TWI515822B - 基板支撐構件以及具有該構件的基板處理裝置 - Google Patents

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Description

基板支撐構件以及具有該構件的基板處理裝置
本揭露是有關於一種基板支撐構件，且更特別地是有關於一種可以預防基板處理製程中發生基板的熱流失的基板支撐構件以及一種具有所述基板支撐構件的基板處理裝置。
半導體元件是藉由重複地施行如離子注入、薄膜沉積、熱處理等等的單元製程來製造。熱處理製程應用於基板的熱氧化、注入的離子的熱擴散以及各式退火製程。舉例而言，熱處理製程可包括雜質離子注入後用以恢復晶形的退火製程以及用以改善鋁(Al)和矽(Si)之間的接觸特性及Si和氧化矽(SiO2)之間的介面特性的退火製程。
用以施行熱處理製程的熱處理裝置包括加熱爐和快速熱製程(RTP)裝置。RTP裝置由於RTP裝置在高溫時獲得理想的效果且亦短時間(通常，約略幾十秒到約略幾分鐘)施行熱處理製程，因此RTP裝置被廣泛使用，因而縮小像是產生雜質的副作用。
一般的RTP裝置提供處理基板的製程腔體。多個熱源，例如用以提供熱(像是輻射能量)進入腔體的鎢鹵素燈(tungsten halogen lamps)，配置於製程腔體裡面的上部份。支撐基板的基板旋轉單元配置於製程腔體裡面的下部份以面向所述多個熱源。裝載進入腔體的基板由基板旋轉單元支撐，且基板旋轉單元旋轉所述基板。熱源提供輻射能量進入旋轉的基板，以加熱基板表面至理想的溫度。在此，基板旋轉單元提供讓基板位於其上的邊緣環，且經由接觸和支撐基板的邊緣環流失預定的熱。
當製程腔體在高溫的大氣下(約略600℃至約略1,200℃)，相對於高溫輻射熱，經由邊緣環的熱流失對於基板的溫度形成具有較少的影響。並且，藉由RTP裝置所提供的高溫計量測出的基板溫度，於RTP製程的回饋溫度控制範圍內，RTP裝置熱流失可被補償。
然而，當製程腔體在低溫的大氣下(約略200℃至約略600℃)，經由邊緣環影響基板的溫度形成的熱流失不少於提供進入基板的輻射熱。而且，在低溫的大氣下，經由高溫計量測基板的溫度是困難的。因此，在RTP製程中的回饋溫度控制的範圍內要補償基板的熱流失是困難的，也因此在基板上發生溫度梯度。基板的非均勻溫度會惡化形成在基板上的膜的品質，也因此會惡化產品的特性。
本揭露提供能夠防止於基板中發生熱流失的基板支撐構件以及具有所述基板支撐構件的基板處理裝置。
本揭露提供簡單拆卸及低成本維修的基板支撐構件以及具有所述基板支撐構件的基板處理裝置。
本揭露提供減少熱流失以改善製程穩定性和產品品質的基板支撐構件以及具有所述基板支撐構件的基板處理裝置。
依據一示範的實施例，用以支撐基板的基板支撐構件包括內直徑大於基板的直徑的環形的環單元；從環單元的內部表面向內凸出的多個凸出部，所述多個凸出部互相間隔開；以及多個支撐釘，分別配置於凸出部上以面向基板的底表面的邊緣，所述多個支撐釘暴露於凸出部的上側。
每一個凸出部可具有使得凸出部的頂表面配置於環單元的頂表面的下方的厚度。
基板支撐構件更可包括分別配置於基板側表面的外面的凸出部上的多個導釘，所述多個導釘暴露於凸出部的上側，其中支撐釘及導釘中的至少一者配置於沿著環單元的圓周的凸出部的至少三個位置上。
每一個導釘可配置於其上配置有支撐釘的凸出部上或其上未配置有支撐釘的凸出部上。
每一個支撐釘的直徑沿著其縱向方向向上逐漸減小，且 每一個導釘可具有從其上部向下傾斜的傾斜表面。
每一個導釘的頂表面的高度高於每一個支撐釘的頂表面的高度。
依據另一個示範的實施例，基板處理裝置包括具有基板處理空間的腔體；配置於腔體的上部份上的加熱塊；及配置於腔體內以面向加熱塊的基板支撐構件，基板支撐構件設置為支撐基板，其中基板支撐構件包括可於基板支撐構件拆卸的多個支撐釘及的多個導釘當中的至少一個。
基板支撐構件可包括環形的環單元及凸出部，每一個凸出部具有從環單元的內部表面突出的長度且配置於基板的側表面的內部，其中凸出部可沿著環單元的圓周互相間隔開，且支撐釘及導釘可安裝於凸出部上。
每一個凸出部可具有從所述凸出部的末端往環單元垂直通過所述凸出部的第一通孔和第二通孔，每一個支撐釘可以是可拆卸地配置於第一通孔內；且每一個導釘可以是可拆卸地配置於第二通孔內。
支撐釘可配置於基板支撐構件的至少四個到八個的位置上。
凸出部定義有第一通孔的區域的頂表面低於凸出部定義有第二通孔的區域的頂表面。
依據所述的實施例，可提供包括能夠減少與基板的接觸 表面同時穩定地在各式的基板處理製程中支撐基板的支撐釘的基板支撐構件，以有效地防止基板的熱流失發生。
依據所述的實施例，在基板支撐構件上可以配置能夠引導基板的移動使得當舉起基板時基板於基板支撐構件的所需位置處對齊的導釘。導釘可配置於位於基板支撐構件上的基板的側表面上，以防止基板被分離，因而穩定地支撐基板。
支撐釘及導釘可以是可拆卸地配置於基板支撐構件上。因此，當與基板接觸以支撐基板的支撐釘及導釘因為接觸而磨損時，支撐釘及導釘可被簡易地替換而簡單地維修基板支撐構件。除此之外，維修成本可被減低。
舉例而言，當提供基板支撐構件於RTP裝置時，基板支撐構件可經由支撐釘來接觸且支撐基板，且可穩定地經由位在基板的側表面間隔開的位置的導釘來支撐旋轉的基板。因此，基板支撐構件與基板間的接觸表面可有效地減少，且可防止經由接觸區域的熱流失以容許基板具有均勻的溫度分布。因此，可改善製造出的基板的品質。
1000‧‧‧基板處理裝置
100‧‧‧腔體
110‧‧‧開口
120‧‧‧基板轉移單元
200‧‧‧加熱塊
210‧‧‧加熱燈
300‧‧‧基座
310‧‧‧基板旋轉單元
320‧‧‧抬高釘
400‧‧‧基板支撐構件
410‧‧‧環單元
420‧‧‧凸出部
421‧‧‧第一通孔
422‧‧‧第二通孔
430‧‧‧支撐單元
431‧‧‧支撐釘
432‧‧‧導釘
S‧‧‧基板
A-A’‧‧‧剖面線
圖1是依據一實施例的基板處理裝置的示意圖。
圖2是依據一實施例的基板支撐構件的示意圖。
圖3是沿著圖2之剖面線A-A’的基板支撐構件的剖面圖。
圖4a至圖4d是依據一改良實施例中說明支撐釘及導釘的排列的概念圖。
圖5a、圖5b比較依據所述改良的實施例藉由其中應用有到支撐基板支撐構件的藉由基板處裡裝置加熱的基板的溫度分布及相關技術的基板的溫度分布的比較圖。
圖6a、圖6b是依據所述改良的實施例藉由其中應用有基板支撐構件的基板處理裝置加熱的基板的熱變形及相關技術的基板的熱變形的比較圖。
在下文中，具體的實施方案將會藉由隨附的繪圖詳細地描述。然而，本揭露可以用不同形式實施且在此的闡述不應解釋為侷限於所提出的實施例。相反，提供這些實施例使得此揭露可以是充分和完整的，且將完全傳達本揭露的範疇至那些所屬領域中具有通常知識者。全文中相同的標號說明相同的元件。
圖1是依據一實施例的基板處理裝置的示意圖。圖2是依據一實施例的基板支撐構件的示意圖。圖3是沿著圖2之剖面線A-A’的基板支撐構件的剖面圖，而圖4a至圖4d是依據一改良實施例中說明支撐釘及導釘的概念圖。在此，圖2a是說明基板位於基板支撐構件上的狀態的平面圖。圖2b是依據一實施例說明基板支撐構件連接至設置在基板支撐構件的多個突出部的其中三個突出部的狀態的示意圖。圖2c及圖2d是說明基板支撐構件分 別連接至四個和八個凸出部的狀態的示意圖。並且，圖4a至圖4d為依據一改良實施例中說明支撐釘及導釘的各種排列的示意圖。
參考圖1，依據一實施例，安裝有基板支撐構件400的基板處理裝置1000包括具有處理空間的腔體100，此腔體處理裝載進入其中的基板S，設置於腔體100的上部份處上的加熱塊200用以提供熱，例如，輻射能量進入腔體100，而基座300設置於腔體100的下部分且包括用來旋轉裝載進入腔體100的基板S的基板旋轉單元310。在此，支撐基板S的基板支撐構件400配置於基板旋轉單元310的上部份處並面向腔體100中的加熱塊200。基板處理裝置1000更包括在基板處理製程中量測基板的內部溫度、內部壓力以及溫度的製程控制單元(未繪示)以及藉由量測值控制腔體100的內部大氣。因此，基板處理裝置1000可控制腔體100內部的大氣。
在此，基板S可以是具有圓盤形狀並由一般RTP裝置處理的基板。在目前的實施例中，所述基板S可具有預定的直徑(約略300mm)，且是以用作半導體元件的基底的晶圓片為例。
在目前實施例的描述中，所述腔體100、加熱塊200及所基座300並未被限制為任何特定的構造。因此，所述腔體100、加熱塊200及基座300將簡單地在以下描述。
腔體100為具有垂直打開的內部空間的塊狀形狀。所述腔體100的內部空間可具有對應於裝載進入腔體100的基板S的形狀。舉例而言，具有對應於圓盤形狀之基板S的圓柱型基板處 理空間被定義於腔體100的內部。通過基板S裝載或卸載處的開口110以及作為打開或關閉所述開口110的開/關單元(未繪示)被定義於腔體100的一個表面內。在此，所述開口110所具有的直徑大於基板S的直徑以使得基板S輕易地通過開口110裝載或卸載。並且，作為裝載基板S進入腔體100(或從腔體100卸載基板S)的基板轉移單元120可被提供於腔體100內。舉例而言，提供作為基板轉移單元120的具有機械手臂的轉移單元可配置於開口110的外面。基板轉移單元120移動機械手臂往前經由開口110進入腔體100。在此，安裝於基板旋轉單元310以垂直抬高基板S的抬高釘320舉起基板S並將基板S從基板支撐構件400分離。接著，機械手臂可接觸且支撐基板S的底表面以轉移基板S至腔體100的外面。然而，本揭露不限制於此。舉例而言，各式能夠裝載基板S進入腔體100(或從腔體100卸載基板S)的基板轉移單元120可應用於目前的實施例中。
加熱塊200配置於腔體100的上部處以覆蓋及密封腔體100的頂表面且扮演供給熱的熱供給源的角色。舉例而言，輻射能量進入腔體100。依據一實施例，加熱塊200可提供熱進入腔體100(溫度增加率為單位時間〈秒〉約略30℃至約略100℃)來維持腔體100內部的大氣在溫度範圍從約略200℃至約略600℃。然而，本揭露不限制於此。舉例而言，各式能夠提供各種腔體100內部的大氣的熱供給源，例如是各式製程溫度可應用於加熱塊200。密封單元可配置於加熱塊200和腔體100之間的耦合表面來 密封加熱塊200和腔體100。多個產生輻射能量的加熱燈210可配置於加熱塊200。加熱燈210配置於加熱塊200並面向腔體100的上表面，從而輻射近紅外能量至基板S上。在目前的實施例，是以鹵素燈作為加熱燈210為例。然而，目前的實施例不限制於此。舉例而言，各種能夠產生輻射能量的樣式的燈，例如是弧光燈可應用於加熱燈210。供應製程氣體至耦合於加熱塊200之下部分的腔體100內的氣體供應單元(未繪示)配置於加熱塊200內。氣體供應單元(未繪示)可由供應用於一般RTP裝置的製程氣體的各式元件來提供。
基座300配置於腔體100的下部分來密封所述腔體100的底表面。密封單元可以配置於介於基座300和腔體100之間的耦合表面上來密封基座300和腔體100。配置基座300以面向加熱塊200的底表面。基板S位於基板支撐構件400上，基板旋轉單元310配置於基板支撐構件400的下部分以水平旋轉基板支撐構件400，抬高釘320配置於基板旋轉單元310的上部份以從基板旋轉單元310向上伸出而抬起可配置於基座300的基板S。在此，提供於一般RTP裝置的基板旋轉單元可應用於基板旋轉單元310。基板旋轉單元310可以用理想的旋轉速率於基板處理製程期間旋轉基板支撐構件400及位於基板支撐構件400上的基板S。在目前的實施例中，是以基板旋轉單元310能夠以約略100rpm至約略240rpm旋轉基板S為示例。
在上述的基板處理裝置1000中，加熱塊200、腔體100 及基座300彼此同軸對齊並於腔體100內形成密封的反應空間。加熱燈210及基板支撐構件400配置於腔體100的上和下部分以分別面向彼此。並且，位於基板支撐構件400的上表面的基板S從加熱燈(未繪示)接收熱。在此，基板支撐構件400以及由基板支撐構件400支撐的基板S可藉由基板旋轉單元310的水平旋轉以均勻的供應熱至所述基板S。
在下文中，將根據圖2至圖4a至圖4d描述依據一實施例的基板支撐構件400。基板支撐構件400包括具有內部直徑大於基板S的直徑的環單元410。多個凸出部420從環單元410的內部表面向內凸出且互相間隔開，且多個支撐釘431分別配置於凸出部420以面向基板S的底表面的邊緣並暴露於凸出部420的上側。基板支撐構件400更可包括暴露於凸出部420的上側且分別配置於基板S的側表面的外面的凸出部420上的多個導釘432。支撐釘431及導釘432可以是可拆卸地分別配置於凸出部420。
支撐單元430(431及432)可配置於基板支撐構件400的至少三個位置。支撐釘431可配置於基板支撐構件400上的至少四到八個位置。並且，導釘432可配置於基板支撐構件400上的至少三個位置。在此，導釘432可分別配置於其上配置有支撐釘431或其上沒有配置支撐釘431的凸出部420上。每個支撐釘431的頂表面可接觸基板S的底表面的邊緣，且每個導釘432可配置於基板S的側表面的外面。因此，基板S可被支撐於基板支撐構件400上。
支撐單元430可配置於基板支撐構件400上的各種位置。支撐釘431及導釘432中的至少其一可沿著環單元410的圓周配置，因此基板S可接觸支撐釘431、432且被支撐釘431、432所支撐。舉例而言，當支撐釘431未配置在凸出部上420時，基板S可直接接觸凸出部420的頂表面且被凸出部420支撐。並且，當導釘432未配置於凸出部420時，環單元410的內部表面可配置於基板S的側表面來防止旋轉基板時基板被分開至左和右方向。在此，凸出部420和支撐釘431可具有使得配置於凸出部420的凸出部420的頂表面或支撐釘431的頂表面配置於環單元410頂表面的下方的厚度和長度。當導釘432配置於凸出部420時，凸出部420可具有使得凸出部420的頂表面齊平(flush)環單元410的頂表面的厚度。
環單元410扮演了基板支撐構件400的主體的角色。環單元410可製造成對應於基板S的形狀。在目前的實施例中，是以環單元410具有對應於基板S的圓盤形狀的環形形狀為例。當基板S位於支撐釘431，環單元410的內部直徑可大於基板的直徑，使得環單元410從基板S的側表面向外隔開一預設距離。因此，基板S的熱流失可由於基板處理製程(例如是RTP製程)中與環單元410的接觸而被預防。環單元410的頂表面可以是平行於加熱塊200的底表面。環單元410的底表面的形狀可被製造成對應於環單元410位於其上的基板旋轉單元310的頂表面的形狀。舉例而言，於環單元410的底表面定義狹槽並朝著穿過環單元410 的底表面的方向沿著環單元410的圓周延伸。至少一部份的基板旋轉單元310插入所述狹槽。在此，環單元耦合單元(未繪示)可配置於環單元410和基板旋轉單元310之間的接觸表面來耦合環單元410至基板旋轉單元310，且耦合環單元410可經由環單元耦合部件(未繪示)安裝於基板旋轉單元310上。因此，基板旋轉單元310的旋轉可轉移到環單元410。環單元410可由用於在一般RTP裝置中支撐基板的附加元件材料形成，例如是石英材料。
每一個凸出部420可由環單元410的內部表面向環單元410的中心以一預設距離延伸，且凸出部420在環單元410的內部表面至少三個位置上沿著環單元410的圓周互相間隔開。在目前的實施例中，是以凸出部420對於環單元410的垂直中心軸互相以相同的角度間隔開且配置於環單元410的內部表面的八個位置為例。每一個凸出部420可具有使得凸出部420的頂表面配置於環單元410的頂表面的下方的厚度。因此，當基板S位於凸出部420的頂表面上時，環單元410可配置於基板S的側表面的外面以防止當基板S旋轉時，基板S分開至環單元410的外面。然而，目前的實施例不限制於此。舉例而言，凸出部420可具有使得凸出部420的頂表面齊平環單元410的頂表面的厚度。凸出部420可具有比對應於環單元410的內部直徑和基板S的直徑的差值更長的長度。由凸出部420的末端往環單元410垂直通過凸出部420的第一通孔421及第二通孔422可被定義於凸出部420內。下文將會描述的支撐釘431可以是可拆卸地配置於第一通孔421，且下 文將會描述的導釘432可以是可拆卸地配置於第二通孔422。凸出部420所具有的厚度使得定義有第一通孔421的頂表面低於定義有第二通孔422的頂表面。舉例而言，凸出部420可具有多段的頂表面(呈樓梯狀)，其厚度從環單元410的內部表面至凸出部420的末端逐漸減小。每一對通孔421、422可具有對應於支撐單元430的尺寸的直徑。耦合支撐單元430的耦合單元(未繪示)，舉例而言，螺紋線可配置於每一對通孔421、422的內部牆處。
每一個支撐單元430包括耦合至第一通孔421的支撐釘431以接觸基板S的底表面的邊緣且導釘432耦合至第二通孔422並面向基板S的側表面。支撐單元430可沿著環單元410的圓周互相間隔開且分別配置於凸起部420上。在此，導釘432可配置於其上配置有或其上並無支撐釘431配置的凸起部420上。每一個支撐釘431及導釘432可被分割成插入每一個凸起部420的通孔421、422的較低主體以及從凸起部420的頂表面向上凸出的較高主體。相對於耦合單元(未繪示)，配置於每一對通孔421、422的每一個內部牆上的耦合單元(未繪示)可配置於較低主體上。舉例而言，若螺紋線配置於每一個通孔421、422的內部牆，對應於內部牆上之螺紋線的螺紋線可配置於每一個支撐釘431及導釘432的較低主體上，且支撐單元430可經由螺紋線而可拆卸地安裝於凸出部420。導釘432的頂表面可具有高於支撐釘431的頂表面的高度。支撐釘431及導釘432可配置於第一及第二通孔421、422以分別支撐基板S。支撐釘431於從基板S的末段間隔開的位置 配置於第一通孔421且接觸基板S的底表面，從而支撐基板S。導釘432可配置於第二通孔422且從平行於基板S的基板S的側表面向外間隔開，從而防止基板S被分開。
支撐釘431可具有沿著其縱向方向向上直徑逐漸減小的形狀。並且，具有預設的區域的平面可被限定在支撐釘431的較高主體的頂表面以面向基板S的底表面。支撐釘431的頂表面及基板S的底表面兩者之間可在預設區域以點接觸或面接觸的方式支撐基板S。粗糙度(未繪示)或接觸墊(未繪示)更可配置於支撐釘431的頂表面以增加介於支撐釘431及基板S之間的接觸表面的摩擦力，進而防止基板S滑動。
當基板S位於基板支撐構件400上，導釘432可具有頂表面及側表面，使得導釘432的頂表面對準基板S的頂表面，且導釘432的側表面與基板S的側表面面接觸。導釘432可具有從其上部向下傾斜的傾斜表面，因而所述導釘432可引導基板S使得當基板S被舉起時基板S配置於基板支撐構件400上的理想的位置。
在下文中，將根據圖4描述依據改良實施例的支撐釘431和導釘432的排列。
支撐釘431可變化地排列且耦合至凸出部420。舉例而言，支撐釘431可沿著環單元410的圓周互相間隔開且耦合至凸出部420的三到八個位置以支撐基板S。更好地，支撐釘431可配置於凸出部420的四到八個位置。支撐釘431耦合至凸出部420 的數量正比於藉由基板處理裝置1000旋轉的基板S的旋轉速率。與例而言，相關於基板S以旋轉速率為約略100rpm至約略150rpm轉動，三個支撐單元430可互相間隔開且分別配置於凸出部420；而相關於基板S以旋轉速率為約略240rpm轉動，四到八個支撐釘431可分別配置於凸出部420。然而，目前的實施例不被支撐釘的數量所限制。舉例而言，支撐單元430的數量及提供在基板支撐構件400上的凸出部420更可增加數量至足夠穩定地支撐基板S以對應在處理各式基板S的基板處理製程的基板的各種旋轉速率。並且，導釘432可沿著環單元432內部圓周的表面互相間隔開且配置於凸出部420上的至少三到八個位置。如圖4a所示，導釘432可配置於凸出部420的三個位置以分別支撐基板S的側表面。並且，如圖4b至4d所示，導釘432可互相間隔開以於凸出部420的四個位置支撐基板S的側表面。在此，如圖4a至4d所示，支撐釘431及導釘432可多方面地變化位置。
當與相關技術比較時，以其中裝配有基板支撐構件400的基板處理裝置1000熱處理的基板S可防止因為其熱流失及熱應力造成的熱變形。
在下文中，相較於那些依據相關技術，依據一實施例，將根據圖5及圖6a、圖6b描述藉由基板處理裝置1000所處理的基板S的溫度分布及熱變形。在此，是以提供於基板處理裝置1000中的其中有四個支撐單元430互相間隔開且各自安裝於凸出部420的基板支撐構件400為例。並且，應用到基板S上的熱可具有約略500℃ 的溫度。
圖5a、圖5b為將依據所述改良實施例的基板支撐構件400應用到藉由基板處理裝置1000加熱的基板的溫度分布及依據相關技術的基板的溫度分布相比較的示意圖，且圖6a、圖6b為將依據所述改良實施例的基板支撐構件400應用到藉由基板處理裝置加熱的基板的熱變形及依據相關技術的基板的熱變形相比較的示意圖。在此，圖5a是說明依據相關技術，藉由基板處理裝置加熱的基板的溫度分布的示意圖，而圖5b是說明依據一實施例，藉由基板處理裝置1000加熱的基板S的溫度分布的示意圖。圖6a是說明依據相關技術，藉由基板處理裝置加熱的基板的熱變形的示意圖，而圖6b是說明依據所述實施例，藉由基板處理裝置1000加熱的基板S的熱變形的示意圖。
參考圖5a、圖5b，根據比較依據一實施例中藉由基板處理裝置1000加熱的基板的溫度偏移及依據相關技術的基板的溫度偏移所得到的結果如下。
在所述相關技術中，具有同心形狀的溫度梯度形成在基板S的上部份上。可看到溫度為484.76℃、490.57℃、496.38℃、502.18℃、507.99℃及513.80℃的溫度梯度從基板的末端往基板的中心形成(請參看圖5a)。
然而，除了基板S的邊緣接觸每一個支撐單元430的預設區域，依據一實施例，均勻的溫度區域形成於在基板處理裝置1000中熱處理過的基板S的上表面。也就是說，相比於依據相關 技術的基板，具有高溫度的一區域被定義於相當寬的區塊上。可以知道，從基板S和支撐單元430之間的接觸表面往基板S的中心，基板S可具有(溫度為)500.85℃、503.27℃、505.68℃、508.09℃、510.50℃及512.91℃的溫度梯度。也就是說，相較於依據相關技術的基板，可看到基板S在相當寬的區塊具有溫度為512.91℃的溫度梯度(請參看圖5b)。並且，依據所述相關技術的基板S具有約略29℃的溫度偏移，而依據一實施例的基板S具有約12℃的溫度偏移。因此，依據一實施例的基板處理裝置1000相較於依據相關技術的基板的溫度偏移可降低基板S的溫度偏移。
參考圖6a、圖6b，藉由比較依據一實施例的在基板處理裝置1000內處理的基板的熱翹曲及依據相關技術的基板的熱翹曲所得到的結果如下。
在所述相關技術中，可看到由於施加在基板S上的熱變形的變化值以同心形狀改變，且變形的大小在基板S的邊緣為0.367mm，而在基板S中心部份為1.068mm(請參看圖6a)。然而，如圖6b所示，可看到依據一實施例在基板處理裝置1000內處理的基板S具有在靠近支撐單元430的接觸區塊變形往內逐漸增加的形狀，且變形的大小在與支撐單元430的接觸點附近為0.0521mm，而在基板S的中心位置為0.2603mm。如上所述，基板S於相關技術的變形的最大值為1.068mm且依據一實施例的基板S的變形的最大值為0.2603mm。因此，相較於依據所述相關技術，依據一實施例的基板處理裝置1000可防止基板變形。
雖然RTP裝置在先前的實施例中描述成一例子，所述實施例可應用於各種施行基板處理製程的設施。
雖然基板支撐構件及具有所述基板支撐構件的基板處理裝置已根據特定實施例描述，他們並不限制於此。因此，在沒有背離附設的申請專利範圍限定的本揭露的精神和範圍下，對各式的實施例做修改及改變對於所述領域具有通常知識者可快速地了解。
410‧‧‧環單元
420‧‧‧凸出部
430‧‧‧支撐單元
431‧‧‧支撐釘
432‧‧‧導釘
S‧‧‧基板
A-A’‧‧‧剖面線

Claims (9)

  1. 一種基板支撐構件，用以支撐基板，所述基板支撐構件包括：環形的環單元，所述環單元的內直徑大於所述基板的直徑；多個凸出部從環單元的內部表面向內凸出，所述凸出部互相間隔開；多個支撐釘分別配置於所述凸出部上以面向所述基板的底表面的邊緣，所述多個支撐釘暴露於所述凸出部的上側；以及多個導釘，分別配置於所述基板的側表面的外面的所述凸出部上，所述多個導釘暴露於所述凸出部的上側，其中所述支撐釘及所述導釘中的至少一者配置於沿著所述環單元的圓周的所述凸出部的至少三個位置，且每一個所述導釘配置於所述支撐釘配置於其上的所述凸出部上或支撐釘未配置於其上的所述凸出部上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板支撐構件，其中每一個所述凸出部具有使得所述凸出部的頂表面配置於環單元的頂表面的下方的厚度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的基板支撐構件，其中每一個所述支撐釘可具有沿著其縱向方向向上逐漸減小的直徑，且每一個所述導釘具有從其上部向下傾斜的傾斜表面。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的基板支撐構件，其中每一個所述導釘的頂表面具有高於每一個所述支撐釘的高度。
  5. 一種基板處理裝置，包括： 腔體，所述腔體具有基板處理空間；加熱塊，所述加熱塊配置於所述腔體的上部份；以及基板支撐構件，所述基板支撐構件配置於所述腔體的內部以面向所述加熱塊，所述基板支撐構件設置為支撐所述基板；其中所述基板支撐構件包括可於基板支撐構件拆卸的多個支撐釘及多個導釘當中的至少一個。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的基板處理裝置，其中所述基板構件包括環形的環單元及凸出部，每一個所述凸出部具有長度以使得所述凸出部從所述環單元的內部表面凸出且配置於所述基板的側表面的內部，其中所述凸出部沿著所述環單元的圓周互相間隔開，所述支撐釘及所述導釘安裝於凸出部上。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的基板處理裝置，其中每一個所述凸出部具有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔從所述凸出部的末端往所述環單元垂直通過所述凸出部，每一個所述支撐釘可拆卸地配置於所述第一通孔，每一個所述導釘可拆卸地配置於所述第二通孔。
  8. 如申請專利範圍第5項到第7項中任一項所述的基板處理裝置，其中所述支撐釘配置於所述基板支撐構件的至少四到八個的位置上。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的基板處理裝置，其中所述凸出部定義有所述第一通孔的區域的頂表面低於所述凸出部定義有所述第二通孔的區域的頂表面。
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