TWI526826B - 儲存至少一進內資料流所用之固態記憶器,含有一或以上攝影機之攝影機系統,以及把至少一資料流程式規劃至固態記憶器之方法 - Google Patents

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Description

儲存至少一進內資料流所用之固態記憶器,含有一或以上攝影機之攝影機系統,以及把至少一資料流程式規劃至固態記憶器之方法
本發明係關於固態記憶器,例如組織於目標內,各目標內含有一或以上之邏輯單位(LUN),各邏輯單位含一或以上之段,各段含一或以上之頁。此等機件係例如NAND快閃記憶器機件,按照開啟NAND快閃界面規格(ONFI)設計。
此等機件載於美國專利公告US 2008/0183949號,記載一種快閃記憶器之程式規劃方法。在此脈絡之程式規劃,凡精於此道之人士均知,是將位元書寫或儲存於快閃記憶器晶格內。在快閃記憶器上程式規劃資料,係每次程式規劃一頁的資料為之。若在資料流未來有足夠資料程式規劃一全頁,則在資料流未程式規劃之頁只能缺滿。若要程式規劃之資料流後來繼續進行,則其他全滿頁之間即有缺滿頁。此可稱為不足。更好的解決方案是,再讀出缺滿的資料頁,以稍後要書寫提供的資料補足其資料,再把全頁資料程式規劃至快閃記憶器。以附加閱讀和程式規劃週期為代價,減少缺滿頁。
美國專利公告US 2006/0136656記載段做為快閃記憶器的最小可抹除單位。又記載不易抹除的缺滿頁問題,因最小可抹除單位並非頁而是段之故。因此,快閃記憶器是不必要地消損了。
進行二邏輯單位間之變換操作時,也會引起缺滿頁的效應。當進行從第一邏輯單位變換成第二邏輯單位時,留在輸入緩衝器內之資料,即程式規劃至第一邏輯單位,然後才變換至第二邏輯單位。若隨後,資料經程式規劃至第一邏輯單位,則使用新頁對資料程式規劃,因此在邏輯單位內出現部份用過的頁。
按照開放NAND快閃界面規格(ONFI),對目標發出具有相對應邏輯單位號碼(LUN)、段址和頁址之「程式頁」命令,即可進行書寫資料於NAND快閃機件。其後,即把記憶器完整頁的資料,通常是數千位元組,書寫於選定邏輯單位之頁暫存器。對頁暫存器書寫滿頁時,邏輯單位開始把資料程式規劃於其記憶器陣列。於程式規劃之際,邏輯單位忙碌,可在第一頁的程式規劃完成後,把次頁書寫到邏輯單位之頁暫存器。俟完整頁已書寫至頁暫存器,而頁程式已開始,即可選用目標之其他邏輯單位。ONFI規格亦提供程式部份頁之可能性,但會牽連到額外程式規劃時間,而可達成之帶寬會減少。
下列程式規劃指令是按照ONFI規格界定:頁程式:資料寫至資料暫存器,在資料階段完成後,程式規劃才開始。
頁窖藏程式:資料寫至資料暫存器,俟資料階段完成後,資料暫存器之內容即複製至窖藏暫存器,程式規劃才開始。
頁程式插配:資料寫至一LUN的複數資料暫存器,在最後資料暫存器寫滿時,程式規劃才開始。
已知頁程式流程是用來書寫完整資料頁於NAND機件之頁暫存器,並開始程式規劃至記憶器陣列。各程序造成目標狀態機和邏輯單位狀態機的許多狀態變換。狀態機因程序而定之狀態變換如下:
插配操作得以對同一邏輯單位之不同段,發出同類之複數命令。已知插配頁程式流程,用來書寫完整資料頁於邏輯單位之複數獨立頁暫存器,在全部暫存器寫滿時,開始對記憶器陣列程式規劃。
*狀態T_PP_IlvWait程式操作之位址週期,旨在具有與前導程式操作所發出不同的插配段址。
若在目標的獨立LUN內記錄二獨立來源之資料,則上述過程之一光發至第一獨立來源用之第一LUN,俟完成書寫過程後,上述過程之一即發至第二LUN,把第二獨立來源之資料書寫至第二LUN。
當獨立共現資料需記錄於快款機件時,宜把不同流書寫於不同邏輯單位。以此正規策略更容易檔案管理,而邏輯單位之全帶寬保證可供記錄進內的資料流。若流內資料到達尺寸比頁尺寸為小之段,當一邏輯單位之全頁準備好程式規劃,即需把各流之資料窖藏於配置在快閃機件外的窖藏器,並書寫於NAND快閃機件。視流和邏輯單位量而定,在記憶器機件外面需要許多窖藏記憶器,而機件內面可得之頁暫存器則保留不用。
本發明之目的,在於提供一種固態記憶器以及固態記憶器之操作方法,減少缺滿頁的問題。本發明又一目的,在提供一種固態記憶器以及固態記憶器之操作方法,減少外面窖藏記憶器之需要,在複數進內資料流要程式規劃於快閃機件情況時,可用到內部頁暫存器。
為使用邏輯單位之頁暫存器,做為相對應進內資料流用之輸入緩衝器,活性邏輯單位必須變換成依賴於現時進內流之性質,即使其他邏輯單位上之頁尚未完全寫碼。ONFI規格不能定址此問題,且不能提供專用機制。
按照本發明,儲存至少一進內資料流用之固態記憶器,在目標內有複數邏輯單位,各邏輯單位有至少一頁,可供資料程式規劃於記憶器。固態記憶器含有內部緩衝記憶器,倡稱為頁暫存器,在進內資料程式規劃於至少一頁之前,可供暫時儲存進內的資料流。又,要進行不同邏輯單位間之變換操作時,內部緩衝記憶器可保有尚未程式規劃之資料。此優點是遇到從第一邏輯單位變換成第二邏輯單位時,尚未足夠完整寫滿一頁的剩餘資料,即不需程式規劃,而保持在頁暫存器內。若後來,有更多資料提供給此邏輯單位,此資料即加至剩餘資料,而剩餘資料即和新資料一起程式規劃為全頁。如此可增進把特定邏輯單位程式規劃之總體位元率,因為省略對部份頁的程式規劃。由於全頁和部份頁的程式規劃需幾乎同時,故在任何可能情況下,小心只對全頁程式規劃時,對特定資料量的程式規劃必要之程式規劃週期較少。又,在固態記憶器機件內部份填寫資料時之固態記憶器內頁數問題,即可略掉。固態記憶器可更有效使用。
固態記憶器宜組織成目標群,其中各目標含有至少一邏輯單位。各邏輯單位設有頁暫存器,供暫時儲存欲程式規劃於此邏輯單位之進內資料。又,各邏輯單位含至少一段。抹除記憶器係逐段為之。各段含至少一頁。欲儲存於一頁內之資料,同時經程式規劃。
固態記憶器之各邏輯單位最好具有內部緩衝器,在資料程式規劃於諸頁之前,可供暫時儲存進入資料流。內部緩衝器之尺寸,係至少一頁尺寸加上頁在程式規劃週期當中以可能最高輸入位元率接收之資料尺寸,因此:
尺寸內部緩衝器 尺寸+時間頁程式週期*位元率輸入資料
此優點是在頁程式規劃之際,內部緩衝器亦可接收資料供次頁程式規劃。例如二頁尺寸的內部緩衝器,若輸入資料的位元率夠高,可接收另頁程式規劃週期當中所程式規劃的全頁用資料。因此,減少總體等候時間,且進一步增進固態記憶器之位元率。
儲存機件宜為NAND快閃機件,按照開放NAND快閃界面(ONFI)規格操作。若不同邏輯單位間進行變換時,ONFI規格未預料到特殊演算,以省略部份程式規劃之頁,而在部份之頁程式規劃情況下,減少程式規劃時間,亦即程式規劃位元率。所擬議記憶器機件之優點是,基本上按照ONFI規格,同時省略部份頁。本發明機件只脫離ONFI標準之已知實施方式。仍然使用ONFI標準之程式指令。如先前技術已知的脫離實施規則,並不違背ONFI標準。因此,本發明機件仍視為順應ONFI標準。又因程式規劃的是整頁,可減少程式規劃時間。此外,本發明涉及固態儲存機件,係以頁定向方式操作,可例如應用於流送法的應用,尤其是若干視訊來源之並式流送,做為中央儲存機件以捕集研究環境之測量資料,尤其是在並式或類似環境裡捕集若干測量資料流。
固態記憶器最好是具有一或以上攝影機的視訊捕集(按:意即影像拍攝)攝影系統之一部份。攝影機發生之資料即提供給固態記憶器機件。固態記憶器宜把不同攝影機捕集的資料流,儲存於不同邏輯單位。攝影機系統最好能提供3D視訊捕集。在此情況下,發生若干視訊流,至少其一為高資料率。該視訊資料流必須即時並式儲存。固態記憶器提供攝影機系統之上述若干優點。把不同攝影機的資料流儲存於不同邏輯單位,優點是提供容易檔案結構,資料係按照層系式記憶器結構組織。因此,特別使用具有一攝影機以上的攝影機系統,一如3D捕集之付託,必須把複數資料流加以同時儲存。此外,由攝影機的資料流輸出,往往有高資料率。使用高解像度攝影機(HD),一攝影機之資料流例如達Gbits/s(每秒2秭位元)。本發明固態儲存器特別有益於此類系統,因為儲存機件之輸入資料率,不會因獨寫缺滿頁而必要減少。在具有複數攝影機之系統內利益大,其中不同攝影機的資料流,係儲存在不同的邏輯單位內,因為在此等系統內,不同邏輯間有規則性變換,不在一週期內書寫或只部份書寫的諸頁,經常會引起問題。除3D捕集外,多維度捕集也是軟片業的焦點。本發明亦專用於即時在多維度環境之風景捕集。
最好有實施方法以操作包括至少一邏輯單位之固態儲存機件。各邏輯單位包括至少一頁,各次把一頁程式規劃。在本發明方法中,至少一進內資料流係依序輸入固態記憶器。資料暫時儲存於內部緩衝器,即頁暫存器。內部緩衝器係例如上述緩衝器,分配於邏輯單位。進行核對步驟,看內部緩衝器含資料量是否足夠程式規劃一整頁。若內部緩衝器含足夠資料供一整頁程式規劃,即程式規劃至少一整頁。足夠一整頁的資料,剛好比一整頁必要之資料稍多,但亦可為足夠充填若干整頁之資料。若在不同邏輯單位間進行變換操作,則現時活性的邏輯單位內部緩衝器尚未程式規劃之資料,即保存於內部緩衝器。然後進行邏輯單位間之變換。此優點是在從第一邏輯單位變換到第二邏輯單位之前,未填滿一整頁之剩餘資料不需加以程式規劃,而是保存在內部緩衝器,變換完成之後,依然保存。若後來有更多資料提供給此邏輯單位,此資料即加到剩餘資料,而剩餘資料和新資料即一同程式規劃成一全頁。如此即減少總程式規劃時間,因部份頁之程式規劃,與全頁的程式規劃所需處理時間大致相同。因此,只將全頁程式規劃,可增進程式規劃帶寬。再者,在固態記憶器機件內,於一程式規劃週期當中,只部份充填資料之諸頁問題,即可消弭。固態記憶器可以更加有效使用。
此方法宜用於把不同攝影機捕集的輸入資料流,儲存在不同的邏輯單位。把不同攝影機的資料流儲存於不同邏輯單位的優點是,提供容易檔案結構,而資料是按照層系式記憶器結構組織。因此,特別使用具有一個攝影機以上的攝影機系統,一如3D捕集之付託,必須把複數資料流加以同時儲存。此外,利用攝影機的資料流輸出,通常有高資料率。使用高解像度攝影機(HD),一攝影機的資料流例如達2 Gbites/s。所提供的固態儲存器特別有用於此等系統,因為儲存器的輸入資料率,不因讀寫部份頁,而有不必要的降低。在具有複數攝影機的系統內益處大,其中不同攝影機的資料流儲存在不同的邏輯單位內,因為在如此系統內規則性進行不同邏輯單位間之變換,常常引起部份頁的問題。除3D捕集外,多維度捕集也是軟片業的焦點。本發明亦可專用於多維度環境內之風景捕集。
本方法最好按照開放NAND快閃界面(ONFI)規格操作。宜在資料暫存器內接到一邏輯單位之資料後,於邏輯單位要進行變換情形時,使用頁程式插配命令11h,把目標設定於L_PP_Ilv_Wait狀態。使用此命令,把邏輯單位設定於L_PP_Ilv_Wait狀態。隨後,目標保持L_PP_Ilv_Wait狀態,而邏輯單位保持L_PP_Ilv_Wait狀態,直到LUN的資料暫存器填到滿頁。然後,使用命令10h或15h把此等資料程式規劃至一頁。使用命令10h或15h把全頁程式規劃至邏輯單位後,把目標設定於T_PP_LUN_DataWait狀態,邏輯單位設定於L_PP_WaitForData狀態,以防目標把資料從定址邏輯單位的頁暫存器刪除。
為更加明瞭本發明起見,茲參照附圖詳述如下。須知本發明不限於此等具體例,而特定之特點亦可權宜組合和/或修飾,不違本發明之範圍。
第1圖表示NAND快閃記憶器之結構,按照本發明利用ONFI規格命令集合操作。NAND快閃記憶器組織成目標。目標含有一或複數邏輯單位LOGICAL UNIT 0,LOGICAL UNIT 1,...,LOGICAL UNIT L,各邏輯單位LOGICAL UNIT 0,LOGICAL UNIT 1,...,LOGICAL UNIT L含複數段BLOCK 0,BLOCK 1,...,BLOCK M,而段BLOCK 0,BLOCK 1,...,BLOCK M含複數頁PAGE 0,PAGE 1,...,PAGE N。頁PAGE 0,PAGE 1,...,PAGE N典型上為讀寫單位。意即一頁含有在一步驟內可以讀寫的最少資料量。段BLOCK 0,BLOCK 1,...,BLOCK M典型上為抹除單位。意即一段含有在一步驟可以抹除的最少資料量。邏輯單位LOGICAL UNIT 0,LOGICAL UNIT 1,...,LOGICAL UNIT L係單獨操作之操作單位。各邏輯單位LOGICAL UNIT 0,LOGICAL UNIT 1,...,LOGICAL UNIT L含有頁暫存器PAGE REGISTER,可暫時儲存要讀寫的資料。又,各邏輯單位含控制器單位CU_LU_0,CU_LU_1,...,CU_LU_L,供操作邏輯單位LOGICAL UNIT 0,LOGICAL UNIT 1,...,LOGICAL UNIT L。目標TARGET又含有目標控制單位CU_TRG,以控制在目標水準上之機件。
第2圖是本發明機件的程式流程。步驟S1核對是否有進內資料。
若有進內資料(「是」),步驟S2把頁程式命令80h寫在快閃目標。步驟S3把LUN址、段址、頁址和欄址寫在NAND快閃目標之頁暫存器。步驟S4書寫次一資料字組於NAND快閃目標。步驟S5再核對在快閃目標的頁暫存器內是否有完整頁。
若有完整頁(「是」),步驟S8使用頁程式10h或頁窖藏程式15h命令,把資料儲存於快閃目標之各頁。步驟S9遞增頁址和段址。然後,步驟S10把進一步頁程式命令80h寫在快閃目標。步驟S11把LUN址、段址、頁址和欄址寫在NAND快閃目標之頁暫存器。
在步驟S5若無完整頁(「否」),即進行S6。在步驟S11後亦進行步驟S6。步驟6核對是否有剩餘位元組。若有剩餘位元組(「是」),此方法即進行步驟S4。若無剩餘位元組(「否」),步驟S7把插配命令11h寫在NAND快閃目標,方法進行步驟S1。
步驟S1若無進內資料(「否」),在步驟S12核對到達記錄結束。若未到記錄結束(「否」),方法繼續進行步驟S1。若到達記錄結束(「是」),步驟S13核對是否在暫存器內留有未完成頁。
若暫存器內有未完成頁(「是」),步驟S14把頁程式命令80h寫在NAND快閃目標,而在步驟S15把LUN址、段址、頁址和欄址寫在NAND快閃機件。然後,方法又進行步驟S8。
步驟S13若在暫存器內無留下未完成頁(「否」),步驟S16進行使用頁程式10h或頁窖藏程式15h命令,把資料儲存於快閃目標之各頁。然後,重新開始步驟S1。
須知把資料儲存於邏輯單位內之頁上,使用頁程式命令或窖藏頁程式命令需要二週期。在第一週期,頁程式和窖藏頁程式二者均使用80h命令啟動。在第二週期,為頁程式發出10h命令,為窖藏頁程式發出15h命令。
第3圖表示本發明目標狀態圖。本發明目標狀態圖分別視為相當於ONFI標準之目標狀態圖。初始狀態是T_Idle。接到命令後,在T_Cmd_Decode狀態中,目標把接到的命令解碼。若解碼之命令為頁程式80h命令,目標變換成T_PP_Execute狀態。然後,目標把tLastCmd設定於80h。若R/B#清除到零,則tbStatus78hReq設定於TRUE。此外,要求全部LUN清除其頁暫存器。然後,目標在T_PP_AddrWait狀態,等待位址週期。接到位址週期後,把接到的位址週期儲存在T_PP_Addr狀態。如需要又一位址週期時,目標即變換回到T_PP_AddrWait,去接收次一位址週期。若不需又一位址週期,目標變換到T_PP_LUN_Execute狀態。選擇所接到橫列位址指示的LUN,目標即對LUN發出程式。然後,目標在T_PP_LUN_DataWait狀態,等待從主機接到資料字組或命令週期,在T_PP_LUN_DataPass狀態,把資料字組傳接到所選擇的LUN。在L_PP_LUN_DataWait接報命令時,目標變換到T_PP_Cmd_Pass狀態。然後把命令傳接到各LUN。若命令係11h命令,目標變換至T_PP_Ilv_Wait狀態,等待發出次一命令。若此命令為頁程式80h,按照上述方法把次一位元組寫在LUN。另方面,若命令係10h或15h命令,目標回到初始狀態T_Idle。
第4圖描示本發明邏輯單位狀態圖。分別考量的本發明邏輯單位狀態流程,相當於按照ONFI標準之邏輯單位狀態流程。初始狀態為L_Idle。為此LUN接到目標要求後,LUN變換至L_Idle_TargetRequest狀態,等待目標發出命令。若目標指示程式要求,LUN變換至L_PP_Execute,再至L_PP_Addr,記錄由目標接到的位址。又,基於插配位址選擇正確頁暫存器,並按照接到的直行位址選擇頁暫存器。然後,LUN在L_PP_WaitForData和L_PP_AcceptData狀態,接收目標傳接的資料。若LUN即接到11h命令,LUN即變換至L_PP_Ilv_Wait狀態,直到目標為此LUN要求又一程式命令。若LUN在L_PP_WaitForData狀態接到10h或15h命令,LUN變換至L_PP_Prog,L_PP_ProgWait和L_PP_Sts狀態,把各資料程式規劃至各頁。
為更詳細表示本發明方法起見,第5圖表示固態記憶器之狀態圖,包括本發明一目標和二邏輯單位。圖示目標狀態與相對應邏輯單位LU1,LU2之可容許組合。須知本發明方法亦可應用於含二邏輯單位以上之至少一目標。為簡明起見,只表示發出第一週期80h或第二週期10h/15h的頁程式命令或頁窖藏程式命令,或是插配命令11h之狀態。須知為了從目標和各LUN第一狀態變換至第二狀態,在第一和第二狀態之間亦須按照第3和4圖進行狀態變換。狀態變換之進行正如ONFI規格所述。
在初始狀態S50,目標在閒置狀態T_Idle。LUNs也在閒置狀態L_Idle。若為LU1接到第一週期80h的頁程式命令,即作動S51狀態。因此,目標便換至T_PP_LUN_DataWait,而LU1變換至L_PP_WaitForData。LU2未改變狀態。因此,LU1如今已準備接收資料。在LU1接收資料後,核對是否發出第二週期之頁程式10h或頁窖藏程式15h。在此情況,資料被程式規劃至第一邏輯單位LU1之一頁,而狀態機變換回到閒置狀態S50。若為LU1發出插配命令11h,目標變換至T_PP_Ilv_Wait,而LU1變換至L_PP_Ilv_Wait。LU2停留在L_Idle狀態。此相當於第5圖之S52。因此,不論為邏輯單位LU1或LU2,可發出第一週期之又一頁程式命令80h。為LU1發出頁程式命令80h時,狀態機變換回到狀態S51。為LU2發出頁程式命令80h時,狀態機變換至S53。欲對第二邏輯單位發出第一週期的頁程式80h命令,先對第一邏輯單位發出插配11h命令,形成本發明方法特性之一部份。粗箭頭即表示狀態過渡。目標則在T_PP_LUN_DataWait狀態等待主機的新資料或新命令,LU1在L_PP_Ilv_Wait狀態等待,而LU2在L_PP_WaitForData等待接收資料。因此,按照本發明方法從LU1變換至LU2時,頁暫存器內之資料不會從LU1損失,此為本發明優點之一。
對LU2發出第一週期的命令後,到達S53狀態,因此在S53狀態,容許有頁程式命令10h、頁窖藏程式命令15h或專用於LU2之第二週期的插配命令11h。發出對LU2專用的頁程式命令10h或頁窖藏程式命令15h,導致目標的T_Idle狀態和LU2的L_Idle狀態。此相當於第5圖之S54狀態。從S54狀態可為LU1或LU2發出第一週期之頁程式80h或頁窖藏程式80h命令。若對LU1發出80h命令,狀態機即變換至S51狀態。若對LU2發出80h命令,則狀態機變換至S53。
若在S53狀態對LU2發出插配11h命令,目標變換至T_PP_Ilv_Wait,而LU2變換至L_PP_Ilv_Wait。由於LU1停留在L_PP_Ilv_Wait,狀態機即在S59狀態,準備為LU1或LU2接收第一週期之次一要求。若對LU1發出80h命令,狀態機變換至S57狀態,等待為LU1之命令。從為LU2接收插配命令到達之狀態S59,變換到狀態機等候頁程式命令10h之狀態S57,專用於LU1之第二週期的頁窖藏程式命令15h或插配命令11h,為本發明之一部份。如果為LU2利用插配命令11h到達S59狀態,已知方式是在S59狀態接收第一週期之頁程式命令80h。狀態機即會變換回到S53狀態,為LU2等待命令,一如前述。
若為其他邏輯單位相對應發出命令,則狀態S55、S56、S57和S58及其狀態變換,相當於狀態S51、S52、S53和S54及其狀態變換。詳情即省略不述。
因此,本發明程式流程是使用插配頁程式11h,把目標和LUN分別帶到等到額外資料的狀態T_PP_Ilv_Wait和L_PP_Ilv_Wait。此即為第5圖之狀態S52、S56和S59。按照本發明,可於第一邏輯單位之頁暫存器,書寫小於一頁尺寸的小資料段,變換至另一邏輯單位,以及在變換回到第一邏輯單位後,繼續寫在第一邏輯單位之頁暫存器,然後得以把整頁程式規劃至第一邏輯單位。
把例如不同資料源的資料,書寫於不同LUN之程式流程如下。
*T_PP_IlvWait的頁程式操作用之位址週期,具有與先前頁程式操作中發出者同樣之插配段址,惟欄址遞增至把其他資料段置於頁暫存器內之正確位置。
S1...核對是否有進內資料之步驟
S2...把頁程式命令80h寫在快閃目標之步驟
S3...把LUN址、段址、頁址和欄址寫在NAND快閃目標之步驟
S4...書寫次一資料字組於NAND快閃目標之步驟
S5...核對在快閃目標的頁暫存器內是否有完整頁之步驟
S6...核對是否有剩餘位元組之步驟
S7...把插配命令11h寫在NAND快閃目標之步驟
S8...使用頁程式10h或頁窖藏程式15h命令把資料儲存於快閃目標之步驟
S9...遞增頁址和段址之步驟
S10...把頁程式命令80h寫在快閃目標之步驟
S11...把LUN址、段址、頁址和欄址寫在NAND快閃目標之步驟
S12...核對到達記錄結束之步驟
S13...核對是否在暫存器內留有未完成頁之步驟
S14...把頁程式命令80h寫在NAND快閃目標之步驟
S15...把LUN址、段址、頁址和欄址寫在NAND快閃目標之步驟
S16...使用頁程式10h或頁窖藏程式15h命令把資料儲存於d快閃目標之步驟
S50...T_Idle,LU1:L_Idle,LU2_Idle之初始狀態
S51...T_ReceiveDate,LU1:L_ReceiveDate,LU2:L_Idle之狀態
S52...T_Wait,LU1:L_Wait,LU2:L_Idle之狀態
S53...T_ReceiveDate,LU1:L_Wait,LU2:L_ReceiveDate之狀態
S54...T_Idle,LU1:L_Wait,LU2:L_Idle之狀態
S55...T_ReceiveDate,LU1:L_Idle,LU2:L_ReceiveDate之狀態
S56...T_Wait,LU1:L_Idle,LU2:L_Wait之狀態
S57...T_ReceiveDate,LU1:L_ReceiveDate,LU2:L_Wait之狀態
S58...T_Idle,LU1:L_Idle,LU2:L_Wait之狀態
S59...T_Wait,LU1:L_Wait,LU2:L_Wait之狀態
第1圖表示固態記憶器機件之層系式結構;
第2圖表示本發明固態記憶器機件之操作方法;
第3圖表示本發明目標之狀態圖;
第4圖表示本發明邏輯單位之狀態圖;
第5圖表示本發明固態記憶器包括一目標和二邏輯單位之狀態圖。
S50...T_Idle,LU1:L_Idle,LU2_Idle之初始狀態
S51...T_ReceiveDate,LU1:L_ReceiveDate,LU2:L_Idle之狀態
S52...T_Wait,LU1:L_Wait,LU2:L_Idle之狀態
S53...T_ReceiveDate,LU1:L_Wait,LU2:L_ReceiveDate之狀態
S54...T_Idle,LU1:L_Wait,LU2:L_Idle之狀態
S55...T_ReceiveDate,LU1:L_Idle,LU2:L_ReceiveDate之狀態
S56...T_Wait,LU1:L_Idle,LU2:L_Wait之狀態
S57...T_ReceiveDate,LU1:L_ReceiveDate,LU2:L_Wait之狀態
S58...T_Idle,LU1:L_Idle,LU2:L_Wait之狀態
S59...T_Wait,LU1:L_Wait,LU2:L_Wait之狀態

Claims (12)

  1. 一種固態記憶器,供程式規劃至少二資料流,該固態記憶器包含:一目標,具有至少二邏輯單位,各邏輯單位具有至少一頁,其中每次程式規劃一頁,該目標構成把至少二資料流之各一,儲存於至少二資料流之一所設址該至少二邏輯單位之不同單位;各邏輯單位含有內部緩衝記憶器,構成進內資料由邏輯單位關聯的內部緩衝記憶器,程式規劃為關聯邏輯單位之至少一頁以前,暫時儲存針對至少二邏輯單位的關聯單位之進內資料流;內部緩衝記憶器,於各邏輯單位內,構成在進行變換操作至不同邏輯單位時,可被控制保持尚未程式規劃至關聯邏輯單位之資料;該固態記憶器含有控制單位,供控制目標和至少二邏輯單位,其中控制單位構成:核對與至少二邏輯單位所設址之一有關聯的內部緩衝記憶器,是否含有至少一整頁之資料,有待程式規劃入關聯之邏輯單位內;當核對為正面,即把至少一頁程式規劃入至少二邏輯單位中所設址之一內;當在至少二邏輯單位的不同邏輯單位間,進行切換操作時,把尚未經程式規劃於所設址邏輯單位內之資料,保持在與至少二邏輯單位所設址之一關聯的內部緩衝記憶器內;使用命令10h或15h,於全頁程式規劃到所設址之一邏輯單位後,把目標設定於T_PP_LUN_DataWait狀態,並把目標之邏輯單位設定於L_PP_WaitForData狀態,以防目標被從與至少二邏輯單位中所設址之一關聯的內部緩衝記憶器刪除資料;其中固態記憶器為NAND快閃機件,按照開放 NAND快閃界面(ONFI)規格實施,又其中在此界定之狀態和命令,係符合ONFI規格者。
  2. 如申請專利範圍第1項之固態記憶器,其中各邏輯單位含至少一段,係記憶器之最小可抹除單位;而各段含有至少一頁,係記憶器之最小可程式規劃單位者。
  3. 如申請專利範圍第1項之固態記憶器,其中邏輯單位的內部緩衝器至少其一,具有可供儲存全頁和在頁程式規劃週期當中以最高可容許輸入位元率所接收資料之最小尺寸者。
  4. 如申請專利範圍第2項之固態記憶器,其中邏輯單位的內部緩衝器至少其一,具有可供儲存全頁和在頁程式規劃週期當中以最高可容許輸入位元率所接收資料之最小尺寸者。
  5. 一種攝影機系統,含有一或以上攝影機,其中攝影機系統含申請專利範圍第1項之固態記憶器者。
  6. 一種攝影機系統,含有一或以上攝影機,其中攝影機系統含申請專利範圍第3項之固態記憶器者。
  7. 一種攝影機系統,含有一或以上攝影機,其中攝影機系統含申請專利範圍第4項之固態記憶器者。
  8. 如申請專利範圍第5項之攝影機系統,其中含有至少二攝影機,而不同攝影機攝取之資料流,儲存於不同之邏輯單位內者。
  9. 一種程式規劃方法,把至少二資料流程式規劃於固態記憶器,該固態記憶器包括一目標,具有至少二邏輯單位,各邏輯單位包括至少一頁,每次程式規劃一頁,此方法包括步驟為:把該至少二資料流,依序輸入於固態記憶器內;把資料從與至少二邏輯單位的不同邏輯單位關聯之該至少二資料流,儲存在不同邏輯單位內所含之內部緩衝記憶器 內,其中該項儲存包括,把至少二資料流各儲存於,至少二資料流之一所設址該至少二邏輯單位的不同一個單位,且其中至少二邏輯單位各含有其本身之內部緩衝記憶器;核對與所設址至少二邏輯單位之一關聯的內部緩衝記憶器,是否含至少一整頁之資料,有待程式規劃於關聯之邏輯單位內;若核對步驟為肯定,即把至少一頁程式規劃為至少二邏輯單位中所設址之一;當在至少二邏輯單位的不同邏輯單位間進行變換操作時,把尚未程式規劃入所設址邏輯單位之資料,保持在與至少二邏輯單位中被設址之一關聯的內部緩衝記憶器內;在全頁程式規劃於邏輯單位所設址之一後,使用命令10h或15h,把目標設定於T_PP_LUN_DataWait狀態,並把目標之邏輯單位設定於L_PP_WaitForData狀態,以防從與至少二邏輯單位所設址之一關聯的內部緩衝記憶器,刪除資料;其中固態記憶器為NAND快閃機件,其中該方法是按照開放NAND快閃界面(ONFI)規格進行,且其中狀態和所界定命令與ONFI規格相符者。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法,其中輸入資料流係由具有不同攝影機之攝影機系統所拍攝者。
  11. 如申請專利範圍第9項之方法,又包括步驟為:在資料暫存器內接到資料後,使用頁程式插配命令11h,把目標設定於T_PP_Ilv_Wait狀態,並把邏輯單位設定於L_PP_Ilv_Wait狀態;保持目標於T_PP_Ilv_Wait狀態,並保持邏輯單位於L_PP_Ilv_Wait狀態,直到邏輯單位號碼之資料暫存器充填滿頁;使用命令10h或15h,把此等資料程式規劃於一頁者。
  12. 如申請專利範圍第10項之方法,又包括步驟為:在資料暫存器內接到資料後,使用頁程式插配命令 11h,把目標設定於T_PP_Ilv_Wait狀態,並把邏輯單位設定於L_PP_Ilv_Wait狀態;保持目標於T_PP_Ilv_Wait狀態,並保持邏輯單位於L_PP_Ilv_Wait狀態,直到邏輯單位號碼之資料暫存器充填滿頁;使用命令10h或15h,把此等資料程式規劃於一頁者。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9588883B2 (en) 2011-09-23 2017-03-07 Conversant Intellectual Property Management Inc. Flash memory system
CN103914397B (zh) * 2013-01-09 2018-01-30 深圳市江波龙电子有限公司 闪存存储设备及其管理方法
US10396741B2 (en) 2015-05-14 2019-08-27 Voyetra Turtle Beach, Inc. Headset with programmable microphone modes
WO2018136094A1 (en) * 2017-01-23 2018-07-26 Micron Technology, Inc. Partially written block treatment
US11354357B2 (en) * 2019-01-29 2022-06-07 Sap Se Database mass entry insertion
US11132292B2 (en) * 2019-12-10 2021-09-28 Micron Technology, Inc. Active input/output expander of a memory sub-system
KR20220021796A (ko) * 2020-08-14 2022-02-22 에스케이하이닉스 주식회사 스토리지 장치 및 그 동작 방법
WO2022204946A1 (en) 2021-03-30 2022-10-06 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Three-dimensional memory device and method for enhanced page register reset

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0618535B1 (en) 1989-04-13 1999-08-25 SanDisk Corporation EEPROM card with defective cell substitution and cache memory
US8037234B2 (en) 2003-12-02 2011-10-11 Super Talent Electronics, Inc. Command queuing smart storage transfer manager for striping data to raw-NAND flash modules
US8108590B2 (en) * 2000-01-06 2012-01-31 Super Talent Electronics, Inc. Multi-operation write aggregator using a page buffer and a scratch flash block in each of multiple channels of a large array of flash memory to reduce block wear
US6426893B1 (en) 2000-02-17 2002-07-30 Sandisk Corporation Flash eeprom system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks
US6760805B2 (en) 2001-09-05 2004-07-06 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Flash management system for large page size
JP2006003966A (ja) 2004-06-15 2006-01-05 Oki Electric Ind Co Ltd フラッシュメモリの書込方法
US7882299B2 (en) 2004-12-21 2011-02-01 Sandisk Corporation System and method for use of on-chip non-volatile memory write cache
KR100713984B1 (ko) 2005-09-15 2007-05-04 주식회사 하이닉스반도체 멀티-플레인 구조를 갖는 비휘발성 메모리 장치의 프로그램방법
US7652922B2 (en) 2005-09-30 2010-01-26 Mosaid Technologies Incorporated Multiple independent serial link memory
US7428610B2 (en) * 2006-02-14 2008-09-23 Atmel Corporation Writing to flash memory
KR100694978B1 (ko) 2006-05-12 2007-03-14 주식회사 하이닉스반도체 데이터 입출력 속도를 증가시키는 구조를 가지는 플래시메모리 장치 및 그 데이터 입출력 동작 방법
US7809994B2 (en) 2006-05-17 2010-10-05 Sandisk Corporation Error correction coding for multiple-sector pages in flash memory devices
US7953954B2 (en) 2007-01-26 2011-05-31 Micron Technology, Inc. Flash storage partial page caching
KR100866959B1 (ko) * 2007-02-13 2008-11-05 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치의 부분 페이지 데이터 기입 방법
WO2009079014A1 (en) * 2007-12-18 2009-06-25 President And Fellows Of Harvard College Nand implementation for high bandwidth applications
ATE509350T1 (de) * 2007-12-21 2011-05-15 Em Microelectronic Marin Sa Lesevorrichtung eines nichtflüchtigen speichers mit geringem energieverbrauch und ihr anwendungsverfahren
US8001316B2 (en) 2007-12-27 2011-08-16 Sandisk Il Ltd. Controller for one type of NAND flash memory for emulating another type of NAND flash memory
US20090187701A1 (en) 2008-01-22 2009-07-23 Jin-Ki Kim Nand flash memory access with relaxed timing constraints

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