將過濾的固體進行再結晶,隨後乾燥以製得化合物3-6-2-7化合物(4.04 g,65%)。
MS:[M+H]+=622
化合物3-6-2-9製備方法與實施例33相同,差別在於將實施例33之化合物F-11置換為化合物F-12。
MS:[M+H]+=562
將化合物F-13(6.71 g,20.2 mmol)及化合物A-31(7.13 g,20.2 mmol)分散溶於二甲苯(xylene)(150 mL)後,加入NaOt-Bu(2.9 g,30.3 mmol)及Pd[P(t-Bu)3]2(0.1 g,0.20
mmol,隨後攪拌並迴流5小時。將溫度降至常溫,並將析出的固體過濾。以氯仿及乙醇將過濾的固體進行再結晶,隨後乾燥以製得化合物3-8-2-16化合物(6.69 g,51%)。
MS:[M+H]+=650
將化合物F-14(3.22 g,10.0 mmol)及化合物A-46(4.45 g,10.0 mmol)分散溶於四氫呋喃(tetrahydrofurane)(100 mL)後,加入2M碳酸鉀(potassium carbonate)水溶液(20 mL),接著倒入四(三苯基膦)鈀(tetrakistriphenylphosphino palladium)(231 mg,2 mol%)後,攪拌並迴流5小時。將溫度降至常溫,並將析出的固體過濾。以氯仿及乙醇將過濾的固體進行再結晶,隨後乾燥以製得化合物3-9-1-11化合物(3.47 g,62%)。
MS:[M+H]+=561
[化合物F-15] [化合物A-46] [化合物3-9-1-13]
化合物3-9-1-13製備方法與實施例36相同,差別在於將實施例36之化合物F-14置換為化合物F-15。
MS:[M+H]+=611
化合物3-1-1-34製備方法與實施例1相同,差別在於將實施例1之2-(4-溴苯基)萘(2-(4-bromophenyl)naphthalene)置換為化合物F-16。
MS:[M+H]+=476
將形成有500 Å厚度之氧化錫銦(ITO)薄膜之基板浸入摻有界面活性劑的蒸餾水中,並以超音波進行沖洗,在此,介面活性劑係購自Fisher Co.,且蒸餾水係經由購自Millipore Co.之過濾器過濾兩次的蒸餾水。將ITO清洗30分
鐘後,再以蒸餾水超音波清洗2次,10分鐘。在以蒸餾水清洗完畢後,使用例如像異丙醇、丙酮及甲醇溶劑進行超音波清洗,接著將清洗完之基板乾燥後,放入電漿清洗機。將此基板以氧離子電漿清洗5分鐘,隨後將其轉移至真空蒸鍍機中。
將下化學式之六腈苯並菲(Hexanitrile hexaazatriphenylene(HAT))於ITO透明電極上藉由熱真空濺鍍法形成厚度500 Å的電洞注入層。
下述化學式4,4'-二[N-(1-萘基)-N-苯胺基]聯苯(4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl)(NPB)(250 Å)、六腈苯並菲(hexanitrile hexaazatriphenylene(HAT))(50 Å)以及4,4'-二[N-(1-萘基)-N-苯胺基]聯苯(4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl)(NPB))(400 Å)係依序真空濺鍍於電洞注入層上,以形成電洞傳輸層。
接著,下述之GH及GD以重量比20:1比例濺鍍於電洞傳輸層上,以形成薄膜厚度為300 Å的發光層。
[GH] [GD]
由實施例1製備的化學式3-1-1-2及下述化學式LiQ(鋰羥基喹啉(lithium quinalate))於重量比1:1條件下真空濺鍍於發光層上,以形成厚度為200 Å的電子注入及傳輸層。
厚度為15 Å的氟化鋰(LiF)以及厚度為1,000 Å的鋁係依序濺鍍於電子注入及傳輸層上,以形成陰極。
於以上製程中,有機材料的濺鍍速率係維持於0.4至0.7 Å/sec,氟化鋰陰極之濺鍍速率係維持於0.3 Å/sec,鋁之濺鍍速率係維持於2 Å/sec,且濺鍍過程中的真空度係維持於2×10-7至5×10-8 torr,以製成有機發光裝置。
此有機發光裝置的製造方法與實驗例1-1-1相同,差別在於將實驗例1-1-1的化學式3-1-1-2化合物替換為化學式ET-A化合物。
[ET-A]
此有機發光裝置之製造方法與實驗例1-1-1相同,差別在於將實驗例1-1-1之化學式3-1-1-2化合物替換為化學式ET-B化合物。
此有機發光裝置之製造方法與實驗例1-1-1相同,差別在於將實驗例1-1-1的化學式3-1-1-2化合物替換為如表1所示之每一化合物。
將電流(10 mA/cm2)施加於實驗例1-1-1至1-1-21及比較例1及2所製之有機發光裝置,其結果如表1所示。
如表1結果可發現,本發明新穎化合物可用來作為包含有機發光裝置之有機電子裝置的有機發光層材料,且使用此化合物之包含有機發光裝置的有機電子裝置具有優異的效率、驅動電壓、穩定性等等。尤其,本發明之新穎化合物具有優異的熱穩定性、低HOMO能階(deep HOMO level)、高三重態(triplet state)及電洞穩定性,因此具有優異的特性。此化合物可單獨使用於包含有機發光裝置之有機電子裝置中,或可混合n-型摻雜物(例如LiQ)而使用。本發明之新穎化合物可藉由化合物的熱穩定性而改善裝置的效率及穩定性。
將上述化學式六腈苯並菲(Hexanitrile hexaazatriphenylene(HAT))藉由實驗例1-1-1之熱真空濺鍍法於100 Å厚度ITO透明電極上濺鍍形成電洞注入層。
上述化學式4,4'-二[N-(1-萘基)-N-苯胺基]聯苯(4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl)(NPB)(700 Å)、六腈苯並菲(hexanitrile hexaazatriphenylene(HAT))(50 Å)以及4,4'-二[N-(1-萘基)-N-苯胺基]聯苯(4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl)(NPB))(700 Å)係依序真空濺鍍於電洞注入層上,以形成電洞傳輸層。
接著,下述之BH及BD以重量比25:1比例濺鍍於電洞傳輸層上,以形成薄膜厚度為200 Å的發光層。
由實施例11製備的化學式3-1-2-2(200 Å)及上述化學式ET-A化合物(100 Å)係藉由真空濺鍍法依序於發光層上形成電子注入及傳輸層。
接著,將厚度為15 Å的氟化鋰(LiF)以及厚度為1,000 Å的鋁依序濺鍍於電子注入及傳輸層上,以形成陰極。
於上述製程中,有機材料的濺鍍速率係維持於0.4至0.7 Å/sec,氟化鋰陰極之濺鍍速率係維持於0.3 Å/sec,鋁之濺鍍速率係維持於2 Å/sec,且濺鍍過程中的真空度係維持於2×10-7至5×10-8 torr,以製成有機發光裝置。
此有機發光裝置的製造方法與實驗例2-1-1相同,差別在於將實驗例2-1-1的化學式3-1-2-2化合物替換為化學式ET-C化合物。
[ET-C]
此有機發光裝置之製造方法與實驗例2-1-1相同,差別在於將實驗例2-1-1的化學式3-1-2-2化合物替換為如表2所示之每一化合物。
將電流(10 mA/cm2)施加於實驗例2-1-1至2-1-21及比較例3所製之有機發光裝置,其結果如表2所示。
如表2結果可發現,本發明新穎化合物可用來作為包含有機發光裝置之有機電子裝置的有機發光層材料,且使用此化合物之包含有機發光裝置的有機電子裝置具有優異的效率、驅動電壓、穩定性等等。尤其,本發明之新穎化合物具優異的電洞阻擋及電子傳輸特性,故能使裝置呈現高效率。
將上述化學式六腈苯並菲(Hexanitrile hexaazatriphenylene(HAT))藉由實驗例1-1-1之熱真空濺鍍法於100 Å厚度的ITO透明電極上濺鍍形成電洞注入層。
下述化學式4,4'-二[N-(1-萘基)-N-苯胺基]聯苯(4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl)(NPB)(800 Å)真空濺鍍於電洞注入層上,以形成電洞傳輸層。
接著,將實施例21之化學式3-1-2-14化合物以及如下所示之摻雜化合物RD以重量比10:1比例真空濺鍍於電洞傳輸層上,以形成厚度為300 Å的發光層。
[RD]
化學式ET-A化合物以及下述化學式LiQ(鋰羥基喹啉(lithium quinalate))於重量比1:1比例下真空濺鍍於發光層上,以形成厚度為300 Å的電子注入及傳輸層。
厚度為15 Å的氟化鋰(LiF)以及厚度為1,000 Å的鋁係依序濺鍍於電子注入及傳輸層上,以形成陰極。
於以上製程中,有機材料的濺鍍速率係維持於0.4至0.7 Å/sec,氟化鋰陰極之濺鍍速率係維持於0.3 Å/sec,鋁之濺鍍速率係維持於2 Å/sec,且濺鍍過程中的真空度係維持於2×10-7至5×10-8 torr,以製成有機發光裝置。
此有機發光裝置的製造方法與實驗例3-1-1相同,差別在於將實驗例3-1-1的化學式3-1-2-14化合物替換為化學式RH-A化合物。
此有機發光裝置之製造方法與實驗例3-1-1相同,差別在於將實驗例3-1-1的化學式3-1-2-14化合物替換為如表3所示之每一化合物。
將電流(10 mA/cm2)施加於實驗例3-1-1至3-1-8及比較例4所製之有機發光裝置,其結果如表3所示。
如表3結果可發現,本發明新穎化合物可用來作為包含有機發光裝置之有機電子裝置的有機發光層材料,且使用此化合物之包含有機發光裝置的有機電子裝置具有優異的效率、驅動電壓、穩定性等等。尤其,本發明之新穎化合物能降低驅動電壓,並能提高效率以改善電能消耗。
1‧‧‧基板
2‧‧‧陰極
3‧‧‧電洞注入層
4‧‧‧電洞傳輸層
5‧‧‧發光層
6‧‧‧電子傳輸層
7‧‧‧陰極
圖1至5係本發明一示範實施例之有機電子裝置結構剖面示意圖。
圖6係本發明示範實施例之化學式3-1-1-2化合物之質譜圖。
圖7係本發明示範實施例之化學式3-1-1-29化合物之質譜圖。
圖8係本發明示範實施例之化學式3-1-2-2化合物之質譜圖。
圖9係本發明示範實施例之化學式3-2-1-11化合物之質譜圖。
Claims (19)
- 一種化合物,如以下化學式1所示:
- 如申請專利範圍第1項所述之化合物,其中該化學式1-1係由以下化學式3-2之任一者表示:
- 如申請專利範圍第2項所述之化合物,其中L2係氧、硫、經取代或未經取代之氮、經取代或未經取代之P、一亞苯基或一亞萘基、一亞烯基、一芴(fluorenylene)基、一咔唑(carbazolylene)基或一包含一或多個N、O及S原子之雜亞芳基,且該芳基係一苯基、一萘基、一菲(phenanthrenyl)基、一芴(fluorene)基、一二甲基芴基、一聯伸三苯(triphenylene)基、一苯並屈(benzocrycene)基或一熒蒽(fluoranthrene)基。
- 如申請專利範圍第1項所述之化合物,其中該化學式1係由以下化學式4-1至4-4之任一者表示:
- 如申請專利範圍第1項所述之化合物,其中該化學式1係由以下化學式5-1至5-25之任一者表示:
- 如申請專利範圍第1項所述之化合物,其中該化學式1係由以下化學式6-1至6-8之任一者表示:
- 如申請專利範圍第1項所述之化合物,其中p係0,Y1係重氫、腈基、鹵基、經取代或未經取代之硼基、經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之二苯 基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之茀基、經取代或未經取代之芘基、經取代或未經取代之菲基、經取代或未經取代之苝基、經取代或未經取代之並四苯基或經取代或未經取代之雜環基。
- 如申請專利範圍第1項所述之化合物,其中L1係經取代或未經取代之伸苯基;經取代或未經取代之二伸苯基;經取代或未經取代之伸萘基;經取代或未經取代之伸茀基;經取代或未經取代之伸芘基;經取代或未經取代之伸菲基;經取代或未經取代之伸苝基;經取代或未經取代之亞並四苯基或經取代或未經取代之雜亞芳基,且Y1係經取代或未經取代之硼基、經取代或未經取代之烷胺基、經取代或未經取代之芳烷胺(aralkylamine)基、經取代或未經取代之芳胺基、經取代或未經取代之雜芳胺基、經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之二苯基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之茀基、經取代或未經取代之芘基、經取代或未經取代之菲基、經取代或未經取代之芘基、經取代或未經取代之並四苯基、經取代或未經取代之芴(fluorenyl)基、經取代或未經取代之咔唑基或經取代或未經取代之包含一個或以上個N、O及S原子之雜環基。
- 如申請專利範圍第1項所述之化合物,其中該化合物係任一選自由以下結構化學式所組成之群組:
- 如申請專利範圍第1項所述之化合物,其中該化合物係任一選自由以下結構化學式所組成之群組:
- 如申請專利範圍第1項所述之化合物,其中該化合物係任一選自由以下結構化學式所組成之群組:
- 如申請專利範圍第1項所述之化合物,其中該化合物係任一選自由以下結構化學式所組成之群組:
- 一種有機電子裝置,包含:一第一電極;一第二電極;以及一或多個有機材料層,係穿設於該第一電極及該第二電極間,其中,一或多個之該有機材料層係包含如申請專利範圍第1至12項任一項所述之化合物。
- 如申請專利範圍第13項所述之有機電子裝置,其中該有機材料層係包含一電洞注入層、一電洞傳輸層、及一電洞注入及傳輸層之一或多個膜層,且一或多個之該些膜層係包含化學式1所示之一化合物。
- 如申請專利範圍第13項所述之有機電子裝置,其中該有機材料層係包含一發光層,且該發光層係包含化學式1所示之該化合物。
- 如申請專利範圍第15項所述之有電子裝置,其中所包含之由化學式1所示之該化合物係於該發光層中作為一電洞材料,且該發光層更包含如化學式7所示之一摻雜化合物:[化學式7]M1L10L11L12於化學式7中, M1係Ir或Os,L10、L11及L12係鍵結至M1的配體,且其每一者係各自獨立選自由以下結構,
- 如申請專利範圍第13項所述之有機電子裝置,其中該有機材料層係包含一電子傳輸層、一電子注入層、及一電子傳輸及注入層之一或多個膜層,且一或多個之該些膜層係包含化學式1之所示之該化合物。
- 如申請專利範圍第17項所述之有機電子裝置,其中包含化學式1所示之化合物之該有機材料層更包含鹼金屬、鹼金屬化合物、鹼土金屬、鹼土金屬化合物或其組合。
- 如申請專利範圍第13項所述之有機電子裝置,其中該有機電子裝置係選自由:一有機發光裝置、一有機太陽能電池、一有機光導體(OPC)及一有機電晶體所組成之群組。
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