TWI531941B - 放大電路以及觸控偵測系統 - Google Patents
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Description
本發明與放大電路以及觸控偵測系統,特別有關於可抑制雜訊的放大電路以及觸控偵測系統。
觸控偵測系統常被使用在各種不同的電子裝置上,舉例來說,行動電話、平板電腦或是筆記型電腦。許多偵測機制可被施行在觸控偵測系統上以偵測接觸動作,舉例來說,電阻式偵測、電容式偵測或是光學偵測。
第1圖繪示了一習知技術的觸控偵測系統100。觸控偵測系統100包含了一觸控面板101以及一放大電路103。為了方便說明,許多元件在此圖中並未繪示。在此系統中,驅動時脈DS(包含驅動時脈DS1、DS2..)被輸入至觸控面板101且在接觸掃瞄時會有脈衝產生。電流(例如偵測電流訊號SC)將於驅動時脈DS的正緣或負緣時產生。
放大電路103包含一放大器105、一低通濾波器107(例如一去疊頻濾波器,anti-alias filter),以及一類比數位轉換器109。偵測電流訊號SC將被放大器105處理以產生一偵測電壓訊號SV至低通濾波器107。低通濾波器107的輸出將傳送至類比數位轉換器109以轉成數位訊號供後續處理。若一物體(例如手指)接觸了觸控面板101,物體與觸控面板101間將產生電容。在此狀況下,驅動時脈DS所產生的偵測電流訊號SC的一部份將被放大電容Cf所吸收。因此偵測電壓訊號SV降低且會判斷一”接觸”產生在觸控偵測系統100上。
通常觸控面板101中的單元電容Cc的電容值大約為3pf,因此放大器105的輸出為Vdrv*(3p/Cf)。Vdrv代表了驅動時脈DS的驅動電壓。然而,不管觸控偵測系統100是施行在何種電子裝置上,雜訊(例如共模地,common mode ground)可能會影響到電容式觸控偵測的表現。舉例來說,若存在著高振幅的雜訊,偵測電壓訊號SV可能會增強並達到飽和。在此狀態下,偵測電壓訊號SV等同於Vdrv*(3p/Cf)+Vnoise*(Cnoise/Cf)。Cnoise代表不應存在的電容,例如電路所產生的電容。為了抑制雜訊,放大電容Cf的電容必須被設定成較大的值。然而,大電容值的放大電容Cf將使放大器105具有較小的增益。此外,大電容值的放大電容Cf會使晶片具有較大的尺寸,而且若放大電容Cf具有較大電容值,雜訊被抑制時亦會抑制訊號,因此會降低訊號雜訊比(Signal to Noise Ration,SNR)。
一些技術被發展出來以得到較佳的訊號雜訊比。舉例來說,每一個時脈週期會收集128筆資料以決定是否有接觸動作發生。然而此種動作會需要32個驅動時脈,且每一時脈週期需要取樣4次,以產生128個取樣。此類方法不僅需要高資料回報率,且需要更多的電能。
因此,本發明一目的為提供一種具噪音抑制機制的放大電路。
本發明另一目的為提供一種具噪音抑制機制的觸控偵測系統。
本發明一實施例揭露了一種放大電路,包含:一放大器,包含一訊號輸入端以及一訊號輸出端;一第一電流提供模組,用以提供一第一電流至該訊號輸入端;以及一雜訊偵測模組,用以偵測來自該訊號輸出端的一輸出電壓位準,若該輸出電壓位準小於一第一低臨界值則控制該第一電流提供模組來提供該第一電流,若該輸出電壓位準大於該第一低臨界值則控制該第一電流提供模組不提供該第一電流。
本發明另一實施例揭露了一種放大電路,包含:一放大器,包含
一訊號輸入端以及一訊號輸出端;一第一電流汲取模組,用以自該訊號輸入端汲取一第三電流;以及一雜訊偵測模組,用以偵測該訊號輸出端的一輸出電壓位準,若該輸出電壓位準大於一第一高臨界值則控制該第一電流汲取模組來自該訊號輸入端汲取該第三電流,若該輸出電壓位準小於該第一高臨界值則控制該第一電流汲取模組不汲取該第三電流。
本發明其他實施例揭露了使用前述放大電路來放大一接觸偵測訊號的觸控偵測系統。由於動作與前述放大電路相似,故在此不再贅述。
藉由前述的處理方式,即使放大器是一個具有較小電容值的放大電容的充電放大器或是沒辦法掃瞄大量資料的放大器,亦可以消除雜訊。藉由此方法,可減少晶片面積且可以降低電能消耗。
100、800‧‧‧觸控偵測系統
101、801‧‧‧觸控面板
103、200、400、600、803‧‧‧放大電路
105、201、401、601、805‧‧‧放大器
107、807‧‧‧低通濾波器
109、809‧‧‧類比數位轉換器
403、603、806‧‧‧雜訊偵測模組
p1‧‧‧第一電流提供模組
p2‧‧‧第二電流提供模組
n1‧‧‧第一電流汲取模組
n2‧‧‧第二電流汲取模組
CS_p1、CS_p2、CS_n1以及CS_n2‧‧‧控制訊號
Ot‧‧‧訊號輸出端
Vo‧‧‧輸出電壓位準
Vref‧‧‧參考電壓
Int1、Int2‧‧‧訊號輸入端
DS、DS1、DS2‧‧‧驅動時脈
I_1‧‧‧第一電流
I_2‧‧‧第二電流
I_3‧‧‧第三電流
I_4‧‧‧第三電流
Cf‧‧‧放大電容
SV‧‧‧偵測電壓訊號
SC‧‧‧偵測電流訊號
Rf‧‧‧放大電阻
Cc‧‧‧單元電容
Com1、Com2、Com3、Com4‧‧‧比較器
Vtl1‧‧‧第一低臨界值
Vtl2‧‧‧第二低臨界值
Vth1‧‧‧第一高臨界值
Vth2‧‧‧第二高臨界值
第1圖繪示了一習知技術的觸控偵測系統。
第2圖至第6圖繪示了根據本發明實施例的放大電路的方塊圖。
第7圖繪示了第6圖中所示的放大電路的詳細結構的電路圖。
第8圖繪示了根據本發明實施例的觸控偵測電路的電路圖。
第9圖繪示了如何藉由本發明的實施例抑制雜訊的示意圖。
第2圖至第6圖繪示了根據本發明實施例的放大電路的方塊圖。在下列實施例中,是假設放大電路被運用在第1圖中的觸控偵測系統,但放大電路亦可運用在其他電子裝置。此外,在下列實施例中,放大器為一個差動放大器,用以放大傳送至此放大器的輸入訊號以及一參考輸出電壓位準間的差異。而且,下列實施例中的放大器可為第1圖中的充電放大器105。在此例中,放大器可包含放大電阻Rf以及放大電容Cf,但這兩元件未繪示在下列實施例中。
如第2圖所示,放大電路200包含了一放大器201,一雜訊偵測模組203以及一電流提供模組p1。放大器201包含一訊號輸入端Int1以及一訊號輸出端Ot,訊號輸入端Int1接收一輸入訊號(例如第1圖中的偵測電流訊號SC)。雜訊偵測模組203偵測訊號輸出端Ot的一輸出電壓位準Vo(例如第1圖中的偵測電壓訊號SV),若輸出電壓位準Vo小於一第一低臨界值(第7圖中的Vtl1)則透過控制訊號CS_p1控制該第一電流提供模組p1來提供第一電流I_1,若輸出電壓Vo位準大於第一低臨界值Vtl1則透過控制訊號CS_p1控制第一電流提供模組p1不提供第一電流I_1。若輸出電壓位準Vo因為雜訊而變得太小,則藉由此方法可拉升輸出電壓位準Vo。而在一實施例中,訊號輸入端Int2可接收參考電壓位準Vref。
然而,若輸出電壓位準Vo相當小,則第一電流I_1可能不足以拉升輸出電壓位準Vo。因此,如第3圖所示般可更包含一第二電流提供模組p2。雜訊偵測模組203在輸出電壓位準Vo小於一第二低臨界值時(例如第7圖中的Vtl2)則控制第一電流提供模組p1提供第一電流I_1以及控制第二電流提供模組p2提供第二電流I_2,並在輸出電壓位準Vo位於第一低臨界值和第二低臨界值之間時控制該第二電流提供模組p2不提供第二電流I_2,其中第二低臨界值小於第一低臨界值。藉由這樣的方法,可增強拉升輸出電壓位準Vo的力量。
在第4圖的實施例中,放大電路400包含一放大器401、一雜訊偵測模組403以及一第一電流汲取模組n1。雜訊偵測模組403偵測訊號輸出端的一輸出電壓位準Vo,若輸出電壓位準Vo大於一第一高臨界值(例如第7圖中的Vth1)則控制第一電流汲取模組n1來自訊號輸入端Int1汲取第三電流I_3,若輸出電壓位準Vo小於第一高臨界值則控制第一電流汲取模組403不汲取第三電流I_3。若輸出電壓位準Vo因為雜訊而變得太大,則藉由此方法可拉低輸出電壓位準Vo。
然而,若輸出電壓位準Vo相當大,則第三電流I_3可能不足以拉
低輸出電壓位準Vo。因此,如第5圖所示般可更包含一第二電流汲取模組n2。雜訊偵測模組403在輸出電壓位準Vo大於一第二高臨界值時(例如第7圖中的Vth2)則控制第一電流汲取模組n1汲取第三電流I_3以及控制第二電流汲取模組n2汲取第四電流I_4,並在輸出電壓位準Vo位於第一高臨界值和第二高臨界值之間時控制該第二電流汲取模組n2不汲取第四電流I_4,其中第二高臨界值大於第一高臨界值。藉由這樣的方法,可增強拉低輸出電壓位準Vo的力量。
在第6圖的實施例中,放大電路600包含一放大器601、一雜訊偵測模組603、一第一電流提供模組p1、一第二電流提供模組p2、一第一電流汲取模組n1以及一第二電流汲取模組n2。第一電流提供模組p1、第二電流提供模組p2、第一電流汲取模組n1以及第二電流汲取模組n2可如第2圖至第6圖的實施例般由控制訊號CS_p1、CS_p2、CS_n1以及CS_n2來控制。因此第6圖的實施例不再詳述。
根據前述實施例,本發明所提供的放大器可包含電流提供模組/電流汲取模組的不同組合,來拉升/拉低輸出電壓位準Vo。舉例來說,可以僅有n1、有n1+n2、僅有p1、有n1+p1,以及n1+n2+p1+p2,或者任何在此未描述的組合。
第7圖繪示了第6圖中所示的放大電路的詳細結構的電路圖。請留意雖然以第6圖來舉例說明,但第7圖的結構可以使用在任何實施例。如第7圖所示,雜訊偵測模組603包含了比較器Com1、Com2、Com3以及Com4,這些比較器分別比較輸出電壓位準Vo跟第一低臨界值Vtl1、第二低臨界值Vtl2、第一高臨界值Vth1以及第二高臨界值Vth2。藉此可依據輸出電壓位準Vo來產生控制訊號CS_p1、CS_p2、CS_n1以及CS_n2。
若前述放大電路被運用在第1圖中所示的觸控偵測系統,可得到根據本發明一實施例的觸控偵測系統。第8圖繪示了根據本發明實施例的觸控偵測電路的電路圖。觸控偵測系統800包含一觸控面板801以及一放大電
路803。觸控面板801產生一接觸偵測訊號(例如偵測電流訊號SC)。放大電路803包含:一放大器805、一第一電流提供模組p1以及一雜訊偵測模組806。放大器805包含一訊號輸入端In、一參考電壓接收端Inr以及一訊號輸出端Ot。訊號輸入端In接收接觸偵測訊號,參考電壓接收端Inr接收一參考電壓Vref。放大器805根據接觸偵測訊號的一電壓位準以及參考電壓Vref的差異產生一接觸判斷訊號(例如:偵測電壓訊號SV)。雜訊偵測模組806偵測接觸判斷訊號的該電壓位準,若接觸判斷訊號的該電壓位準小於一第一低臨界值則控制第一電流提供模組來提供第一電流I_1,若接觸判斷訊號的電壓位準大於一第一低臨界值則控制第一電流提供模組806不提供第一電流I_1。低通濾波器807以及類比數位轉換器809的功能如同第1圖的低通濾波器107以及類比數位轉換器109。
電流提供模組/電流汲取模組的不同組合均可運用在第8圖所示的觸控偵測系統中,由於各組合的動作均可由前述實施例推得,故在此不再贅述。
第9圖繪示了如何藉由本發明的實施例抑制雜訊的示意圖。如第9圖所示,習知技術中的輸出電壓位準Vo因為雜訊會有較大的變動範圍。在經過本發明所提供的程序處理後,低於第一低臨界值Vtl1、第二低臨界值Vtl2,以及高於第一高臨界值Vth1、第二高臨界值Vth2的訊號可被消除。藉由這樣的處理方式,即使放大器是一個具有較小電容值的放大電容的充電放大器或是沒辦法掃瞄大量資料的放大器,亦可以消除雜訊。藉由此方法,可減少晶片面積且可以降低電能消耗。
以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。
600‧‧‧放大電路
601‧‧‧放大器
603‧‧‧雜訊偵測模組
p1‧‧‧第一電流提供模組
p2‧‧‧第二電流提供模組
n1‧‧‧第一電流汲取模組
n2‧‧‧第二電流汲取模組
CS_p1、CS_p2、CS_n1以及CS_n2‧‧‧控制訊號
Ot‧‧‧訊號輸出端
Vo‧‧‧輸出電壓位準
Vref‧‧‧參考電壓
Int1、Int2‧‧‧訊號輸入端
Claims (12)
- 一種放大電路,包含:一放大器,包含一訊號輸入端以及一訊號輸出端;一第一電流提供模組,用以提供一第一電流至該訊號輸入端;一雜訊偵測模組,用以偵測來自該訊號輸出端的一輸出電壓位準,若該輸出電壓位準小於一第一低臨界值則控制該第一電流提供模組來提供該第一電流,若該輸出電壓位準大於該第一低臨界值則控制該第一電流提供模組不提供該第一電流;以及一第二電流提供模組,用以提供一第二電流至該訊號輸入端;其中該雜訊偵測模組在該輸出電壓位準小於一第二低臨界值時則控制該第一電流提供模組提供該第一電流以及控制該第二電流提供模組提供該第二電流,並在該輸出電壓位準位於該第一低臨界值和該第二低臨界值之間時控制該第二電流提供模組不提供該第二電流,其中該第二低臨界值小於該第一低臨界值。
- 如請求項第1項所述的放大電路,更包含:一第一電流汲取模組,用以自該訊號輸入端汲取一第三電流;若該輸出電壓位準大於一第一高臨界值則該雜訊偵測模組控制該第一電流汲取模組來自該訊號輸入端汲取該第三電流,若該輸出電壓位準小於該第一高臨界值則該雜訊偵測模組控制該第一電流汲取模組不汲取該第三電流。
- 如請求項第2項所述的放大電路,更包含:一第二電流汲取模組,用以自該訊號輸入端汲取一第四電流;以及其中該雜訊偵測模組在該輸出電壓位準大於一第二高臨界值時則控制該第一 電流汲取模組自該訊號輸入端汲取該第三電流以及控制該第二電流汲取模組自該訊號輸入端汲取該第四電流,並在該輸出電壓位準位於該第一高臨界值和該第二高臨界值之間時控制該第二電流汲取模組不汲取該第四電流,其中該第二高臨界值大於該第一高臨界值。
- 如請求項第1項所述的放大電路,更包含:一放大電阻,包含耦接該訊號輸入端的一第一端以及耦接該訊號輸出端的一第二端;以及一放大電容,包含耦接該訊號輸入端的一第一端以及耦接該訊號輸出端的一第二端;其中該放大器更包含一參考電壓接收端,用以接收一參考電壓,該放大器根據該訊號輸入端所接收的一訊號以及該參考電壓的差異出一輸出訊號。
- 一種放大電路,包含:一放大器,包含一訊號輸入端以及一訊號輸出端;一第一電流汲取模組,用以自該訊號輸入端汲取一第三電流;一雜訊偵測模組,用以偵測該訊號輸出端的一輸出電壓位準,若該輸出電壓位準大於一第一高臨界值則控制該第一電流汲取模組來自該訊號輸入端汲取該第三電流,若該輸出電壓位準小於該第一高臨界值則控制該第一電流汲取模組不汲取該第三電流;以及一第二電流汲取模組,用以自該訊號輸入端汲取一第四電流;以及其中該雜訊偵測模組在該輸出電壓位準大於一第二高臨界值時則控制該第一電流汲取模組自該訊號輸入端汲取該第三電流以及控制該第二電流汲取模組自該訊號輸入端汲取該第四電流,並在該輸出電壓位準位於該第一高臨界值和該第二高臨界值之間時控制該第二電流汲取模組不汲取該第四電流,其中該第二高臨界值大於該第一高臨界值。
- 一種觸控偵測系統,包含:一觸控面板,用以產生一接觸偵測訊號;以及一放大電路,包含:一放大器,包含一訊號輸入端、一參考電壓接收端以及一訊號輸出端,該訊號輸入端接收該接觸偵測訊號,該參考電壓接收端接收一參考電壓,該放大器根據該接觸偵測訊號的一電壓位準以及該參考電壓的差異產生一接觸判斷訊號;一第一電流提供模組,用以提供一第一電流至該訊號輸入端;以及一雜訊偵測模組,用以偵測該接觸判斷訊號的該電壓位準,若該接觸判斷訊號的該電壓位準小於一第一低臨界值則控制該第一電流提供模組來提供該第一電流,若該接觸判斷訊號的該電壓位準大於一第一低臨界值則控制該第一電流提供模組不提供該第一電流;一第二電流提供模組,用以提供一第二電流至該訊號輸入端;其中該雜訊偵測模組在該接觸判斷訊號的該電壓位準小於一第二低臨界值時則控制該第一電流提供模組提供該第一電流以及控制該第二電流提供模組提供該第二電流,並在該接觸判斷訊號的該電壓位準位於該第一低臨界值和該第二低臨界值之間時控制該第二電流提供模組不提供該第二電流,其中該第二低臨界值小於該第一低臨界值。
- 如請求項第6項所述的觸控偵測系統,更包含:一第一電流汲取模組,用以自該訊號輸入端汲取一第三電流;若該接觸判斷訊號的該電壓位準大於一第一高臨界值則該雜訊偵測模組控制該第一電流汲取模組來自該訊號輸入端汲取該第三電流,若該接觸判斷訊號的該電壓位準小於該第一高臨界值則該雜訊偵測模組控制該第一電流汲取模組不汲取該第三電流。
- 如請求項第7項所述的觸控偵測系統,更包含:一第二電流汲取模組,用以自該訊號輸入端汲取一第四電流;以及其中該雜訊偵測模組在該接觸判斷訊號的該電壓位準大於一第二高臨界值時則控制該第一電流汲取模組自該訊號輸入端汲取該第三電流以及控制該第二電流汲取模組自該訊號輸入端汲取該第四電流,並在該接觸判斷訊號的該電壓位準位於該第一高臨界值和該第二高臨界值之間時控制該第二電流汲取模組不汲取該第四電流,其中該第二高臨界值大於該第一高臨界值。
- 如請求項第6項所述的觸控偵測系統,更包含:一電阻,包含耦接該訊號輸入端的一第一端以及耦接該訊號輸出端的一第二端;以及一電容,包含耦接該訊號輸入端的一第一端以及耦接該訊號輸出端的一第二端。
- 一種觸控偵測系統,包含:一觸控面板,用以產生一接觸偵測訊號;以及一放大電路,包含:一放大器,包含一訊號輸入端、一參考電壓接收端以及一訊號輸出端,該訊號輸入端接收該接觸偵測訊號,該參考電壓接收端接收一參考電壓,該放大器根據該接觸偵測訊號的一電壓位準以及該參考電壓的差異產生一接觸判斷訊號;一第一電流汲取模組,用以自該訊號輸入端汲取一第三電流;以及一雜訊偵測模組,用以偵測該接觸判斷訊號的該電壓位準,若該輸出電壓位準大於一第一高臨界值則控制該第一電流汲取模組自該訊號輸入端汲取 該第三電流,若該輸出電壓位準小於該第一高臨界值則控制該第一電流汲取模組不汲取該第三電流;一第二電流汲取模組,用以自該訊號輸入端汲取一第四電流;其中該雜訊偵測模組在該輸出電壓位準大於一第二高臨界值時則控制該第一電流汲取模組自該訊號輸入端汲取該第三電流以及控制該第二電流汲取模組自該訊號輸入端汲取該第四電流,並在該輸出電壓位準位於該第一高臨界值和該第二高臨界值之間時控制該第二電流汲取模組不汲取該第四電流,其中該第二高臨界值大於該第一高臨界值。
- 一種放大電路,包含:一放大器,包含一訊號輸入端以及一訊號輸出端;一第一電流提供模組,用以提供一第一電流至該訊號輸入端;一雜訊偵測模組,用以偵測來自該訊號輸出端的一輸出電壓位準,若該輸出電壓位準小於一第一低臨界值則控制該第一電流提供模組來提供該第一電流,若該輸出電壓位準大於該第一低臨界值則控制該第一電流提供模組不提供該第一電流;一第一電流汲取模組,用以自該訊號輸入端汲取一第三電流;一第二電流汲取模組,用以自該訊號輸入端汲取一第四電流;以及若該輸出電壓位準大於一第一高臨界值則該雜訊偵測模組控制該第一電流汲取模組來自該訊號輸入端汲取該第三電流,若該輸出電壓位準小於該第一高臨界值則該雜訊偵測模組控制該第一電流汲取模組不汲取該第三電流;其中該雜訊偵測模組在該輸出電壓位準大於一第二高臨界值時則控制該第一電流汲取模組自該訊號輸入端汲取該第三電流以及控制該第二電流汲取模組自該訊號輸入端汲取該第四電流,並在該輸出電壓位準位於該第一高 臨界值和該第二高臨界值之間時控制該第二電流汲取模組不汲取該第四電流,其中該第二高臨界值大於該第一高臨界值。
- 一種觸控偵測系統,包含:一觸控面板,用以產生一接觸偵測訊號;以及一放大電路,包含:一放大器,包含一訊號輸入端、一參考電壓接收端以及一訊號輸出端,該訊號輸入端接收該接觸偵測訊號,該參考電壓接收端接收一參考電壓,該放大器根據該接觸偵測訊號的一電壓位準以及該參考電壓的差異產生一接觸判斷訊號;一第一電流提供模組,用以提供一第一電流至該訊號輸入端;以及一雜訊偵測模組,用以偵測該接觸判斷訊號的該電壓位準,若該接觸判斷訊號的該電壓位準小於一第一低臨界值則控制該第一電流提供模組來提供該第一電流,若該接觸判斷訊號的該電壓位準大於一第一低臨界值則控制該第一電流提供模組不提供該第一電流;一第一電流汲取模組,用以自該訊號輸入端汲取一第三電流;一第二電流汲取模組,用以自該訊號輸入端汲取一第四電流;若該接觸判斷訊號的該電壓位準大於一第一高臨界值則該雜訊偵測模組控制該第一電流汲取模組來自該訊號輸入端汲取該第三電流,若該接觸判斷訊號的該電壓位準小於該第一高臨界值則該雜訊偵測模組控制該第一電流汲取模組不汲取該第三電流;其中該雜訊偵測模組在該接觸判斷訊號的該電壓位準大於一第二高臨界值時則控制該第一電流汲取模組自該訊號輸入端汲取該第三電流以及控制該第二電流汲取模組自該訊號輸入端汲取該第四電流,並在該接觸判斷訊號的該電壓位準位於該第一高臨界值和該第二高臨界值之間時控制該第二 電流汲取模組不汲取該第四電流,其中該第二高臨界值大於該第一高臨界值。
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