TWI526134B - 配線電路基板及其製造方法以及燃料電池 - Google Patents

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Description

配線電路基板及其製造方法以及燃料電池
本發明係關於配線電路基板及其製造方法以及具備配線電路基板之燃料電池。
於行動電話等之移動機器，需求著小型且高容量的電池。在此，與鋰二次電池等之從前的電池相比，可以得到高能量密度的燃料電池的開發正在進行著。作為燃料電磁，例如有直接甲醇型燃料電池(Direct Methanol Fuel Cells)。
在直接甲醇型燃料電池，甲醇藉由觸媒分解，產生氫離子。藉由使該氫離子與空氣中的氧反應而產生電力。在此場合，可以極有效率地把化學能變換為電能，可以得到非常高的能量密度。
在日本專利特開2004-200064號公報，記載著燃料極、空氣極以及高分子電解質膜所構成的膜電極接合體被配置於基板上的導體層間的燃料電池。膜電極接合體的燃料極及空氣極與基板上的導體層是導電連接的。
在記載於特開2004-200064號公報的燃料電池，設有為了在燃料極使燃料流通之用的流通構造及在空氣極使空氣流通之用的流通構造。然而，燃料極與空氣極長時間接觸燃料的話，燃料極及空氣極會腐蝕。因此，燃料極及空氣極的電阻增加。結果，使得燃料極及空氣極的集電效率 降低。
本發明之目的在於提供防止導體層的腐蝕同時減低導體層的電阻之配線電路基板及其製造方法以及具備配線電路基板之燃料電池。
(1)依照本發明之一局面之配線電路基板，具備：絕緣層、具有特定的圖案且具有第1及第2主面以及側面，同時以第2主面與絕緣層對向的方式被形成於絕緣層上的導體層、被形成於導體層的第1主面及側面之至少一部分的區域上，對酸具有比導體層更高的耐蝕性的障蔽層、以及覆蓋導體層之第1主面及側面以及障蔽層的導電性之覆蓋層。
於此配線電路基板，以第2主面對向於絕緣層的方式，於絕緣層上形成具有特定圖案的導體層。於導體層的第1主面及側面之至少一部分區域上形成對酸具有比導體層更高的耐蝕性的障蔽層，同時導體層的第1主面及側面以及障蔽層藉由導電性的覆蓋層來覆蓋。
此場合，防止蟻酸等燃料電池的副生成物附著於導體層。藉此，防止導體層的腐蝕。此外，防止導體層與覆蓋層之間的接觸電阻的增加。結果，可以有效率地對外部供給燃料電池的電力。
(2)障蔽層亦可含有雜環化合物。在此場合，可以容易提高障蔽層之對酸的耐蝕性。
(3)雜環化合物，亦可含有氮。在此場合，可以更容易提高障蔽層之對酸的耐蝕性。
(4)雜環化合物，亦可含有唑系化合物。在此場合，可以進而更容易提高障蔽層之對酸的耐蝕性。
(5)雜環化合物，亦可含有四唑誘導體、二唑誘導體、噻二唑誘導體及三唑誘導體之中至少一種。在此場合，可以進而更容易提高障蔽層之對酸的耐蝕性。
(6)雜環化合物，亦可含有以下列式(1)所示之四唑誘導體、R1及R2表示相同或者不同之氫原子或置換基。在此場合，可以進而更容易提高障蔽層之對酸的耐蝕性。
(7)雜環化合物，亦可含有以下列式(2)所示之苯並三唑誘導體、R3及R4表示相同或者不同之氫原子或置換基。在此場合，可以進而更容易提高障蔽層之對酸的耐蝕性。
(8)障蔽層的厚度，亦可為1nm以上1000nm以下。在此場合，可以充分防止導體層的腐蝕。此外，可以提 高導體層與覆蓋層之密接性以及導體層與覆蓋層之間的導電性。
(9)覆蓋層，亦可含有樹脂組成物。在此場合，配線電路基板之可撓性變得良好。
(10)樹脂組成物，亦可包含苯酚樹脂、環氧樹脂、聚酯樹脂、聚氨基甲酸乙酯樹脂及聚醯亞胺樹脂之中之至少1種。
在此場合，配線電路基板之可撓性變得更為良好。特別是樹脂組成物包含苯酚樹脂或環氧樹脂的場合，配線電路基板的可撓性變得良好而且耐藥品性也變得良好。
(11)覆蓋層，亦可含有導電材料。在此場合，可以更充分確保覆蓋層之導電性。
(12)導電材料，亦可含有碳材料及金屬材料中至少一方。在此場合，可以進而充分確保覆蓋層之導電性。
(13)依照本發明之其他局面之燃料電池，係具備電池要素、作為電池要素的電極而配置的依照本發明之一局面的配線電路基板、收容電池要素及配線電路基板的筐體者。
於此燃料電池，電池要素及前述配線電路基板被收容於筐體內。電池要素之電力，通過配線電路基板的導體層被取出至筐體的外部。
於配線電路基板，防止酸等燃料電池的副生成物附著於導體層。藉此，防止導體層的腐蝕。此外，防止導體層與覆蓋層之間的接觸電阻的增加。結果，可以有效率地對 外部供給燃料電池的電池要素的電力。
(14)本發明之進而依照其他局面的配線電路基板之製造方法，其特徵為包含：把具有特定的圖案且具有第1及第2主面以及側面的導體層，以第2主面與絕緣層對向的方式被形成於絕緣層上的步驟、以及於導體層的第1主面及側面之至少一部分的區域上，形成對酸具有比導體層更高的耐蝕性的障蔽層、同時形成覆蓋導體層之第1主面及側面以及障蔽層的導電性之覆蓋層的步驟。
於此配線電路基板之製造方法，以第2主面對向於絕緣層的方式，於絕緣層上形成具有特定圖案的導體層。於導體層的第1主面及側面之至少一部分區域上形成對酸具有比導體層更高的耐蝕性的障蔽層，同時導體層的第1主面及側面以及障蔽層藉由導電性的覆蓋層來覆蓋。
此場合，防止蟻酸等燃料電池的副生成物附著於導體層。藉此，防止導體層的腐蝕。此外，防止導體層與覆蓋層之間的接觸電阻的增加。結果，可以有效率地對外部供給燃料電池的電力。
(15)形成障蔽層及覆蓋層的步驟，亦可包含：藉由混合樹脂組成物、導電材料及雜環化合物調製覆蓋層前驅體的步驟、把覆蓋層前驅體塗布於導體層的第1主面及側面之至少一部分區域上的步驟、以及加熱覆蓋層前驅體的步驟。
在此場合，藉由混合樹脂組成物、導電材料及雜環化合物而調製覆蓋層前驅體。覆蓋層前驅體被塗布於導體層 的第1主面及側面上後，覆蓋層前驅體被加熱。藉此，於導體層之第1主面及側面之至少一部份的區域上被形成由雜環化合物構成的障蔽層，於障蔽層上被形成由包含導電材料的樹脂組成物構成的覆蓋層。如此進行，可容易在導體層的第1主面及側面形成障蔽層，同時可藉由覆蓋層容易覆蓋導體層的第1主面及側面以及障蔽層。
(16)形成障蔽層及覆蓋層的步驟，包含：在導體層之第1主面及側面之至少一部分的區域上，形成對酸具有比導體層更高的耐蝕性的障蔽層的步驟、以及形成覆蓋導體層之第1主面及側面以及障蔽層的導電性之覆蓋層的步驟。
在此場合，在導體層的第1主面及側面之至少一部分區域上形成障蔽層後，藉由覆蓋層覆蓋導體層的第1主面及側面以及障蔽層。藉此，可以使障蔽層確實形成於導體層的第1主面及側面之至少一部分區域上。
根據本發明，可以防止配線電路基板的導體層的腐蝕同時減低導體層的電阻。
以下，參照圖面說明相關於本發明之一實施型態之印刷電路板。又，在本實施型態，作為配線電路基板之例，說明具有屈曲性的可撓配線電路基板。
(1)可撓配線電路基板的構成
圖1(a)係相關於本發明之一實施型態之可撓配線電路基板之平面圖，圖1(b)係圖1(a)之可撓配線電路基板之A-A線剖面圖。於以下之說明，將可撓配線電路基板簡稱為FPC基板。
如圖1(a)及圖1(b)所示，FPC基板1具備例如由聚醯亞胺所構成的基底絕緣層2。又，基底絕緣層2的厚度，以1μm以上100μm以下為較佳，又以5μm以上50μm以下為更佳，而以5μm以上30μm以下又更佳。基底絕緣層2的厚度為1μm以上的場合，基底絕緣層2之耐久性及操作性會提高。此外，基底絕緣層2的厚度在100μm以下的場合，基底絕緣層2的可撓性提高的同時，FPC基板1變得容易薄型化。
基底絕緣層2係由第1絕緣部2a、第2絕緣部2b、第3絕緣部2c及第4絕緣部2d所構成。第1絕緣部2a及第2絕緣部2b，分別具有矩形形狀，以相互鄰接的方式被一體地形成。以下，將平行於第1絕緣部2a與第2絕緣部2b之邊界線的邊稱為側邊，將垂直於第1絕緣部2a及第2絕緣部2b的側邊之一對之邊稱為端邊。
第3絕緣部2c由第1絕緣部2a之1個角部之側邊的一部份延伸出。第4絕緣部2d由第1絕緣部2a之位於前述角部的對角之第2絕緣部2b的角部之側邊的一部份延伸出。
於第1絕緣部2a與第2絕緣部2b之邊界線上以幾乎二等分基底絕緣層2的方式設置折曲部B1。如後所述， 基底絕緣層2，可沿著折曲部B1折曲。折曲部B1，例如亦可為線狀的淺溝，或者為線狀之印等。或者是，只要可以在折曲部B1折曲基底絕緣層2的話，亦可於折曲部B1沒有任何特別的東西。使基底絕緣層2沿著折曲部B1折曲的場合，第1絕緣部2a與第2絕緣部2b對向。在此場合，第3絕緣部2c與第4絕緣部2d不對向。
於第1絕緣部2a，被形成複數(在本例為沿著端邊方向4個且沿著側邊方向5個合計20個)之開口H1。此外，於第2絕緣部2b，被形成複數(在本例為沿著端邊方向4個且沿著側邊方向5個合計20個)之開口H2。
於基底絕緣層2之一面，被形成矩形之集電部3a，3b，3c，3d，3e，3f，3g，3h，3i，3j、連接導體部3k，3l，3m，3n及拉出導體部3o，3p。如圖1(b)所示，集電部3a~3j、連接導體部3k~3n以及拉出導體部3o，3p係藉由導體層31及障蔽層32來構成。又，於圖1(b)僅顯示集電部3c，3h。
導體層31，例如由銅所構成，具有主面E1，E2及側面E3。側面E3包含導體層30的外周面及開口的內周面。集電部3a~3j、連接導體部3k~3n以及拉出導體部3o，3p係以導體層31的主面E2對向於基底絕緣層2的方式設於基底絕緣層2上。。於集電部3a~3j、連接導體部3k~3n以及拉出導體部3o，3p，導體層31的主面E1及側面E3係藉由障蔽層32所覆蓋。導體層31的主面E2未藉由障蔽層32所覆蓋。
導體層31的厚度，以1μm以上100μm以下為較佳，又以5μm以上70μm以下為更佳，而以10μm以上50μm以下又更佳。導體層31的厚度為1μm以上的場合，導體層31之耐久性、操作性及導電性提高。此外，導體層31的厚度在100μm以下的場合，導體層31的可撓性提高的同時，FPC基板1變得容易薄型化。
障蔽層32，係為了防止燃料電池之蟻酸等副生成物附著於導體層31而設置的。藉此，防止導體層31的腐蝕。障蔽層32，以由雜環化合物構成為佳，由五元雜環化合物所構成更佳，由含有氮的五元雜環化合物(唑系化合物)所構成更佳。作為唑系化合物，可以舉出四唑誘導體、二唑誘導體、噻二唑誘導體或三唑誘導體等。在此場合，可以提高障蔽層之對酸的耐蝕性。
下列式(1)顯示四唑誘導體的構造之一例。於式(1)，R1及R2為相同或相異的氫原子或置換基。置換基，為碳數1至12之烷基(CnH2n+1；n=1~12)、苯基、胺基、巰基、含芳香族官能基、烷氧基、烷基胺基、烷氧基羰基或者羧基等。
作為四唑誘導體，可以舉出1H-四唑誘導體、5-胺基-1H-四唑誘導體、5-甲基-1H-四唑誘導體或5-苯基-1H-四唑誘導體等。
作為二唑誘導體，可舉出咪唑誘導體或比唑(pyrazole)誘導體等。
作為噻二唑誘導體，可以舉出2,5-二巰基-1,3,4-噻二唑誘導體或2-羧基甲基硫代-5-巰基-1,3,4-噻二唑誘導體等。
作為三唑誘導體，可以舉出苯並三唑誘導體、甲基苯並三唑(tolyl triazole,TTA)誘導體、甲基苯並三唑鹽、1H-1,2,3-三唑誘導體，1H-1,2,4-三唑誘導體，1,2,3-三唑-4,5-二羧酸、3,5-二胺基-1,2,4-三唑誘導體或3-胺基-1,2,4-三唑誘導體等。
下列式(2)顯示苯並三唑誘導體的構造之一例。於式(2)，R3及R4為相同或相異的氫原子或置換基。置換基，為碳數1至12之烷基(CnH2n+1；n=1~12)、苯基、胺基、巰基、含芳香族官能基、烷氧基、烷基胺基、烷氧基羰基或者羧基等。R3可以配置在苯環的任一位置。
作為苯並三唑誘導體，可以舉出5-甲基苯並三唑誘導體、1H-苯並三唑-5-羧酸、羧基苯並三唑誘導體、1H-4,5-甲基苯並三唑誘導體或2-(3,5-二-t-丁基-2-羥基苯基)苯並三唑誘導體等。
作為前述唑系化合物，以使用四唑誘導體或苯並三唑誘導體為佳。使用5-甲基-1H-四唑誘導體、5-苯基-1H-四唑誘導體、5-甲基苯並三唑誘導體或甲基苯並三唑誘導體更佳。
障蔽層32的厚度，以1nm以上1000nm以下為佳，又以10nm以上500nm以下更佳。障蔽層32的厚度在1nm以上的場合，可以充分防止導體層31的腐蝕。此外，障蔽層32的厚度在1000nm以下的場合，導體層31與後述之覆蓋層6a~6n之密接性提高，同時導體層31與覆蓋層6a~6n之間的導電性提高。
集電部3a~3j之各個具有長方形形狀。集電部3a~3e，係沿著第1絕緣部2a的端邊平行地延伸且沿著第1絕緣部2a的側邊方向被設置。此處，集電部3a~3e之各個，被形成於包含在第1絕緣部2a的端邊平行地排列的4個開口H1之第1絕緣部2a的區域。
同樣地，集電部3f~3j，係沿著第2絕緣部2b的端邊平行地延伸且沿著第2絕緣部2b的側邊方向被設置。此處，集電部3f~3j之各個，被形成於包含在第2絕緣部2b的端邊平行地排列的4個開口H2之第2絕緣部2b的區域。
在此場合，集電部3a~3e與集電部3f~3j，係以折曲部B1為中心被配置於對稱的位置。
連接導體部3k~3n，係以跨過折曲部B1的方式跨第1絕緣部2a與第2絕緣部2b而被形成。連接導體部3k導 電連接集電部3b與集電部3f，連接導體部3l導電連接集電部3c與集電部3g，連接導體部3m導電連接集電部3d與集電部3，連接導體部3n導電連接集電部3e與集電部3i。
第1絕緣部2a的開口H1上之集電部3a~3e的部分，被形成比開口H1更大直徑的開口H11。此外，第2絕緣部2b的開口H2上之集電部3f~3j的部分，被形成比開口H2更大直徑的開口H12。
拉出導體部3o，係以由集電部3a的外側之短邊往第3絕緣部2c上直線狀地延伸的方式被形成。拉出導體部3p，係以由集電部3j的外側之短邊往第4絕緣部2d上直線狀地延伸的方式被形成。
以覆蓋集電部3a及拉出導線部3o的一部分的方式，在第1絕緣部2a上形成覆蓋層6a。藉此，拉出導體部3o的先端部不為覆蓋層6a所覆蓋而露出。將此露出之拉出導體部3o的部分，稱為拉出電極5a。此外，以分別覆蓋集線部3b~3e的方式，於第1絕緣部2a上形成覆蓋層6b，6c，6d，6e。於集電部3a~3e的開口H11內，覆蓋層6a~6e接於第1絕緣部2a的上面。
以覆蓋集電部3j及拉出導線部3p的一部分的方式，在第2絕緣部2b上形成覆蓋層6j。藉此，拉出導體部3p的先端部不為覆蓋層6j所覆蓋而露出。將此露出之拉出導體部3p的部分，稱為拉出電極5b。此外，以分別覆蓋集線部3f~3i的方式，於第2絕緣部2b上形成覆蓋層6f ，6g，6h，6i。於集電部3f~3j的開口H12內，覆蓋層6f~6j接於第2絕緣部2b的上面。
以分別覆蓋連接導體部3k~3n的方式，於第1絕緣部2a及第2絕緣部2b上形成覆蓋層6k，6l，6m，6n。覆蓋層6a~6n係由含導電材料的樹脂組成物所構成。因此，覆蓋層6a~6n保持導電性同時具有可撓性。藉此，即使把FPC基板1屈曲使用的場合，也充分防止覆蓋層6a~6n破損。
導電材料的混合量，以對樹脂組成物的混合量100重量份，混入1重量份以上90重量份以下為佳，10重量份以上70重量份以下更佳，40重量份以上70重量份以下又更佳。混合量為對樹脂組成物的混合量100重量份混入1重量份導電材料以上的場合，可以對覆蓋層6a~6n賦予導電性。此外，對樹脂組成物的混合量100重量份混入90重量份導電材料以下的場合，可以確實使樹脂組成物硬化。
覆蓋層6a~6n的厚度，以1μm以上100μm以下為較佳，又以10μm以上50μm以下為更佳，而以15μm以上40μm以下又更佳。覆蓋層6a~6n的厚度為1μm以上的場合，覆蓋層6a~6n的耐久性及操作性提高，同時防止覆蓋層6a~6n由集電部3a~3j、連接導體部3k~3n以及拉出導體部3o，3p脫落。此外，覆蓋層6a~6n的厚度在100μm以下的場合，覆蓋層6a~6n的可撓性提高，同時FPC基板1變得容易薄型化。
(2)FPC基板之第1製造方法
說明圖1所示之FPC基板1的製造方法。圖2及圖3係供說明FPC基板1的製造方法之之工程剖面圖。又，圖2及圖3，係由圖1之FPC基板1的A-A線所見之工程剖面圖。
首先，如圖2(a)所示，例如準備由聚醯亞胺所構成的絕緣膜20與例如由銅所構成的導電膜30構成的2層CCL(Copper Clad Laminate：覆銅層積板)。絕緣膜20的厚度例如約為25μm，導體膜30的厚度例如約為18μm。
其次，如圖2(b)所示，於導體膜30上被形成具有特定圖案的阻蝕劑22。阻蝕劑22，例如藉由乾膜光阻等在導體膜30上形成光阻膜，使該光阻膜以特定的圖案進行曝光，其後，藉由顯影而形成。
接著，如圖2(c)所示，藉由使用氯化亞鐵等蝕刻液之蝕刻，除去除了阻蝕劑22之下的區域以外之導體膜30之區域。此後，如圖2(d)所示，藉由剝離液除去阻蝕劑22。藉此，具有特定圖案的導體層31被形成於絕緣膜20上。導體層31，具有主面E1，E2及側面E3。主面E2接於絕緣膜20。
藉由濺鍍、蒸鍍或電鍍等一般方法在絕緣膜20上形成導體層31亦可。此外，使用雷射光或模具使導體膜30打穿為導體層31的圖案，使被打穿的導體層31的圖案藉 由接著劑等接合於絕緣膜20亦可。
其次，如圖3(a)所示，以覆蓋導體層31的主面E1及側面E3的方式在絕緣膜20上塗布覆蓋層前驅體60。覆蓋膜前驅體60的厚度例如為25μm。覆蓋層前驅體60，例如藉由混合樹脂組成物與導電材料來調製。此外，於覆蓋層前驅體60，被混合四唑誘導體等前述雜環化合物。
接著，如圖3(b)所示，把覆蓋層前驅體60在30℃以上200℃以下的溫度乾燥0.15小時以上5小時以下，進行硬化處理。在此場合，被混合於覆蓋層前驅體60的雜環化合物移動至與導體層31之界面。藉此，在導體層31的主面E1及側面E3形成由四唑誘導體所構成的障蔽層32，覆蓋層前驅體60的其餘部分成為覆蓋層6a~6n。
如此進行，形成集電部3a~3j、連接導體部3k~3n以及拉出導體部3o，3p。此外，於集電部3a~3e被形成複數開口H11，於集電部3f~3j被形成複數開口H12。進而，以覆蓋集電部3a~3j、連接導體部3k~3n以及拉出導體部3o，3p的方式形成覆蓋層6a~6n。此處，拉出電極5a，5b由覆蓋層6a，6j露出。又，於圖3(b)，僅表示出集電部3c、3h、連接導體部3l、拉出電極5a以及覆蓋層6a，6c，6h，6l而已。
最後，如圖3(c)所示，藉由絕緣膜20被切斷為特定形狀，形成基底絕緣層2。此外，於基底絕緣層2被形成複數開口H1、H2。藉此，完成具備集電部3a~3j、連接導體部3k~3n、拉出導體部3o，3p及覆蓋層6a~6n的 FPC基板1。在圖2及圖3，顯示根據減除法之FPC基板1之製造方法，但不以此為限，亦可使用半加成(semi-additive)法等其他製造方法。
(3)使用FPC基板之燃料電池
圖4係使用FPC基板1的燃料電池100之外觀立體圖。圖5係供說明燃料電池100內之作用之圖，是由圖4的燃料電池100的B-B線所見之剖面圖。
如圖4及圖5所示，燃料電池100具有長方體形狀的外殼40。在圖4，外殼40以虛線表示。外殼40，具有上面部41、下面部42、一方之側面部43以及另一方之側面部44。
FPC基板1，以被形成覆蓋層6a~6n的一面為內側而以沿著圖1的折曲部B1折曲的狀態藉由外殼40的上面部41及下面部42來挾持。
於外殼40內，複數(在本實施型態為5個)之電極膜35，分別配置於被折曲的FPC基板1之覆蓋層6a與覆蓋層6f之間，覆蓋層6b與覆蓋層6g之間，覆蓋層6c與覆蓋層6h之間，覆蓋層6d與覆蓋層6i之間，覆蓋層6e與覆蓋層6j之間(參照圖1(a))。藉此，複數之電極膜35被串聯連接。
各電極膜35係由空氣極35a、燃料極35b以及電解質膜35c所構成。空氣極35a被形成於電解質膜35c之一面，燃料極35b被形成於電解質膜35c之另一面。複數之電 極膜35的空氣極35a係分別對向於FPC基板1的覆蓋層6f~6j，複數之電極膜35的燃料極35b係分別對向於FPC基板1的覆蓋層6a~6e。
外殼40內的上面部41，以對應於集電部3f~3j的複數開口H12及基底絕緣層2的複數開口H2的方式被形成複數開口H41。於電極膜35的空氣極35a，通過外殼40的複數開口41、基底絕緣層2的複數開口H2，及集電部3f~3j的複數開口H12供給空氣。
於外殼40的下面部42，以接於基底絕緣層2的第1絕緣部2a(參照圖1(a))的方式設置燃料收容室50。於燃料收容室50，被連接著燃料供給管51的一端。於燃料供給管51的另一端，通過外殼40的另一方側面部44連接於外部之未圖示的燃料供給部。由燃料供給部通過燃料供給管51對燃料收容室50內供給燃料。於各電極膜35的燃料極35b，通過基底絕緣層2的複數開口H1及集電部3a~3e的複數開口H11供給燃料。又，在本實施型態，作為燃料使用甲醇。
於前述之構成，於複數之燃料極35b，甲醇分解為氫離子與二氧化碳，產生電子。產生的電子，由FPC基板1的集電部3a(參照圖1)導引至拉出電極5a。由甲醇分解的氫離子，透過電解質膜35c達到空氣極35a。於複數之空氣極35a，消費由拉出電極5b被導引至集電部3j的電子而氫離子與氧反應，產生水。如此進行，對被連接於拉出電極5a，5b的外部電路供給電力。
(4)FPC基板之第2製造方法
於圖1所示的FPC基板1之第2製造方法，說明與FPC基板1之第1製造方法不同之處。圖6係供說明FPC基板1的第2製造方法之工程剖面圖。FPC基板1之第2製造方法，具有相同於FPC基板1之第1製造方法之圖2(a)的步驟至圖2(d)的步驟。
在圖2(d)的步驟之後，如圖6(a)所示，藉由噴霧塗布於導體層31的主面E1及側面E3的形成由四唑誘導體等之前述雜環化合物所構成的障蔽層32。如此進行，形成集電部3a~3j、連接導體部3k~3n以及拉出導體部3o，3p。此外，於集電部3a~3e被形成複數開口H11，於集電部3f~3j被形成複數開口H12。又，於圖6(a)，僅表示出集電部3c、3h、連接導體部3l以及拉出導體部3o而已。於FPC基板1之第2製造方法，障蔽層32，亦可藉由凹版印刷塗布法或者浸漬法等一般方法來形成。
其次，如圖6(b)所示，以覆蓋導體層31的主面E1及側面E3的方式塗布覆蓋層前驅體6p。覆蓋膜前驅體6p的厚度例如為25μm。於本實施型態，於覆蓋層前驅體6p，不混合前述雜環化合物。
接著，如圖6(c)所示，藉由把覆蓋層前驅體6p在特定溫度乾燥特定時間，進行硬化處理。藉此，以覆蓋集電部3a~3j、連接導體部3k~3n以及拉出導體部3o，3p的方式形成覆蓋層6a~6n。此處，拉出電極5a，5b由覆 蓋層6a，6j露出。又，於圖6(c)，僅表示出覆蓋層6a，6c，6h，6l以及拉出電極5a而已。
最後，如圖6(d)所示，藉由絕緣膜20被切斷為特定形狀，形成基底絕緣層2。此外，於基底絕緣層2被形成複數開口H1、H2。藉此，完成具備集電部3a~3j、連接導體部3k~3n、拉出導體部3o，3p及覆蓋層6a~6n的FPC基板1。
(5)效果
於相關於本實施型態的FPC基板1，集電部3a~3j、連接導體部3k~3n以及拉出導體部3o，3p係藉由導體層31及障蔽層32來構成。
導體層31的主面E1及側面E3藉由障蔽層32覆蓋著。此場合，防止蟻酸等燃料電池100的副生成物附著於導體層31。藉此，防止導體層31的腐蝕。此外，防止導體層31與覆蓋層6a~6n之間的接觸電阻的增加。結果，可以有效率地對外部供給燃料電池100的電極膜35的電力。
於FPC基板1的第1製造方法，藉由在樹脂組成物混合導電材料及雜環化合物而調製覆蓋層前驅體60。覆蓋層前驅體60被塗布於導體層31的主面E1及側面E3上後，覆蓋層前驅體60被加熱。藉此，在導體層31的主面E1及側面E3形成由雜環化合物所構成的障蔽層32，在障蔽層32上被形成由包含導電材料的樹脂組成物所構成的覆 蓋層6a~6n。如此進行，可容易在導體層31的主面E1及側面E3形成障蔽層32，同時可藉由覆蓋層6a~6n容易覆蓋導體層31的主面E1及側面E3以及障蔽層32。
於FPC基板1之第2製造方法，在導體層31的主面E1及側面E3上形成包含雜環化合物的障蔽層32後，藉由覆蓋層6a~6n覆蓋導體層31的主面E1及側面E3。藉此，可以在導體層31的主面E1及側面E3上確實形成藉由障蔽層32。
(6)其他實施型態
(6-1)在前述實施型態，作為FPC基板1之基底絕緣層2的材料，使用聚醯亞胺，但不以此為限。例如，替代聚醯亞胺，使用聚醯胺醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene Naphthalate,PEN)、聚苯硫醚、液晶高分子、聚烯烴、環氧樹脂或者聚四氟乙烯等其他絕緣材料亦可。
(6-2)在前述實施型態，基底絕緣層2沒有連續孔，但不以此為限。例如，基底絕緣層2具有多孔質性質的連續孔亦可。在此場合，基底絕緣層2具有通氣性。因此，於基底絕緣層2不形成開口H1、H2，也可以把FPC基板1作為燃料電池100的電極使用。
在此場合，作為基底絕緣層2的材料，可以使用被形成多孔質性質的連續孔的ePTFE(延伸聚四氟乙烯)、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲 酸乙二醇酯、聚苯硫醚、液晶聚合物、聚烯烴、聚醚醯亞胺、聚乙烯、聚丙烯、環氧樹脂或聚四氟乙烯等絕緣材料。
(6-3)在前述實施型態，導體層31之材料使用銅，但不以此為限。例如，替代銅而使用金(Au)、銀、鈦、鉑或者鋁等其他金屬，或者銅合金、金合金、銀合金、鈦合金、鉑合金或者鋁合金等之合金亦可。在此場合，可以充分確保覆蓋層6a~6n之導電性。
(6-4)於前述實施型態，作為覆蓋層6a~6n的樹脂組成物，例如可以使用聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、聚醯胺樹脂、環氧樹脂、苯酚樹脂、聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂或者聚醯胺醯亞胺樹脂，或者將這些樹脂混合2種類以上之樹脂。在此場合，FPC基板1之可撓性變得良好。特別是樹脂組成物包含苯酚樹脂或環氧樹脂的場合，FPC基板1的可撓性變得良好而且耐藥品性也變得良好。
(6-5)於前述實施型態，作為覆蓋層6a~6n的導電材料，例如可以使用碳黑、石墨或奈米碳管或碳纖維等碳材料、金(Au)、銀或奈米銀粒子等金屬材料，或者聚噻吩或聚苯胺等導電性高分子材料，此外也可以使用將這些材料混合2種類以上之材料。
(6-6)於前述實施型態，FPC基板1具有5對集電部(集電部3a，3f、集電部3b，3g、集電部3c，3h、集電部3d，3i及集電部3e，3j)，但不以此為限。FPC基板1之集電部的數目為2對以上的話即可，亦可為4對以 下，亦可為6對以上。藉此，可以將任意數目之電極膜35串聯連接。
此外，FPC基板1具有1對之集電部亦可。在此場合，不設置連接導體部3k~3n。
(6-7)在前述實施型態，配線電路基板為具有屈曲性的FPC基板，但不以此為限。例如，在配線電路基板不要求屈曲性的場合，配線電路基板亦可為硬式配線電路基板。
(6-8)於前述實施型態，於集電部3a~3j、連接導體部3k~3n以及拉出導體部3o，3p被形成覆蓋層6a~6n，但不以此為限。例如，在拉出導體部3o，3p沒有蟻酸等附著的場合，僅在集電部3a~3j及連接導體部3k~3n被形成覆蓋層6a~6n亦可。
(7)請求項之各構成要素與實施型態之各部的對應關係
以下，說明請求項之各構成要素與實施型態之各部的對應之例，但本發明並不以下列之例為限。
於前述實施型態，係基底絕緣層2為絕緣層，主面E1為第1主面，主面E2為第2主面，側面E3為側面，導體層31為導體層之例。是障蔽層32為障蔽層、覆蓋層6a~6n為覆蓋層、FPC基板1為配線電路基板、電極膜35為電池要素、外殼40為筐體、覆蓋層前驅體60為覆蓋層前驅體之例。
作為請求項之各構成要素，亦可以使用具有記載於請 求項的構成或功能的其他種種要素。
(8)實施例 (8-1)實施例及比較例
在以下之實施例1~12及比較例1、2，根據前述實施型態，以下述方法調製覆蓋層前驅體。其後，使用覆蓋層前驅體製造以下之FPC基板。圖7係供說明實施例1~7及實施例9~12以及比較例1、2之FPC基板的製造方法之工程剖面圖。圖8係供說明實施例8之FPC基板的製造方法之工程剖面圖。
於實施例1，在具備Vigreux精餾塔的四口燒瓶混合二甲基對苯二甲酸75重量份、二甲基間苯二甲酸40重量份、乙二醇80重量份、新戊二醇60重量份及鈦酸四丁酯0.1重量份，在溫度180℃下進行3小時的酯交換。其次，於該混合物混合無水苯偏三酸2重量份及癸二酸80重量份，進行1小時脫水反應。接著，將該混合物周圍的氛圍徐徐減壓至1mmHg以下，使在溫度270℃下進行聚合反應2小時而製作聚酯樹脂。
其後，於四口燒瓶混合製作的聚酯樹脂40重量份及醋酸乙二醇單甲基醚100重量份，在溫度80℃使其溶解。接著，將該混合物冷卻至常溫後，對混合物加入己異氰酸酯之塊狀體(旭化成化學品(股)製造之Dulanate(音譯))5重量份，製作了樹脂組成物。
接著，於該樹脂組成物之塗佈液45重量部，作為導 電成分混合了導電性碳黑(LION公司製造Ketjenblack EC-DJ600)10重量份與石墨(日本石墨工業公司製造)45重量份。其後，藉由使用3輥機使混合物中的導電性碳黑及石墨分散而調製覆蓋層前驅體A。
另一方面，如圖7(a)所示，準備由絕緣膜20與導體膜30所構成的2層CCL。其次，如圖7(b)所示，藉由使用氯化亞鐵蝕刻2層CCL，於絕緣膜20上形成具有特定圖案的導體層31。
接著，藉由把作為雜環化合物的5-苯基-1H-四唑誘導體0.8重量份混合於前述覆蓋層前驅體A而調製覆蓋層前驅體60，如圖7(c)所示，將該覆蓋層前驅體60塗布於導體層31的主面E1及側面E3。其後，藉由在溫度150℃使乾燥30分鐘，進行覆蓋層前驅體60的硬化處理。
如此進行，如圖7(d)所示，製作了實施例1的FPC基板1s。於FPC基板1s，在絕緣膜20上被形成由導體層31及障蔽層32所構成的集電部3。此外，以覆蓋集電部3的方式，在絕緣膜20上形成覆蓋層6。覆蓋層6的厚度為25μm。
於實施例2，除了替代實施例1的覆蓋層前驅體A使用以下之覆蓋層前驅體B這點以外，以與實施例1同樣的方法製作了FPC基板1s。
在溶解於MEK(Methyl Ethyl Ketone：甲乙酮)的環氧樹脂(日本環氧樹脂(股)製造之jER-1007)41重量份，作為導電成分混合了導電性碳黑(LION公司製造 Ketjenblack EC-DJ600)10重量份與石墨(日本石墨工業公司製造)45重量份。其次，使用3輥機使混合物中的導電性碳黑及石墨分散。接著，藉由對該混合物混合硬化劑之酸無水物(新日本理化(股)製造MH-700)3.3重量份及觸媒之咪唑(四國化成工業(股)製造之2E4MZ)2重量份而調製覆蓋層前驅體B。藉由於該覆蓋層前驅體B混合雜環化合物之5-苯基-1H-四唑誘導體0.8重量份而調製覆蓋層前驅體60。
於實施例3，除了替代實施例1的覆蓋層前驅體A使用以下之覆蓋層前驅體C這點以外，以與實施例1同樣的方法製作了FPC基板1s。
在乙基二甘醇，預先混合可溶性酚醛樹脂(resol)(DIC(股)製造之Phenolite 5010(音譯))36重量份、雙酚A型環氧樹脂(日本環氧樹脂(股)製造之jER-1007)9重量份，同時作為導電成分混合了導電性碳黑(LION公司製造Ketjenblack EC-DJ600)10重量份與石墨(日本石墨工業公司製造)45重量份。其後，藉由使用3輥機使混合物中的導電性碳黑及石墨分散而調製覆蓋層前驅體C。藉由於該覆蓋層前驅體C混合雜環化合物之5-苯基-1H-四唑誘導體0.8重量份而調製覆蓋層前驅體60。
於實施例4，除了替代於覆蓋層前驅體60作為雜環化合物使用5-苯基-1H-四唑誘導體而混合以5-甲基-1H-四唑誘導體這點以外，以與實施例1同樣的方法製作了FPC基板1s。
於實施例5，除了替代於覆蓋層前驅體60作為雜環化合物使用5-苯基-1H-四唑誘導體而混合以5-甲基苯並三唑誘導體這點以外，以與實施例1同樣的方法製作了FPC基板1s。
於實施例6，除了於覆蓋層前驅體60混合的5-苯基-1H-四唑誘導體不是0.8重量份而是0.3重量份這點以外，以與實施例1同樣的方法製作了FPC基板1s。
於實施例7，除了於覆蓋層前驅體60混合的5-苯基-1H-四唑誘導體不是0.8重量份而是5重量份這點以外，以與實施例1同樣的方法製作了FPC基板1s。
實施例8之FPC基板1s之製造方法，具有與實施例1~7之FPC基板1s的製造方法之圖7(a)、(b)的步驟相同的步驟，同時替代圖7之(c)、(d)之步驟而具有圖8(a)、(b)、(c)之步驟。
在圖7(b)的步驟之後，使用被混合濃度0.6重量%之5-苯基-1H-四唑誘導體的甲醇使用線棒(wire bar)塗布於導體層31的主面E1及側面E3。其後，藉由使被塗布的甲醇以溫度50℃乾燥3分鐘，而如圖8(a)所示，在導體層31的主面E1及側面E3形成障蔽層32。藉此，在絕緣膜20上被形成由導體層31及障蔽層32所構成的集電部3。
其次，如圖8(b)所示，以覆蓋集電部3的方式在絕緣膜20上塗布實施例1之覆蓋層前驅體A，藉由在溫度180℃下乾燥30分鐘，進行覆蓋層前驅體A的硬化處理。 如此進行，如圖8(c)所示，製作了實施例8的FPC基板1s。於FPC基板1s，以覆蓋集電部3的方式，在絕緣膜20上形成覆蓋層6。覆蓋層6的厚度為25μm。
於實施例9，除了於覆蓋層前驅體60混合的5-甲基苯並三唑誘導體不是0.8重量份而是0.3重量份這點以外，以與實施例5同樣的方法製作了FPC基板1s。
於實施例10，除了於覆蓋層前驅體60混合的5-甲基苯並三唑誘導體不是0.8重量份而是5重量份這點以外，以與實施例5同樣的方法製作了FPC基板1s。
於實施例11，除了於覆蓋層前驅體60混合的5-苯基-1H-四唑誘導體不是0.8重量份而是0.001重量份這點以外，以與實施例1同樣的方法製作了FPC基板1s。
於實施例12，除了於覆蓋層前驅體60混合的5-苯基-1H-四唑誘導體不是0.8重量份而是20重量份這點以外，以與實施例1同樣的方法製作了FPC基板1s。
於比較例1，除了替代覆蓋層前驅體60而使用未被混合雜環化合物的覆蓋層前驅體這點以外，以與實施例1同樣的方法製作了FPC基板1s。
於比較例2，除了替代覆蓋層前驅體60而使用未被混合雜環化合物的覆蓋層前驅體這點以外，以與實施例2同樣的方法製作了FPC基板1s。
(8-2)障蔽層的厚度測定及FPC基板的接觸電阻的測定
圖9係實施例1~12及比較例1、2之FPC基板1s的 剖面圖。如圖9(a)所示，把實施例1~12及比較例1、2之FPC基板1s以與絕緣膜20垂直的面切斷。圖9(b)係圖9(a)的A部的擴大剖面圖。使用飛行時間二次離子質量分析計(ION-TOFGmbH製造之TOF-SIMS5)進行圖9(b)之FPC基板1s的剖面的組成分析，由雜環化合物的分布狀態，來進行障蔽層32的厚度的測定。又，圖9(c)為實施例1之FPC基板1s之根據飛行時間二次離子質量分析計之分析結果及C7H5N4 -的離子像。
將實施例1~12及比較例1、2之FPC基板1s在濃度1000ppm及溫度50℃的蟻酸水溶液中浸漬7天。其後，觀測FPC基板1s的導體層31有無腐蝕，測定FPC基板1s之接觸電阻。
圖10係實施例1~12及比較例1、2之FPC基板1s的的接觸電阻之測定方法之模式圖。如圖10所示，分別準備一對實施例1~12及比較例1、2之FPC基板1s。以覆蓋層6的表面相互面對的方式配置一對FPC基板1s，同時於一對FPC基板1s之覆蓋層6間配置碳紙CP。於各FPC基板1s的覆蓋層6，透過接續端子C與接續線L連接電阻測定裝置(日置電機(股)製造之ACm Ω HITESTER)。以1MPa的壓力將一對FPC基板1s抵押於碳紙CP之一面及另一面。在該狀態下，將一對FPC基板1s之接續端子C間的電阻值當成接觸電阻而藉由電阻測定裝置進行測定。
障蔽層32的厚度以及導體層31的有無腐蝕以及FPC 基板1s之接觸電阻的結果顯示於表1。
如表1所示，在實施例1的FPC基板1s，障蔽層32的厚度的測定結果，以覆蓋導體層31的主面E1及側面E3的方式，形成了厚度120nm的障蔽層32。此外，將FPC基板1s浸漬於蟻酸水溶液的結果，未被觀測到導體層31的腐蝕。對蟻酸水溶液之浸漬前及浸漬後的FPC基板1s的接觸電阻，分別為23m Ω及24m Ω。
在實施例2的FPC基板1s，障蔽層32的厚度的測定結果，以覆蓋導體層31的主面E1及側面E3的方式，形成了厚度120nm的障蔽層32。此外，將FPC基板1s浸漬於蟻酸水溶液的結果，未被觀測到導體層31的腐蝕。對 蟻酸水溶液之浸漬前及浸漬後的FPC基板1s的接觸電阻，分別為19m Ω及23m Ω。
在實施例3的FPC基板1s，障蔽層32的厚度的測定結果，以覆蓋導體層31的主面E1及側面E3的方式，形成了厚度120nm的障蔽層32。此外，將FPC基板1s浸漬於蟻酸水溶液的結果，未被觀測到導體層31的腐蝕。對蟻酸水溶液之浸漬前及浸漬後的FPC基板1s的接觸電阻，分別為23m Ω及24m Ω。
在實施例4的FPC基板1s，障蔽層32的厚度的測定結果，以覆蓋導體層31的主面E1及側面E3的方式，形成了厚度120nm的障蔽層32。此外，將FPC基板1s浸漬於蟻酸水溶液的結果，未被觀測到導體層31的腐蝕。對蟻酸水溶液之浸漬前及浸漬後的FPC基板1s的接觸電阻，分別為20m Ω及22m Ω。
在實施例5的FPC基板1s，障蔽層32的厚度的測定結果，以覆蓋導體層31的主面E1及側面E3的方式，形成了厚度100nm的障蔽層32。此外，將FPC基板1s浸漬於蟻酸水溶液的結果，未被觀測到導體層31的腐蝕。對蟻酸水溶液之浸漬前及浸漬後的FPC基板1s的接觸電阻，分別為21m Ω及28m Ω。
在實施例6的FPC基板1s，障蔽層32的厚度的測定結果，以覆蓋導體層31的主面61及側面E3的方式，形成了厚度30nm的障蔽層32。此外，將FPC基板1s浸漬於蟻酸水溶液的結果，未被觀測到導體層31的腐蝕。對 蟻酸水溶液之浸漬前及浸漬後的FPC基板1s的接觸電阻，分別為22m Ω及24m Ω。
在實施例7的FPC基板1s，障蔽層32的厚度的測定結果，以覆蓋導體層31的主面E1及側面E3的方式，形成了厚度300nm的障蔽層32。此外，將FPC基板1s浸漬於蟻酸水溶液的結果，未被觀測到導體層31的腐蝕。對蟻酸水溶液之浸漬前及浸漬後的FPC基板1s的接觸電阻，分別為22m Ω及23m Ω。
在實施例8的FPC基板1s，障蔽層32的厚度的測定結果，以覆蓋導體層31的主面E1及側面E3的方式，形成了厚度150nm的障蔽層32。此外，將FPC基板1s浸漬於蟻酸水溶液的結果，未被觀測到導體層31的腐蝕。對蟻酸水溶液之浸漬前及浸漬後的FPC基板1s的接觸電阻，分別為20m Ω及22m Ω。
在實施例9的FPC基板1s，障蔽層32的厚度的測定結果，以覆蓋導體層31的主面E1及側面E3的方式，形成了厚度40nm的障蔽層32。此外，將FPC基板1s浸漬於蟻酸水溶液的結果，未被觀測到導體層31的腐蝕。對蟻酸水溶液之浸漬前及浸漬後的FPC基板1s的接觸電阻，分別為21m Ω及25m Ω。
在實施例10的FPC基板1s，障蔽層32的厚度的測定結果，以覆蓋導體層31的主面E1及側面E3的方式，形成了厚度350nm的障蔽層32。此外，將FPC基板1s浸漬於蟻酸水溶液的結果，未被觀測到導體層31的腐蝕。 對蟻酸水溶液之浸漬前及浸漬後的FPC基板1s的接觸電阻，分別為22m Ω及23m Ω。
在實施例11的FPC基板1s，障蔽層32的厚度的測定結果，以覆蓋導體層31的主面E1及側面E3的方式，形成了厚度4nm的障蔽層32。此外，將FPC基板1s浸漬於蟻酸水溶液的結果，未被觀測到導體層31的腐蝕。對蟻酸水溶液之浸漬前及浸漬後的FPC基板1s的接觸電阻，分別為24m Ω及550m Ω。
在實施例12的FPC基板1s，障蔽層32的厚度的測定結果，以覆蓋導體層31的主面E1及側面E3的方式，形成了厚度510nm的障蔽層32。此外，將FPC基板1s浸漬於蟻酸水溶液的結果，未被觀測到導體層31的腐蝕。對蟻酸水溶液之浸漬前及浸漬後的FPC基板1s的接觸電阻，分別為24m Ω及600m Ω。
於比較例1的FPC基板1s，障蔽層32的厚度測定的結果，於導體層31未被形成障蔽層32。此外，將FPC基板1s浸漬於蟻酸水溶液的結果，觀測到導體層31的腐蝕。對蟻酸水溶液之浸漬前及浸漬後的FPC基板1s的接觸電阻，分別為20m Ω及1634m Ω。
於比較例2的FPC基板1s，障蔽層32的厚度測定的結果，於導體層31未被形成障蔽層32。此外，將FPC基板1s浸漬於蟻酸水溶液的結果，觀測到導體層31的腐蝕。對蟻酸水溶液之浸漬前及浸漬後的FPC基板1s的接觸電阻，分別為21m Ω及1715m Ω。
由實施例1~7及實施例9~12以及比較例1、2之結果，確認了藉由把包含雜環化合物的覆蓋層前驅體60塗布於導體層31的主面E1及側面E3，在特定的條件下進行硬化處理，而以覆蓋導體層31的主面E1及側面E3的方式被形成障蔽層32。此外，由實施例8之結果，確認了藉由把包含雜環化合物的溶液塗布於導體層31的主面E1及側面E3，在特定的條件下進行硬化處理，而以覆蓋導體層31的主面E1及側面E3的方式被形成障蔽層32。
由實施例1~12及比較例1、2的結果，確認了在導體層31形成障蔽層32的場合，即使導體層31接觸於蟻酸水溶液，導體層31也不會腐蝕。特別是在實施例1~10，確認了FPC基板1s的接觸電阻幾乎不增加。
1‧‧‧FPC基板
2‧‧‧基底絕緣層
2a‧‧‧第1絕緣部
2b‧‧‧第2絕緣部
2c‧‧‧第3絕緣部
2d‧‧‧第4絕緣部
3a~3j‧‧‧集電部
3k~3n‧‧‧連接導體部
3o，3p‧‧‧拉出導體部
31‧‧‧導體層
32‧‧‧障蔽層
B1‧‧‧折曲部
E1，E2‧‧‧主面
E3‧‧‧側面
H1‧‧‧開口
H2‧‧‧開口
圖1(a)、(b)係相關於本發明之一實施型態之可撓配線電路基板之圖。
圖2(a)~(d)係供說明FPC基板的第1製造方法之工程剖面圖。
圖3(a)~(c)係供說明FPC基板的第1製造方法之工程剖面圖。
圖4係使用FPC基板的燃料電池之外觀立體圖。
圖5係供說明燃料電池內的作用之圖。
圖6(a)~(d)係供說明FPC基板的第2製造方法之工程剖面圖。
圖7(a)~(d)係供說明實施例1~7及實施例9~12以及比較例1、2之FPC基板的製造方法之工程剖面圖。
圖8(a)~(c)係供說明實施例8之FPC基板的製造方法之工程剖面圖。
圖9(a)~(c)係實施例1~12及比較例1、2之FPC基板的剖面圖。
圖10係實施例1~12及比較例1、2之FPC基板的的接觸電阻之測定方法之模式圖。
1‧‧‧FPC基板
5a、5b‧‧‧拉出電極
2c‧‧‧第3絕緣部
3o，3p‧‧‧拉出導體部
H11、H12‧‧‧複數開口
H1、H2‧‧‧開口
6a~6n‧‧‧覆蓋層
B1‧‧‧折曲部
2‧‧‧基底絕緣層
3a~3j‧‧‧集電部
A‧‧‧覆蓋層前驅體
2d‧‧‧第4絕緣部
2b‧‧‧第2絕緣部
2a‧‧‧第1絕緣部
3k~3n‧‧‧連接導體部
E1，E2‧‧‧主面
E3‧‧‧側面
31‧‧‧導體層
32‧‧‧障蔽層

Claims (15)

  1. 一種配線電路基板，其特徵為具備：絕緣層、具有特定的圖案且具有第1及第2主面以及側面，同時以前述第2主面與前述絕緣層對向的方式被形成於前述絕緣層上的導體層、被形成於前述導體層的前述第1主面及前述側面之至少一部分的區域上，對酸具有比前述導體層更高的耐蝕性的障蔽層、以及覆蓋前述導體層之前述第1主面及前述側面以及前述障蔽層的導電性之覆蓋層，前述障蔽層，含有雜環化合物。
  2. 如申請專利範圍第1項之配線電路基板，其中前述雜環化合物，含有氮。
  3. 如申請專利範圍第1項之配線電路基板，其中前述雜環化合物，含有唑系化合物。
  4. 如申請專利範圍第1項之配線電路基板，其中前述雜環化合物，含有四唑誘導體、二唑誘導體、噻二唑誘導體及三唑誘導體之中至少一種。
  5. 如申請專利範圍第1項之配線電路基板，其中前述雜環化合物，含有以下列式(1)所示之四唑誘導體、R1及R2表示相同或者不同之氫原子或置換基。
  6. 如申請專利範圍第1項之配線電路基板，其中前述雜環化合物，含有以下列式(2)所示苯並三唑誘導體、R3及R4表示相同或者不同之氫原子或置換基。
  7. 如申請專利範圍第1項之配線電路基板，其中前述障蔽層的厚度，為1nm以上1000nm以下。
  8. 如申請專利範圍第1項之配線電路基板，其中前述覆蓋層，含有樹脂組成物。
  9. 如申請專利範圍第8項之配線電路基板，其中前述樹脂組成物，包含苯酚樹脂、環氧樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂及聚醯亞胺樹脂之中至少1種。
  10. 如申請專利範圍第1項之配線電路基板，其中前述覆蓋層，包含導電材料。
  11. 如申請專利範圍第10項之配線電路基板，其中前述導電材料，含有碳材料及金屬材料之中至少一方。
  12. 一種燃料電池，其特徵為具備：電池要素、作為前述電池要素之電極而配置的申請專利範圍第1項之配線電路基板、及收容前述電池要素及前述配線電路基板之筐體。
  13. 一種配線電路基板之製造方法，其特徵為包含：把具有特定的圖案且具有第1及第2主面以及側面的導體 層，以前述第2主面與前述絕緣層對向的方式被形成於前述絕緣層上的步驟、以及於前述導體層的前述第1主面及前述側面之至少一部分的區域上，形成對酸具有比前述導體層更高的耐蝕性的障蔽層、同時形成覆蓋前述導體層之前述第1主面及前述側面以及前述障蔽層的導電性之覆蓋層的步驟，前述障蔽層，含有雜環化合物。
  14. 如申請專利範圍第13項之配線電路基板之製造方法，其中形成前述障蔽層及前述覆蓋層的步驟，包含：藉由混合樹脂組成物、導電材料及雜環化合物調製覆蓋層前驅體的步驟、把前述覆蓋層前驅體塗布於前述導體層的前述第1主面及前述側面之至少一部分區域上的步驟、以及加熱前述覆蓋層前驅體的步驟。
  15. 如申請專利範圍第13項之配線電路基板之製造方法，其中形成前述障蔽層及前述覆蓋層的步驟，包含：在前述導體層之前述第1主面及前述側面之至少一部分的區域上，形成對酸具有比前述導體層更高的耐蝕性的障蔽層的步驟、以及形成覆蓋前述導體層之前述第1主面及前述側面以及前述障蔽層的導電性之覆蓋層的步驟。
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