TWI533501B - 具有屏蔽訊號耦合結構之積層式波導雙工器 - Google Patents

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TWI533501B
TWI533501B TW103105060A TW103105060A TWI533501B TW I533501 B TWI533501 B TW I533501B TW 103105060 A TW103105060 A TW 103105060A TW 103105060 A TW103105060 A TW 103105060A TW I533501 B TWI533501 B TW I533501B
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黃定彝
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Description

具有屏蔽訊號耦合結構之積層式波導雙工器
本揭露係關於一種具有屏蔽訊號耦合結構之積層式波導雙工器，其在不同頻段上傳送及接收不同之射頻訊號。
無線通訊系統已經廣泛地應用於提供各種通信內容，例如聲音、視訊、封包資料、簡訊、廣播等等。這些無線通訊系統藉由分享可用之系統資源，而形成可支援多個使用者之多重存取系統。此類無線通訊系統例如，分碼多工存取(Code Division Multiple Access,CDMA)系統、分時多重擷取(Time Division Multiple Access,TDMA)系統、分頻多重擷取(Frequency Division Multiple Access,FDMA)系統、正交分頻多重擷取(Orthogonal FDMA,OFDMA)系統及單載波-分頻多重擷取(Single-Carrier FDMA,SC-FDMA)系統。
基於考量通訊系統之建置成本以符合系統規格(例如，電源、頻寬及政府法規限制等等)，許多通訊系統需要在二個實質分隔之頻段上運作，而非在單一寬頻段上運作。
上文之「先前技術」說明僅係提供背景技術，並未承認上文之「先前技術」說明揭示本揭露之標的，不構成本揭露之先前技術，且上文之「先前技術」之任何說明均不應作為本案之任一部分。
本揭露提供一種具有屏蔽訊號耦合結構之積層式波導雙工器，其在不同頻段上傳送及接收不同之射頻訊號。
本揭露之積層式波導雙工器之一實施例，包含一上導電層，具有一第一槽孔及一第二槽孔；一第一線段，跨越該第一槽孔；一第一屏蔽導體，設置於該第一線段之上方；複數個第一導電杆，連接該上導電層及該第一屏蔽導體；一第二線段，跨越該第二槽孔；一第二屏蔽導體，設置於該第二線段之上方；複數個第二導電杆，連接該上導電層及該第二屏蔽導體。
該第一屏蔽導體及該些第一導電杆形成一第一積層式波導之訊號傳輸線(第一線段)之屏蔽訊號耦合結構；同理，該第二屏蔽導體及該些第二導電杆形成一第二積層式波導之訊號傳輸線(第二線段)之屏蔽訊號耦合結構。藉由採用該屏蔽訊號耦合結構，該第一積層式波導上傳輸之第一射頻訊號實質不受該第二積層式波導上傳輸之第二射頻訊號的影響；同理，該第二積層式波導上傳輸之第二射頻訊號實質亦不受該第一積層式波導上傳輸之第一射頻訊號的影響。如此，該積層式波導雙工器可在二個分離之頻段上運作，而非在單一寬頻段上運作；例如，該積層式波導雙工器可使用二個積層式波導之一在一第一頻段上接收射頻訊號，並使用另一個積層式波導之一在一第二頻段上傳送射頻訊號。
上文已相當廣泛地概述本揭露之技術特徵及優點，俾使下文之本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，可相當容易地利用下文揭示之概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或製程而實現與本揭露相同之目的。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解，這類等效建構無法脫離後 附之申請專利範圍所界定之本揭露的精神和範圍。
10A‧‧‧積層式波導雙工器
10B‧‧‧積層式波導雙工器
10C‧‧‧積層式波導雙工器
13‧‧‧上導電層
15‧‧‧下導電層
17‧‧‧中介導電層
20‧‧‧第一積層式波導
21‧‧‧第一上導體
23‧‧‧第一下導體
25‧‧‧第一中介導體
27‧‧‧第一導通柱
29‧‧‧第一槽縫
30‧‧‧第二積層式波導
31‧‧‧第二上導體
33‧‧‧第二下導體
35‧‧‧第二中介導體
37‧‧‧第二導通柱
39‧‧‧第二槽縫
40‧‧‧耦合金屬
41‧‧‧耦合端子
50‧‧‧訊號耦合埠
51‧‧‧第一槽孔
53‧‧‧第一線段
55‧‧‧第一導通件
59‧‧‧末端
60‧‧‧訊號耦合埠
61‧‧‧第二槽孔
63‧‧‧第二線段
65‧‧‧第二導通件
89‧‧‧末端
70‧‧‧訊號耦合埠
71‧‧‧第三槽孔
73‧‧‧第三線段
75‧‧‧第三導通件
79‧‧‧末端
80‧‧‧訊號耦合埠
81‧‧‧第四槽孔
83‧‧‧第四線段
85‧‧‧第四導通件
89‧‧‧末端
120‧‧‧收發器區塊
121‧‧‧MMIC增益區塊放大器
123‧‧‧MMIC偏壓供應電路
130‧‧‧放大器模組區塊
131‧‧‧MMIC增益區塊放大器
133‧‧‧MMIC偏壓供應電路
135‧‧‧高功率放大器
141‧‧‧雙工器
143‧‧‧天線
200‧‧‧屏蔽導電層
211‧‧‧第一屏蔽導體
213‧‧‧第一導電杆
221‧‧‧第二屏蔽導體
233‧‧‧第二導電杆
231‧‧‧第三屏蔽導體
233‧‧‧第三導電杆
241‧‧‧第四屏蔽導體
243‧‧‧第四導電杆
L1‧‧‧第一長度
W1‧‧‧第一寬度
L2‧‧‧第二長度
W2‧‧‧第二寬度
藉由參照前述說明及下列圖式，本揭露之技術特徵及優點得以獲得完全瞭解。
圖1例示一射頻通訊系統之功能方塊圖；圖2例示本揭露一實施例之積層式波導雙工器；圖3係圖2之積層式波導雙工器的展開圖；圖4係圖2之積層式波導雙工器的局部放大圖；圖5係圖4沿著剖面線1-1之剖示圖；圖6係圖2之積層式波導雙工器的局部放大圖；圖7係圖6沿著剖面線2-2之剖示圖；圖8係圖2之積層式波導雙工器的局部放大圖；圖9係圖8沿著剖面線3-3之剖示圖；圖10例示本揭露另一實施例之積層式波導雙工器；圖11例示本揭露另一實施例之積層式波導雙工器；圖12例示本揭露另一實施例之積層式波導雙工器；以及圖13係圖2之積層式波導雙工器的量測頻率響應圖。
為了使具有通常知識者能徹底地瞭解本發明，將在下列的描述中提出詳盡的步驟及結構。顯然地，本發明的實現並未限定於相關領域之具有通常知識者所熟習的特殊細節。另一方面，眾所周知的結構或步驟並未描述於細節中，以避免造成本發明不必要之限制。本發明的較佳實施例會詳細描述如下，然而除了這些詳細描述之外，本發明還可以廣泛地施行在其他實施例中，且本發明的範圍不受限定，其以 後附的申請專利範圍為準。
在下文中本揭露的實施例係配合所附圖式以闡述細節。說明書所提及的「實施例」、「此實施例」、「其他實施例」等等，意指包含在本發明之該實施例所述有關之特殊特性、構造、或特徵。說明書中各處出現之「在此實施例中」的片語，並不必然全部指相同的實施例。
本揭露係關於一種具有屏蔽訊號耦合結構之積層式波導雙工器，其在不同頻段上傳送及接收不同之射頻訊號。下列記載詳細說明本揭露之實施步驟及結構以使本揭露得以被完整地瞭解。本揭露之實現並不限於具有特定知識之具有通常知識者。此外，習知之結構及步驟並未記載於下文，以免本揭露受到不必要之限制。本揭露之較佳實施例將於下文中描述，然而本揭露除了下文之外，亦可廣泛地實現於其它實施例中。本揭露之範圍不應限制於下文之記載，而應由申請專利範圍予以定義。
圖1例示一射頻通訊系統之功能方塊圖，其中射頻訊號從一收發器區塊120傳送至一放大器模組區塊130予以放大後，經由一雙工器141傳送至一天線143。該收發器區塊120包括一MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuits)增益區塊放大器121及一MMIC偏壓供應電路123，而弱放大器模組區塊130包含一MMIC增益區塊放大器131、一MMIC偏壓供應電路133以及一高功率放大器135。該放大器模組130之MMIC增益區塊放大器131連接於該收發器區塊120之MMIC增益區塊放大器121的輸出端。許多應用可以使用並聯的兩個或多個MMIC增益區塊放大器以產生具有更高線性度的功率。
圖2例示本揭露一實施例之積層式波導雙工器10A，其在不同頻段上傳送及接收不同之射頻訊號。圖1之雙工器141可由該積層式波導雙工器10A予以實現，其中該積層式波導雙工器10A包含一第一積層式波導20及一第二積層式波導30。
在本揭露之實施例中，該積層式波導雙工器10A包含一上導電層13、一下導電層15及至少一中介導電層17，該至少一中介導電層17係設置於該上導電層13及該下導電層15之間。在本揭露之實施例中，該第一積層式波導20及該第二積層式波導30係實現於該上導電層13、該下導電層15及該至少一中介導電層17之中。
在本揭露之實施例中，在本揭露之實施例中，該第一積層式波導20及該第二積層式波導30具有不同之長度、寬度及高度，其中長度及寬度影響頻帶，而高度影響(quality factor)。例如，該第一積層式波導20具有第一長度L1及第一寬度W1，俾便在一第一頻段上傳送/接收一第一射頻訊號；該第二積層式波導30具有第二長度L2及第二寬度W2，俾便在一第二頻段上傳送/接收一第二射頻訊號。
圖3係圖2之積層式波導雙工器10A的展開圖。在本揭露之實施例中，該第一積層式波導20包含一第一上導體21、一第一下導體23、至少一第一中介導體25、複數個第一導通柱27；該至少一第一中介導體25係設置於該第一上導體21及該第一下導體23之間；該至少一第一中介導體25具有一第一槽縫29；該複數個第一導通柱27設置於該第一積層式波導20之周圍，且連接該第一下導體23、該至少一第一中介導體25及該第一上導體21以形成一波導結構，用於傳送及接收射頻訊號。
相似地，在本揭露之實施例中，該第二積層式波導30包含一第二上導體31、一第二下導體33、至少一第二中介導體35、複數個第二導通柱37；該至少一第二中介導體35係設置於該第二上導體31及該第二下導體33之間；該至少一第二中介導體35具有一第二槽縫39；該複數個第二導通柱37設置於該第二積層式波導30之周圍，且連接該第二下導體33、該至少一第二中介導體35及該第二上導體31以形成一波導結構，用於傳送及接收射頻訊號。
在本揭露之實施例中，該第一上導體21係由該上導電層13之一 部分予以實現，該第二上導體31係由該上導電層13之另一部分予以實現。在本揭露之實施例中，該第一下導體23係由該下導電層15之一部分予以實現，該第二下導體33係由該上導電層15之另一部分予以實現。在本揭露之實施例中，該至少一第一中介導體25(具有第一槽縫29)係由該至少一中介導電層17之一部分予以實現，該至少一第二中介導體35(具有第二槽縫39)係由該至少一中介導電層17之另一部分予以實現。
在本揭露之實施例中，該第一積層式波導20之第一上導體21具有一第一槽孔51，該第二積層式波導30之第二上導體31具有一第二槽孔61，該積層式波導雙工器10A具有一耦合金屬40，其中該耦合金屬40之一第一線段53跨越該第一槽孔51，該耦合金屬40之一第二線段63跨越該第二槽孔61。在本揭露之實施例中，該第一積層式波導20之第一上導體21具有一第三槽孔71，且該積層式波導雙工器10A之一第三線段73跨越該第三槽孔71；該第二積層式波導30之第二上導體31具有一第四槽孔81，且該積層式波導雙工器10A之一第四線段83跨越該第四槽孔81。在本揭露之實施例中，在本揭露之實施例中，該耦合金屬40包含一耦合端子41，具有一第一末端及一第二末端，該第一末端耦合於該天線143，該第二末端子耦合於該第一線段53及該第二線段63。
圖4係圖2之積層式波導雙工器10A的局部放大圖，而圖5係圖4沿著剖面線1-1之剖示圖。在本揭露之實施例中，該第一積層式波導20具有一第一導通件55，連接該第一上導體21及該第一線段53；該第二積層式波導30具有一第二導通件65，連接該第二上導體31及該第二線段63。在本揭露之實施例中，該第一導通件55係鄰近該第一槽孔51，使得該第一線段53對傳輸之第一射頻訊號係呈短路殘段；該第二導通件65係鄰近該第二槽孔61，使得該第二線段63對傳輸之第二射頻訊號 係呈短路殘段。
在本揭露之實施例中，該積層式波導雙工器10A包含一第一屏蔽導體211、複數個第一導電杆213、一第二屏蔽導體221及複數個第二導電杆223；該第一屏蔽導體211係設置於該第一線段53之上方，該複數個第一導電杆213連接該上導電層13及該第一屏蔽導體211；該第二屏蔽導體221係設置於該第二線段63之上方，該複數個第二導電杆223連接該上導電層13及該第二屏蔽導體221。在本揭露之實施例中，該第一屏蔽導體211及該第二屏蔽導體221係由一屏蔽導電層200之不同部分予以實現。
在本揭露之實施例中，該第一槽孔51、該第一線段53、該第一導通件55、該第一屏蔽導體211及該複數個第一導電杆213形成該第一積層式波導20之一訊號耦合埠50；該第二槽孔61、該第二線段63、該第二導通件65、該第二屏蔽導體221及該複數個第二導電杆223形成該第二積層式波導30之一訊號耦合埠60。射頻訊號傳輸線之特性阻抗(characteristic impedance)可由訊號傳輸線(該第一線段53、該第二線段63)之寬度、槽孔(該第一槽孔51、該第二槽孔61)被訊號傳輸線遮蔽之寬度、訊號傳輸線與上導體(該第一上導體21、該第二上導體31)之高度差，予以調整。
圖6係圖2之積層式波導雙工器10A的局部放大圖，而圖7係圖6沿著剖面線2-2之剖示圖。在本揭露之一實施例中，該第一積層式波導20具有一第三導通件75，連接該第一上導體21及該第三線段73，其中該第三導通件75係鄰近該第三槽孔71，使得該第三線段73對傳輸之第一射頻訊號係呈短路殘段。
在本揭露之實施例中，該第一積層式波導20具有一第三屏蔽導體231及複數個第三導電杆233，該第三屏蔽導體231係設置於該第三線段73之上方，該複數個第三導電杆233連接該上導電層13及該第三 屏蔽導體231。在本揭露之實施例中，該第三槽孔71、該第三線段73及、第三導通件75、該第三屏蔽導體231及該複數個第三導電杆233形成該第一積層式波導20之一訊號耦合埠70
圖8係圖2之積層式波導雙工器10A的局部放大圖，而圖9係圖8沿著剖面線3-3之剖示圖。在本揭露之一實施例中，在本揭露之一實施例中，該第二積層式波導30具有一第四導通件85，連接該第二上導體31及該第四線段83，其中該第四導通件85係鄰近該第四槽孔81，使得該第四線段83對傳輸之第二射頻訊號係呈短路殘段。
在本揭露之實施例中，該第二積層式波導30具有具有一第四屏蔽導體241及複數個第四導電杆243，該第四屏蔽導體241係設置於該第四線段83之上方，該複數個第四導電杆243連接該上導電層13及該第四屏蔽導體241。在本揭露之實施例中，該第四槽孔81、該第四線段83、該第四導通件85、該第四屏蔽導體241及該複數個第四導電杆243形成該第二積層式波導30之一訊號耦合埠80。在本揭露之實施例中，該第三屏蔽導體231及該第四屏蔽導體241係由該屏蔽導電層200之不同部分予以實現。
在本揭露之實施例中，該第一線段53係作為該第一積層式波導20之訊號輸入端，該第三線段73係作為該第一積層式波導20之訊號輸出端；此外，該第四線段83係作為該第二積層式波導30之訊號輸入端，該第二線段63係作為該第二積層式波導30之訊號輸出端。在本揭露之實施例中，射頻訊號傳輸線之特性阻抗(characteristic impedance)可由訊號傳輸線(該第一線段53、該第二線段63、該第三線段73、該第四線段83)之寬度、訊號傳輸線被屏蔽導體(該第一屏蔽導體211、該第二屏蔽導體221、該第三屏蔽導體231、該第四屏蔽導體241)遮蔽之寬度、屏蔽導體與訊號傳輸線之高度差，予以調整。
如此，該積層式波導雙工器10A可使用該第一積層式波導20將來 自該天線143之射頻訊號傳送至該收發器區塊120，並使用該第二積層式波導30將來自該收發器區塊120之射頻訊號傳送至該天線143。此外，該第一積層式波導20及該第二積層式波導30係雙向元件，亦即該第一積層式波導20亦可用於將來自該收發器區塊120之射頻訊號傳送至該天線143，該第二積層式波導30亦可用於將來自該天線143之射頻訊號傳送至該收發器區塊120。
圖10例示本揭露另一實施例之積層式波導雙工器10B，其在不同頻段上傳送及接收不同之射頻訊號，其中圖1之雙工器141可由該積層式波導雙工器10B予以實現。圖2所示之積層式波導雙工器10A的訊號耦合埠80係設置於該第二上導體31；相對地，圖10之積層式波導雙工器10B的訊號耦合埠80係設置於該第二下導體33。
圖11例示本揭露另一實施例之積層式波導雙工器10C，其在不同頻段上傳送及接收不同之射頻訊號，其中圖1之雙工器141可由該積層式波導雙工器10C予以實現。圖2所示之積層式波導雙工器10A的訊號耦合埠70與訊號耦合埠80係分別設置於該第一上導體21與該第二上導體31；相對地，圖11之積層式波導雙工器10C的訊號耦合埠70與訊號耦合埠80係分別設置於該第二下導體23與該第二下導體33。
圖12例示本揭露另一實施例之積層式波導雙工器10D，其在不同頻段上傳送及接收不同之射頻訊號，其中圖1之雙工器141可由該積層式波導雙工器10D予以實現。圖3所示之積層式波導雙工器10A係分別藉由該第一導通件55使得該第一線段53對傳輸之第一射頻訊號係呈短路殘段，該第二導通件65使得該第二線段63對傳輸之第二射頻訊號係呈短路殘段，該第三導通件75使得該第三線段73對傳輸之第一射頻訊號係呈短路殘段，該第四導通件85使得該第四線段83對傳輸之第二射頻訊號係呈短路殘段。相對地，圖12之積層式波導雙工器10D並未設置該些導通件。
在本揭露之實施例中，該第一線段53之長度設計使得其末端59對傳輸之第一射頻訊號係呈開路殘段，該第二線段63之長度設計使得其末端69對傳輸之第二射頻訊號係呈開路殘段，該第三導通件75之長度設計使得其末端79對傳輸之第一射頻訊號係呈開路殘段，該第四導通件85之長度設計使得其末端89對傳輸之第二射頻訊號係呈開路殘段。同理，圖10之積層式波導雙工器10B及圖11之積層式波導雙工器10C的訊號傳輸線亦可採亦可採用圖12之積層式波導雙工器10D的開路殘段設計。申言之，在本揭露之實施例的積層式波導雙工器的訊號傳輸線可以選擇性地採用短路殘段設計或開路殘段設計。
在本揭露之實施例中，該上導電層13、該下導電層15、該至少一中介導電層17、該耦合金屬40、該第三線段73及該第四線段83可由銅或銅合金等金屬予以實現，但本揭露之實施例並未限於上述金屬，亦可以其它導電材料予以實現。此外，本揭露之實施例可採用低溫共燒陶磁(low temperature co-fired ceramic,LTCC)電氣隔離上述導電構件，但本揭露之實施例並未限於上述材料，亦可以其它絕緣材料予以實現。
圖13係圖2之積層式波導雙工器10A的量測頻率響應圖。在本揭露之實施例中，該第一積層式波導20及該第二積層式波導30具有不同的長度，俾便在不同的頻段上傳送及接收射頻訊號。例如，該第一積層式波導20之長度L1，其通帶係介於74GHz至76GHz；該第二積層式波導30之長度L2，其通帶係介於84GHz至86GHz。
此外，在該第一積層式波導20之通帶(74GHz至76GHz)，該第二積層式波導30之訊號強度實質上低於-90dB，亦即該第一積層式波導20上傳輸之射頻訊號實質上不會被該第二積層式波導30上傳輸之射頻訊號影響。同理，在該第二積層式波導30之通帶(84GHz至86GHz)，該第一積層式波導20之訊號強度實質上低於-60dB，亦即該第二積層 式波導30上傳輸之射頻訊號實質上不會被該第一積層式波導20上傳輸之射頻訊號影響。
如此，該積層式波導雙工器可在二個分離之頻段上運作，而非在單一寬頻段上運作；例如，該積層式波導雙工器可使用二個積層式波導之一在一第一頻段上接收射頻訊號，並使用另一個積層式波導之一在一第二頻段上傳送射頻訊號。
本揭露之技術內容及技術特點已揭示如上，然而本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，在不背離後附申請專利範圍所界定之本揭露精神和範圍內，本揭露之教示及揭示可作種種之替換及修飾。例如，上文揭示之許多製程可以不同之方法實施或以其它製程予以取代，或者採用上述二種方式之組合。
此外，本案之權利範圍並不侷限於上文揭示之特定實施例的製程、機台、製造、物質之成份、裝置、方法或步驟。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，基於本揭露教示及揭示製程、機台、製造、物質之成份、裝置、方法或步驟，無論現在已存在或日後開發者，其與本案實施例揭示者係以實質相同的方式執行實質相同的功能，而達到實質相同的結果，亦可使用於本揭露。因此，以下之申請專利範圍係用以涵蓋用以此類製程、機台、製造、物質之成份、裝置、方法或步驟。
10A‧‧‧積層式波導雙工器
13‧‧‧上導電層
15‧‧‧下導電層
17‧‧‧中介導電層
20‧‧‧第一積層式波導
30‧‧‧第二積層式波導
200‧‧‧屏蔽導電層
L1‧‧‧第一長度
W1‧‧‧第一寬度
L2‧‧‧第二長度
W2‧‧‧第二寬度

Claims (18)

  1. 一種積層式波導雙工器，包含：一上導電層，具有一第一槽孔及一第二槽孔；一第一線段，跨越該第一槽孔；一第一屏蔽導體，設置於該第一線段之上方；複數個第一導電杆，連接該上導電層及該第一屏蔽導體；一第二線段，跨越該第二槽孔；一第二屏蔽導體，設置於該第二線段之上方；以及複數個第二導電杆，連接該上導電層及該第二屏蔽導體。
  2. 如請求項1所述之積層式波導雙工器，另包含：一下導電層；至少一中介導電層，設置於該上導電層及該下導電層之間，該至少一中介導電層具有一第一槽縫及一第二槽縫；複數個第一導通柱，設置於該第一槽縫之周圍，該複數個第一導通柱連接該上導電層、該至少一中介導電層及該下導電層；以及複數個第二導通柱，設置於該第二槽縫之周圍，該複數個第二導通柱連接該上導電層、該至少一中介導電層及該下導電層。
  3. 如請求項1所述之積層式波導雙工器，另包含：一第一導通件，連接該上導電層及該第一線段，其中該第一導通件係鄰近該第一槽孔，該第一線段對傳輸之第一射頻訊號係呈短路殘段；以及一第二導通件，連接該上導電層及該第二線段，其中該第二導通件係鄰近該第二槽孔，該第二線段對傳輸之第二射頻訊號 係呈短路殘段。
  4. 如請求項2所述之積層式波導雙工器，另包含：一第三線段，跨越該上導電層之一第三槽孔；一第三屏蔽導體，設置於該第三線段之上方；以及複數個第三導電杆，連接該上導電層及該第三屏蔽導體。
  5. 如請求項4所述之積層式波導雙工器，另包含：一第三導通件，連接該上導電層及該第三線段，其中該第三導通件係鄰近該第三槽孔，該第三線段對傳輸之第一射頻訊號係呈短路殘段。
  6. 如請求項4所述之積層式波導雙工器，另包含：一第四線段，跨越該上導電層之一第四槽孔；一第四屏蔽導體，設置於該第四線段之上方；以及複數個第四導電杆，連接該上導電層及該第四屏蔽導體。
  7. 如請求項6所述之積層式波導雙工器，另包含：一第四導通件，連接該上導電層及該第四線段，其中該第四導通件係鄰近該第四槽孔，該第四線段對傳輸之第二射頻訊號係呈短路殘段。
  8. 如請求項4所述之積層式波導雙工器，另包含：一第四線段，跨越該下導電層之一第四槽孔；一第四屏蔽導體，設置於該第四線段之上方；以及複數個第四導電杆，連接該下導電層及該第四屏蔽導體。
  9. 如請求項8所述之積層式波導雙工器，另包含：一第四導通件，連接該下導電層及該第四線段，其中該第四導通件係鄰近該第四槽孔，該第四線段對傳輸之第二射頻訊號係呈短路殘段。
  10. 如請求項2所述之積層式波導雙工器，另包含： 一第三線段，跨越該下導電層之一第三槽孔；一第三屏蔽導體，設置於該第三線段之上方；以及複數個第三導電杆，連接該下導電層及該第三屏蔽導體。
  11. 如請求項10所述之積層式波導雙工器，另包含：一第三導通件，連接該下導電層及該第三線段，其中該第三導通件係鄰近該第三槽孔，該第三線段對傳輸之第一射頻訊號係呈短路殘段。
  12. 如請求項10所述之積層式波導雙工器，另包含：一第四線段，跨越該下導電層之一第四槽孔；一第四屏蔽導體，設置於該第四線段之上方；以及複數個第四導電杆，連接該下導電層及該第四屏蔽導體。
  13. 如請求項12所述之積層式波導雙工器，另包含：一第四導通件，連接該下導電層及該第四線段，其中該第四導通件係鄰近該第四槽孔，該第四線段對傳輸之第二射頻訊號係呈短路殘段。
  14. 如請求項1所述之積層式波導雙工器，另包含一耦合件，具有一第一端及一第二端，該第一端經配置以連接一天線，該第二端連接該第一線段及該第二線段。
  15. 如請求項14所述之積層式波導雙工器，其中該第一線段經配置以作為一第一積層式波導之一訊號輸入端，該第二線段經配置以作為一第二積層式波導之一訊號輸出端。
  16. 如請求項1所述之積層式波導雙工器，其中該第一屏蔽導體及該第二屏蔽導體係一屏蔽導電層之不同部分。
  17. 如請求項1所述之積層式波導雙工器，包含一第一積層式波導及一第二積層式波導，具有不同長度。
  18. 如請求項1所述之積層式波導雙工器，包含一第一積層式波導及 一第二積層式波導，具有不同寬度。
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