TWI533647B - 頻率鍵移讀取電路 - Google Patents

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TWI533647B
TWI533647B TW103101890A TW103101890A TWI533647B TW I533647 B TWI533647 B TW I533647B TW 103101890 A TW103101890 A TW 103101890A TW 103101890 A TW103101890 A TW 103101890A TW I533647 B TWI533647 B TW I533647B
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葉榮富
吳建銘
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國立中山大學
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Description

頻率鍵移讀取電路
本發明是關於一種頻率鍵移讀取電路，特別是關於一種注入鎖定之頻率鍵移讀取電路。
習知一種頻率鍵移讀取電路具有一帶通濾波器、一注入鎖定振盪器及一乘法器，該低通濾波器接收一輸入訊號，並對該輸入訊號進行濾波，該注入鎖定振盪器接收濾波後之該輸入訊號，且該注入振盪器被濾波後之該輸入訊號鎖定，而輸出一振盪訊號，該乘法器接收該輸入訊號及該振盪訊號後進行混波，再經由一低通濾波器濾波後輸出一輸出訊號。由於現今無線射頻之操作頻率已達到兆赫以上，且操作頻率越高則該頻率鍵移讀取電路所消耗的功率越大，因此習知頻率鍵移讀取電路需消耗高直流功率才可具有穩定的解調品質，而不適用於短距離無線通訊之低功率消耗的規格要求。此外，由於習知頻率鍵移讀取電路之本地振盪埠至射頻訊號的隔離度低，因此，該乘法器輸出之該輸出訊號包含了本地振盪訊號之一自我混頻的成分，該自我混頻成分為一個直流位移，而增加了解調訊號的位元錯誤率。
本發明的主要目的在於藉由注入鎖定除二頻器的鎖定頻率為射頻訊號之操作頻率的一半，以降低頻率鍵移讀取電路的功率消耗，並藉由次諧波混頻器進行混波而具有高的訊號隔離度，可有效的減少頻率鍵移讀取電路的直流位移輸出，而使頻率鍵移讀取電路之靈敏度大幅改善，並具有低功率消耗之功效。
一種頻率鍵移讀取電路包含一帶通濾波器、一低雜訊放大器、一第一巴倫器、一注入鎖定除二頻器、一次諧波混頻器及一低通濾波器，該帶通濾波器接收一射頻訊號並進行濾波，且該射頻訊號具有一操作頻率，該低雜訊放大器連接該帶通濾波器並接收濾波後之該射頻訊號，該低雜訊放大器用以放大該射頻訊號以提供一注入訊號，該第一巴倫器連接該低雜訊放大器並接收該注入訊號，該第一巴倫器產生一第一差動訊號及一第二差動訊號，其中該第一差動訊號及該第二差動訊號互為反相之訊號，該注入鎖定除二頻器連接該低雜訊放大器並接收該注入訊號，其中該注入鎖定除二頻器被該注入訊號鎖定於一鎖定頻率，該鎖定頻率為該操作頻率的一半，該注入鎖定除二頻器提供一第一振盪訊號及一第二振盪訊號，其中該第一振盪訊號及該第二振盪訊號互為反相之訊號，該次諧波混頻器連接該第一巴倫器及該注入鎖定除二頻器，該次諧波混頻器接收該第一差動訊號、該第二差動訊號、該第一振盪訊號及該第二振盪訊號以進行混波，該次諧波混頻器產生一輸出訊號，該低通濾波器連接該次諧波混頻器，以對該輸出訊號進行濾波。
由於本發明之該注入鎖定除二頻器之該鎖定頻率為該射頻訊號之該操作頻率的一半，因此可大幅減少注入鎖定所需耗費之功率，此外，由於該次諧波混頻器具有良好的隔離度，可有效的減少該頻率鍵移讀取電路的直流位移輸出，而使該頻率鍵移讀取電路之靈敏度大幅改善，由於本發明之該頻率鍵移讀取電路具有低功率消耗及高靈敏度的特性，而可符合短距離無線通訊之低功率消耗的規格要求。
請參閱第1圖，為本發明之一實施例，一種頻率鍵移讀取電路100包含一天線A、一帶通濾波器110、一低雜訊放大器120、一第一巴倫器130、一注入鎖定除二頻器140、一次諧波混頻器150及一低通濾波器160。
請參閱第1及2圖，該天線A用以接收一射頻訊號v in (t )，並將該射頻訊號v in (t )傳送至該帶通濾波器110，該射頻訊號v in (t )具有一操作頻率ω i (t )，該帶通濾波器110連接該天線A，該帶通濾波器110接收該射頻訊號v in (t )並進行濾波，該低雜訊放大器120連接該帶通濾波器110並接收濾波後之該射頻訊號v in (t )。
請參閱第2圖，在本實施例中，該低雜訊放大器120為一疊接放大器，其中該低雜訊放大器120具有一電感121、一第一電容122、一第一N型電晶體123、一第二N型電晶體124、一第一偏壓電阻125及一第一電阻126。該低雜訊放大器120是由該電感121之一端接收濾波後之該射頻訊號v in (t )，該電感121之另一端連接該第一電容122之一端，該第一電容122之另一端連接該第一N型電晶體123之一閘極端123a，使該第一N型電晶體123接收濾波後之該射頻訊號v in (t )，該第一N型電晶體123之該閘極端123a經由該第一偏壓電阻125接收一第一偏壓VB1 ，該第一N型電晶體123之一源極端123b為接地，該第二N型電晶體124之一源極端124b連接該第一N型電晶體123之一汲極端123c，該第二N型電晶體124之一閘極端124a連接一第一電源端VDD1，該第二N型電晶體124之一汲極端124c經由該第一電阻126連接該第一電源端VDD1，該低雜訊放大器120用以放大該射頻訊號v in (t )以提供一注入訊號vinj ，且該注入訊號vinj 由該第二N型電晶體124之該汲極端124c輸出。
請參閱第1及2圖，該第一巴倫器130連接該低雜訊放大器120並接收該注入訊號vinj 以產生一第一差動訊號vrf- 及一第二差動訊號vrf+ ，請參閱第2圖，在本實施例中，該第一巴倫器130為一主動式巴倫器，該第一巴倫器130具有一第二電容131、一第三N型電晶體132、一第四N型電晶體133、一第二偏壓電阻134、一第二電阻135及一第三電阻136，該第二電容131之一端連接該第二N型電晶體124之該汲極端124c，以接收該注入訊號vinj ，且該第二電容131之另一端連接該第三N型電晶體132之一閘極端132a，使該第三N型電晶體132接收該注入訊號vinj ，該第三N型電晶體132之該閘極端132a經由該第二偏壓電阻134接收一第二偏壓VB2 ，該第三N型電晶體132之一汲極端132c經由該第二電阻135連接該第一電源端VDD1，該第三N型電晶體132之一源極端132b經由該第三電阻136接地，該第四N型電晶體133之一汲極端133c連接該第三N型電晶體132之該源極端132b，該第四N型電晶體133之一閘極端133a及一源極端133b為接地，該第三N型電晶體132之該汲極端132c及該源極端132b分別提供該第一差動訊號vrf- 及該第二差動訊號vrf+ ，其中該第一差動訊號vrf- 及該第二差動訊號vrf+ 互為反相之訊號，以提供後端之該次諧波混頻器150一差動訊號。
請參閱第1、2及3圖，該注入鎖定除二頻器140連接該低雜訊放大器120並接收該注入訊號vinj ，請參閱第3圖，該注入鎖定除二頻器140具有一環形振盪器170及一第二巴倫器180。該環形振盪器170連接該低雜訊放大器120以接收該注入訊號vinj ，該第二巴倫器180連接該環形振盪器170，在本實施例中，該環形振盪器170為一3級振盪器，該環型振盪器170具有一第一振盪元件171及兩個第二振盪元件172、一電流源173、一輸入電晶體174、一第三電容175、一第一輸入電阻176、兩個第二輸入電阻177、一第三偏壓電阻178及一第四偏壓電阻179，該第一振盪元件171具有一第一P型振盪電晶體171a及一第一N型振盪電晶體171b，各該第二振盪元件172具有一第二P型振盪電晶體172a及一第二N型振盪電晶體172b，該第一P型振盪電晶體171a之一閘極端171c經由該第三偏壓電阻178接收一第三偏壓VB3 ，該第一P型振盪電晶體171a之一源極端171d連接一第二電源端VDD2，該第一P型振盪電晶體171a之一體極端171f經由該第一輸入電阻176接收一調整電壓VTune ，該第一N型振盪電晶體171b之一汲極端171i連接該第一P型振盪電晶體171a之一汲極端171e，該第一N型振盪電晶體171b之一閘極端171g連接及其中之一該第二N型振盪電晶體172b之一汲極端172i，該第一N型振盪電晶體171b之一源極端171h連接該電流源173。各該第二P型振盪電晶體172a之一閘極端172c經由該第三偏壓電阻178接收該第三偏壓VB3 ，各該第二P型振盪電晶體172a之一體極端172f經由各該第二輸入電阻177接收該調整電壓VTune ，各該第二P型振盪電晶體172a之一源極端172d連接該第二電源端VDD2，各該第二N型振盪電晶體172b之該汲極端172i連接該第二P型振盪電晶體172a之一汲極端172e，其中之一該第二N型振盪電晶體172b之一閘極端172g連接另一該第二N型振盪電晶體172b之該汲極端172i，其中之一該第二N型振盪電晶體172b之該閘極端172g連接該第一N型振盪電晶體171b之該汲極端171i，各該第二N型振盪電晶體172b之一源極端172h連接該電流源173。
請再參閱第3圖，該輸入電晶體174之一閘極端174a經由該第四偏壓電阻179接收該第四偏壓VB4 ，並經由該第三電容175連接該第一N型電晶體124之該汲極端124c，以接收該注入訊號vinj ，該輸入電晶體174之一汲極端174c連接該第一N型振盪電晶體171b之該閘極端171g，以注入該注入訊號vinj 並鎖定該環型振盪器170於一鎖定頻率ω o (t )，其中該鎖定頻率ω o (t )為該射頻訊號v in (t )之該操作頻率ω i (t )的一半，可大幅降低注入鎖定所需消耗的功率大小。
請參閱第3圖，該第二巴倫器180為一主動巴倫器，該第二巴倫器180具有一第四電容181、一第五N型電晶體182、一第六N型電晶體183、一第五偏壓電阻184、一第四電阻185及一第五電阻186，該第四電容181之一端連接該第一N型振盪電晶體171b之該汲極端171i，該第四電容181之另一端連接該第五N型電晶體182之一閘極端182a，該第五N型電晶體182之該閘極端182a經由該第五偏壓電阻184接收該第五偏壓VB5 ，該第五N型電晶體182之一汲極端182c經由該第四電阻185連接該第一電源端VDD1，該第五N型電晶體182之一源極端182b經由該第五電阻186接地，該第六N型電晶體183之一汲極端183c連接該第五N型電晶體182之該源極端182b，該第六N型電晶體183之一閘極端183a及一源極端183b為接地，其中第五N型電晶體182之該汲極端182c及該源極端182b分別提供一第一振盪訊號vosc- 及一第二振盪訊號vosc+ ，且該第一振盪訊號vosc- 及該第二振盪訊號vosc+ 互為反相之訊號，以提供後端之該次諧波混頻器150一差動的振盪訊號。
請參閱第1、2、3及4圖，該次諧波混頻器150連接該第一巴倫器130及該注入鎖定除二頻器140，以接收由該第一巴倫器130輸出之該第一差動訊號vrf- 及該第二差動訊號vrf+ ，及接收由該注入鎖定除二頻器140輸出之該第一振盪訊號vosc- 及該第二振盪訊號vosc+ 。
請參閱第4圖，在本實施例中，該次諧波混頻器150由兩個差動對堆疊而成，該次諧波混頻器150具有一轉導級151、一開關級152、一第一耦合電容C1、一第二耦合電容C2、一第三耦合電容C3、一第四耦合電容C4、一第六偏壓電阻153、一第六電阻154、一第七偏壓電阻155、一第七電阻156、一第八偏壓電阻157及一第九偏壓電阻158。其中該轉導級151具有一第一差動電晶體151a及一第二差動電晶體151b，該第一差動電晶體151a之該閘極端151c經由該第一耦合電容C1接收該第一差動訊號vrf- ，且該第一差動電晶體151a之該閘極端151c經由該第六偏壓電阻153接收該第六偏壓VB6 ，該第一差動電晶體151a之一汲極端151e經由該第六電阻154連接該第一電源端VDD1。該第二差動電晶體151b之一閘極端151f經由該第二耦合電容C2接收該第二差動訊號vrf+ ，該第二差動電晶體151b之該閘極端151f經由該第七偏壓電阻155接收該第七偏壓VB7 ，該第二差動電晶體151b之一汲極端151h經由該第七電阻156連接該第一電源端VDD1。
請參閱第4圖，該開關級152連接該轉導級151，該開關級152具有一第三差動電晶體152a及一第四差動電晶體152b，該第三差動電晶體152a之一閘極端152c經由該第三耦合電容C3接收該第一振盪訊號vosc- ，該第三差動電晶體152a之該閘極端152c經由該第八偏壓電阻157接收該第八偏壓VB8 ，該第四差動電晶體152b之一閘極端152f經由該第四耦合電容C4接收該第二振盪訊號vosc+ ，該第四差動電晶體152b之該閘極端152f經由該第九偏壓電阻158接收該第九偏壓VB9 ，該第三差動電晶體152a之一源極端152d及該第四差動電晶體152b之一源極端152g為接地，其中第三差動電晶體152a之一汲極端152e及該第四差動電晶體152b之一汲極端152h連接該第一差動電晶體151a之該源極端151d及該第二差動電晶體151b之該源極端151g，且由於該開關級152所接收的該第一振盪訊號vosc- 及該第二振盪訊號vosc+ 是互為反相之差動訊號，因此於該開關級152的一節點n所形成之電流的頻率為該第一振盪訊號vosc- 及該第二振盪訊號vosc+ 的兩倍，且由於該節點n的電路特性，使得該次諧波混頻器150具有良好的隔離度，可避免該第一振盪訊號vosc- 及該第二振盪訊號vosc+ 造成該轉導級151的直流偏移，因此使該頻率鍵移讀取電路100之靈敏度大幅改善。
請參閱第1及4圖，該第一差動電晶體151a之該汲極端151e及該第二差動電晶體151b之該汲極端151h之間的電壓差為該輸出訊號vout (t )，該低通濾波器160連接該次諧波混頻器150，以接收該輸出訊號vout (t )並對該輸出訊號vout (t )進行濾波，即可完成射頻訊號之解調。
由於本發明之該注入鎖定除二頻器140之該鎖定頻率ω o (t )為該射頻訊號v in (t )之該操作頻率ω i (t )的一半，因此可大幅減少注入鎖定所需耗費之功率，此外，由於該次諧波混頻器150具有良好的隔離度，可有效的減少該頻率鍵移讀取電路100的直流位移輸出，而使該頻率鍵移讀取電路100之靈敏度大幅改善，由於本發明之該頻率鍵移讀取電路100具有低功率消耗及高靈敏度的特性，而可符合短距離無線通訊之低功率消耗的規格要求。
本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準，任何熟知此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內所作之任何變化與修改，均屬於本發明之保護範圍。
100‧‧‧頻率鍵移讀取電路
110‧‧‧帶通濾波器
120‧‧‧低雜訊放大器
121‧‧‧電感
122‧‧‧第一電容
123‧‧‧第一N型電晶體
123a‧‧‧閘極端
123b‧‧‧源極端
123c‧‧‧汲極端
124‧‧‧第二N型電晶體
124a‧‧‧閘極端
124b‧‧‧源極端
124c‧‧‧汲極端
125‧‧‧第一偏壓電阻
126‧‧‧第一電阻
130‧‧‧第一巴倫器
131‧‧‧第二電容
132‧‧‧第三N型電晶體
132a‧‧‧閘極端
132b‧‧‧源極端
132c‧‧‧汲極端
133‧‧‧第四N型電晶體
133a‧‧‧閘極端
133b‧‧‧源極端
133c‧‧‧汲極端
134‧‧‧第二偏壓電阻
135‧‧‧第二電阻
136‧‧‧第三電阻
140‧‧‧注入鎖定除二頻器
150‧‧‧次諧波混頻器
151‧‧‧轉導級  
151a‧‧‧第一差動電晶體
151b‧‧‧第二差動電晶體
151c‧‧‧閘極端
151d‧‧‧源極端
151e‧‧‧汲極端
151f‧‧‧閘極端
151g‧‧‧源極端
151h‧‧‧汲極端
152‧‧‧開關級
152a‧‧‧第三差動電晶體
152b‧‧‧第四差動電晶體
152c‧‧‧閘極端
152d‧‧‧源極端
152e‧‧‧汲極端
152f‧‧‧閘極端
152g‧‧‧源極端
152h‧‧‧汲極端
153‧‧‧第六偏壓電阻
154‧‧‧第六電阻
155‧‧‧第七偏壓電阻
156‧‧‧第七電阻
157‧‧‧第八偏壓電阻
158‧‧‧第九偏壓電阻
160‧‧‧低通濾波器
170‧‧‧環形振盪器
171‧‧‧第一振盪元件
171a‧‧‧第一P型振盪電晶體
171b‧‧‧第一N型振盪電晶體
171c‧‧‧閘極端
171d‧‧‧源極端
171e‧‧‧汲極端
171f‧‧‧體極端
171g‧‧‧閘極端
171h‧‧‧源極端
171i‧‧‧汲極端
172‧‧‧第二振盪元件
172a‧‧‧第二P型振盪電晶體
172b‧‧‧第二N型振盪電晶體
172c‧‧‧閘極端
172d‧‧‧源極端
172e‧‧‧汲極端
172f‧‧‧體極端
172g‧‧‧閘極端
172h‧‧‧源極端
172i‧‧‧汲極端
173‧‧‧電流源
174‧‧‧輸入電晶體
174a‧‧‧閘極端
174b‧‧‧源極端
174c‧‧‧汲極端
175‧‧‧第三電容
176‧‧‧第一輸入電阻
177‧‧‧第二輸入電阻
178‧‧‧第三偏壓電阻
179‧‧‧第四偏壓電阻
180‧‧‧第二巴倫器
181‧‧‧第四電容
182‧‧‧第五N型電晶體
182a‧‧‧閘極端
182b‧‧‧源極端
182c‧‧‧汲極端
183‧‧‧第六N型電晶體
183a‧‧‧閘極端
183b‧‧‧源極端
183c‧‧‧汲極端
184‧‧‧第五偏壓電阻
185‧‧‧第四電阻
186‧‧‧第五電阻
A‧‧‧天線
n‧‧‧節點
C1‧‧‧第一耦合電容
C2‧‧‧第二耦合電容 
C3‧‧‧第三耦合電容
C4‧‧‧第四耦合電容
VDD1‧‧‧第一電源端
VDD2‧‧‧第二電源端
第1圖：依據本發明之一實施例，一種頻率鍵移讀取電路的方塊圖。 第2圖：依據本發明之一實施例，一低雜訊大器及一第一巴倫器之電路圖。 第3圖：依據本發明之一實施例，一注入鎖定除二頻器之電路圖。 第4圖：依據本發明之一實施例，一次諧波混頻器之電路圖。
100‧‧‧頻率鍵移讀取電路
110‧‧‧帶通濾波器
120‧‧‧低雜訊放大器
130‧‧‧第一巴倫器
140‧‧‧注入鎖定除二頻器
150‧‧‧次諧波混頻器
160‧‧‧低通濾波器
A‧‧‧天線

Claims (15)

  1. 一種頻率鍵移讀取電路，其包含： 一帶通濾波器，接收一射頻訊號並進行濾波，其中該射頻訊號具有一操作頻率； 一低雜訊放大器，連接該帶通濾波器並接收濾波後之該射頻訊號，該低雜訊放大器用以放大該射頻訊號以提供一注入訊號； 一第一巴倫器，連接該低雜訊放大器並接收該注入訊號，該第一巴倫器產生一第一差動訊號及一第二差動訊號，其中該第一差動訊號及該第二差動訊號互為反相之訊號； 一注入鎖定除二頻器，連接該低雜訊放大器並接收該注入訊號，其中該注入鎖定除二頻器被該注入訊號鎖定於一鎖定頻率，該鎖定頻率為該操作頻率的一半，該注入鎖定除二頻器提供一第一振盪訊號及一第二振盪訊號，其中該第一振盪訊號及該第二振盪訊號互為反相之訊號； 一次諧波混頻器，其連接該第一巴倫器及該注入鎖定除二頻器，該次諧波混頻器接收該第一差動訊號、該第二差動訊號、該第一振盪訊號及該第二振盪訊號以進行混波，該次諧波混頻器產生一輸出訊號；以及 一低通濾波器，連接該次諧波混頻器，以對該輸出訊號進行濾波。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之頻率鍵移讀取電路，其中該低雜訊放大器具有一電感、一第一電容、一第一N型電晶體及一第二N型電晶體，該電感之一端接收濾波後之該射頻訊號，該電感之另一端連接該第一電容之一端，該第一電容之另一端連接該第一N型電晶體之一閘極端，該第一N型電晶體之該閘極端接收一第一偏壓，該第一N型電晶體之一源極端為接地，該第二N型電晶體之一源極端連接該第一N型電晶體之一汲極端，該第二N型電晶體之一閘極端及一汲極端連接一第一電源端。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之頻率鍵移讀取電路，其中該低雜訊放大器具有一第一偏壓電阻及一第一電阻，該第一N型電晶體之該閘極端經由該第一偏壓電阻接收該第一偏壓，該第二N型電晶體之該汲極端經由該第一電阻連接該第一電源端。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之頻率鍵移讀取電路，其中該第一巴倫器具有一第二電容、一第三N型電晶體及一第四N型電晶體，該第二電容之一端連接該第二N型電晶體之該汲極端，該第二電容之另一端連接該第三N型電晶體之一閘極端，該第三N型電晶體之該閘極端接收一第二偏壓，該第三N型電晶體之一汲極端連接該第一電源端，該第四N型電晶體之一汲極端連接該第三N型電晶體之一源極端，該第四N型電晶體之一閘極端及一源極端為接地，其中該第三N型電晶體之該汲極端及該源極端分別提供該第一差動訊號及該第二差動訊號。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之頻率鍵移讀取電路，其中該第一巴倫器具有一第二偏壓電阻、一第二電阻及一第三電阻，該第三N型電晶體之該閘極端經由該第二偏壓電阻接收該第二偏壓，該第三N型電晶體之該汲極端經由該第二電阻連接該第一電源端，該第三N型電晶體之該源極端經由該第三電阻接地。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之頻率鍵移讀取電路，其中該注入鎖定除二頻器具有一環形振盪器及一第二巴倫器，該環形振盪器連接該低雜訊放大器，該第二巴倫器連接該環形振盪器，該第二巴倫器輸出該第一振盪訊號及該第二振盪訊號。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之頻率鍵移讀取電路，其中該環型振盪器具有一第一振盪元件及複數個第二振盪元件、一電流源、一輸入電晶體及一第三電容，該第一振盪元件具有一第一P型振盪電晶體及一第一N型振盪電晶體，各該第二振盪元件具有一第二P型振盪電晶體及一第二N型振盪電晶體，該第一P型振盪電晶體之一閘極端接收一第三偏壓，該第一P型振盪電晶體之一源極端連接一第二電源端，該第一P型振盪電晶體之一體極端接收一調整電壓，該第一N型振盪電晶體之一汲極端連接該第一P型振盪電晶體之一汲極端，該第一N型振盪電晶體之一閘極端連接該輸入電晶體之一汲極端及其中之一該第二N型振盪電晶體之一汲極端，該第一N型振盪電晶體之一源極端連接該電流源，各該第二P型振盪電晶體之一閘極端接收該第三偏壓，各該第二P型振盪電晶體之一源極端連接該第二電源端，各該第二P型振盪電晶體之一體極端接收該調整電壓，各該第二N型振盪電晶體之一汲極端連接該第二P型振盪電晶體之一汲極端，各該第二N型振盪電晶體之一閘極端連接另一該第二N型振盪電晶體之該汲極端，其中之一第二N型振盪電晶體之該閘極端連接該第一N型振盪電晶體之該汲極端，各該第二N型振盪電晶體之一源極端連接該電流源，該輸入電晶體之一閘極端接收一第四偏壓並經由該第三電容連接該第二N型電晶體之該汲極端，以接收該注入訊號，該輸入電晶體之一源極端連接該第一N型振盪電晶體之該汲極端。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之頻率鍵移讀取電路，其中該環型振盪器具有一第一輸入電阻、複數個第二輸入電阻、一第三偏壓電阻及一第四偏壓電阻，該第一P型振盪電晶體之該體極端經由該第一輸入電阻接收該調整電壓，該第一P型振盪電晶體之該閘極端經由該第三偏壓電阻接收該第三偏壓，各該第二P型振盪電晶體之該體極端經由各該第二輸入電阻接收該調整電壓，各該第二P型振盪電晶體之該閘極端經由該第三偏壓電阻接收該第三偏壓，該輸入電晶體之該閘極端經由該第四偏壓電阻接收該第四偏壓。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之頻率鍵移讀取電路，其中該第二巴倫器具有一第四電容、一第五N型電晶體及一第六N型電晶體，該第四電容之一端連接該第一N型振盪電晶體之該汲極端，該第四電容之另一端連接該第五N型電晶體之一閘極端，該第五N型電晶體之該閘極端接收一第五偏壓，該第五N型電晶體之一汲極端連接該第一電源端，該第六N型電晶體之一汲極端連接該第五N型電晶體之一源極端，該第六N型電晶體之一閘極端及一源極端為接地，其中第五N型電晶體之該汲極端及該源極端分別提供該第一振盪訊號及該第二振盪訊號。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之頻率鍵移讀取電路，其中該第二巴倫器具有一第五偏壓電阻、一第四電阻及一第五電阻，該第五N型電晶體之該閘極端經由該第五偏壓電阻接收該第五偏壓，該第五N型電晶體之該汲極端經由該第四電阻連接該第一電源端，該第五N型電晶體之該源極端經由該第五電阻接地。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之頻率鍵移讀取電路，其中該次諧波混頻器具有一轉導級及一開關級，該開關級連接該轉導級，該轉導級接收該第一差動訊號及該第二差動訊號並輸出該輸出訊號，該開關級接收該第一振盪訊號及該第二振盪訊號。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之頻率鍵移讀取電路，其中該轉導級具有一第一差動電晶體及一第二差動電晶體，該第一差動電晶體之一閘極端接收該第一差動訊號及一第六偏壓，該第一差動電晶體之一汲極端連接該第一電源端，該第二差動電晶體之一閘極端接收該第二差動訊號及一第七偏壓，該第二差動電晶體之一汲極端接該第一電源端，其中該第一差動電晶體之該汲極端及該第二差動電晶體之該汲極端之間的電壓差為該輸出訊號。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之頻率鍵移讀取電路，其中該次諧波混頻器具有一第一耦合電容、一第二耦合電容、一第六偏壓電阻、一第六電阻、一第七偏壓電阻及一第七電阻，該第一差動電晶體之該閘極端經由該第一耦合電容接收該第一差動訊號，該第一差動電晶體之該閘極端經由該第六偏壓電阻接收該第六偏壓，該第一差動電晶體之該汲極端經由該第六電阻連接該第一電源端，該第二差動電晶體之該閘極端經由該第二耦合電容接收該第二差動訊號，該第二差動電晶體之該閘極端經由該第七偏壓電阻接收該第七偏壓，該第二差動電晶體之該汲極端經由該第七電阻連接該第一電源端。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之頻率鍵移讀取電路，其中該開關級具有一第三差動電晶體及一第四差動電晶體，該第三差動電晶體之一閘極端接收該第一振盪訊號及一第八偏壓，該第四差動電晶體之一閘極端接收該第二振盪訊號及一第九偏壓，該第三差動電晶體之一汲極端及該第四差動電晶體之一汲極端連接該第一差動電晶體之一源極端及該第二差動電晶體之一源極端，該第三差動電晶體之一源極端及該第四差動電晶體之一源極端為接地。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之頻率鍵移讀取電路，其中該次諧波混頻器具有一第三耦合電容、一第四耦合電容、一第八偏壓電阻及一第九偏壓電阻，第三差動電晶體之該閘極端經由該第三耦合電容接收該第一振盪訊號，該第三差動電晶體之該閘極端經由該第八偏壓電阻接收該第八偏壓，該第四差動電晶體之該閘極端經由該第四耦合電容接收該第二振盪訊號，該第四差動電晶體之該閘極端經由該第九偏壓電阻接收該第九偏壓。
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