TWI517333B - 具雙重連接性之積體電路封裝系統 - Google Patents
具雙重連接性之積體電路封裝系統 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI517333B TWI517333B TW097133696A TW97133696A TWI517333B TW I517333 B TWI517333 B TW I517333B TW 097133696 A TW097133696 A TW 097133696A TW 97133696 A TW97133696 A TW 97133696A TW I517333 B TWI517333 B TW I517333B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- pad
- encapsulant
- face
- terminal
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/105—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1017—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
- H01L2225/1029—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the support being a lead frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1047—Details of electrical connections between containers
- H01L2225/1058—Bump or bump-like electrical connections, e.g. balls, pillars, posts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01076—Osmium [Os]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
本發明大體有關於積體電路封裝系統,且尤係關於帶有引線(lead)的積體電路封裝系統。
電腦工業的持續目標是提高組件的小型化、提高積體電路(“IC”)的裝填密度(packing density)、提高效能、以及降低成本。半導體封裝結構持續向小型化前進以增加封裝於其中之組件的密度,同時縮短由組件製成之產品的尺寸。對於資訊及通訊產品需求持續在增加的因應是不斷地減少尺寸、厚度、成本,以及繼續提高效能。
例如,對於可攜資訊及通訊裝置(例如,行動電話、免持行動電話耳機、個人資料助理(“PDA”)、可攜式攝影機、筆記電腦、等等)的小型化的需求增加特別值得注意。這些裝置都持續地做成更小更薄以改善它們的可攜性。因此,必須把加入這些裝置的大型積體電路(“LSI”)封裝件做成更小更薄。容納及保護LSI的封裝組構也被要求做成更小更薄。
許多習知半導體(或“晶片”)封裝件是用樹脂(例如,環氧樹脂成型材料)把半導體晶粒模造成封裝件。該等封裝件有導線架,而封裝件的引線均由封裝體突出以提供用於晶粒與外部裝置之間訊號傳輸的路徑。其他習知封裝組構則有直接形成於封裝件表面上的接觸端子或墊片。此類習知半導體封裝件是用以下製程製成:黏晶(die-bonding)製程(安裝導體晶粒於導線架的焊盤上)、打線接合(wire-bonding)製程(用導線架接線使焊盤上的半導體晶粒與內引線電氣連接)、成型(molding)製程(用環氧樹脂囊封預定部份的總成(assembly)以形成封裝體,該總成包含晶粒、內引線及導線架接線),以及修整(trimming)製程(完成各個總成為個別獨立的封裝件)。
然後,藉由匹配及焊接外引線或接觸墊於電路板的匹配圖形來裝上以此方式製成的半導體封裝件,以藉此致能封裝件中之半導體元件與電路板之間的電源及訊號輸入/輸出(“I/O”)操作。
增加功能整合及小型化會有不同的挑戰。例如,可能做出功能增加且尺寸較小但仍需提供大量輸入/輸出(I/O)的半導體產品。縮減尺寸會增加I/O密度,或減少積體電路封裝件以及各個積體電路承載器的I/O間距。
持續增加的I/O密度趨勢暴露出許多製造問題。有些問題是落在積體電路的製造領域,例如細微的間距連接以及連接的可靠性。其他的問題則與安裝I/O密度增加之積體電路於封裝承載器上有關。另外其他的問題是印刷電路板或系統機板的領域,這種印刷電路板或系統機板是在持續減少之空間中容置有細微間距I/O或大量I/O的積體電路封裝件。
電子工業習知的示範半導體封裝件為四方扁平封裝型(“QFP”)。QFP封裝件通常包含導線架(例如,衝壓(stamped)及蝕刻而成的導電板),其中有許多焊墊的半導體晶粒是裝在導線架的頂面。焊線使半導體晶粒的焊墊電氣連接至在導線架頂面上一連串的導電引線指(conductive lead finger)。半導體晶粒與焊線通常是囊封於成型材料內。
為了降低製造成本,電子工業一直在增加QFP封裝件的使用率。在製程上必須克服許多障礙以大量輸送有愈來愈薄之外形的極小封裝件同時提供連接性至大量I/O。儘管趨勢為小型化與更薄的外形,但仍會有更多功能及更多積體電路持續被包裝成QFP封裝件。
因此,仍需要製造成本低、良率及可靠性有所改進的積體電路封裝系統。鑑於節省成本及改良效率的持續增長需求,找出這些問題的解答變得愈來愈重要。
人們長期以來一直在找問題的解決方案,但是先前技術並沒有教導或建議任何解決方案,因此熟諳此技藝者長期以來都為該等問題的解決方案而困惑。
本發明提供一種積體電路封裝方法,其係包含:形成晶粒黏接焊盤(paddle)、端子墊片、以及外部互連,其中該外部互連是在該端子墊片下;使積體電路晶粒與該端子墊片及該外部互連連接;以及,形成囊封體,其係具有第一面以及在該第一面之對面的第二面,以在該第一面露出的該端子墊片與在該第二面下延伸的該外部互連包圍該積體電路晶粒。
除了以上提及的以外,本發明還有一些具體實施例具有其他態樣或替代態樣。熟諳此技藝者配合附圖閱讀以下的詳細說明可明白該等態樣。
下文會充分詳細地描述數個具體實施例讓熟諳此技藝者得以製作及利用本發明。應瞭解,基於本揭示內容,顯然還有其他的具體實施例,而且在不脫離本發明的範疇下可更改系統、方法或機械。
在以下的描述中,給出許多特定細節供徹底瞭解本發明。不過,在沒有該等特定細節下,顯然仍可實施本發明。為了避免混淆本發明,有些習知電路、系統組構及製程步驟的細節將不予以詳述。同樣,顯示系統具體實施例的附圖均為部份示意圖而且未按比例繪製,特別是有些尺寸是為了清楚呈現而在附圖中予以誇大。一般而言,本發明可以任何方位來操作。
此外,為了闡明和便於圖解說明、描述及理解,在揭示及描述有一些共同特徵的多個具體實施例的地方,彼此相同及類似的特徵通常會用相同的元件符號表示。為了便於說明而將具體實施例編號為第一具體實施例、第二具體實施例、等等而沒有任何其他的意義或是想對本發明有所限制。
為了解釋,本文所用之術語“水平面”的定義是與積體電路之平面或表面平行的平面,而不管它的方向。術語“垂直”係指與剛才定義之水平面垂直的方向。諸如“上方”、“下方”、“底面”、“頂面”、“側面”(如“側壁”)、“高於”、“低於”、“較上面”、“上面”、以及“下面”之類的術語都是以水平面來定義。術語“在…上”是意指元件之間的直接接觸。本文所用之術語“加工(processing)”包含沉積材料、圖案化、曝光、顯影、蝕刻、清洗、成型、及/或移除材料或在形成所述結構時要做的。本文所用之術語“系統”係根據在使用該術語的背景下,指稱及定義為本發明的方法與裝置。
第1圖為本發明第一具體實施例的積體電路封裝系統100之上視圖。該上視圖圖示囊封體102(例如,環氧樹脂成型材料製成的),其係具有部份暴露且由囊封體102四周伸出的外部互連104。例如,該等外部互連104可為四方扁平封裝型之積體電路封裝系統100的引線。囊封體102也露出遠離囊封體102四周而設的端子墊片106。較佳地,囊封體102經受隔離製程(例如,研磨)以切斷晶粒黏接焊盤120與端子墊片106的連接以及部份暴露用以連接附加積體電路裝置結構(未圖示)的端子墊片106。
第2圖為沿著第1圖中之直線2-2繪出的積體電路封裝系統100的剖面圖。該剖面圖係圖示具有由囊封體102側面208伸出之外部互連104的囊封體102。囊封體102包含與側面208之一交會的第一囊封體面210以及在第一囊封體面210反面的第二囊封體面212。外部互連104各包含尖端214、柱體216及終端218為較佳。終端218有助於安裝至下一個系統層次(未圖示),例如印刷電路板或另一積體電路封裝系統。較佳地,終端218在第二囊封體面212下延伸使得囊封體102不會妨礙外部互連104與下一個系統層次的連接。
提供有第一焊盤面222與在第一焊盤面222反面之第二焊盤面224的晶粒黏接焊盤120。該晶粒黏接焊盤120可包括由呈鈍角的非水平延伸的第一焊盤面222所全部侷限的凹槽255。端子墊片106均形成於晶粒黏接焊盤120附近。端子墊片106各有第一墊片面226與第二墊片面228,其中第二墊片面228是在第一墊片面226反面,以及第一墊片面226與第一囊封體面210共面為較佳。
晶粒黏接焊盤120下可用黏著劑232黏上積體電路晶粒230,其中積體電路晶粒230的非活性面234是面向第二焊盤面224。電氣互連236(例如,焊線或帶狀連接(ribbon bond))使積體電路晶粒230的活性面238電氣連接至第二墊片面228和預選的外部互連104之尖端214。應瞭解,該等端子墊片106可電氣連接至各種訊號,例如,參考源、訊號及接地。
囊封體102覆蓋積體電路晶粒230、電氣互連236及晶粒黏接焊盤120。較佳地,第一囊封體面210經受隔離製程(例如,研磨),以切斷晶粒黏接焊盤120與端子墊片106的接觸以及部份暴露第一囊封體面210上用於連接至附加積體電路裝置結構(未圖示)的第一墊片面226。較佳地,囊封體102暴露外部互連104的柱體216及終端218以利於安裝至下一個系統層次(未圖示),例如印刷電路板或另一積體電路封裝系統。
已發現,本發明的積體電路封裝系統100係藉由沿著第一囊封體面210提供端子墊片106以便在端子墊片106附著於另一積體電路裝置,同時也允許積體電路封裝系統100在第二囊封體面212附著於下一個系統層次連接,而能具有縮減之外形與高I/O連接性。此一雙重連接選項可增加積體電路封裝系統100的I/O連接,以及對於端子墊片106、外部互連104和連接至下一個系統層次,可減輕挑剔的間距要求。
第3圖為本發明第二具體實施例的積體電路封裝系統300之上視圖。積體電路封裝系統300的結構類似於第1圖積體電路封裝系統100。
該上視圖圖示囊封體302(例如,環氧樹脂成型材料製成的),其係具有部份暴露且由囊封體302四周伸出的外部互連304。
應瞭解,該等外部互連304可為各種類型的引線。例如,該等外部互連304可為四方扁平封裝型之積體電路封裝系統300的引線。囊封體302也露出遠離囊封體302四周而設的端子墊片306。在此具體實施例中,囊封體302係部份暴露晶粒黏接焊盤320。
第4圖為沿著第3圖中之直線4-4繪出的積體電路封裝系統300之剖面圖。該剖面圖係圖示具有由囊封體302側面408伸出之外部互連304的囊封體302。囊封體302包含與側面408之一交會的第一囊封體面410以及在第一囊封體面410反面的第二囊封體面412。
較佳地,外部互連304各包含尖端414、柱體416及終端418。終端418有助於安裝至下一個系統層次(未圖示),例如印刷電路板或另一積體電路封裝系統。較佳地,終端418在第二囊封體面412下延伸使得囊封體302不會妨礙外部互連304與下一個系統層次的連接。
提供具有第一焊盤面422與在第一焊盤面422反面之第二焊盤面424的晶粒黏接焊盤420。端子墊片306均形成於晶粒黏接焊盤420附近。端子墊片306各包含第一墊片面426與第二墊片面428,其中第二墊片面428是在第一墊片面426反面,以及第一墊片面426與第一囊封體面410共面為較佳。
晶粒黏接焊盤420下可用黏著劑432黏上積體電路晶粒430,其中積體電路晶粒430的非活性面434是面向第二焊盤面424。電氣互連436(例如,焊線或帶狀連接)使積體電路晶粒430的活性面438電氣連接至第二墊片面428和預選的外部互連304之尖端414。應瞭解,該等端子墊片306可電氣連接至各種訊號,例如,參考源、訊號及接地。
囊封體302覆蓋積體電路晶粒430與電氣互連436。囊封體302部份覆蓋晶粒黏接焊盤420、端子墊片306及外部互連304,較佳地,暴露第一囊封體面410上用以連接至附加積體電路裝置結構(未圖示)的第一焊盤面及第一墊片面426。較佳地,囊封體302暴露外部互連304的柱體416及終端418以利於安裝至下一個系統層次(未圖示),例如印刷電路板或另一積體電路封裝系統。
已發現,本發明的積體電路封裝系統300係藉由沿著第一囊封體面410提供端子墊片306以便在端子墊片附著於另一積體電路裝置,同時也允許積體電路封裝系統300在第二囊封體面412附著於下一個系統層次連接,能具有縮減之外形與高I/O連接性。此一雙重連接選項可增加積體電路封裝系統300的I/O連接,以及對於端子墊片306、外部互連304和下一個系統層次,可減輕挑剔的間距要求。
此外,有該等端子墊片的晶粒黏接焊盤可連接至允許積體電路晶粒接地連接的基準(例如,接地基準)同時讓外引線連接至訊號。在本發明之一個示範應用中,端子墊片連接至電源或接地使得外引線可用於可能接至接地基準的訊號。這也可以較小的引線間距來減少封裝件的設計約束從而有助於製造及組裝於印刷電路板(PCB)上。在另一示範應用中,當晶粒黏接焊盤及端子墊片電氣連接至接地基準時,本發明也可提供電磁干擾(EMI)屏蔽或射頻(RF)屏蔽。
第5圖為本發明第三具體實施例的積體電路封裝系統500之上視圖。積體電路封裝系統500的結構類似於第3圖積體電路封裝系統300。
該上視圖圖示囊封體502(例如,環氧樹脂成型材料製成的),其係具有部份暴露且由囊封體502四周伸出的外部互連504。
囊封體502也露出遠離囊封體502四周而設的端子墊片506。在此具體實施例中,囊封體502係部份暴露與端子墊片506共面的晶粒黏接焊盤520,以及在囊封體502中形成與端子墊片506毗鄰的部份切割(partial cut)508。部份切割508(例如,藉由鋸切、蝕刻或鑽孔)係隔離及切斷晶粒黏接焊盤520與端子墊片506的接觸。
第6圖為沿著第5圖中之直線6-6繪出的積體電路封裝系統500之剖面圖。該剖面圖係圖示具有由囊封體502側面608伸出之外部互連504的囊封體502。囊封體502包含與側面608之一交會的第一囊封體面610以及在第一囊封體面610反面的第二囊封體面612。
較佳地,外部互連504各包含尖端614、柱體616及終端618。終端618有助於安裝至下一個系統層次(未圖示),例如印刷電路板或另一積體電路封裝系統。較佳地,終端618在第二囊封體面612下延伸使得囊封體502不會妨礙外部互連504與下一個系統層次的連接。
提供具有第一焊盤面622以及在第一焊盤面622反面之第二焊盤面624的晶粒黏接焊盤520。端子墊片506均形成於晶粒黏接焊盤520附近。端子墊片506各有第一墊片面626與第二墊片面628,其中第二墊片面628是在第一墊片面626反面,以及第一墊片面626與第一囊封體面610共面為較佳。
晶粒黏接焊盤520下可用黏著劑632黏上積體電路晶粒630,其中積體電路晶粒630的非活性面634是面向第二焊盤面624。電氣互連636(例如,焊線或帶狀連接)使積體電路晶粒630的活性面638電氣連接至第二墊片面628和預選的外部互連504之尖端614。應瞭解,該等端子墊片506可電氣連接至各種訊號,例如,參考源、訊號及接地。
囊封體502覆蓋積體電路晶粒630與電氣互連636。囊封體502部份覆蓋晶粒黏接焊盤520、端子墊片506及外部互連504,並較佳地露出第一焊盤面與第一囊封體面610上的第一墊片面626用以連接至附加積體電路裝置結構(未圖示)。部份切割508均形成於第一囊封體面610,其中部份切割508是用來切斷晶粒黏接焊盤520與端子墊片506的接觸。在此具體實施例中,部份切割508是製作在晶粒黏接焊盤520與端子墊片506之間。較佳地,囊封體502暴露外部互連504的柱體616及終端618以利於安裝至下一個系統層次(未圖示),例如印刷電路板或另一積體電路封裝系統。
第7圖為本發明第四具體實施例的積體電路封裝系統700之上視圖。積體電路封裝系統700的結構類似於第5圖積體電路封裝系統500。該上視圖圖示囊封體702(例如,環氧樹脂成型材料製成的),暴露出端子墊片706與在囊封體702四周外呈部份露出及延伸的外部互連704。
應瞭解,該等外部互連704可為各種類型的引線。例如,該等外部互連704可為四方扁平封裝型之積體電路封裝系統700的引線。囊封體702中的部份切割708均製作於端子墊片706附近。
第8圖為沿著第7圖中之直線8-8繪出的積體電路封裝系統700之剖面圖。積體電路封裝系統700的結構類似於第5圖積體電路封裝系統500。該剖面圖係圖示具有由囊封體702側面808伸出之外部互連704的囊封體702。囊封體702包含與側面808之一交會的第一囊封體面810以及在第一囊封體面810反面的第二囊封體面812。
較佳地,外部互連704各包含尖端814、柱體816及終端818。終端818有助於安裝至下一個系統層次(未圖示),例如印刷電路板或另一積體電路封裝系統。較佳地,終端818在第二囊封體面812下延伸使得囊封體702不會妨礙外部互連704與下一個系統層次的連接。
提供具有第一焊盤面822與在第一焊盤面822反面之第二焊盤面824的晶粒黏接焊盤820。端子墊片706均形成於晶粒黏接焊盤820附近。端子墊片706各包含第一墊片面826與第二墊片面828,其中第二墊片面828是在第一墊片面826反面,以及第一墊片面826與第一囊封面810共面為較佳。
晶粒黏接焊盤820下可用黏著劑832黏上積體電路晶粒830,其中積體電路晶粒830的非活性面834是面向第二焊盤面824。電氣互連836(例如,焊線或帶狀連接)使積體電路晶粒830的活性面838電氣連接至第二墊片面828和預選的外部互連704之尖端814。應瞭解,該等端子墊片706可電氣連接至各種訊號,例如,參考源、訊號及接地。
囊封體702覆蓋積體電路晶粒830、電氣互連836及晶粒黏接焊盤820。囊封體702部份覆蓋端子墊片706與外部互連704而在第一囊封體面810上露出第一墊片面826用以連接至附加積體電路裝置結構(未圖示)。部份切割708均形成於第一囊封體面810,其中部份切割708是用來切斷晶粒黏接焊盤820與端子墊片706的接觸。在此具體實施例中,部份切割708是製作在晶粒黏接焊盤820與端子墊片706之間。較佳地,囊封體702暴露外部互連704的柱體816及終端818以利於安裝至下一個系統層次(未圖示),例如印刷電路板或另一積體電路封裝系統。
第9圖為本發明第五具體實施例的積體電路封裝系統900之上視圖。積體電路封裝系統900的結構類似於第5圖積體電路封裝系統500。該上視圖圖示囊封體902(例如,環氧樹脂成型材料製成的),其係具有部份暴露且由囊封體902四周伸出的外部互連904。
應瞭解,該等外部互連904可為各種類型的引線。例如,該等外部互連904可為四方扁平封裝型之積體電路封裝系統900的引線。囊封體902也露出遠離囊封體902四周而設的端子墊片906。在此具體實施例中,囊封體902係部份暴露與端子墊片906共面的晶粒黏接焊盤920以及在囊封體902中形成與端子墊片906毗鄰的部份切割908於端子墊片906與外部互連904之間。
第10圖為沿著第9圖中之直線10-10繪出積體電路封裝系統900之剖面圖。該剖面圖係圖示具有由囊封體902側面1008伸出之外部互連904的囊封體902。囊封體902包含與側面1008之一交會的第一囊封體面1010以及在第一囊封體面1010反面的第二囊封體面1012。
較佳地,外部互連904各包含尖端1014、柱體1016及終端1018。終端1018有助於安裝至下一個系統層次(未圖示),例如印刷電路板或另一積體電路封裝系統。較佳地,終端1018在第二囊封體面1012下延伸使得囊封體902不會妨礙外部互連904與下一個系統層次的連接。
提供具有第一焊盤面1022與在第一焊盤面1022反面之第二焊盤面1024的晶粒黏接焊盤1020。該等端子墊片906是在晶粒黏接焊盤1020附近形成而且與它共面。端子墊片906各有第一墊片面1026與第二墊片面1028,其中第二墊片面1028是在第一墊片面1026反面,以及第一墊片面1026與第一囊封體面1010共面為較佳。
晶粒黏接焊盤1020下可用黏著劑1032黏上積體電路晶粒1030,其中積體電路晶粒1030的非活性面1034是面向第二焊盤面1024。電氣互連1036(例如,焊線或帶狀連接)使積體電路晶粒1030的活性面1038電氣連接至第二墊片面1028和預選的外部互連904之尖端1014。應瞭解,該等端子墊片906可電氣連接至各種訊號,例如,參考源、訊號及接地。
囊封體902覆蓋積體電路晶粒1030及電氣互連1036。囊封體902部份覆蓋晶粒黏接焊盤1020、端子墊片906及外部互連904,較佳地暴露出第一焊盤面及第一囊封體面1010上的第一墊片面1026用以連接至附加積體電路裝置結構(未圖示)。在此具體實施例中,該等部份切割908是製作在該等端子墊片906與該等外部互連904之間。較佳地,囊封體902暴露外部互連904的柱體1016及終端1018以利於安裝至下一個系統層次(未圖示),例如印刷電路板或另一積體電路封裝系統。
第11圖為本發明第六具體實施例的積體電路封裝系統1100之上視圖。積體電路封裝系統1100的結構類似於第9圖積體電路封裝系統900。該上視圖圖示囊封體1102(例如,環氧樹脂成型材料製成的),其係具有部份暴露且由囊封體1102四周伸出的外部互連1104。
應瞭解,該等外部互連1104可為各種類型的引線。例如,該等外部互連1104可為四方扁平封裝型之積體電路封裝系統1100的引線。囊封體1102也露出遠離囊封體1102四周而設的端子墊片1106。在此具體實施例中,在囊封體1102中形成部份切割1108於在端子墊片1106和外部互連1104之間的端子墊片1106附近。
第12圖為沿著第11圖中之直線12-12繪出的積體電路封裝系統1100之剖面圖。該剖面圖係圖示具有由囊封體1102側面1208伸出之外部互連1104的囊封體1102。囊封體1102包含與側面1208之一交會的第一囊封體面1210以及在第一囊封體面1210反面的第二囊封體面1212。
較佳地,外部互連1104各包含尖端1214、柱體1216及終端1218。終端1218有助於安裝至下一個系統層次(未圖示),例如印刷電路板或另一積體電路封裝系統。較佳地,終端1218在第二囊封體面1212下延伸使得囊封體1102不會妨礙外部互連1104與下一個系統層次的連接。
提供具有第一焊盤面1222與在第一焊盤面1222反面之第二焊盤面1224的晶粒黏接焊盤1220。端子墊片1106均形成於晶粒黏接焊盤1220附近。端子墊片1106各有第一墊片面1226與第二墊片面1228,其中第二墊片面1228是在第一墊片面1226反面,以及第一墊片面1226與第一囊封體面1210共面為較佳。
晶粒黏接焊盤1220下可用黏著劑1232黏上積體電路晶粒1230,其中積體電路晶粒1230的非活性面1234是面向第二焊盤面1224。電氣互連1236(例如,焊線或帶狀連接)使積體電路晶粒1230的活性面1238電氣連接至第二墊片面1228和預選的外部互連1104之尖端1214。應瞭解,該等端子墊片1106可電氣連接至各種訊號,例如,參考源、訊號及接地。
囊封體1102覆蓋積體電路晶粒1230、晶粒黏接焊盤1220及電氣互連1236。囊封體1102部份覆蓋端子墊片1106與外部互連1104而暴露第一囊封體面1210上的第一墊片面1226用以連接至附加積體電路裝置結構(未圖示)。在此具體實施例中,該等部份切割1108均製作在該等端子墊片1106與該等外部互連1104之間。較佳地,囊封體1102暴露外部互連1104的柱體1216及終端1218以利於安裝至下一個系統層次(未圖示),例如印刷電路板或另一積體電路封裝系統。
第13圖為本發明第七具體實施例的積體電路封裝系統1300之上視圖。積體電路封裝系統1300的結構類似於第5圖積體電路封裝系統500。該上視圖圖示囊封體1302(例如,環氧樹脂成型材料製成的),其係具有部份暴露且由囊封體1302四周伸出的外部互連1304。
應瞭解,該等外部互連1304可為各種類型的引線。例如,該等外部互連1304可為四方扁平封裝型之積體電路封裝系統1300的引線。囊封體1302也露出遠離囊封體1302四周而設的端子墊片1306。在此具體實施例中,囊封體1302係部份暴露與端子墊片1306共面的晶粒黏接焊盤1320,以及在囊封體1302中形成與端子墊片1306毗鄰的部份切割1308。該等端子墊片1306形成多排以增加I/O連接數。
第14圖為沿著第13圖中之直線14-14繪出的積體電路封裝系統1300之剖面圖。該剖面圖係圖示具有由囊封體1302側面1408伸出之外部互連1304的囊封體1302。囊封體1302包含與側面1408之一交會的第一囊封體面1410以及在第一囊封體面1410反面的第二囊封體面1412。
較佳地,外部互連1304各包含尖端1414、柱體1416及終端1418。終端1418有助於安裝至下一個系統層次(未圖示),例如印刷電路板或另一積體電路封裝系統。較佳地,終端1418在第二囊封體面1412下延伸使得囊封體1302不會妨礙外部互連1304與下一個系統層次的連接。
提供具有第一焊盤面1422與在第一焊盤面1422反面之第二焊盤面1424的晶粒黏接焊盤1420。形成多排與晶粒黏接焊盤1420毗鄰而且較佳為與其共面的端子墊片1306。端子墊片1306各有第一墊片面1426與第二墊片面1428,其中第二墊片面1428是在第一墊片面1426反面,以及第一墊片面1426與第一囊封體面1410共面為較佳。
晶粒黏接焊盤1420下可用黏著劑1432黏上積體電路晶粒1430,其中積體電路晶粒1430的非活性面1434是面向第二焊盤面1424。電氣互連1436(例如,焊線或帶狀連接)使積體電路晶粒1430的活性面1438電氣連接至第二墊片面1428和預選的外部互連1304之尖端1414。應瞭解,該等端子墊片可電氣連接至各種訊號,例如,參考源、訊號及接地。也應瞭解,多排端子墊片1306的排數與組構不具關鍵性而且可依設計需要而修改。
囊封體1302覆蓋積體電路晶粒1430及電氣互連1436。囊封體1302部份覆蓋晶粒黏接焊盤1420、端子墊片1306及外部互連1304,較佳地暴露第一焊盤面1422及第一囊封體面1410上的第一墊片面1426用於連接至附加積體電路裝置結構(未圖示)。
部份切割1308均形成於第一囊封體面1410,其中部份切割1308是用來切斷晶粒黏接焊盤1420與端子墊片1306的接觸。在此具體實施例中,該等部份切割1308均製作在該等晶粒黏接焊盤1420與該等端子墊片1306之間,然而應瞭解,囊封體1302的部份切割1308可替換地用類似上述方式製作於該等端子墊片1306與該等外部互連1304之間。較佳地,囊封體1302也暴露外部互連1304的柱體1416與終端1418以利於安裝至下一個系統層次(未圖示),例如印刷電路板或另一積體電路封裝系統。
第15圖為本發明第八具體實施例的積體電路封裝系統1500之上視圖。積體電路封裝系統1500的結構類似於第13圖的積體電路封裝系統1300。該上視圖圖示囊封體1502(例如,環氧樹脂成型材料製成的),其係具有部份暴露且由囊封體1502四周伸出的外部互連1504。
應瞭解,該等外部互連1504可為各種類型的引線。例如,該等外部互連1504可為四方扁平封裝型之積體電路封裝系統1500的引線。囊封體1502也露出遠離囊封體1502四周而設的端子墊片1506。在此具體實施例中,囊封體1502係部份暴露與端子墊片1506共面的晶粒黏接焊盤1520。該等端子墊片1506形成多排以增加I/O連接數。
第16圖為沿著第15圖中之直線16-16繪出的積體電路封裝系統1500之剖面圖。該剖面圖係圖示具有由囊封體1502側面1608伸出之外部互連1504的囊封體1502。囊封體1502包含與側面1608之一交會的第一囊封體面1610以及在第一囊封體面1610反面的第二囊封體面1612。
較佳地,外部互連1504各包含尖端1614、柱體1616及終端1618。終端1618有助於安裝至下一個系統層次(未圖示),例如印刷電路板或另一積體電路封裝系統。較佳地,終端1618在第二囊封體面1612下延伸使得囊封體1502不會妨礙外部互連1504與下一個系統層次的連接。
提供具有第一焊盤面1622與在第一焊盤面1622反面之第二焊盤面1624的晶粒黏接焊盤1620。在晶粒黏接焊盤1620附近形成較佳為與其共面的端子墊片1506。端子墊片1506各包含第一墊片面1626與第二墊片面1628,其中第二墊片面1628是在第一墊片面1626反面,以及第一墊片面1626與第一囊封體面1610共面為較佳。
晶粒黏接焊盤1620下可用黏著劑1632黏上積體電路晶粒1630,其中積體電路晶粒1630的非活性面1634是面向第二焊盤面1624。電氣互連1636(例如,焊線或帶狀連接)使積體電路晶粒1630的活性面1638電氣連接至第二墊片面1628和預選的外部互連1504之尖端1614。應瞭解,該等端子墊片可電氣連接至各種訊號,例如,參考源、訊號及接地。也應瞭解,多排端子墊片1506的排數與組構不具關鍵性而且可依設計需要而修改。
囊封體1502覆蓋積體電路晶粒1630及電氣互連1636。囊封體1502部份覆蓋晶粒黏接焊盤1620、端子墊片1506及外部互連1504,較佳地暴露第一焊盤面及第一囊封體面1610上的第一墊片面1626用以連接至附加積體電路裝置結構(未圖示)。較佳地,囊封體1502也暴露外部互連1504的柱體1616與終端1618以利於安裝至下一個系統層次(未圖示),例如印刷電路板或另一積體電路封裝系統。
在本發明之一個示範應用中,端子墊片連接至電源或接地使得外引線可用於接至電源或接地基準的訊號。這也可以較小的引線間距來減少封裝件的設計約束從而有助於製造及組裝於印刷電路板(PCB)上。在另一示範應用中,當晶粒黏接焊盤及端子墊片電氣連接至接地基準時,本發明也可提供電磁干擾(EMI)屏蔽或射頻(RF)屏蔽。
第17圖為本發明第九具體實施例的積體電路封裝系統1700之上視圖。該上視圖係圖示裝在承載器1710上的積體電路封裝系統300。積體電路裝置1712(例如,QFP裝置)裝在積體電路封裝系統300上以形成層疊封裝(package-on-package;POP)組構。
第18圖為沿著第17圖上視圖中之直線18-18繪出的積體電路封裝系統1700之剖面圖。積體電路封裝系統300包含在囊封體302之第一囊封體面410上的端子墊片306與在第二囊封體面412(在第一囊封體面410反面)連接至承載器1710的外部互連304。
積體電路裝置1712是在端子墊片306安裝於積體電路封裝系統300上。在此具體實施例中,積體電路裝置1712包含具有數個裝置互連(device interconnect)1840的已封裝積體電路,其中該等裝置互連1840均電氣連接至該等端子墊片306。被囊封體302部份暴露的外部互連304係電氣連接至承載器1710,同時該等端子墊片306提供積體電路裝置1712與積體電路封裝系統300的電氣連接以提供層疊封裝(POP)組構。
第19圖為本發明第十具體實施例的積體電路封裝系統1900之上視圖。該上視圖係圖示裝在承載器1910上的積體電路封裝系統300。積體電路裝置1912(例如,QFN裝置)安裝於積體電路封裝系統300上以形成層疊封裝(POP)組構。
第20圖為沿著第19圖中之直線20-20繪出的積體電路封裝系統1900之剖面圖。積體電路封裝系統1900的結構類似於第18圖的積體電路封裝系統1700。積體電路封裝系統300包含在囊封體302之第一囊封體面410上的端子墊片306與在第二囊封體面412(在第一囊封體面410反面)連接至承載器1910的外部互連304。
積體電路裝置1912是在端子墊片306安裝於積體電路封裝系統300上。在此具體實施例中,積體電路裝置1912包含具有數個裝置互連2040的已封裝積體電路,其中該等裝置互連2040均電氣連接至該等端子墊片306。被囊封體302部份暴露的外部互連304係電氣連接至承載器1910,同時該等端子墊片306提供積體電路裝置1912與積體電路封裝系統300的電氣連接以提供層疊封裝(POP)組構。
請參考與第19圖類似的第21圖,其係圖示本發明第十一具體實施例的積體電路封裝系統2100之剖面圖。積體電路封裝系統2100的結構類似於第18圖的積體電路封裝系統1700。積體電路封裝系統300提供在囊封體302之第一囊封體面410上的端子墊片306與在第二囊封體面412(在第一囊封體面410反面)連接至承載器2110的外部互連304。
積體電路裝置2112(例如,已封裝積體電路)是在端子墊片306安裝於積體電路封裝系統300上。積體電路裝置2112是在端子墊片306安裝於積體電路封裝系統300上而形成POP組構。在此具體實施例中,積體電路裝置2112包含電氣連接至該等端子墊片306的錫球2114。被囊封體302部份暴露的外部互連304係電氣連接至承載器2110,同時該等端子墊片306提供積體電路裝置2112與積體電路封裝系統300的電氣連接。
請參考與第19圖類似的第22圖,其係圖示本發明第十二具體實施例的積體電路封裝系統2200之剖面圖。積體電路封裝系統2200的結構類似於第18圖的積體電路封裝系統1700。積體電路封裝系統300提供在囊封體302之第一囊封體面410上的端子墊片306與在第二囊封體面412(在第一囊封體面410反面)連接至承載器2210的外部互連304。
積體電路裝置2212(例如,倒裝晶片(flip chip))在端子墊片306安裝於積體電路封裝系統300上。積體電路裝置2212在端子墊片306安裝於積體電路封裝系統300上而形成POP組構。在此具體實施例中,積體電路裝置2212包含電氣連接至該等端子墊片306的銲錫凸塊2214。被囊封體302部份暴露的外部互連304係電氣連接至承載器2210,同時該等端子墊片306提供積體電路裝置2212與積體電路封裝系統300的電氣連接。
第23圖為本發明第十三具體實施例的積體電路封裝系統2300之上視圖。該上視圖圖示用封裝件囊封體2302形成封裝內封裝(package-in-package;PIP)組構的積體電路封裝系統2300。
第24圖為沿著第23圖上視圖中之直線24-24繪出的積體電路封裝系統2300之剖面圖。例如,封裝件囊封體2302係囊封積體電路封裝系統300。積體電路封裝系統300提供在囊封體302之第一囊封體面410上的端子墊片306。被囊封體302部份暴露的外部互連304使得積體電路封裝系統300與承載器2410的第一承載面2416電氣連接。該等端子墊片306提供積體電路裝置2412(例如,積體電路晶粒)的電氣連接。積體電路裝置2412是在端子墊片306安裝於積體電路封裝系統300上以提供封裝內封裝(PIP)組構。
在此具體實施例中,積體電路裝置2412用裝置互連2420(例如,焊線或帶狀連接)來電氣連接至端子墊片306。承載器2410也包含被封裝件囊封體2302暴露的第二承載面2418,以及較佳有形成於第二承載面2418的第二外部互連(例如,錫球2414)以提供至下一個系統層次的電氣連接。
請參考與第23圖類似的第25圖,其係圖示本發明第十四具體實施例的積體電路封裝系統2500之剖面圖。積體電路封裝系統2500的結構類似於第23圖的積體電路封裝系統2300。封裝件囊封體2502係囊封積體電路封裝系統300。積體電路封裝系統300提供在囊封體302之第一囊封體面410上的端子墊片306。囊封體302也部份暴露積體電路封裝系統300的外部互連304,而且外部互連304的終端418是在第二囊封體面412下延伸。
該等端子墊片306提供積體電路封裝系統300與積體電路裝置2512(例如,積體電路晶粒)的電氣連接。積體電路裝置2512是在端子墊片306安裝於積體電路封裝系統300上以形成封裝內封裝(PIP)組構。積體電路裝置2512用裝置互連2520(例如,焊線或帶狀連接)電氣連接至該等端子墊片306。用封裝件囊封體2502部份暴露每一個外部互連304的終端418以便電氣連接至下一個系統層次(未圖示)。
請參考與第23圖類似的第26圖,其係圖示本發明第十五具體實施例的積體電路封裝系統2600之剖面圖。積體電路封裝系統2600的結構類似於第23圖的積體電路封裝系統2300。例如,封裝件囊封體2602囊封積體電路封裝系統300。
積體電路封裝系統300提供在囊封體302之第一囊封體面410上的端子墊片306。被囊封體302部份暴露的外部互連304係電氣連接至在承載器2610之第一承載面2616上方的積體電路封裝系統300。該等端子墊片306提供積體電路封裝系統300與積體電路裝置2612的電氣連接。
在此具體實施例中,積體電路裝置2612為已封裝之積體電路(例如,球柵陣列(BGA)封裝件),它在端子墊片306安裝於積體電路封裝系統300上而形成層疊封裝(POP)組構。積體電路裝置2612用裝置互連2620(例如,銲錫凸塊)電氣連接至該等端子墊片306。承載器2610也包含被封裝件囊封體2602暴露的第二承載面2618,以及較佳有在第二承載面2618上形成的電氣墊片2622以便提供至下一個系統層次的電氣連接。
第27圖為本發明第十六具體實施例的積體電路封裝系統2700之上視圖。積體電路封裝系統2700的結構類似於第5圖及第6圖的積體電路封裝系統500。該上視圖圖示囊封體2702(例如,環氧樹脂成型材料製成的),其係具有部份暴露且由囊封體2702四周伸出的外部互連2704。
囊封體2702也露出遠離囊封體2702四周而設的端子墊片2706。囊封體2702部份暴露與端子墊片2706共面的晶粒黏接焊盤2720,以及在囊封體2702中形成與端子墊片2706毗鄰的部份切割2708。在此具體實施例中,較佳係藉由在囊封體2702中鑽出隔離孔來形成該等部份切割2708,以便個別隔離每個端子墊片2706並切斷與晶粒黏接焊盤2720的接觸。
第28圖為本發明第十七具體實施例的積體電路封裝系統2800之上視圖。積體電路封裝系統2800的結構類似於第5圖及第6圖的積體電路封裝系統500。該上視圖圖示囊封體2802(例如,環氧樹脂成型材料製成的),其係具有部份暴露且由囊封體2802四周伸出的外部互連2804。
囊封體2802也露出遠離囊封體2802四周而設的端子墊片2806。囊封體2802部份暴露與端子墊片2806共面的晶粒黏接焊盤2820,以及在囊封體2802中形成與端子墊片2806毗鄰的部份切割2808。在此具體實施例中,較佳係藉由在囊封體2802中部份切割、部份鑽孔、或部份鋸切出溝槽來形成該等部份切割2808,以便個別隔離每個端子墊片2806並切斷與晶粒黏接焊盤2820的接觸。
第29圖為本發明第十八具體實施例的積體電路封裝系統2900之上視圖。積體電路封裝系統2900的結構類似於第8圖之積體電路封裝系統700。該上視圖圖示囊封體2902(例如,環氧樹脂成型材料製成的),其係具有部份暴露且由囊封體2902四周伸出的外部互連2904。
囊封體2902也露出遠離囊封體2902四周而設的端子墊片2906。在囊封體2902中形成與該等端子墊片2906毗鄰的部份切割2908。在此具體實施例中,較佳是藉由在囊封體2902中鑽出隔離孔來形成該等部份切割2908,以便個別隔離每個端子墊片2906並切斷與已囊封晶粒黏接焊盤(未圖示)的接觸。
請參考第30圖的上視圖,其係圖示在形成第1圖之積體電路封裝系統100的中間步驟時有數個末端延伸部份3002的整體焊盤3000。整體焊盤3000包含用以安裝第2圖之積體電路晶粒230的焊盤部份3004。在積體電路封裝系統100的製程中,整體焊盤3000係經切割成可使每個末端延伸部份3002與形成第1圖之端子墊片106的焊盤部份3004隔離。
請參考第31圖的上視圖,其係圖示在形成第9圖之積體電路封裝系統900的中間步驟時有數個末端延伸部份3102的整體焊盤3100。整體焊盤3100包含用以安裝第10圖之積體電路晶粒1030的焊盤部份3104。在第13圖之積體電路封裝系統1300的製程中,整體焊盤3100係經切割成可使每個末端延伸部份3102與擋板(dam bar)3106隔離,以形成第9圖之端子墊片906。
請參考第32圖的上視圖,其係圖示在形成第13圖之積體電路封裝系統1300的中間步驟時有數個末端延伸部份3202的整體焊盤3200。整體焊盤3200包含用以安裝第14圖之積體電路晶粒1430的焊盤部份3204。在積體電路封裝系統1300的製程中,整體焊盤3200係經切割成可使每個末端延伸部份3202與焊盤部份3204隔離,以形成第13圖之多排端子墊片1306。
第33圖係圖示第16圖之積體電路封裝系統1500在中間步驟的剖面圖。囊封體1502覆蓋積體電路晶粒1630及電氣互連1636。囊封體1502部份覆蓋晶粒黏接焊盤1620、端子墊片1506及外部互連1504。如圖示,在此步驟中,晶粒黏接焊盤1620係與端子墊片1506為一體。囊封體1502較佳也暴露外部互連1504的柱體1616與終端1618。
請參考第34圖,其係圖示在用於形成第16圖之積體電路封裝系統1500之研磨步驟時的第33圖結構。例如藉由研磨而部份移除囊封體1502,以隔離端子墊片1506以及切斷與晶粒黏接焊盤1620的接觸。該研磨步驟係使囊封體1502部份暴露出晶粒黏接焊盤1620與端子墊片1506。該囊封體也暴露外部互連1504。
請參考第35圖的流程圖,其係圖示用於製造本發明之積體電路封裝系統100之具體實施例的積體電路封裝方法3500。方法3500包含:在方塊3502,形成晶粒黏接焊盤、端子墊片、以及在該端子墊片下的外部互連;在方塊3504,使積體電路晶粒與該端子墊片及該外部互連連接;在方塊3506,形成囊封體,其係具有第一囊封體面與在該第一面之反面的第二囊封體面,以在該第一囊封體面露出的端子墊片與在該第二面下延伸的外部互連包圍該積體電路晶粒。
本發明的另一重要態樣是能有益地支援及貢獻降低成本、簡化系統及提高效能的歷史趨勢。
因此,本發明以上及其他的有益態樣可促進本技藝技術至少至下一個層次。
因此,已發現,本發明的積體電路封裝系統可提供先前技術未知、不曾採用而且有重要性的解決方案、性能及功能態樣而可用來改善良率、提高可靠性、以及降低積體電路封裝系統的成本。所得到的製程及組構都有明確性、成本效益、簡單不複雜、高度通用性、準確性、敏感性、及有效性,而且藉由修改習知組件即可具體實作成立即可用、有高效率又經濟的製造方式、應用及利用。
儘管已結合特定的最佳模式來描述本發明,但應瞭解,熟諳此技藝者在參閱前述說明後會明白仍有許多替代、修改及變體。因此,希望本發明能涵蓋所有這類落入隨附之申請專利範圍之範疇內的替代、修改及變體。所有迄今為止在本文及附圖中提及的項目都應被解釋成只是用來做圖解說明而沒有限定本發明的意思。
100、300、500、700、900、1100、1300、1500、1700、1900、2100、2200、2300、2500、2600、2700、2800、2900...積體電路封裝系統
102、302、502、702、902、1102、1302、1502、2702、2802、2902...囊封體
104、304、504、704、904、1104、1304、1504、2704、2804、2904...外部互連
106、306、506、706、906、1106、1306、1506、2706、2806、2906...端子墊片
120、320、420、520、620、820、920、1020、1220、1320、1420、1520、1620、2720、2820...晶粒黏接焊盤
208、408、608、808、1008、1208、1408、1608...側面
210、410、610、810、1010、1210、1410、1610...第一囊封體面
212、412、612、812、1012、1212、1412、1612...第二囊封體面
214、414、614、814、1014、1214、1414、1614...尖端
216、416、616、816、1016、1216、1416、1616...柱體
218、418、618、818、1018、1218、1418、1618...終端
222、422、622、822、1022、1222、1422、1622...第一焊盤面
224、424、624、824、1024、1224、1424、1624...第二焊盤面
226、426、626、826、1026、1226、1426、1626...第一墊片面
228、428、628、828、1028、1228、1428、1628...第二墊片面
230、430、630、830、1030、1230、1430、1630‧‧‧積體電路晶粒
232、432、632、832、1032、1232、1432、1632‧‧‧黏著劑
234、434、634、834、1034、1234、1434、1634‧‧‧非活性面
236、436、636、836、1036、1236、1436、1636‧‧‧電氣互連
238、438、638、838、1038、1238、1438、1638‧‧‧活性面
255‧‧‧凹槽
508、708、908、1108、1308、2708、2808、2908‧‧‧部份切割
1710、1910、2110、2210、2410、2610‧‧‧承載器
1712、1912、2112、2212、2412、2512、2612‧‧‧積體電路裝置
1840、2040、2420、2520、2620‧‧‧裝置互連
2114、2414‧‧‧錫球
2214‧‧‧銲錫凸塊
2302、2502、2602‧‧‧封裝件囊封體
2416、2616‧‧‧第一承載面
2418、2618‧‧‧第二承載面
2622‧‧‧電氣墊片
3000、3100、3200‧‧‧整體焊盤
3002、3102、3202‧‧‧末端延伸部份
3004、3104、3204‧‧‧焊盤部份
3106‧‧‧擋板
3500‧‧‧積體電路封裝方法
3502至3506‧‧‧方塊
第1圖為本發明第一具體實施例的積體電路封裝系統之上視圖;
第2圖為沿著第1圖中之直線2--2繪出的積體電路封裝系統的剖面圖;
第3圖為本發明第二具體實施例的積體電路封裝系統之上視圖;
第4圖為沿著第3圖中之直線4--4繪出的積體電路封裝系統的剖面圖;
第5圖為本發明第三具體實施例的積體電路封裝系統之上視圖;
第6圖為沿著第5圖中之直線6--6繪出的積體電路封裝系統的剖面圖;
第7圖為本發明第四具體實施例的積體電路封裝系統之上視圖;
第8圖為沿著第7圖中之直線8--8繪出的積體電路封裝系統的剖面圖;
第9圖為本發明第五具體實施例的積體電路封裝系統之上視圖;
第10圖為沿著第9圖中之直線10--10繪出的積體電路封裝系統的剖面圖;
第11圖為本發明第六具體實施例的積體電路封裝系統之上視圖;
第12圖為沿著第11圖中之直線12--12繪出的積體電路封裝系統的剖面圖;
第13圖為本發明第七具體實施例的積體電路封裝系統之上視圖;
第14圖為沿著第13圖上視圖中之直線14-14繪出的積體電路封裝系統的剖面圖;
第15圖為本發明第八具體實施例的積體電路封裝系統之上視圖;
第16圖為沿著第15圖上視圖中之直線16-I6繪出的積體電路封裝系統的剖面圖;
第17圖為本發明第九具體實施例的積體電路封裝系統之上視圖;
第18圖為沿著第17圖中之直線18--18繪出的積體電路封裝系統的剖面圖;
第19圖為本發明第十具體實施例的積體電路封裝系統之上視圖;
第20圖為沿著第19圖中之直線20--20繪出的積體電路封裝系統的剖面圖;
第21圖為本發明第十一具體實施例(與第19圖類似)的積體電路封裝系統之剖面圖;
第22圖為本發明第十二具體實施例(與第19圖類似)的積體電路封裝系統之剖面圖;
第23圖為本發明第十三具體實施例的積體電路封裝系統之上視圖;
第24圖為沿著第23圖中之直線24--24繪出的積體電路封裝系統的剖面圖;
第25圖為本發明第十四具體實施例(與第24圖類似)的積體電路封裝系統之剖面圖;
第26圖為本發明第十五具體實施例(與第24圖類似)的積體電路封裝系統之剖面圖;
第27圖為本發明第十六具體實施例的積體電路封裝系統之上視圖;
第28圖為本發明第十七具體實施例的積體電路封裝系統之上視圖;
第29圖為本發明第十八具體實施例的積體電路封裝系統之上視圖;
第30圖的上視圖係圖示在形成第1圖之積體電路封裝系統的中間步驟時有數個末端延伸部份的整體焊盤;
第31圖的上視圖係圖示在形成第9圖之積體電路封裝系統的中間步驟時有數個末端延伸部份的整體焊盤;
第32圖的上視圖係圖示在形成第13圖之積體電路封裝系統的中間步驟時有數個末端延伸部份的整體焊盤;
第33圖為第16圖之積體電路封裝系統在中間步驟時的剖面圖;
第34圖係圖示在用於形成積體電路封裝系統之研磨步驟時的第33圖結構;以及
第35圖的流程圖係圖示用於製造本發明積體電路封裝系統之具體實施例的積體電路封裝方法。
100‧‧‧積體電路封裝系統
102‧‧‧囊封體
104‧‧‧外部互連
106‧‧‧端子墊片
120‧‧‧晶粒黏接焊盤
208‧‧‧側面
210‧‧‧第一囊封體面
212‧‧‧第二囊封體面
214‧‧‧尖端
216‧‧‧柱體
218‧‧‧終端
222‧‧‧第一焊盤面
224‧‧‧第二焊盤面
226‧‧‧第一墊片面
228‧‧‧第二墊片面
230‧‧‧積體電路晶粒
232‧‧‧黏著劑
234‧‧‧非活性面
236‧‧‧電氣互連
238‧‧‧活性面
255‧‧‧凹槽
Claims (10)
- 一種積體電路封裝方法(3500),係包括:形成晶粒黏接焊盤(120)、端子墊片(106)、以及外部互連(104),其中,該晶粒黏接焊盤(120)具有由呈鈍角的非水平延伸的第一焊盤面(222)所全部侷限的凹槽(255),且該外部互連(104)是在該端子墊片(106)之下;連接積體電路晶粒(230)與該端子墊片(106)及該外部互連(104);以及形成囊封體(102),其係具有第一面(210)以及在該第一面(210)之對面的第二面(212),以在該第一面(210)露出的該端子墊片(106)與在該第二面(212)下延伸的該外部互連(104)包圍該積體電路晶粒(230)。
- 如申請專利範圍第1項的方法(3500),復包括:部份切割鄰近該端子墊片(506)的該囊封體(502),其中該部份切割步驟係包含:部份鋸切、隔離鑽孔、研磨及蝕刻。
- 如申請專利範圍第1項或第2項的方法(3500),復包括部份切割在該晶粒黏接焊盤(520)與該端子墊片(506)之間的該囊封體(502),其中該部份切割的步驟係包含:部份鋸切、隔離鑽孔、研磨及蝕刻。
- 如申請專利範圍第1項或第2項的方法(3500),其中,形成該晶粒黏接焊盤(1620)及該端子墊片(1506)的步驟係包含:該端子墊片(1506)與該晶粒黏接焊盤(1620)一體形成。
- 如申請專利範圍第1項或第2項的方法(3500),其中, 形成該囊封體(502)的步驟係包含:暴露與該端子墊片(506)共面的該晶粒黏接焊盤(620)。
- 一種積體電路封裝系統(100),其係包括:晶粒黏接焊盤(120)具有由呈鈍角的非水平延伸的第一焊盤面(222)所全部侷限的凹槽(255);與該晶粒黏接焊盤(120)毗鄰的端子墊片(106);在該端子墊片(106)下的外部互連(104);與該端子墊片(106)及該外部互連(104)連接的積體電路晶粒(230);以及囊封體(102),其係具有第一面(210)以及在該第一面(210)之對面的第二面(212),以在該第一面(210)露出的該端子墊片(106)與在該第二面(212)下延伸的該外部互連(104)包圍該積體電路晶粒(230)。
- 如申請專利範圍第6項的系統(500),其中,該囊封體(502)包含鄰近該端子墊片(506)的部份切割(508)。
- 如申請專利範圍第6項或第7項的系統(500),其中,該囊封體(502)包含在該晶粒黏接焊盤(520)與該端子墊片(506)之間的部份切割(508)。
- 如申請專利範圍第6項或第7項的系統(1500),其中,該晶粒黏接焊盤(1620)與該端子墊片(1506)係彼此整合。
- 如申請專利範圍第6項或第7項的系統(500),其中,該晶粒黏接焊盤(620)由該囊封體(502)露出而且與該端子墊片(506)共面。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/857,402 US8120150B2 (en) | 2007-09-18 | 2007-09-18 | Integrated circuit package system with dual connectivity |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200915521A TW200915521A (en) | 2009-04-01 |
TWI517333B true TWI517333B (zh) | 2016-01-11 |
Family
ID=40453556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW097133696A TWI517333B (zh) | 2007-09-18 | 2008-09-03 | 具雙重連接性之積體電路封裝系統 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8120150B2 (zh) |
KR (1) | KR101569855B1 (zh) |
SG (2) | SG151188A1 (zh) |
TW (1) | TWI517333B (zh) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7932130B2 (en) * | 2008-08-01 | 2011-04-26 | Stats Chippac Ltd. | Method for forming an etched recess package on package system |
US8022539B2 (en) * | 2008-11-17 | 2011-09-20 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit packaging system with increased connectivity and method of manufacture thereof |
US8673687B1 (en) * | 2009-05-06 | 2014-03-18 | Marvell International Ltd. | Etched hybrid die package |
US9337240B1 (en) * | 2010-06-18 | 2016-05-10 | Altera Corporation | Integrated circuit package with a universal lead frame |
US8482109B2 (en) | 2011-09-22 | 2013-07-09 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit packaging system with dual connection and method of manufacture thereof |
KR101366394B1 (ko) * | 2012-04-09 | 2014-02-25 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 |
JP6308296B2 (ja) | 2013-08-05 | 2018-04-11 | 富士通株式会社 | ネットワーク構成方法、装置及びシステム |
CN105097749B (zh) * | 2014-04-15 | 2019-01-08 | 恩智浦美国有限公司 | 组合的qfn和qfp半导体封装 |
KR102241827B1 (ko) | 2014-05-16 | 2021-04-19 | 삼성전자 주식회사 | 복수의 캐리어들을 지원하는 이동 통신 시스템에서 신호 송/수신 방법 및 장치 |
KR101718321B1 (ko) | 2014-12-23 | 2017-03-21 | 인텔 코포레이션 | 패키지 온 패키지 제품을 위한 와이어 리드를 포함하는 적층 패키지 어셈블리, 컴퓨팅 디바이스 및 집적 패키지 설계 방법 |
WO2018207583A1 (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5677566A (en) * | 1995-05-08 | 1997-10-14 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor chip package |
US7049177B1 (en) * | 2004-01-28 | 2006-05-23 | Asat Ltd. | Leadless plastic chip carrier with standoff contacts and die attach pad |
SG88741A1 (en) * | 1998-09-16 | 2002-05-21 | Texas Instr Singapore Pte Ltd | Multichip assembly semiconductor |
KR100299384B1 (ko) * | 1998-12-16 | 2001-10-29 | 박종섭 | 볼 그리드 어레이 패키지 |
US6611048B1 (en) * | 2000-08-25 | 2003-08-26 | Skyworks Solutions, Inc. | Exposed paddle leadframe for semiconductor die packaging |
EP1470587A1 (en) * | 2002-02-01 | 2004-10-27 | Infineon Technologies AG | A lead frame |
US6818973B1 (en) * | 2002-09-09 | 2004-11-16 | Amkor Technology, Inc. | Exposed lead QFP package fabricated through the use of a partial saw process |
US6977431B1 (en) * | 2003-11-05 | 2005-12-20 | Amkor Technology, Inc. | Stackable semiconductor package and manufacturing method thereof |
TWI283467B (en) * | 2003-12-31 | 2007-07-01 | Advanced Semiconductor Eng | Multi-chip package structure |
US6943061B1 (en) * | 2004-04-12 | 2005-09-13 | Ns Electronics Bangkok (1993) Ltd. | Method of fabricating semiconductor chip package using screen printing of epoxy on wafer |
JP2006049694A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Freescale Semiconductor Inc | 二重ゲージ・リードフレーム |
US7161232B1 (en) * | 2004-09-14 | 2007-01-09 | National Semiconductor Corporation | Apparatus and method for miniature semiconductor packages |
US7364945B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-04-29 | Stats Chippac Ltd. | Method of mounting an integrated circuit package in an encapsulant cavity |
US7384819B2 (en) * | 2006-04-28 | 2008-06-10 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of forming stackable package |
US7495321B2 (en) * | 2006-07-24 | 2009-02-24 | Stats Chippac, Ltd. | Leaded stacked packages having elevated die paddle |
-
2007
- 2007-09-18 US US11/857,402 patent/US8120150B2/en active Active
-
2008
- 2008-09-03 TW TW097133696A patent/TWI517333B/zh active
- 2008-09-08 SG SG200806536-9A patent/SG151188A1/en unknown
- 2008-09-08 SG SG201101730-8A patent/SG170097A1/en unknown
- 2008-09-18 KR KR1020080091802A patent/KR101569855B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090072366A1 (en) | 2009-03-19 |
KR101569855B1 (ko) | 2015-11-17 |
SG151188A1 (en) | 2009-04-30 |
TW200915521A (en) | 2009-04-01 |
US8120150B2 (en) | 2012-02-21 |
KR20090029680A (ko) | 2009-03-23 |
SG170097A1 (en) | 2011-04-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI517333B (zh) | 具雙重連接性之積體電路封裝系統 | |
US7700404B2 (en) | Large die package structures and fabrication method therefor | |
US8350380B2 (en) | Method for manufacturing leadframe, packaging method for using the leadframe and semiconductor package product | |
US7834435B2 (en) | Leadframe with extended pad segments between leads and die pad, and leadframe package using the same | |
US7868471B2 (en) | Integrated circuit package-in-package system with leads | |
US8043894B2 (en) | Integrated circuit package system with redistribution layer | |
US7777310B2 (en) | Integrated circuit package system with integral inner lead and paddle | |
KR20090065434A (ko) | 플립 칩을 갖춘 집적회로 패키지 시스템 | |
US20100001385A1 (en) | Integrated circuit package system with bumped lead and nonbumped lead | |
US8957515B2 (en) | Integrated circuit package system with array of external interconnects | |
US9331003B1 (en) | Integrated circuit packaging system with pre-molded leadframe and method of manufacture thereof | |
US8389332B2 (en) | Integrated circuit packaging system with isolated pads and method of manufacture thereof | |
US7977782B2 (en) | Integrated circuit package system with dual connectivity | |
US8203220B2 (en) | Integrated circuit package system with multiple device units and method for manufacturing thereof | |
US8039947B2 (en) | Integrated circuit package system with different mold locking features | |
US7989931B2 (en) | Integrated circuit package system with under paddle leadfingers | |
US20100123230A1 (en) | Integrated circuit packaging system having bumped lead and method of manufacture thereof | |
US8106502B2 (en) | Integrated circuit packaging system with plated pad and method of manufacture thereof | |
KR101542213B1 (ko) | 고밀도의 외부 상호접속부들을 구비하는 집적회로 패키지 시스템 |