TWI510765B - 紫外光偵測裝置與其製作方法 - Google Patents
紫外光偵測裝置與其製作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI510765B TWI510765B TW103103515A TW103103515A TWI510765B TW I510765 B TWI510765 B TW I510765B TW 103103515 A TW103103515 A TW 103103515A TW 103103515 A TW103103515 A TW 103103515A TW I510765 B TWI510765 B TW I510765B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light
- photodetecting
- ultraviolet light
- light detecting
- wafer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 53
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 22
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 7
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 39
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000825 ultraviolet detection Methods 0.000 description 3
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 208000000453 Skin Neoplasms Diseases 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 201000000849 skin cancer Diseases 0.000 description 2
- 229910015802 BaSr Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005132 Calcium sulfide based phosphorescent agent Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010042496 Sunburn Diseases 0.000 description 1
- 229930003316 Vitamin D Natural products 0.000 description 1
- QYSXJUFSXHHAJI-XFEUOLMDSA-N Vitamin D3 Natural products C1(/[C@@H]2CC[C@@H]([C@]2(CCC1)C)[C@H](C)CCCC(C)C)=C/C=C1\C[C@@H](O)CCC1=C QYSXJUFSXHHAJI-XFEUOLMDSA-N 0.000 description 1
- 229910052586 apatite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011900 installation process Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;fluoride;triphosphate Chemical compound [F-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 1
- 235000019166 vitamin D Nutrition 0.000 description 1
- 239000011710 vitamin D Substances 0.000 description 1
- 150000003710 vitamin D derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229940046008 vitamin d Drugs 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/429—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to measurement of ultraviolet light
Description
本發明係關於一種紫外光偵測裝置與其製作方法，特別關於一種以非三五族元素為材料製作的紫外光偵測裝置與其偵測方法。
適量的紫外光可以幫助人體合成維生素丁(vitamin D)，然而過量的紫外光會提高人們罹患皮膚癌的機率。因此在近年的氣象預報單元中，往往額外報導了紫外光強度。然而，隨著時間與所在的環境不同，紫外光強度也會不同。舉例來說，雖然中央氣象局報導臺北今日紫外光指數為4，但是陽明山上中午時分的紫外光指數可能高達5，而大安森林公園傍晚時分的紫外光指數可能只有3。因此，人們需要有能即時提供紫外光強度的裝置。
有鑑於以上的問題，本發明提出一種紫外光偵測裝置與製作此紫外光偵測裝置的方法。依據本發明所提出的製作方法，將紫外光轉紅外光的螢光材料配置在光偵測晶片的部份上表面。使光偵測晶片中的第一光偵測單元直接偵測
到入射光的強度，而第二光偵測單元偵測到的光則是被前述螢光材料轉換過的入射光的強度。因此可以依據兩個強度的差值，推算出入射光中的紫外光強度。
依據本發明一個或多個實施例所實現的一種紫
外光偵測裝置可以包含光偵測晶片與配置於光偵測晶片部分上表面的波長轉換層。其中光偵測晶片中包含用以感測入射光以輸出第一訊號的第一光偵測單元與用以感測入射光以輸出第二訊號的第二光偵測單元。
依據本發明一個或多個實施例所實現的光偵測
裝置製作方法，包含提供以矽基半導體製程製作的光偵測晶片。將一種第一螢光粉與矽膠混合，以得到螢光膠體。並且於光偵測晶片的部份上表面塗佈螢光膠體。
依據本發明一個或多個實施例所實現的光偵測
裝置製作方法，包含提供以矽基半導體製程製作的光偵測晶片。將一種第一螢光粉混合於光阻膠體以得到第一膠體。將第一膠體佈植於光偵測晶片的上表面。而後透過光罩對佈植於光偵測晶片的上表面的第一膠體進行曝光。並且以顯影液對第一膠體進行顯影，以形成波長轉換層。
依據本發明所提出的製作方法，將紫外光轉紅外
光的螢光材料配置在矽基光偵測晶片的部份上表面。使矽基光偵測晶片中的第一光偵測單元直接偵測到入射光的強度，而第二光偵測單元偵測到的光則是被前述螢光材料轉換過的
入射光的強度。利用矽基半導體對於紅外光的靈敏度高，且無法偵測到紫外光的特性，可以依據兩個強度的差值，推算出入射光中的紫外光強度。
以上之關於本發明內容之說明及以下之實施方
式之說明係用以示範與解釋本發明之精神與原理，並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。
1‧‧‧紫外光偵測裝置
11‧‧‧光偵測晶片
111‧‧‧重置電壓源
112‧‧‧第一參考電壓源
113‧‧‧第二參考電壓源
114、115‧‧‧控制端
116‧‧‧另一端
13‧‧‧第一光偵測單元
15‧‧‧第二光偵測單元
17‧‧‧波長轉換層
19‧‧‧處理單元
20‧‧‧濾波鏡
M131
~M155
‧‧‧電晶體
C13
、C15
‧‧‧電容
PDa
、PDb
‧‧‧光電二極體
第1A圖係依據本發明一實施例的紫外光偵測裝置俯視示意圖。
第1B圖係依據本發明另一實施例的紫外光偵測裝置俯視示意圖。
第1C圖係對應於第1A圖的側視示意圖。
第1D圖係依據本發明一實施例的紫外光偵測晶片的電路示意圖。
第2圖係用以說明應用於本發明一實施例中的光偵測單元的靈敏度。
第3圖係依據本發明另一實施例的紫外光偵測裝置側視示意圖。
第4圖係依據本發明一實施例的紫外光偵測裝置製作方法流程圖。
以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵
以及優點，其內容足以使任何熟習相關技藝者了解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本發明之觀點，但非以任何觀點限制本發明之範疇。
關於本發明的紫外光偵測裝置，請參照第1A圖
至第1B圖，第1A圖與第1B圖係分別依據本發明一實施例的紫外光偵測裝置俯視示意圖，而第1C圖係對應於第1A圖的側視示意圖。如第1A圖所示，紫外光偵測裝置1包含了光偵測晶片11(其中可以包含一個或多個第一光偵測單元13與一個或多個第二光偵測單元15)以及波長轉換層17。此外，光偵測晶片11上還可以有多個輸入/輸出用的焊墊(bonding pad)。而如同第1A圖與第1C圖所示，波長轉換層17覆蓋在第二光偵測單元15之上。換句話說，可以把光偵測晶片11的上表面定義出透光區域與轉換區域，其中波長轉換層17被披覆於轉換區域。並且，第一光偵測單元13在光偵測晶片11中的位置正對應於透光區域，而第二光偵測單元15在光偵測晶片11中的位置正對應於轉換區域。此外，如第1B圖所示，紫外光偵測裝置1可以更包含一個電性連接至光偵測晶片11的處理單元19。
關於本發明一實施例中的第一光偵測單元11與
第二光偵測單元13，請參照第1D圖，其係依據本發明一實施例的紫外光偵測晶片的電路示意圖。如第1D圖所示，光偵測晶片11中至少部份的電路可以包含第一光偵測單元13與第二光偵測單元15。而第一光偵測單元13中可以包含電晶體M131
、電晶體M133
、電晶體M135
、光電二極體PDa
(photo diode,PD)與電容C13
。第二光偵測單元15中可以包含電晶體M151
、電晶體M153
、電晶體M155
、光電二極體PDb
與電容C15
。於一個實施例中，第一光偵測單元13與第二光偵測單元15中的各對應元件的參數(例如元件尺寸、電容大小、門檻電壓大小)相同。
由第1D圖可以看出，第一光偵測單元13與第
二光偵測單元15本身是結構相同的兩個光偵測單元，因此茲舉第一光偵測單元13為例，以解釋一個光偵測單元如何運作。由第1C圖可以看出，電晶體M131
的第一端接於一個重置電壓源111，電晶體M131
的第二端接於電晶體M133
的控制端，且電晶體M131
的控制端114接於重置控制訊號。同時，光電二極體PDa
的一端接於電晶體M133
的控制端，光電二極體PDa
的另一端接於第一參考電壓源112。電晶體M133
的一端接於第二參考電壓源113，電晶體M133
的另端接於電容C13
的一端。電容C13
連接於電晶體M133
與第一參考電壓源112之間。而電晶體M135
的一端連接於電晶體M133
與電容C13
，電晶體M135
的控制端115連接至讀取控制訊號，電晶體M135
的另一端116可以連接至運算放大器(operational amplifier,OPA)以便在電晶體M135
被導通時可以讀出電容C13
所儲存的電壓值(或者等效來說是電荷量)。於另外的實施例中，電晶體M135
的另一端116也可以連接至類比數位轉換器(analog to digital converter,ADC)以便在電晶體M135
被導通時可以讀出電容C13
所儲存的電壓值。
舉例來說，第一參考電壓源112可以是電路的接
地端(ground,GND)而第二參考電壓源113可以是電路的電源端(supply voltage,VDD)，並且重置電壓源111的電壓值應該被適當的選擇。藉此，當重置控制訊號的邏輯準位為高的時候，電晶體M131
可以被導通而使得光電二極體PDa
可以被重置。此外，當第一光偵測單元13要被用來感測入射光的強度時，電晶體M131
與電晶體M135
不應該被導通。此時，隨著光電二極體PDa
吸收越多的光能，電晶體M133
的控制端的電壓隨之提高，從而使得電容C13
的跨壓也隨之提高。
而後，要藉由讀取電容C13
的跨壓來得知光電二極體PDa
所吸收的光能強度時，可以用重置控制訊號與讀取控制訊號將電晶體M131
與電晶體M135
導通，此時，雖然電晶體M133
的控制端的電壓降低，但是電容C13
的跨壓並不會因此降低。而且電晶體M135
導通可以將電容C13
的跨壓讀出。讀出電容C13
的跨壓後，可以接著將電容C13
的跨壓歸零，以便下一次的偵測與讀取。雖然上述僅介紹以光電二極體實現
的三電晶體光偵測單元(three-transistor photo detection unit,3T-PD)，然而本發明的光偵測單元並不限定於以光電二極體實現的三電晶體光偵測單元，也可以是四電晶體光偵測單元(four-transistor photo detection unit,4T-PD)、五電晶體光偵測單元(five-transistor photo detection unit,5T-PD)或六電晶體光偵測單元(six-transistor photo detection unit,6T-PD)，此外，也可以用雙極性接面電晶體(bipolar junction transistor,BJT)來實現光偵測單元。
波長轉換層17可以用來將入射光中的紫外光成份吸收而轉換成紅外光釋放出來。究其理由，請參照第2圖，其係用以說明應用於本發明一實施例中的光偵測單元的靈敏度。如第2圖所示，第2圖中的橫軸代表波長，而縱軸代表一般矽基半導體所製作的光偵測單元對於光的靈敏度。由於一般光偵測單元，尤其是矽基半導體所製作的光偵測單元，對於紫外光的靈敏度較低，甚至無法感測到紫外光，卻對於紅外光的靈敏度極高。因此需要以波長轉換層17將紫外光轉換成紅外光或是可見光，如此一來即使是矽基半導體所製作的光偵測單元可以量測得到「關於紫外光」的紅外光(或可見光)。依據本發明的精神，波長轉換層17的材料可以是矽酸鹽(Silicate)、氮化物(Nitride)、氮氧化物(Oxynitride)或其他可將紫外光轉換為紅外光或可見光的材料，本發明不加以限制。舉例來說，欲將紫外光轉換為紅外光，則波長轉換層17的材
料可以是(BaSr)2
SiO4
：Eu2+
、Ba6
Sc2
(SiO4
)6
：Eu2+
或磷灰石螢光粉。欲將紫外光轉換為可見光，則波長轉換層17的材料可以是CaAlSiN3
：Eu2+
、CaS：Eu2+
或YGd0.35
BO3
：Eu3+
。
在實際操作上，請回到第1D圖，當入射光照射
到光偵測晶片11時，由於通過透射區域的入射光不會被改變而可以直接被第一光偵測單元13所偵測，而通過轉換區域的入射光的紫外光成分會被波長轉換層17轉換成紅外光(或可見光)，而後通過轉換區域的入射光可以被第二光偵測單元15所偵測。在此，將通過透光區域的入射光定義為第一入射光，而將通過轉換區域的入射光定義為第二入射光。第一光偵測單元13與第二光偵測單元15可以感測第一入射光與第二入射光，而分別產生(輸出)第一訊號與第二訊號。第一訊號關於第一入射光的強度，而第二訊號關於第二入射光的強度。由於第一入射光與第二入射光的差異在於紫外光成分與紅外光成分。而第一光偵測單元13與第二光偵測單元15又都對於紫外光不靈敏，因此把第一訊號與第二訊號拿來計算出第一入射光與第二入射光的強度差值，所得到的強度差值實質上是第二入射光的紅外光與第一入射光的紅外光的強度差值。
而第二入射光相較於第一入射光的紅外光的強度差值，是因為第二入射光經過波長轉換層17的時候，紫外光成分被波長轉換層17吸收而釋放出紅外光。因此當得到第一入射光與第二入射光的強度差值時，可以利用這個差值反推第二入射光
在通過波長轉換層17以前的紫外光強度，而這個紫外光強度就等於第一入射光的紫外光強度(因為第一入射光與第二入射光係來自於同一個光源)。
請回到第1B圖，更明確的來說，紫外光偵測裝
置1可以更包含一個處理單元19，電性連接至光偵測晶片11。處理單元19可以內建有記憶體，以儲存波長轉換層17把紫外光轉換為紅外光的轉換率，因此處理單元可以依據第一訊號與第二訊號，計算出第一入射光與第二入射光分別被第一光偵測單元13與第二光偵測單元15所偵測到的強度的一個強度差值。而後依據這個強度差值與記憶體中所儲存的轉換率，來去計算出第二入射光在穿過波長轉換層17以前的紫外光強度，而這個紫外光強度也就是第一入射光的紫外光強度。而且，處理單元19還可以把這個紫外光強度與一個或多個強度門檻值做比較。舉例來說，處理單元19可以把「會對人類皮膚造成傷害」的紫外光強度作為強度門檻值，當發現計算出來的紫外光強度高於強度門檻值時，處理單元19可以送出警告訊號，而一般使用者可以依據警告訊號知道當前環境中的紫外光強度會傷害皮膚(可能易於曬傷皮膚或者造成黑斑、皮膚癌)。
依據本發明另一個實施例，紫外光偵測裝置1可
以更包含一個濾波鏡(optical filter)，詳請參照第3圖，其係依據本發明另一實施例的紫外光偵測裝置側視示意圖。如第3
圖所示，相較於第1圖，本實施例的紫外光偵測裝置1更包含了一個濾波鏡20。光偵測晶片11、波長轉換層17與濾波鏡20的相對位置關係可以描述為：濾波鏡20被配置於光偵測晶片11之上，且覆蓋了光偵測晶片11的透光區域與轉換區域，而波長轉換層17被配置於濾波鏡20之上，且波長轉換層17只覆蓋了光偵測晶片11的轉換區域。
濾波鏡20可用以濾除紅外光以外的光線。由於
第一光偵測單元13與第二光偵測單元15雖然對於紫外光的靈敏度很低，甚至感測不到紫外光。但是由於製程的變異與偏差，兩個光偵測單元仍可能對於紫外光有些許的靈敏度，因此第一光偵測單元13會偵測到紫外光而第二光偵測單元15不會偵測到紫外光(因為第二入射光的紫外光成份已經被波長轉換層17轉換成紅外光了)。而這樣把第一訊號與第二訊號拿來計算出來的強度差值就不是第二入射光比第一入射光多出來的紅外光的強度了。因此，以濾波鏡20來將第一入射光中除了紅外光以外的光線濾除(當然也可以只濾除紫外光)可以更進一步確保偵測的準確性。
依據本發明一實施例的紫外光偵測裝置製作方
法，請參照第4圖，其係依據本發明一實施例的紫外光偵測裝置製作方法流程圖。如步驟S401所示，以矽基半導體製程製作光偵測晶片，此光偵測晶片包含第一光偵測單元與相鄰第一光偵測單元的第二光偵測單元。如步驟S403所示，於光
偵測晶片的上表面定義透光區域與轉換區域，其中透光區域對應於第一光偵測單元，且轉換區域對應於第二光偵測單元。再如步驟S405所示，於轉換區域配置波長轉換層，其中波長轉換層係用以將紫外光轉換為紅外光。
其中關於步驟S405中如何在轉換區域配置波長
轉換層，於一個實施例中，可以將一種用來吸收紫外光並轉換為紅外光的螢光粉與矽膠混合，以得到螢光膠體，而後將螢光膠體塗佈於轉換區域。如此，等螢光膠體固化後，就會形成本發明所需的波長轉換層。此外，還可以於光偵測晶片的上方先配置一個用來濾除紫外光(或者紫外光及可見光)的濾波鏡，而後再將螢光膠體塗佈於濾波鏡的上表面中，對應於轉換區域的部份。因此，可以直接購入一般的光偵測晶片，而後以此方法簡單塗佈而做成本發明所揭示的紫外光偵測裝置。
於另一個實施例中，關於步驟S405，可以將用
來吸收紫外光並轉換為紅外光的螢光粉摻入光阻膠體中，而後將摻雜了螢光粉的光阻膠體佈植在光偵測晶片的表面，而後以特定的光罩(mask)對此光偵測晶片上的光阻膠體進行曝光。完成曝光後，以顯影液來對光偵測晶片表面上的光阻膠體進行顯影，以蝕刻出具有波長轉換層的轉換區域與不具波長轉換層的透光區域。更明確的來說，以負性光阻膠為例，先將螢光粉與負性光阻膠體混合，而後將摻雜了螢光粉的負
性光阻膠佈植在光偵測晶片的上表面。而後對於轉換區域曝光，不對透光區域曝光，因此轉換區域的負性光阻膠會產生質變而不溶於顯影液。接著用顯影液對光偵測晶片進行顯影，則轉換區域的部份會留下摻雜了螢光粉的光阻膠，而透光區域中的光阻膠被顯影液洗去。此外，也可以先在光偵測晶片的表面配置一個用來濾除紫外光(或者紫外光及可見光)的濾波鏡，而後將摻雜了螢光粉的光阻膠體塗佈於濾波鏡的上表面，在進行後續的光罩曝光程序。藉由此方法，可以一次對一整個晶圓上的多個光偵測晶片都配置波長轉換層，以達到大量生產的目的。
於再一個實施例中，關於步驟S405，可以在封
裝程序中完成。舉例來說，可以提供一個具有凹槽的載體(晶片封裝結構的底座部分)。而後將光偵測晶片配至於凹槽中。
而後以一個鏡片覆蓋於凹槽之上。鏡片包含透光透鏡與相鄰於透光透鏡的波長轉換層。再覆蓋鏡片時，使透光透鏡配置於第一光偵測單元上方，並使波長轉換層配置於第二光偵測單元上方。
此外，可以在覆蓋鏡片以前先在光偵測晶片上配
置一個用來濾除紫外光(或者紫外光及可見光)的濾波鏡，再將鏡片覆蓋上去，因此濾波鏡被夾在鏡片以及光偵測晶片之間。而另一種方法中，可以在鏡片的下表面(面對光偵測晶片的表面)用化學蒸鍍或類似方法佈植上一層用來濾除紫外光
(或者紫外光及可見光)的濾波層。以此方法，可以在封裝測試的流程中，先測試過光偵測晶片中的第一光偵測單元與第二光偵測單元都能正常運作，而後再配置波長轉換層。
綜上所述，依據本發明所提出的製作方法，將紫
外光轉紅外光的螢光材料配置在矽基光偵測晶片的部份上表面。使矽基光偵測晶片中的第一光偵測單元直接偵測到入射光的強度，而第二光偵測單元偵測到的光則是被前述螢光材料轉換過的入射光的強度。利用矽基半導體對於紅外光的靈敏度高，且幾乎無法偵測到紫外光的特性，可以依據兩個強度的差值，推算出入射光中的紫外光強度。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。
1‧‧‧紫外光偵測裝置
11‧‧‧光偵測晶片
13‧‧‧第一光偵測單元
15‧‧‧第二光偵測單元
17‧‧‧波長轉換層
Claims (10)
- 一種紫外光偵測裝置，包含：一光偵測晶片，包含：一第一光偵測單元，用以感測入射光以輸出一第一訊號；以及一第二光偵測單元，用以感測入射光以輸出一第二訊號；一波長轉換層，配置於該光偵測晶片的部份上表面；以及一處理單元，電性連接至該光偵測晶片，用以依據該第一訊號與該第二訊號，計算出該入射光的一紫外光強度。
- 如請求項1所述的紫外光偵測裝置，其中該光偵測晶片係由矽基半導體所製作。
- 如請求項1所述的紫外光偵測裝置，其中該光偵測晶片的上表面被定義出一透光區域與相鄰於該透光區域的一轉換區域，且該第一光偵測單元對應於該透光區域，該第二光偵測單元對應於該轉換區域。
- 如請求項3所述的紫外光偵測裝置，其中該波長轉換層係配置於該轉換區域。
- 如請求項1所述的紫外光偵測裝置，其中該波長轉換層係用以吸收紫外光以發出紅外光。
- 如請求項1所述的紫外光偵測裝置，更包含一濾波鏡，覆蓋於該光偵測晶片的上表面，且位於該光偵測晶片與該波長轉換層之間，該濾波鏡用以濾除紅外光以外的光線。
- 一種紫外光偵測裝置製作方法，包含：提供以矽基半導體製程製作的一光偵測晶片，其中該光偵測晶片包含一第一光偵測單元與相鄰該第一光偵測單元的一第二光偵測單元；將一種第一螢光粉與矽膠混合，以得到一螢光膠體；以及於該光偵測晶片的部份上表面塗佈該螢光膠體，對應該第二光偵測單元的區域。
- 如請求項7所述的紫外光偵測裝置製作方法，其中在塗佈該螢光膠體的步驟前，更包含於該光偵測晶片的上表面配置一濾波鏡，該濾波鏡係用以濾除紅外光以外的光線，且該螢光膠體係塗佈於該濾波鏡的部份上表面。
- 一種紫外光偵測裝置製作方法，包含：提供以矽基半導體製程製作的一光偵測晶片，該光偵測晶片包含一第一光偵測單元與相鄰該第一光偵測單元的一第二光偵測單元；將一種第一螢光粉混合於一光阻膠體以得到一第一膠體，該光阻膠體係一負性光阻膠體；將該第一膠體佈植於該光偵測晶片的上表面； 透過一光罩對佈植於該光偵測晶片的上表面對應該第二光偵測單元的區域的該第一膠體進行曝光；以及以顯影液對該第一膠體進行顯影，以形成該波長轉換層。
- 如請求項9所述的紫外光偵測裝置製作方法，其中在塗佈該螢光膠體的步驟前，更包含於該光偵測晶片的上表面配置一濾波鏡，該濾波鏡係用以濾除紅外光以外的光線，且該第一膠體係塗佈於該濾波鏡的部份上表面。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW103103515A TWI510765B (zh) | 2014-01-29 | 2014-01-29 | 紫外光偵測裝置與其製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW103103515A TWI510765B (zh) | 2014-01-29 | 2014-01-29 | 紫外光偵測裝置與其製作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201530101A TW201530101A (zh) | 2015-08-01 |
| TWI510765B true TWI510765B (zh) | 2015-12-01 |
Family
ID=54342661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103103515A TWI510765B (zh) | 2014-01-29 | 2014-01-29 | 紫外光偵測裝置與其製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI510765B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020028341A1 (en) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | Lumileds Llc | Infrared light emitting device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6340820B1 (en) * | 1999-02-04 | 2002-01-22 | New Focus | Near-visible light detection method and apparatus |
| US20080043129A1 (en) * | 2006-08-16 | 2008-02-21 | Intematix Corporation | Semiconductor color image sensor |
| CN102017167A (zh) * | 2008-04-29 | 2011-04-13 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有波长转换体的光检测器 |
| TW201221922A (en) * | 2010-11-19 | 2012-06-01 | Ushio Electric Inc | UV illumination meter |
-
2014
- 2014-01-29 TW TW103103515A patent/TWI510765B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6340820B1 (en) * | 1999-02-04 | 2002-01-22 | New Focus | Near-visible light detection method and apparatus |
| US20080043129A1 (en) * | 2006-08-16 | 2008-02-21 | Intematix Corporation | Semiconductor color image sensor |
| CN102017167A (zh) * | 2008-04-29 | 2011-04-13 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有波长转换体的光检测器 |
| TW201221922A (en) * | 2010-11-19 | 2012-06-01 | Ushio Electric Inc | UV illumination meter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201530101A (zh) | 2015-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10516845B2 (en) | Sensors and systems for the capture of scenes and events in space and time | |
| JP6072978B2 (ja) | 受光器及び携帯型電子機器 | |
| JP5862025B2 (ja) | 光学センサー及び電子機器 | |
| US9057644B2 (en) | Illuminance and proximity sensor | |
| US20140145069A1 (en) | Packaged light detector semiconductor devices with non-imaging optics for ambient light and/or optical proxmity sensing, methods for manufacturing the same, and systems including the same | |
| CN107407594B (zh) | 光接收器及便携式电子设备 | |
| TW201036186A (en) | IR sensing device and two-band pass sensing device | |
| TWI580935B (zh) | An ultraviolet sensor having a scattering light suppression effect and a method of detecting ultraviolet rays | |
| TWI510765B (zh) | 紫外光偵測裝置與其製作方法 | |
| CN104236714B (zh) | 一种探测目标波段强度的光谱传感器 | |
| US10115842B2 (en) | Semiconductor optical package and method | |
| CN105190260B (zh) | 紫外半导体传感器装置和测量紫外辐射的方法 | |
| AU658568B2 (en) | Light detector | |
| CN110785678B (zh) | 用于间接检测电磁辐射的半导体器件及制造方法 | |
| US11835381B2 (en) | Integrated radiation sensor | |
| CN113314619B (zh) | 多光谱光学传感器封装结构及其封装方法 | |
| KR101416000B1 (ko) | 조도 근접도 센서 및 이에 포함되는 광 감지 소자 | |
| JP2017198579A (ja) | 光検出装置およびライダー装置 | |
| RU176331U1 (ru) | Дифференциальный фотоприемник с улучшенной пространственной характеристикой | |
| KR102399941B1 (ko) | 자외선 측정 장치 및 이를 구비하는 휴대용 단말기 | |
| CN105444880A (zh) | 光传感器用半导体集成电路 | |
| JP2017219340A (ja) | 受光器および携帯型電子機器 | |
| Baureis et al. | Characterization and modeling of integrated photosensors in standard CMOS technology | |
| CN106153194A (zh) | 一种探测目标波段强度的光谱传感装置 | |
| JP2012013475A (ja) | 複合検出装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |