TWI530949B - 記憶體程式化方法及記憶體程式化裝置 - Google Patents

Description

記憶體程式化方法及記憶體程式化裝置

在各種實施例中，本發明係關於記憶體程式化方法及記憶體程式化裝置。

本申請案主張於2010年4月7日提出申請之第61/321,801號美國臨時專利申請案之權益，該美國臨時專利申請案以引用方式併入本文中，且本申請案係於2009年10月22日提出申請之第12/604,300號美國專利申請案之一部分接續，該美國專利申請案亦以引用方式併入本文中且本申請案主張對其之優先權。

現在可藉由使用標準印刷技術(諸如噴墨印刷、撓性版印刷、轉輪凹版印刷及絲網印刷)在各種基板(諸如紙)上印刷電活性墨水來形成能夠儲存電子資料之電子記憶體。

下文參考以下附圖闡述本發明之較佳實施例。

本文中闡述在印刷過程期間用所要電子資料(例如，音樂、一圖片、一冊子等)程式化印刷記憶體以使得在固化後該印刷記憶體旋即含有該所要電子資料之方法。

印刷記憶體可採取各種形式。在一項實施方案中，在導電跡線之間鋪設一層具有特定電性質之一材料，以使得在每一跡線交點處形成儲存一個資訊位元之一記憶體胞。將該等導電跡線及該材料印刷至一基板上，舉例而言，一紙基板。取決於記憶體胞中所使用之材料，此記憶體可係或 可不係可再程式化的。可藉由在一正電壓與接地之間簡單地形成一短路圖案而形成其他記憶體。可將每一對接地短路視為一個資料值(例如，0)，且可將每一對正電壓短路視為另一資料值(例如，1)。此記憶體通常將係不可再程式化的。

根據一方法之一項實施例，若一對導電跡線之交點欲表示一數位0，則一印刷頭在該交點處沈積一第一材料，且若該交點欲表示一數位1，則該印刷頭在該交點處沈積一不同第二材料。取決於第一材料及第二材料之性質，為「讀取」記憶體而量測之電現象可不同。第一材料及第二材料可係導電性、磁性、電容性、電阻性、電感性或此等各種現象之某一組合。實例性材料包含磁性墨水及鐵磁液體。

在本發明之另一實施例中，可在將一材料(其可呈一墨水形式)沈積沈積在形成每一記憶體胞之一對跡線之交點處期間藉由在將該材料印刷至基板(例如，紙基板)上時或之後及/或當材料正固化(例如，亁燥)時施加一電場及/或磁場至該材料沈積而用一位元值程式化該記憶體胞。舉例而言，用於在基板上沈積材料之一印刷頭可包含程式化電路，該程式化電路可藉由施加以一特定方式定向材料之磁性部分之一電場及/或磁場而選擇性地程式化一個別記憶體胞。該印刷頭可經組態以藉由將材料之磁性部分定向成一第一方向而將位元程式化成為一數位0。類似地，該印刷頭可經組態以藉由將材料之磁性部分定向成不同於該第 一方向之一第二方向(舉例而言，與該第一方向之方向相反之一方向)而將位元程式化成為一數位1。另一選擇為，該印刷頭可經組態以藉由將材料之一電阻改變至一相對高電阻狀態而將位元程式化成為一數位0，且可經組態以藉由將材料之電阻改變至相對該高電阻狀態之一相對低電阻狀態而將位元程式化成為一數位1。

亦可使用其他技術。舉例而言，印刷頭可經組態以藉由在材料中儲存一相對大量之電荷而將位元程式化成為一數位0，且可經組態以藉由在材料中儲存一相對小量之電荷而將位元程式化成為一數位1。

雖然可在印刷時將一位元程式化成為一數位0，但稍後可藉由使用印刷頭之程式化電路(或不與一印刷頭相關聯之一程式化裝置之其他程式化電路)施加一電場及/或磁場至記憶體胞之材料而將該位元再程式化成為一數位1。在一項實施例中，可接近待程式化之記憶體胞定位程式化電路，以使得由該程式化電路產生之電場及/或磁場與該記憶體胞之材料相交。雖然施加電場及/或磁場至該記憶體胞，但毗鄰該記憶體胞之其他記憶體胞可不受該電場及/或磁場影響。因此，該記憶體胞可藉由該電場及/或磁場再程式化，但毗鄰該記憶體胞之其他記憶體胞則不藉由該電場及/或磁場再程式化。

在本發明之又一實施例中，可在將一記憶體胞陣列之多個記憶體胞印刷在基板上時或之後不久藉由一適當組態之一維或二維電場、磁場或電磁場陣列來並列地(例如，實 質上同時地)程式化該多個記憶體胞，該陣列接近於該等記憶體胞定位以使得該等場中之個別場與個別記憶體胞對準。該等場可添加電荷至個別記憶體胞或自個別記憶體胞移除電荷，或翻轉個別記憶體胞中之磁域，改變記憶體胞之電阻或以上各項之一組合，以達成用所要資料任意組態記憶體陣列。

在本發明之又一實施例中，在印刷及固化期間謹慎控制環境可用於誘使各種記憶體胞一旦經固化便呈現0或1之任意值。在此實施例中，亦可施加外部影響(諸如磁場、電場、真空、壓力、各種類氣體及光)之各種組合以形成所要結果。該等外部影響可影響由一記憶體胞所儲存之電荷量、該記憶體胞之電阻、該記憶體胞之導電性、該記憶體胞之磁性材料之定向或該記憶體胞之其他特性。在一項實施例中，以此方式程式化之記憶體胞可係一次可程式化的而非可再程式化的。

在本發明之另一實施例中，可在形成每一記憶體胞之一對跡線之交點處沈積一材料(其可呈一墨水形式)期間藉由在將該材料印刷至基板(例如，紙基板)上時或之後及/或當材料正固化(例如，亁燥)時施加一光束(例如，來自一雷射)至該材料而用一位元值程式化該記憶體胞。舉例而言，用於在基板上沈積材料之一印刷頭可包含程式化電路，該程式化電路可藉由施加以一特定方式改變材料之一特性(例如，所儲存之電荷量、電阻、材料之部分之磁極之定向等)之光來選擇性地程式化一個別記憶體胞。

在又一實施例中，可在正印刷一記憶體胞陣列時藉由一適當組態之一維或二維光束陣列來並列地(例如，實質上同時地)程式化該陣列之多個記憶體胞，該陣列接近於該等多個記憶體胞定位。在此情況下，個別光束可與個別記憶體胞對準。

參考圖1，根據一項實施例圖解說明一記憶體胞構造10之一剖面圖。一導電位元線14形成於一基板12上。位元線14可水平延伸且可與圖1中未圖解說明之其他記憶體胞共用。

基板12可包括紙且位元線14可藉由在基板12上印刷導電墨水而形成於基板12上。在形成位元線14中，可藉由一印刷頭以一所要圖案在基板12上沈積一導電墨水。在一項實施例中，基板12可係數層紙及黏合劑之一層壓。在其他實施例中，基板12可不包括紙，但可包括適於由一印刷機用墨水印刷之塑膠、Mylar或其他撓性物。

在一項實施例中，在位元線14之部分之頂部上印刷一電絕緣材料20且在位元線14之部分之頂部上印刷記憶體胞22。在一項實施例中，在絕緣材料20之前印刷記憶體胞22。在其他實施例中，在記憶體胞22之前印刷絕緣材料20。在印刷記憶體胞22中，可藉由一印刷頭以一所要圖案在基板12上沈積記憶體材料，諸如本文中所闡述之記憶體材料。

在記憶體胞22上方使用導電墨水印刷一導電字線18。字線18可沿垂直於位元線14延伸之方向之一方向延伸進入及 離開頁面。在形成字線18中，可藉由印刷頭26以一所要圖案在基板12上沈積一導電墨水。

在圖1中所圖解說明之實施例中，字線18及位元線14二者皆可與記憶體胞22直接實體接觸且二者皆可歐姆連接至記憶體胞22。記憶體胞22可儲存資料且可使用本文中所闡述之方法中之一或多者來程式化。

圖1中亦圖解說明包含程式化電路24及印刷頭26之記憶體程式化裝置16。記憶體程式化裝置16接近記憶體胞22定位且經組態以更改記憶體胞22之一特性。舉例而言，在一項實施例中，程式化電路24可包含經組態以產生與記憶體胞22相交之一下指磁場之一線圈或其他電路。印刷頭26經組態以在基板12上沈積墨水或其他材料。程式化電路24及印刷頭26可相對於基板12移動。在圖1中，將程式化電路24及印刷頭26表示為功能性區塊。

參考圖2，根據一項實施例圖解說明一記憶體胞構造11之另一實施例之一剖面圖。構造11類似於構造10，惟絕緣材料20印刷在位元線14與記憶體胞22之間及記憶體胞22與字線18之間除外。在此項實施例中，位元線14及字線18未歐姆連接至記憶體胞22。然而，作為取決於記憶體胞22之經程式化態樣之字線18中存在之一電壓或電流之一結果，可仍在位元線14中感應出一電流。

參考圖3，根據一項實施例圖解說明形成於基板12上之一記憶體胞22陣列30之一俯視圖。陣列30包含沿垂直於一字線18陣列之一方向延伸之複數個位元線14。在位元線14 與字線18之交點處形成記憶體胞22(22a、22b、22c、22d、22e、22f、22g、22h及22i)。當將資料儲存在陣列30之一記憶體胞22中時，程式化電路可將一場或光束引導至一目標區域32中。

舉例而言，為將資料儲存在記憶體胞22e中，程式化電路可將一磁場引導至目標區域32e中。在此過程中，磁場可經組態以使得與目標區域32a、32b、32c、32d、32f、32g、32h及32i相交之磁場之部分不更改記憶體胞22a、22b、22c、22d、22f、22g、22h及22i中所儲存之資料。

參考圖4，圖解說明包括記憶體陣列30以及連接電路44及資料介面42之一層壓紙張40。層壓紙40可包含兩層紙。在其上印刷有陣列30之一第一層紙及覆蓋陣列30之一第二層紙。可將第一紙層及第二層紙層壓在一起以便使陣列30無法接近。

連接電路44可印刷在第一層紙上，且資料介面42可印刷在第二層紙上且可電連接至連接電路44。在一項實施例中，資料介面42可係適於連接至一電腦或其他資料通信裝置之一通用串列匯流排(USB)介面。該電腦或其他資料通信裝置可經由資料介面42發送資料至記憶體陣列30。在某些實施例中，可摺疊、切割或以其他方式修改紙40以使得資料介面42在一標準USB插孔之範圍內。

在一項實施例中，更廣泛地，資料介面42可包括連接電路44以及印刷在第一層上之一電路，諸如緩衝器。在此項實施例中，資料介面42可經組態以自電腦或其他資料通信 裝置接收資料且在將資料寫入至記憶體陣列30之前緩衝所接收資料。舉例而言，資料介面42可係經組態以經由一USB協定接收資料且在將資料寫入至記憶體陣列30之前緩衝資料之一USB介面。

根據一項實施例，記憶體程式化方法包含：在印刷於一基板(例如，基板12)上之一導電位元線(例如，位元線14)之一第一部分上方沈積記憶體材料(例如，記憶體胞22之材料)以形成一記憶體胞(例如，記憶體胞22)；及使用接近該記憶體胞定位之程式化電路，藉由更改該記憶體胞之一特性而將資料儲存在該記憶體胞中，該特性在將該程式化電路移離該記憶體胞之後保持更改。

在一項實施例中，基板可包括紙，且記憶體材料可係磁性墨水。記憶體材料之沈積可包含用一噴墨印刷頭沈積記憶體材料。在一項實施例中，該方法可包含在儲存資料之前形成字線。舉例而言，可在印刷字線18之前程式化圖1之記憶體胞22。另一選擇為，該方法可包含在將資料儲存在記憶體胞22中之後形成(例如，印刷)字線18。

在特性之更改期間，程式化電路可不與記憶體胞實體接觸。舉例而言，如圖1中所圖解說明，程式化電路24可定位在記憶體胞22上方且可與記憶體胞22間隔開。然而，程式化電路可接近記憶體胞定位以使得由該程式化電路所產生之一場(例如，電場及/或磁場)或光束(例如，雷射光束)可與該記憶體胞相交。因此，在特性之更改期間，程式化電路可不與記憶體胞歐姆接觸。此外，在一項實施例中， 程式化電路可與記憶體胞實體接觸(舉例而言，當在基板上沈積記憶體材料時)，但可不與記憶體胞歐姆接觸。

記憶體胞之特性之更改可包含當該記憶體胞之至少一部分係處於一液態時(例如，在圖1之記憶體材料固化以形成記憶體胞22之前)更改該特性。另一選擇為，更改可發生於記憶體材料已固化之後。可更改數個不同特性中之一或多者以儲存資料。舉例而言，特性可係以下特性中之一或多者：記憶體胞之一磁性定向、記憶體胞之一電阻、記憶體胞之一電感或記憶體胞之一電容。另一選擇為，所更改之特性可係記憶體材料之某一其他物理現象。

可以若干不同方式中之一或多者更改特性。特性之更改可包含程式化電路施加一電場、一磁場及/或一電磁場至記憶體胞。另一選擇為或另外，特性之更改可包含程式化電路改變由記憶體胞所儲存之一電荷量，舉例而言，藉由增加由記憶體胞所儲存之電荷量或減小由記憶體胞所儲存之電荷量。

在一項實施例中，特性之更改可包含程式化電路施加一磁場至記憶體胞。該磁場可將記憶體胞之磁極定向成一方向。然後，可停止藉由程式化電路之至記憶體胞之磁場之施加，但儘管停止磁場之施加，記憶體胞之磁極可仍保持該定向。因此，由於甚至當磁場不存在時記憶體胞仍藉由記憶體胞之磁極之定向來保持資料，故可將該記憶體胞闡述為係非揮發性的。

另一選擇為或另外，資料之儲存可包含當記憶體材料固 化時將記憶體胞曝露至一雷射光束。在此情況下，程式化電路24可包括一雷射。

程式化方法可進一步包含在記憶體胞上方形成一字線。該字線可橫跨位元線之第一部分。在程式化電路將資料儲存在記憶體胞中之後，可使用字線及位元線來更改記憶體胞中所儲存之資料，而不使用程式化電路。舉例而言，可跨越字線與位元線強加一電壓，且可基於由位元線載運之一電流判定記憶體胞中所儲存之資料之一值，該電流係由跨越字線及位元線施加之電壓產生。

根據一項實施例，一記憶體程式化裝置(例如，記憶體程式化裝置16)包含：一印刷頭(例如，印刷頭26)，其跨越一基板移動以在該基板上沈積記憶體材料以形成一記憶體胞陣列；及程式化電路(例如，程式化電路24)，其耦合至該印刷頭以使得該程式化電路與該印刷頭一起跨越該基板移動。針對陣列之每一個別記憶體胞，該程式化電路接近該個別記憶體胞定位並將資料寫入至該個別記憶體胞。

另一選擇為，可使用其他記憶體程式化裝置來程式化陣列30，其中該程式化電路獨立於印刷頭跨越基板移動，以使得印刷頭與程式化電路解耦。

如上文所提及，程式化電路可藉由更改記憶體胞之一特性而將資料寫入至個別記憶體胞，該特性在將該程式化電路移離該個別記憶體胞之後保持更改。

印刷頭可形成陣列之一第一記憶體胞(例如，記憶體胞22e)且程式化電路可在該印刷頭形成該陣列之一第二記憶 體胞(例如，記憶體胞22i)之前將資料寫入至該陣列之第一記憶體胞。在此項實施例中，印刷頭可不形成字線18，直至程式化電路已將資料寫入至該陣列之記憶體胞之後為止。

在一項實施例中，程式化電路可藉由控制印刷頭以在陣列之記憶體胞中沈積儲存一第一二進制值(例如，0)之一第一記憶體材料且在陣列之記憶體胞中沈積儲存不同於該第一二進制值之一第二二進制值(例如，1)之一第二記憶體材料來將資料寫入至記憶體胞。該第一記憶體材料可具有不同於該第二記憶體材料之一電特性之一電特性。舉例而言，該第一記憶體材料可具有大於該第二記憶體材料之一電阻。

程式化電路可藉由施加一電場及/或磁場至個別記憶體胞來將資料寫入至該個別記憶體胞(例如，記憶體胞22e)，且記憶體程式化裝置可防止當程式化電路將資料寫入至該個別記憶體胞(例如，記憶體胞22e)時該場更改已寫入至陣列之其他記憶體胞(例如，記憶體胞22a、22b、22c、22d、22f、22g、22h、22i)之資料。在一項實施例中，記憶體程式化裝置可藉由比陣列之任何其他記憶體胞更靠近該個別記憶體胞定位程式化電路來防止場更改已寫入至陣列之其他記憶體胞之資料。

舉例而言，程式化電路可經組態以發射一極窄定向磁場，其經定位以與陣列之一個記憶體胞(例如，目標區域32e內的記憶體胞22e)相交，但其係充分定向及窄以至於 陣列之其他記憶體胞(例如，記憶體胞22a、22b、22c、22d、22f、22g、22h、22i)接收強得不足以更改毗鄰記憶體胞中所儲存之資料之該場之一高度衰減版本。

根據另一實施例，一記憶體程式化方法包含跨越一基板移動一印刷頭以在該基板上沈積導電墨水以形成與一字線陣列相交之一位元線陣列。該方法亦包含跨越一基板移動一印刷頭以沈積記憶體材料以形成一記憶體胞陣列，該等記憶體胞位於位元線與字線之交點處。該方法進一步包含將程式化電路反覆地定位在相對於該基板之複數個不同位置中及在該複數個不同位置之該等位置中之每一者中，使用該程式化電路將資料寫入至陣列之記憶體胞之一不同子組。在一項實施例中，記憶體胞之子組中之每一者可由陣列之一單個記憶體胞組成。在其他實施例中，記憶體胞之子組中之每一者可包括陣列之複數個記憶體胞。

程式化電路可藉由將陣列之一第一記憶體胞之磁極定向成一第一方向來將資料寫入至該第一記憶體胞，且可藉由將陣列之一第二記憶體胞之磁極定向成與該第一方向相反之一方向來對該第二記憶體胞進行寫入。

可將由程式化電路所寫入之資料稱為第一資料，且記憶體程式化方法可進一步包含在基板上形成一資料介面(例如，資料介面42)，舉例而言，一USB介面。該資料介面可經組態以自與該基板相異之一資料源接收第二資料，緩衝所接收第二資料，且藉由施加電壓及/或電流至字線及位元線而獨立於程式化電路將經緩衝第二資料儲存在記憶體 胞中。在一項實施例中，該資料源可係一電腦或經組態以發送及/或接收資料之其他裝置。

資料介面可提供與程式化電路相異之一種程式化記憶體胞之方法。在一項實施例中，程式化電路可在於一基板上印刷記憶體胞時且在曾形成或使用資料介面之前程式化陣列之記憶體胞。一旦已完全形成記憶體陣列，則可使用資料介面來更改程式化電路先前儲存於記憶體胞中之資料。

因此，程式化電路可在形成資料介面(例如，資料介面42)之前將第一資料寫入至記憶體胞(例如，記憶體胞22)。程式化電路可在資料介面自資料源接收任何資料之前將第一資料寫入至記憶體胞。程式化電路可獨立於資料介面將第一資料寫入至記憶體胞。程式化電路可在第一次使用資料介面來接收並緩衝來自任何資料源之資料之前將第一資料寫入至記憶體胞。

以說明方式，應注意，程式化電路寫入至記憶體胞之資料可包含二進制值之一任意混合，而非全部0、全部1或0與1之某一其他預定型樣。在一項實施例中，程式化電路寫入至記憶體胞之資料可係一影像、視訊、文件、資料庫、電子郵件等之資料。

應用本發明

通常將藉由以下方式實踐本發明：(1)將各種必需墨水以層形式施加至一基板(舉例而言，紙或Mylar膜)上；及(2)藉由在印刷期間及/或之後不久及/或在固化期間控制環境及/或施加必需外部影響，以使得完成記憶體不係空白 的而是包含所要資料。

以實例方式，本文中所闡述之方法可用於程式化諸如第12/604,300號美國專利申請案中所闡述之裝置之裝置。

10‧‧‧記憶體胞構造/構造

11‧‧‧記憶體胞構造/構造

12‧‧‧基板

14‧‧‧導電位元線/位元線

16‧‧‧記憶體程式化裝置

18‧‧‧字線/導電字線

20‧‧‧絕緣材料

22‧‧‧記憶體胞

22a‧‧‧記憶體胞

22b‧‧‧記憶體胞

22c‧‧‧記憶體胞

22d‧‧‧記憶體胞

22e‧‧‧記憶體胞

22f‧‧‧記憶體胞

22g‧‧‧記憶體胞

22h‧‧‧記憶體胞

22i‧‧‧記憶體胞

24‧‧‧程式化電路

26‧‧‧印刷頭

30‧‧‧陣列/記憶體陣列

32a‧‧‧目標區域

32b‧‧‧目標區域

32c‧‧‧目標區域

32d‧‧‧目標區域

32e‧‧‧目標區域

32f‧‧‧目標區域

32g‧‧‧目標區域

32h‧‧‧目標區域

32i‧‧‧目標區域

40‧‧‧紙/層壓紙張

42‧‧‧資料介面

44‧‧‧連接電路

圖1圖解說明根據一實施例之一基板上之一記憶體胞之一剖面圖及一記憶體程式化裝置。

圖2圖解說明根據一實施例之一基板上之一記憶體胞之一剖面圖。

圖3圖解說明根據一實施例之一記憶體胞陣列之一俯視圖。

圖4圖解說明根據一實施例之包括一記憶體胞陣列及一資料介面之一紙張。

10‧‧‧記憶體胞構造/構造

12‧‧‧基板

14‧‧‧導電位元線/位元線

16‧‧‧記憶體程式化裝置

18‧‧‧字線/導電字線

20‧‧‧絕緣材料

22‧‧‧記憶體胞

24‧‧‧程式化電路

26‧‧‧印刷頭

Claims (17)

1. 一種記憶體程式化方法，其包括：在印刷於一基板上之一導電位元線之一第一部分上方沈積記憶體材料以形成一記憶體胞；及使用接近該記憶體胞定位之程式化電路，藉由更改該記憶體胞之一特性來將資料儲存在該記憶體胞中，該特性在將該程式化電路移離該記憶體胞之後保持更改，其中該更改包括：施加一磁場至該記憶體胞，該磁場將該記憶體胞之磁極定向成一方向；及停止該磁場之該施加，儘管該磁場之該施加之該停止，但該記憶體胞之該等磁極保持該定向。
2. 如請求項1之方法，其中該程式化電路在該特性之該更改期間不與該記憶體胞實體接觸。
3. 如請求項1之方法，其中該更改包括：當該記憶體胞之至少一部分係處於一液態時更改該特性。
4. 如請求項1之方法，其中該基板包括紙。
5. 如請求項1之方法，其中該記憶體材料包括磁性墨水。
6. 如請求項1之方法，其中該沈積包括用一噴墨印刷頭沈積該記憶體材料。
7. 如請求項1之方法，其進一步包括在該資料之該儲存之後在該記憶體胞上方形成一字線，該字線跨越該位元線之該第一部分。
8. 一種記憶體程式化方法，其包括： 跨越一基板移動一印刷頭以在該基板上沈積導電墨水以形成與一字線陣列相交之一位元線陣列；跨越一基板移動一印刷頭以沈積記憶體材料以便形成一記憶體胞陣列，該等記憶體胞位於該等位元線與該等字線之交點處；將程式化電路反覆地定位在相對於該基板之複數個不同位置中；及在該複數個不同位置之該等位置中之每一者中，使用該程式化電路將資料寫入至該陣列之該等記憶體胞之一不同子組，其中由該程式化電路所寫入之該資料係第一資料，且該方法進一步包括在該基板上形成一資料介面，該資料介面經組態以自與該基板相異之一資料源接收第二資料、緩衝該所接收第二資料、且藉由施加電壓及/或電流至該等字線及位元線而獨立於該程式化電路將該經緩衝第二資料儲存在該等記憶體胞中。
9. 如請求項8之方法，其中該程式化電路藉由將該陣列之一第一記憶體胞之磁極定向成一第一方向來將資料寫入至該第一記憶體胞且藉由將該陣列之一第二記憶體胞之磁性定向成與該第一方向相反之一方向來對該第二記憶體胞進行寫入。
10. 如請求項8之方法，其中該程式化電路在該資料介面之該形成之前將該第一資料寫入至該等記憶體胞。
11. 如請求項8之方法，其中該程式化電路在第一次使用該資料介面來接收並緩衝來自任何資料源之資料之前將該 第一資料寫入至該等記憶體胞。
12. 如請求項8之方法，其中該等記憶體胞之該等子組中之每一者由該陣列之一單個記憶體胞組成。
13. 一種記憶體程式化裝置，其包括：一印刷頭，其跨越一基板移動以在該基板上沈積記憶體材料以便形成一記憶體胞陣列；及程式化電路，其耦合至該印刷頭，以使得該程式化電路與該印刷頭一起跨越該基板移動，且針對該陣列之個別記憶體胞，該程式化電路接近該個別記憶體胞定位並將資料寫入至該個別記憶體胞，其中該印刷頭形成該陣列之一第一記憶體胞，且該程式化電路在該印刷頭形成該陣列之一第二記憶體胞之前將資料寫入至該陣列之該第一記憶體胞。
14. 如請求項13之裝置，其中該程式化電路藉由更改該個別記憶體胞之一特性來將資料寫入至該記憶體胞，該特性在將該程式化電路移離該個別記憶體胞之後保持更改。
15. 如請求項13之裝置，其中該程式化電路藉由控制該印刷頭以在該陣列之記憶體胞中沈積儲存一第一二進制值之一第一記憶體材料，且在該陣列之記憶體胞中沈積儲存不同於該第一二進制值之一第二二進制值之一第二記憶體材料來將該資料寫入至該等記憶體胞，該第一記憶體材料具有不同於該第二記憶體材料之一電特性之一電特性。
16. 如請求項13之裝置，其中該程式化電路藉由施加一電場 及/或磁場至該個別記憶體胞來將資料寫入至該個別記憶體胞，且該記憶體程式化裝置防止當該程式化電路正將資料寫入至該個別記憶體胞時該場更改已寫入至該陣列之其他記憶體胞之資料。
17. 如請求項16之裝置，其中該記憶體程式化裝置藉由比該陣列之任何其他記憶體胞更靠近該個別記憶體胞定位該程式化電路來防止該場更改已寫入至該陣列之其他記憶體胞之該資料。