TWI516640B - 石墨氧化物及石墨烯製備方法 - Google Patents

Description

石墨氧化物及石墨烯製備方法

本發明係關於石墨氧化物/石墨烯製備方法，特別是關於利用電漿電解程序之石墨氧化物/石墨烯製備方法。

石墨烯是最新被發現的奈米碳材料，石墨烯具有許多優良特性，例如線性光譜、高電子遷移率、獨特光學性質、高延展性、堅韌，及只有單原子厚度，被視為能在光電、能源、化學材料等領域帶來突破性發展的奈米材料。

由於石墨氧化物可被運用於製造石墨烯，因此亦相當受矚目。以石墨氧化物進行化學還原被廣泛認為是大規模生產石墨烯的最有潛力方法。此一製程包含(I)將石墨氧化為石墨氧化物(II)藉由超音波處理或熱處理剝離並得到石墨烯氧化物，以及(III)石墨氧化物化學還原為sp2雜化碳原子的石墨網絡。

然而，習知技術中製備石墨氧化物/石墨烯需要使用強氧化劑及濃酸混合物，而強酸性質為危險、不穩定，因此需要額外的安全預防措施。此外，大量排放酸性廢物會造成環境風險。因此石墨氧化物的製備方法仍具改善空間。

Paulmier等人(Thin Solid Films 515(5)：pp.2926-2934)揭示一種陰極電漿電解法以沈積奈米結晶石墨薄膜。Paulmier雖然教示於陰極沈積碳薄膜，但其作法為將石墨置於陽極。Richenderfer等人(http：//www.phys.cwru.edu/undergrad/Senior%20Projects/papers/papers2012/Richenderfer_Gao.pdf)則教示了於陰極沈積碳薄膜，並利用電流通過電解液以 促進石墨剝落，但其作法為將石墨置於陽極，，並利用微電漿做為電極以增強電場。並且Richenderfer所揭示的電解液為酸性(包含HCl)，其使用的是一種電化學方法，因此需使用濃縮酸進行反應。由於Richenderfer的方法仍需處理酸性溶液問題，因此仍有改善空間。

綜合上述，發展一種高效率及環境友善的石墨氧化物/石墨烯製備方法，是目前需要努力的目標。

本發明之目的之一是發展一種高效率及環境友善的石墨氧化物及/或石墨烯製備方法，其具有低成本、易製備、高效率及環境友善之優勢。

依據本發明之一實施例，一種石墨氧化物及/或石墨烯之製備方法，包含下列步驟：提供一電漿電解裝置，其中電漿電解裝置具有一電解液，電解液之pH為介於11至17，以及電漿電解裝置之一陰極為一石墨電極；以及提供一陰極電流於石墨電極，使與電解液接觸的石墨電極之表面進行一電漿電解反應以得到石墨氧化物及/或石墨烯，其中電漿電解裝置的輸出電壓為40V至80V，以及電漿電解裝置的輸出電流為0.5A至1.75A。

在一實施例中，本發明之石墨氧化物及/或石墨烯具有低比例氧化物，其C=C以及C-C之總量大於C-O之量。

以下藉由具體實施例配合所附的圖式詳加說明，當更容易瞭解本發明之目的、技術內容、特點及其所達成之功效。

1‧‧‧陰極

2‧‧‧陽極

3‧‧‧電解液

4‧‧‧熱電偶溫度計

5‧‧‧加熱板

6‧‧‧攪拌器

圖1為一示意圖顯示本發明之電漿電解裝置。

圖2顯示在執行電漿輔助的電化學剝離程序前後的照片，圖2a顯示電漿輔助的電化學剝離程序前之電解液照片；圖2b顯示電漿輔助的電化學剝離程序後之電解液照片；圖2c顯示經由電漿輔助的電化學剝離程序及真空過濾電解液後所得的PEEG石墨烯；圖2d顯示PEEG散佈於NMP溶液。

圖3顯示本發明實施例HG及PEEG之X射線衍射(X-ray diffraction,XRD)圖形。

圖4顯示本發明實施例HG及PEEG之Raman光譜。

圖5顯示HG(圖5a)及PEEG(圖5b)的C1訊號的X光電子顯微影像。

圖6顯示HG(圖6a及6b)及PEEG(圖6c及6d)的SEM及TEM影像。

圖7顯示本發明實施例PEEG沈積於Si/SiO₂基板的原子力顯微鏡影像及其高度分佈。

請參照圖1，其為一示意圖顯示本發明之電漿電解裝置。本發明之一種石墨氧化物及/或石墨烯之製備方法，包含下列步驟：提供一電漿電解裝置，其中電漿電解裝置具有一電解液3，電漿電解裝置之一陰極1為一石墨電極；以及提供一陰極電流於石墨電極，使石墨電極進行電漿電解反應而得到石墨氧化物及/或石墨烯。

傳統的電漿電解氧化反應又稱微弧氧化(Micro-arc Oxidation；MAO)技術，又可稱為及陽極火花沉積(Anodic Spark Deposition)，通常應用在鋁、鎂、鈦合金上。傳統的電漿電解氧化係以正極試片、負極電極的情況下，通電流以後在基材的表面會形成一層氧化膜絕緣層，有了這層氧化膜基層之後，再持續的通以電壓。當基材上的電壓值超過了臨界值以後，在絕緣膜上較脆弱的地方就會被擊穿，產生微弧放電現象，使氧化物的結構產生變化，進而金屬陽極處理。因此，電漿電解反應使用的電壓較一般電化學反應為高。

本發明之電漿電解裝置之陽極2原則上並無限制，僅是導電材料即可，舉例但不限於石墨電極、不鏽鋼。然而，應注意的是本發明之電漿電解氧化方法與習知的陽極火花沉積反應不同，因此，在一實施例中本發明之電漿電解裝置之陽極2的材料為不含鋁、鎂或鈦的導電材料。

在實施例中，電漿電解裝置的輸出電壓為40V至80V，輸出電流為0.5A至1.75A，此在一較佳實施例中，輸出電壓為40V至60V，輸出電流為0.5A至1.2A。本發明之電壓及電流之調整係用以使電漿電解 裝置產生電漿輔助電化學剝離程序(plasma-assisted electrochemical exfoliation process)，但避免過高的電流以使石墨氧化物過度產生。電流強度之調整方式包含但不限於輸出功率、電解質濃度、以及陰極與陽極的相對大小及位置等。

其中本發明之電漿電解裝置之一陽極2之浸入電解液面積面積係大於陰極1之浸入電解液面積面積，較佳者為大於陰極11倍。

如圖1所示，當進行製備石墨氧化物時，電漿電解裝置之一陽極2係完全沒入電解液3。而陰極1之石墨電極之一頂端係高於電解液3之表面，而電漿電解反應係發生於石墨電極之表面或附近。

本發明之石墨電極並不需事先純化，因此本發明之石墨電極之來源可包含但不限於天然石墨、壓縮石墨、部分氧化石墨、或回收石墨。其中回收的石墨電極例如為回收電池之石墨電池。其中在一實施例中，為得到較高比例的石墨烯，石墨電極較佳者為高純度石墨。

本發明之電解液3之pH為介於11至17。較佳者，電解液3之pH為介於11至14。鹼性提供者包含但不限於氫氧化物、碳酸根等。

本發明之電解液3可包含適當電解質以控制電解液3之導電值。其中在一較佳實施例中，本發明之電解液3可包含銨離子，藉以控制及維持電解液3之pH值。由於銨離子反應可產生並釋放NH₃，藉以驅使並提供石墨膨脹。銨離子的提供者舉例但不限於(NH₄)₂SO₄、NH₄NO₃或NH₄Cl。此外亦可於包含碳酸根及氨的電解液3反應以控制及維持電解液3之pH值，並促進石墨電極的反應。

在一實施例中，以石墨電極進行電漿電解反應時，可以加熱板5(如圖1所示)將電解液3加熱，並以熱電偶溫度計4測量溫度，其中較佳的起始溫度為70℃，但本發明之反應溫度並不以此為限。

在一實施例中，為了提高剝離和反應的均勻性，在燒杯中使用磁攪拌器6攪拌，磁攪拌器6可由具磁性功能的加熱板5驅動。

經由上述的電漿電解反應後，可得到石墨氧化物，並進行後續純化步驟。純化步驟包含但不限於過濾或離心等。

應註明的是經由上述的電漿電解反應後，可得到為石墨氧化 物及石墨烯混合物。在一較佳實施例中，本發明之石墨氧化物及/或石墨烯具有低比例氧化物，其C=C以及C-C之總量大於C-O之量，其代表石墨烯高於石墨氧化物。其中在一較佳實施例中，C-O之量小於10%。

以下通過具體實施例配合附圖詳加說明，可更容易瞭 解本發明的目的、技術內容、特點及所達成的功效，並據以實施，但不能以此限定本發明的保護範圍。

PEEG製備

電解液包含氫氧化鉀(5%，200ml)和硫酸銨(2.5%，40mL)中，pH值約為12，預熱至初始溫度為70℃，圓柱形的高純度石墨棒(high purity graphite，HG)，做為陰極並連接到一個電壓供應器(負電壓輸出)，陰極的直徑和長度分別為6和100毫米。另一個HG桿，其直徑和長度分別為6和150毫米，用作電漿輔助的電化學剝離程序(plasma-assisted electrochemical exfoliation，PAEEP)電化學系統的陽極。HG的尖端表面的陰極被放置於電解液的表面約1毫米以上的，而陽極則浸沒在電解液中。兩個電極連接到一個直流電源及偏置電壓，並逐漸升高到60V，使得在接近HG尖端表面的陰極及電解液的區域產生放電電漿。在此程序之中，使用傳統的水銀溫度計測量燒杯內的溶液溫度保持在約70-80℃。為了提高剝離和反應的均勻性，在燒杯中使用磁攪拌器攪拌，並保持在每分鐘200轉的速度。當在兩個電極之間施加足夠高的電壓60V的時候，啟動電化學氧化反應，並同時在陽極表面產生氣體以及在HG尖端表面的陰極產生電漿，結果使得石墨電極的表面慢慢分解成微米尺寸的片狀物，並分散於電解質中。需要注意的是，在陰極的尖端位置可被降低，以維持電流範圍為約0.65至1.25A。樣本所經歷的同時處理時間長度為5分鐘。圖1提供設備設置的示意圖。冷卻至室溫後，通過真空過濾，使溶液通過多孔玻璃架所支撐的PVDF薄膜(平均孔徑：0.2微米)，收集得到膨脹石墨薄片。所製備的產品以DI水洗滌，並在50℃下真空中乾燥24小時。在從PVDF膜剝離之後，由上述PAEEP所製備的粉末以下稱為PEEG，並儲存在50℃乾燥箱等待備用。

製備PEEG分散液

將所得的PEEG(15毫克)加入到N-甲基-2-吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone，NMP，15mL)之中，以得到PEEG分散液(1毫克/毫升)，並使用超音波清洗槽，工作條件為20千赫，功率130W，10分鐘。

定性實驗

使由設置有Cu-K_α管及鎳過濾器(λ=0.1542nm)的D2 X射線衍射儀檢查HG及PEEG粉末的結構。使用XPS(Phi V6000)測定HG和PEEG的表面化學成分。使用高解度的共焦拉曼顯微鏡(HOROBA JOBIN YVON Laboratory RAM HR 800)和514.5nm的氬雷射光源對這些樣本進行記錄拉曼光譜。利用JEOL 2100F裝置以在200千伏的操作條件進行高解析度透射電子顯微鏡(High resolution transmission electron microscopy，HRTEM)的圖像記錄幾滴HG，PEEG分散液被放置於銅網格呈現超薄多孔薄膜。利用JEOL JSM-6500F掃描電子顯微鏡，操作條件為15千伏進行掃描電子顯微鏡(SEM)。為定性SEM樣本，PEEG以陽極氧化鋁膜(Anodisc，直徑：47毫米，標稱孔徑：0.02微米)過濾，然後將固體滴入到無水乙醇中，除去殘餘的NMP，將漂浮於EtOH表面的薄片收集置於Si基板上，以進行SEM測量。

圖2顯示電漿輔助的電化學剝離程序(PAEEP)中在不同的時間的電解液照片，在僅僅5分鐘內顯示明顯的顏色變化，從透明到深色，這表示本發明具有高剝離速率。藉由透過由多孔玻璃架所支撐的PVDF薄膜(平均孔徑：0.2μm)以對電解液真空過濾，而收集所產生的膨脹石墨薄片。製備的產品以去離子水(DI water)洗滌，並在50℃真空下乾燥24小時。在從聚偏二氟乙烯(PVDF)膜剝離之後，由上述PAEEP所製備的粉末以下稱為PEEG，並儲存在50℃乾燥箱等待備用。圖2d顯示PEEG靜置於NMP溶液內6小時後之圖片，其表現出良好的分散性和均一性，並可維持至少72小時穩定，這正是處理程序所希望得到的。需要注意的是，以PAEEP製備經由真空過濾電解質所產生的PEEG石墨烯薄膜經由使用手持萬用表測量可以顯示良好的導電性能(130Ω.SQ^-1)(圖2c)，這表示在各個領域都具有潛在 應用。

圖3顯示HG，PEEG的X-射線衍射圖譜(XRD)。其中HG 的衍射曲線顯示2θ值為26.6°具有尖銳而高強度的特徵峰(002)，並且在2θ為42.8，44.6，54.6具有三個小峰，分別對應為100，101，和004反射(ICDD PDF#411487)。在HG經歷PAEEP之後，HG之2θ值在26.6°的特徵峰(002)顯著減少，這表示在剝離成片狀的石墨片之後，HG的石墨晶格改變了他們在z方向上的週期性排列。

圖4顯示HG和PEEG的拉曼光譜。比較兩個光譜可以顯示 在PAEEP程序之後，由HG轉為PEEG的結構變化。HG的拉曼光譜的顯示弱D(缺陷)，一個突出的G(石墨)和廣闊的2D(雙重產生的G)帶，分別在1353，1579，2706cm^-1處，分別被分配到石墨的特徵帶。然而，在PEEG的Raman光譜中，G譜帶為更寬廣並轉移到較低的頻率，而PEEG的D譜帶相較於HG是更加明顯，這意味著在經過PAEEP之後PEEG的石墨晶格的缺陷/結構較為紊亂。值得注意的是，相較於HG，PEEG的2D譜帶位移到較低的頻率，並產生明顯的強度變化，這代表PEEG在PAEEP程序後形成石墨烯結構。

圖5顯示HG的C 1s XPS光譜。HG樣本的C 1s XPS可以 拆解成(deconvoluted)一個由C=C(sp²混成的碳原子數所造成的在284.4eV主要峰值)以及由C-C(sp³混成碳原子)所造成的285.5eV的次要峰值。圖2D顯示PEEG的C 1s XPS光譜。PEEG樣本的C 1s XPS可以拆解成三個峰值。PEEG在284.4和285.5eV的結合能量峰值分別歸因於C=C(sp²混成的碳原子)和C-C(sp³混成的碳原子)，而其他的峰值被分配到含氧成份：C-O(~286.4eV，羥基和環氧基)。顯然地，相較於HG樣本，石墨的C=C/C-C訊號的強度和銳利度顯著降低並加寬，這意味著含氧官能團的攻擊C=C雙鍵，導致石墨生成C-O鍵，並造成它們的部分氧化，進而促進PEEG和NMP溶液之間的相互作用，而導致PEEG的良好分散性(如圖2d)。另外，應用於剝離程序的+60V電壓可以將石墨氧化，而將含氧基團引入石墨晶格的石墨烯層。表1列出HG和PEEG中的各種含氧基團的總量，其係基於這些XPS峰下的面積。由此可以看出，PEEG的氧與碳原子的原子百分比率大約 是1：22.8，這是顯著低於化學還原的石墨烯氧化物(graphene oxide)，這表示在我們的程序中產生很輕微的氧化，這可由少量的C-O鍵(~4.2%)作為證據。

圖6顯示HG和PEEG樣本的SEM和TEM照片，代表製 備樣本產生顯著的形態變化。顯然地，HG是由厚散片狀石墨所組成的，並且在PAEEP程序後轉化成較薄的奈米平板。基於20-50個膨脹石墨片的圖像分析計算結果顯示平均片直徑為約2.5微米，約10~30nm的厚度，於一般的奈米平板的大小相當。圖7顯示進一步研究的AFM圖像，其顯示橫向尺寸約0.5到2.5微米，而厚度為約2.5nm，基於層間距為0.34nm的基礎上，相對應於約7層石墨烯，因此確認形成石墨烯片。考慮到使用者友好性、對環境無害、省時省力，簡單的設置，成本低(石墨烯片可來自於低成本的市售石墨來源)，本發明之方法顯然是一種非常有效的生產石墨烯片方法。

綜合上述，本發明藉由電漿電解程序，可在相對低溫、一般 壓力及非常短的時間內，且不需濃縮酸及強氧化劑，即可產生石墨氧化物及/或石墨烯，因此具有低成本、易製備、高效率及環境友善等優勢。此外，本發明可藉由控制電流及電壓，使電漿電解程序中產生很輕微的氧化，因此可得到低比例氧化物的石墨烯。

以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其 目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能 以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。

1‧‧‧陰極

2‧‧‧陽極

3‧‧‧電解液

4‧‧‧熱電偶溫度計

5‧‧‧加熱板

6‧‧‧攪拌器

Claims (12)

1. 一種石墨氧化物及石墨烯之製備方法，包含下列步驟：提供一電漿電解裝置，其中該電漿電解裝置具有一電解液，該電解液之pH為介於11至17，以及該電漿電解裝置之一陰極為一石墨電極；以及提供一陰極電流於該石墨電極，使與該電解液接觸的該石墨電極之表面進行一電漿電解反應以得到該石墨氧化物及該石墨烯，其中該電漿電解裝置的輸出電壓為40V至80V，以及該電漿電解裝置的輸出電流為0.5A至1.75A。
2. 如請求項1所述之石墨氧化物及石墨烯之製備方法，其中該石墨氧化物或該石墨烯之C=C以及C-C之總量大於C-O之量。
3. 如請求項1所述之石墨氧化物及石墨烯之製備方法，其中該電漿電解裝置的輸出電流為0.5A至1.2A。
4. 如請求項1所述之石墨氧化物及石墨烯之製備方法，其中該電漿電解裝置的輸出電壓為40V至60V。
5. 如請求項1所述之石墨氧化物及石墨烯之製備方法，其中該石墨電極之一端幾乎高於該電解液。
6. 如請求項1所述之石墨氧化物及石墨烯之製備方法，其中該電漿電解反應發生於該石墨電極之表面或是附近。
7. 如請求項1所述之石墨氧化物及石墨烯之製備方法，其中該電漿電解裝置之一陽極之浸入電解液面積係大於該陰極11倍。
8. 如請求項1所述之石墨氧化物及石墨烯之製備方法，其中該電漿電解裝置之一陽極之材料為不含鋁、鎂或鈦的導電材料。
9. 如請求項1所述之石墨氧化物及石墨烯之製備方法，其中該電漿電解裝置之一陽極係完全沉浸於該電解液。
10. 如請求項1所述之石墨氧化物及石墨烯之製備方法，其中該電解液包含銨離子及氫氧根。
11. 如請求項1所述之石墨氧化物及石墨烯之製備方法，其中該電解液之pH為介於11與14之間。
12. 如請求項1所述之石墨氧化物及石墨烯之製備方法，其中該石墨電極為一高純度石墨電極。