TWI525864B - 垂直印刷串聯發光二極體 - Google Patents

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尼斯迪格瑞科技環球公司
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Description

垂直印刷串聯發光二極體 相關申請案之交叉參考
本申請案係基於2013年1月31日由Bradley Steven Oraw申請之美國臨時申請案第61/759,137號，該案已讓與給本案受讓人且以引用方式併入本文中。
本發明係關於形成一發光二極體(LED)燈(一般使用LED之一陣列形成為一平坦薄片)且，特定言之係關於一種使用垂直印刷串聯形成該等LED之印刷方法。
圖1大體繪示用於使用LED形成一大範圍光片或面板之一先前技術。一起始基板10可為聚酯樹脂(Mylar)或其他類型之聚合物片，或甚至一金屬片。接著(諸如藉由印刷)將一導體層12沈積在基板10上方。基板10及/或導體層12較佳地為反射式。亦可在基板10之正面或背面提供一反射膜。
提供一LED墨水，其包括均勻地注入一溶劑中之微觀垂直LED 14(例如30微米直徑)。LED最初形成為在一載體晶圓上之金屬化半導體層。微影蝕刻穿過半導體層及金屬層之溝渠界定各LED之邊界。接著薄化載體晶圓之背面直至分離個別LED。接著將LED分散於溶劑中以產生墨水。
將LED墨水網板印刷在導體層12上方。可藉由提供一相對高頂部 電極16(例如陽極電極)來控制LED之定向，使得頂部電極16藉由取道印刷後穿過溶劑最小阻力之流體路徑而向上定位。將LED墨水加熱以蒸發溶劑，且退火底部陰極電極18及導體層12以產生一歐姆陰極連接。
沈積且蝕刻一介電體19以暴露頂部電極16。
接著印刷一透明導體層20以接觸頂部電極16。
接著印刷且固化金屬匯流條22及24以沿導體層12及20之邊緣電接觸該等導體層。施加至匯流條22/24上之一合適電壓差開啟LED 14。儘管微觀LED 14為隨機分佈，但歸因於印刷LED之巨大數目，其等相當均勻地分佈在平坦薄片區域上方。在一塊一平方米之基板10上可印刷有數百萬個LED 14。可在大氣條件下執行製造程序。
因為LED 14具相同定向，所以藉由導體層12/20並聯連接在單層中(在一界定區域內)之LED 14。若並聯連接諸多LED 14，則驅動電壓必須大約等於一單獨LED 14之電壓降且電流相對高。因為典型透明導體可具有1歐姆每平方之一傳導率，所以橫向流動至少通過薄透明導體層20之高電流產生一顯著IR降。此導致功率損耗及發熱，降低燈之效率。使透明導體層20更厚增加成本且增加藉由層20吸收之光。
可在名為「Method of Manufacturing a Printable Composition of Liquid or Gel Suspension of Diodes」之美國專利申請公開案第US 2012/0164796號中找到藉由印刷微觀垂直LED且控制其等在一基板上之定位而形成該一光源之進一步細節，該案已讓與給本案受讓人且以參考方式併入本文。
藉由使用印刷電路板及其他技術將離散LED串聯連接係常見的。藉由串聯連接LED，驅動電壓增加且驅動電流被降低。然而，該等電互連對於印刷LED係不實際的，因為該等LED係隨機定位且微觀的。進一步而言，使用橫向導體串聯連接LED之一層佔用大量基板面積，在LED之間產生顯著暗區且降低燈之亮度與面積比率。
現需要用於串聯連接印刷LED的同時獲得具有一良好亮度與面積比率之一高密度LED之實際且具成本效益之技術。
在一實施例中，將微觀LED注入一溶劑中以形成用於印刷(注入網板印刷)之一LED墨水。該等LED係垂直LED，具有在頂部之一個電極(例如一陽極)及在底部之另一電極(例如一陰極)。
提供具有一第一導體層之一基板。將LED作為一單層印刷在導體層上，其等之陽極電極朝向上，而底部陰極電極經退火以與第一導體層歐姆接觸。
將一介電體沈積在LED上方，緊接一透明第二導體層，其與所有頂部陽極電極歐姆接觸。因此，此第一層LED藉由第一導體層及第二導體層並聯連接。
在第二導體層上方印刷有一第二單層LED，其可與第一層LED完全相同。將一介電體沈積在第二層LED上方，且沈積一透明第三導體層，其與第二層LED之陽極電極歐姆接觸。因此，第二層LED藉由第二導體層及第三導體層並聯連接。
因為第一層LED之陽極電極經由第二導體層連接至第二層LED之陰極電極，所以第一層LED與第二層LED串聯連接。因為LED在各層中為隨機配置(即非垂直對準)，所以來自第一層中LED之光通常將具有穿過上覆介電層及透明導體層之一直接路徑。
因為通過第二導體層之大部分電流在藉由第二LED層中之一LED引導前垂直流動且僅稍微橫向流動，所以可以使透明第二導體層非常薄。因此，第二導體層之光衰減非常少且功率損耗非常小。
為跨導體層之良好的電流分佈而沿所有導體層之相對邊緣印刷金屬匯流條。可介於匯流條之間印刷金屬流道以改善大面積光片之電流分佈。
在第一導體層與第三導體層之間耦合一驅動電壓以在正確方向開啟所有LED。因為LED呈串聯，所以藉由導體層引導之電流為並聯連接所有LED所引導電流之一半。
可印刷額外LED層以串聯連接額外LED且進一步降低電流。
藉由降低通過導體之電流，導體具有一更低IR降及/或可變的更薄。
可替代地，因為串聯連接LED之總體密度大於橫向連接LED之密度(因為串聯連接LED層重疊的原因)，所以亮度與面積比率大大增加。
在另一實施例中，可在透明第二導體層上方插入一介電層，且可在介電層上方印刷用於接觸第二層LED之底部陰極電極之另一透明導體層。此允許完全獨立地控制第一層LED及第二層LED之驅動。此亦提供從外部串聯連接LED之選擇。
藉由獨立地驅動LED之層，LED可為不同類型及顏色，且可動態地控制整體結合顏色。
可增加一磷光體或量子點層以轉換某些LED光之波長來產生任意顏色。
可使用一輸送器系統在大氣壓下製造光片。
揭示其他實施例。
10‧‧‧起始基板/基板
12‧‧‧導體層
14‧‧‧微觀垂直發光二極體(LED)/LED
16‧‧‧頂部電極/金屬陽極電極/電極
18‧‧‧底部陰極電極/金屬陰極電極
19‧‧‧介電體/透明介電層
20‧‧‧透明導體層/導體層
22‧‧‧金屬匯流條
24‧‧‧金屬匯流條
32‧‧‧透明導體層/導體層
34‧‧‧透明介電層/介電層
36‧‧‧透明導體層/導體層
40‧‧‧金屬匯流條
41‧‧‧金屬匯流條
42‧‧‧金屬匯流條
43‧‧‧金屬匯流條
44‧‧‧金屬匯流條/匯流條
45‧‧‧金屬匯流條/匯流條
46‧‧‧金屬流道
48‧‧‧驅動電壓
50‧‧‧電流
52‧‧‧光線
54‧‧‧光線
55‧‧‧電流
56‧‧‧印刷磷光體層/磷光體層
58‧‧‧光線/透明介電層
60‧‧‧金屬匯流條
61‧‧‧金屬匯流條
64‧‧‧卷
70‧‧‧透明導體印刷站
72‧‧‧LED墨水印刷站
74‧‧‧金屬印刷站
76‧‧‧光學固化及退火站
V1‧‧‧電壓
V2‧‧‧第二電壓/電壓
圖1係一先前技術光片之一簡化橫截面圖，其具有夾在兩層導體層之間以並聯連接LED之垂直LED之一陣列。
圖2係製造期間根據本發明之一個實施例之一光片之一簡化橫截面圖。
圖3繪示在串聯形成兩層LED之額外製造步驟之後圖2之光片。
圖4係僅圖3中LED之頂層之一俯視圖，其中沿圖4之線3-3取得圖 3。
圖5繪示通過兩個串聯LED之一電流路徑且亦繪示從兩個LED之頂部表面發射之光線。
圖6繪示使用兩個電壓/電流源來驅動各自LED層以獨立控制兩層之本發明之另一實施例。
圖7繪示本發明之另一實施例，其中介於兩層中間導體層之間有一介電層，其啟用介於兩層LED層之間的諸多電連接。
圖8繪示如何使用一輸送器系統在大氣壓下廉價且快速地製造該等實施例。
在多個圖式中類似或相同之元件以相同數字標記。
用於本發明之實施例中基於GaN之微型LED小於人類頭髮直徑之三分之一，使得其等當LED跨待照明之一基板稀疏分散時對裸眼實質上不可見。當施加微型LED至基板上時可自由調整每單位面積微型LED裝置之數目。跨表面之一適當分散之隨機分佈可產生幾乎任意所需表面亮度。受讓人已證實充分超過10,000cd/m2(亮度)之燈。可將LED注入一溶劑中且使用網板印刷或其他形式之印刷將其作為一墨水印刷，且藉由(例如)頂部電極之形狀來控制在基板上LED之定向。高電極引起該高電極約90%時間為頂部電極。可在名為「Method of Manufacturing a Printable Composition of Liquid or Gel Suspension of Diodes」之美國專利申請公開案第US 2012/0164796號中找到藉由印刷微觀垂直LED之一單層、控制其等在一基板上之定向及將其等並聯連接而形成一光源之進一步細節，該案已讓與給本案受讓人且以引用方式併入本文中。
對比先前技術圖1，本發明藉由印刷LED之重疊層而形成串聯之任意數目之印刷LED以減少通過導體層之電流且增加LED之密度來增 加亮度與面積比率。
圖2繪示製造期間之一發明光片(或面板)之一實施例。
在一實施例中，製造一LED晶圓(其含有數千個垂直LED)，使得各LED 14之金屬陽極電極16具有一小面積覆蓋區，以允許光逸出陽極側，且各LED 14之金屬陰極電極18形成各LED 14之一底部反射器。陽極表面及陰極表面可與所展示相反。可藉由蝕刻粗糙化LED 14之頂部表面以增加光提取(即減少內部反射)。
藉由在處理期間使用一或多個載體晶圓及移除生長基板來接達兩者LED表面以金屬化而在晶圓上完整形成LED 14，包含陽極金屬化及陰極金屬化。當在晶圓上形成LED之後，在圍繞各LED之晶圓之正面中微影界定且蝕刻溝渠至等於底部電極之一深度，使得各LED具有約30微米之一直徑及約6微米之一厚度。各LED之一較佳形狀為六邊形。接著薄化晶圓之背面直至單片化該等LED。圖2之LED 14為結果。接著將微觀LED 14均勻地注入一溶劑中以形成用於印刷(諸如網板印刷)之一LED墨水。
可使用諸多其他方法來形成LED 14，且LED 14不需要為應用本發明而係微觀或經印刷。
若需要陽極電極16在印刷後經定向在與基板10相反之一方向，則使電極16較高以當LED沉澱在基板表面上時在溶劑中旋轉(藉由流體壓力)。LED旋轉至最小阻力之一方向。儘管75%之LED處於相同方向即可實現滿意的效能，但(上述方法)已實現超過90%之類似定向。
為易於操作、低重量、低成本且對光片提供合適機械強度，起始基板10越薄越實用。基板10可為一合適聚合物(諸如Mylar或PMMA)，且可從一卷施配出來。因為製造無需真空處理，所以基板10可為任意大小(諸如橫跨一平方米)，且可使用一輸送器系統執行處理程序。在一實施例中，基板10之底部表面上沈積有一反射金屬薄 膜。
在基板10之頂部沈積有一導體層12，諸如由銅、鋁或一合金形成之一金屬層。導體層12較佳地對可見光具反射性。
接著將LED 14印刷在導體層12上，諸如藉由使用允許LED通過且可控制層之厚度之一合適網板之網板印刷。LED 14將被作為一單層印刷且相當均勻地分佈在基板10上方。可使用任意其他合適沈積程序。在圖2之實例中，LED 14經定向使得陽極電極16為頂部電極。
接著藉由熱(諸如使用燈)來蒸發LED墨水溶劑。接著在一光學爐中退火(亦使用燈)LED 14以快速加熱電極來形成介於底部陰極電極18與導體層12之間之一歐姆連接。可在一單獨層中沈積數百萬個LED 14。
接著在整個表面上方印刷一透明介電層19以囊封LED 14且將其等固定在定位。接著無圖形蝕刻介電層19之頂部表面(諸如藉由溼式蝕刻或機械蝕刻)，以暴露頂部陽極電極16。
接著在介電層19上方印刷一透明導體層20以電接觸電極16。導體層20可為ITO或可包含銀奈米線。可在一光學爐中退火電極16以產生至導體層20之良好歐姆接觸。
如圖3中所展示，在導體層20上方印刷有另一透明導體層32。
接著在導體層32上方再次印刷LED墨水以形成LED 14之一第二層，其可與第一層中之LED 14相同或不同。在一實施例中，所有LED 14皆相同且發射藍色光。使用(待稍後沈積之)一磷光體層以引起光片發射白光或任意其他顏色之光。
在另一實施例中，導體層20及32被形成為一單獨層，且在一單獨步驟中退火在LED 14之第一層及第二層中之電極以與導體層之兩側歐姆連接。
以下步驟可與參考圖2所描述之步驟完全相同。接著藉由熱(諸如 使用燈)蒸發LED墨水溶劑。接著在一光學爐中退火在第二層中之LED 14以快速加熱電極來形成介於陰極電極18與導體層32之間之一歐姆接觸。
接著在整個表面上方印刷一透明介電層34以囊封LED 14且將其等固定在定位。接著無圖形蝕刻(諸如藉由溼式蝕刻或機械蝕刻)介電層34之頂部表面以暴露頂部陽極電極16。
接著在介電層34上方印刷一透明導體層36以電接觸電極16。導體層36可為ITO或可包含銀奈米線。可在一光學爐中退火電極16以產生至導體層36之良好歐姆接觸。
藉此並聯連接各層中之LED 14，且串聯連接LED 14之兩層。可印刷LED 14之額外重疊層以串聯增加更多LED。
印刷多個層以便暴露導體層12、32及36之邊緣區域。
接著沿導體層12、32及36之相對邊緣網板印刷金屬匯流條40至金屬匯流條45以連接至一或多個電壓/電流源。接著藉由一光學爐退火金屬。匯流條最終將被連接至一電壓差以開啟LED 14。介於匯流條與驅動電壓引線之間之連接點應至少在各匯流條之兩個末端上以沿匯流條均勻地分佈電流。藉由印刷金屬或一外部連接而將一導體層之相對邊緣上之匯流條一起短接。
若藉由一單獨電壓/電流源驅動LED 14之兩層，則連接至中間導體層32之匯流條42及43是情況可選。
圖4係圖3之結構之一俯視圖，其中圖3取自沿圖4之線3-3。為簡單起見僅繪示LED 14之第二層。因為多個層係透明且在層中之LED 14將歸因於其等在該等層中之隨機位置而偏移，所以在第一層中之LED 14在一俯視圖中亦可見。
若光片較寬，則將有跨至少透明導體層36之一顯著IR降。可沿介於兩個匯流條44及45之間之導體層36表面印刷金屬流道46，以使導 體層36具有一更均勻電壓，導致更均勻之電流分散。
所得結構可小於1mm厚。
圖5繪示當跨導體層12及36施加一驅動電壓48以開啟所有LED 14時圖3之結構。相同驅動電壓48經由匯流條40、41、44及45施加至導體層12及36之相對邊緣。電流50沿底部導體層12(其可為金屬)分散且進入各LED 14之陰極電極18。電流垂直流動通過第一層中之各LED 14，接著垂直且稍橫向流動通過導體層20及32直至藉由在LED 14之第二層中之一LED 14引導為止。因為流動通過導體層20及32之電流不橫向流動一顯著距離，所以該等導體層可非常薄。此外，可藉由不顯著損耗功率地減少導體層20及32之傳導率而使該等層更透明。
垂直流動之電流50一般通過最近之上覆LED 14且通過頂部透明導體層36來完成電路。
因為多個層非常薄且透明，且導體層12或基板10具反射性，所以光吸收率較少。因為施加至導體層12及36之電流為施加至圖1之導體層12及20電流的一半，所以IR損耗也更少。
因為圖5中LED 14之兩個層具有圖1中LED 14之單獨層兩倍之密度，所以亮度與面積比率也翻倍。圖5繪示發射自兩個LED 14之光線52及54。因為LED 14極小且隨機定位(非垂直對準)，所以在第二層中之LED 14通常不會直接覆蓋第一層中之LED 14。因此，離開第一層中之LED之大部分光不會被第二層中之LED阻擋。此外，因為LED之底部電極18具反射性，所以任何照射光皆被反射且最終離開光片。為繪示簡便，在圖5中LED 14之相對大小被極度擴大，且LED 14之間隔被極大地壓縮。
圖6繪示如何藉由在導體層12與32之間耦合一電壓V1，且在導體層32與36之間耦合另一電壓V2而可獨立LED 14之兩個層的驅動電壓。當在不同層中之LED 14為不同類型之LED 14或需要使一層LED 14比其他層更亮時此係有用的。展示電流55流動通過串聯LED 14且至電壓/電流供給。
圖6亦展示在導體層36之頂部表面上方之一印刷磷光體層56之使用。磷光體層56通過藍色LED光之一些且將LED光之一部分轉換為另一波長，諸如黃色(展示為光線58)。光之組合可呈白色或其他顏色。可使用其他波長轉換層，諸如一量子點層。
圖7繪示介於導體層32與20之間之一額外透明介電層58之使用。在導體層20之邊緣上形成金屬匯流條60及61。介電層58電隔離LED 14之兩層以產生一4終端光片。LED 14之兩層展示為藉由電壓V1及V2驅動。可藉由一外部連接來串聯連接LED 14之層，短接導體層20至導體層32。若在各層中之LED 14為不同類型之LED，需要不同驅動電壓及電流來產生所需亮度，則圖7之組態可係有用的。
在所有實施例中，可藉由平鋪在一單獨基板上之多個LED區域形成一單獨光片，其中LED之各單獨區域包括藉由多個導體層並聯及串聯地電連接之LED。如一實例，由於在LED及導體層之網板印刷期間使用之圖案，LED之一條可與一鄰近條電隔離。以此方式，單獨條可串聯及/或並聯地連接在一起，或藉由在光片上之金屬圖案隔離，以實現光片之所需電氣特徵。將LED分隔成區域亦減少各導體層所需之電流且改善在短路或開路情況下的可靠性。各條可為一厘米寬或更窄，且含有數千個LED。藉由啟用不同驅動電壓驅動該等條，可在鄰近條中使用不同類型之LED(具有不同正向電壓)以結合來自該等條之不同顏色。在一實施例中，紅色、綠色及藍色LED係在鄰近窄條中以無磷光體而產生白光。
一單獨光片可橫跨超過一米且具任意長度。各圖形可代表再一更大光片中之一單獨條或區域，或可代表整個光片。可以任意方式互連多個金屬匯流條。
可提供具有一釋放層之基板10，以允許從基板10移除剩餘層，產生具有僅20微米至80微米之一厚度之一更有效光片。該一光片極具可撓性且可被黏合至另一類型之基板(包含用於包覆之一織物)。
該光片可被用於通用照明、顯示器、背光燈、指示燈等等。
如圖8中所展示，因為可使用燈來印刷且加熱所有層，所以可使用一輸送器系統在大氣壓下製造光片。圖8繪示從一卷64適配基板10。如上文所描述，基板10在多個處理站下移動以印刷層、加熱/固化/退火層且蝕刻層。圖8中展示有一透明導體印刷站70、一LED墨水印刷站72、一金屬印刷站74、一光學固化/退火站76及一溼式或乾式蝕刻站78。
儘管已展示且描述本發明之特定實施例，但熟悉技術者將顯而易見可在不脫離本發明之寬泛態樣的情況下作出改變及修改，因此，隨附專利申請範圍涵蓋在其範疇內且落於本發明之真實精神及範疇內之所有該等改變及修改。
10‧‧‧起始基板/基板
12‧‧‧導體層
14‧‧‧微觀垂直發光二極體(LED)/LED
20‧‧‧透明導體層/導體層
32‧‧‧透明導體層/導體層
36‧‧‧透明導體層/導體層
40‧‧‧金屬匯流條
42‧‧‧金屬匯流條
44‧‧‧金屬匯流條/匯流條
52‧‧‧光線
54‧‧‧光線
55‧‧‧電流
56‧‧‧印刷磷光體層/磷光體層
58‧‧‧光線/透明介電層
V1‧‧‧電壓
V2‧‧‧第二電壓/電壓

Claims (20)

  1. 一種照明結構，其包括：一導體表面；第一垂直發光二極體晶粒(VLED)之一第一層，其分佈在該導體表面上，該等第一VLED具有電接觸該導體表面之一底部電極；一第一介電層，其介於該等第一VLED之間；一第一透明導體層，其覆蓋該等第一VLED及第一介電層，該等第一VLED具有電接觸該第一透明導體層之一頂部電極；第二VLED之一第二層，其分佈在該第一透明導體層上，該等第二VLED具有電接觸該第一透明導體層之一底部電極，第二VLED之該第二層覆蓋第一VLED之該第一層，該等第二VLED與該等第一VLED相同；一透明第二介電層，其介於該等第二VLED之間；及一第二透明導體層，其覆蓋該等第二VLED及第二介電層，該等第二VLED具有電接觸該第二透明導體層之一頂部電極，其中該等第一VLED藉由該導體表面及該第一透明導體層並聯連接，其中該等第二VLED藉由該第一透明導體層及該第二透明導體層並聯連接，其中第一VLED之該第一層與第二VLED之該第二層藉由該第一透明導體層串聯連接；及其中該等第一VLED與該等第二VLED非垂直對準，使得當開啟該等第一VLED及該等第二VLED時，離開該等第一VLED之光 之大部分不被該等第二VLED阻擋。
  2. 如請求項1之結構，其中該第一透明導體層包括接連沈積之兩層透明導體層。
  3. 如請求項1之結構，其中該等第一VLED隨機地分佈在該導體表面上方，且該等第二VLED隨機地分佈在該第一透明導體層上方。
  4. 如請求項1之結構，其中該導體表面包括形成在一基板上之一傳導層。
  5. 如請求項1之結構進一步包括支撐該導體表面之一基板。
  6. 如請求項5之結構，其中該基板具有傳導性。
  7. 如請求項1之結構，其中將該等第一VLED及該等第二VLED作為包括一溶劑之一墨水來印刷。
  8. 如請求項1之結構，其中該等第一VLED及該等第二VLED為隨機地分佈在該導體表面及該第一透明導體層上方之微觀VLED。
  9. 如請求項1之結構，其進一步包括接觸該第一透明導體層及該第二透明導體層之金屬匯流條。
  10. 如請求項1之結構進一步包括覆蓋該第二透明導體層之一波長轉換層。
  11. 如請求項1之結構，其進一步包括：一第一電極，其接觸該導體表面；一第二電極，其接觸該第一透明導體層；一第三電極，其接觸該第二透明導體層；一第一電壓，其連接在該第一電極與該第二電極之間用於開啟該等第一VLED；及一第二電壓，其連接在該第二電極與該第三電極之間用於開啟該等第二VLED。
  12. 如請求項1之結構，其進一步包括：一第一電極，其接觸該導體表面；一第二電極，其接觸該第二透明導體層；及一第一電壓，其連接在該第一電極與該第二電極之間用於開啟該等第一VLED及該等第二VLED。
  13. 如請求項1之結構，其中該結構具有可撓性。
  14. 一種照明結構，其包括：一導體表面；第一垂直發光二極體晶粒(VLED)之一第一層，其分佈在該導體表面上，該等第一VLED具有電接觸該導體表面之一底部電極；一第一介電層，其介於該等第一VLED之間；一第一透明導體層，其覆蓋該等第一VLED及第一介電層，該等第一VLED具有電接觸該第一透明導體層之一頂部電極；一透明第二介電層，其覆蓋該第一透明導體層；一第二透明導體層，其覆蓋該第二介電層；第二VLED之一第二層，其分佈在該第二透明導體層上，該等第二VLED具有電接觸該第二透明導體層之一底部電極，第二VLED之該第二層覆蓋第一VLED之該第一層，該等第二VLED與該等第一VLED相同；一透明第三介電層，其介於該等第二VLED之間；及一第三透明導體層，其覆蓋該等第二VLED及第三介電層，該等第二VLED具有電接觸該第三透明導體層之一頂部電極，其中該等第一VLED藉由該導體表面及該第一透明導體層並聯連接，其中該等第二VLED藉由該第二透明導體層及該第三透明導體 層並聯連接，其中第一VLED之該第一層與第二VLED之該第二層藉由將該第一透明導體層短接至該第二透明導體層而可串聯連接；及其中該等第一VLED與該等第二VLED非垂直對準，使得當開啟該等第一VLED及該等第二VLED時，離開該等第一VLED之光之大部分不被該等第二VLED阻擋。
  15. 如請求項14之結構，其中該等第一VLED及該等第二VLED為隨機地分佈在該導體表面及該第二透明導體層上方之微觀VLED。
  16. 一種用於形成一照明結構之方法，其包括：提供具有一導體表面之一基板；在該導體表面上印刷第一垂直發光二極體(VLED)之一第一層，該等第一VLED具有電接觸該導體表面之一底部電極；在該等第一VLED之間沈積一第一介電層；沈積一第一透明導體層覆蓋該等第一VLED及第一介電層，該等第一VLED具有電接觸該第一透明導體層之一頂部電極；在該第一透明導體層上印刷第二VLED之一第二層，該等第二VLED具有電接觸該第一透明導體層之一底部電極，第二VLED之該第二層覆蓋第一VLED之該第一層，該等第二VLED不與該等第一VLED垂直對準；在該等第二VLED之間沈積一透明第二介電層；及沈積一第二透明導體層覆蓋該等第二VLED及第二介電層，該等第二VLED具有電接觸該第二透明導體層之一頂部電極，其中該等第一VLED藉由該導體表面及該第一透明導體層並聯連接，其中該等第二VLED藉由該第一透明導體層及該第二透明導體層並聯連接， 其中第一VLED之該第一層與第二VLED之該第二層藉由該第一透明導體層串聯連接；及其中該等第一VLED及該等第二VLED經配置使得當開啟該等第一VLED及該等第二VLED時，離開該等第一VLED之光之大部分不被該等第二VLED阻擋。
  17. 如請求項16之方法，其中沈積一第一透明導體層之步驟包括接連沈積兩層透明導體層。
  18. 如請求項16之方法，其中該等第一VLED及該等第二VLED為隨機地分佈在該導體表面及該第一透明導體層上方之微觀VLED。
  19. 如請求項16之方法，其中該導體表面包括形成在該基板上之一傳導層。
  20. 如請求項16之方法，其中該基板具有傳導性。
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