CN105444880A - 光传感器用半导体集成电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种进行高精度的能见度修正的光传感器用半导体集成电路。本实施方式的光传感器用半导体集成电路(1)经由使可见光衰减，使红外光透过的遮盖部件(3)和聚光透镜(2)接受环境光，根据受光光量进行能见度修正，检测环境光的照度，该光传感器用半导体集成电路(1)具有：具有第一分光特性的第一受光元件(21)；第二受光元件(22)；对第一受光元件(21)的输出和第二受光元件(22)的输出进行减法运算的能见度修正单元(30)，第一受光元件(21)和所述第二受光元件(22)的平面形状为近似中空多边形，第一受光元件(21)和第二受光元件(22)互相隔离并且同心配置，由此解决本发明的课题。

Description

光传感器用半导体集成电路

技术领域

本发明涉及光传感器用半导体集成电路。

背景技术

近年，在便携电话或智能手机等移动设备中，为了进行与环境光对应的显示画面的亮度调整以及视觉辨认性提高、或者通话时的省电，搭载了安装在1个小型封装中的照度传感器以及接近传感器。这些传感器通常用大体上遮断可见光的黑色系的遮盖玻璃等遮盖部件覆盖。

关于照度传感器用PD(Photodiode：光电二极管)的分光特性，希望在人眼可以识别亮度的区域(波长400nm～波长700nm左右)具有最大灵敏度，在红外光区域(波长800nm～波长1000nm左右)具有低的相对灵敏度。被遮盖玻璃覆盖的该PD的分光特性，在红外光区域中的相对灵敏度升高。因此，已知通过利用在红外光区域中具有最大灵敏度的PD(能见度修正用PD)等，降低红外光区域中的相对灵敏度(能见度修正)，来维持照度传感器的检测精度的技术。

如图10所示，照度传感器用PD的分光特性，在用黑色系的玻璃等遮盖部件覆盖的情况下，与不用黑色系的遮盖玻璃等遮盖部件覆盖的情况相比，红外光区域中的相对灵敏度升高。

公开了一种日照传感器装置，与对受光面入射的日照光的方向对应地，对遮光板以及光感应部的配置或形状等进行研究，控制光感应部的受光面积和被遮光板覆盖的光感应部的遮光面积，由此高效率地检测该日照光(例如，参照专利文献1)。

另外，公开了在同一基板上隔着绝缘层分离配置带隙能量不同的多个受光元件，通过各受光元件接受具有大量的波长成分的光，由此进行高效率的光电变换的光电变换模块(例如，参照专利文献2)。

在同一基板上形成具有不同分光特性的多个PD的情况下，即使对受光面入射的光的方向变化，也难以在各PD间使受光光量均匀。

例如，将照度传感器用PD和接近传感器用PD相邻配置(参照图11(A))，对使入射光的方向进行了变化时的照射到各PD的光的面积的变化进行比较(参照图11(B))。在直进光(圆101)的情况下当以照射到各PD的光的面积为基准时，在斜光(圆102)的情况下，照射到照度传感器用PD的光的面积增加，照射到接近传感器用PD的光的面积减小。另一方面，在斜光(圆103)的情况下，照射到照度传感器用PD的光的面积减小，照射到接近传感器用PD的光的面积增加。

特别是存在在照度传感器用PD和能见度修正用PD之间，当受光光量的波动增大时，根据该受光光量进行的能见度修正的精度降低的问题。

专利文献1：日本特开平07－311084号公报

专利文献2：日本特开平05－206500号公报

发明内容

本发明是鉴于上述问题而作出的，其目的在于提供一种进行高精度的能见度修正的光传感器用半导体集成电路。

本实施方式的光传感器用半导体集成电路(1)经由使可见光衰减，使红外光透过的遮盖部件(3)和聚光透镜(2)接受环境光，根据受光光量进行能见度修正，检测环境光的照度，该光传感器用半导体集成电路具有：第一受光元件(21)，其具有第一分光特性；第二受光元件(22)；能见度修正单元(30)，其对第一受光元件(21)的输出和第二受光元件(22)的输出进行减法运算，第一受光元件(21)和第二受光元件(22)的平面形状为近似中空多边形，第一受光元件(21)和第二受光元件(22)互相隔离并且同心配置。

此外，上述括号内的参照符号是为了容易理解而添加的，只不过是一个例子，并非限定为图示的形态。

根据本发明的实施方式，可以提供进行高精度的能见度修正的光传感器用半导体集成电路。

附图说明

图1是示意性地表示光入射到实施方式的光传感器用半导体集成电路的情形的一例的图，其中实线表示光11，虚线表示光12。

图2是表示实施方式的光传感器用半导体集成电路的结构的一例的图。

图3是表示实施方式的受光元件中的电压和暗电流的关系的一例的曲线图。

图4是表示实施方式的光传感器用半导体集成电路的结构的一例的图。

图5是表示实施方式的光传感器用半导体集成电路的结构的一例的图。

图6是表示实施方式的光传感器用半导体集成电路的结构的一例的图。

图7是表示实施方式的光传感器用半导体集成电路的结构的一例的图。

图8是表示实施方式的光传感器用半导体集成电路的结构的一例的图。

图9是表示实施方式的受光元件中的波长和相对灵敏度的关系的一例的曲线图。

图10是表示分光特性的一例的图。

图11是表示现有的光传感器用半导体集成电路的结构的一例的图。

符号说明

1光传感器用半导体集成电路

2聚光透镜

3遮盖部件

10环境光

21第一受光元件(照度传感器用)

21b阳极电极(P)

21c阴极电极(N)

22第二受光元件(修正用)

22b阳极电极(P)

22c阴极电极(N)

23第三受光元件(接近传感器用)

23b阳极电极(P)

23c阴极电极(N)

30能见度修正单元

313AD变换器

316乘法器

318加法器

500红外光截止滤光片(第一滤光片)

501可见光截止滤光片(第二滤光片)

具体实施方式

以下，参照附图说明发明的实施方式。在各图中，有时对相同结构部分赋予相同符号，并省略重复的说明。

在本说明书中，所谓“相对灵敏度”，是指将照度传感器用受光元件的某波长下的灵敏度(最大灵敏度)设为100％而标准化的分光特性中的在各个波长(波长400nm～波长1150nm)下的灵敏度。另外，在本说明书中，所谓平面形状，是指从受光部20的表面20s的法线方向看对象物看到的形状。

[光传感器用半导体集成电路的结构]

首先，使用图1简单说明本实施方式的光传感器用半导体集成电路的结构的一例和该光传感器用半导体集成电路接受环境光后直到检测出照度的流程。

光传感器用半导体集成电路1包含受光部20和能见度修正单元30。

光10(环境光)经由遮盖部件3和聚光透镜2入射到受光部20。受光部20包含在同一基板上形成的多个受光元件。各受光元件包含光电变换部、电极等，根据受光光量流过电流。作为各受光元件，可以使用PN型光电二极管、PIN型光电二极管、光电晶体管等。此外，各受光元件的输出电流是pA级的微弱电流。

光11是从垂直方向对受光部20的表面s20入射的光(以下，记载为直进光)，光12是从倾斜方向对受光部20的表面s20入射的光(以下，记载为斜光)。

遮盖部件3作为隐藏受光部20的盖子来使用，因此，由黑色的树脂、黑色的玻璃等形成。遮盖部件3使可见光衰减(遮挡90％左右)，使红外光透过。通过适当调整遮盖部件3的厚度、材质、遮光率等，能够使受光部20接受的环境光的光量变化。

聚光透镜2汇聚透过遮盖部件3的光。在直进光入射的情况和斜光入射的情况下，汇聚到受光部20的光的位置不同。无论哪种情况下，理想的都是在受光部20内形成的多个受光元件之间受光光量的波动小。因此，优选适当调整各受光元件的平面形状、位置、面积等。聚光透镜2的种类不特别限定，可以使用凸透镜或圆柱透镜等。

能见度修正单元30根据照度传感器用受光元件以及能见度修正用受光元件的受光光量(输出电流)来进行能见度修正。在本实施方式的受光部20中，因为适当调整了各受光元件的平面形状、配置、面积等(在后面详细描述)，所以即使对受光部20的表面20s入射的光的方向变化，在照度传感器用受光元件和能见度修正用受光元件之间也难以产生受光光量的波动。另外，能见度修正单元30用同一AD变换器分时地对照度传感器用受光元件以及能见度修正用受光元件的输出电流进行AD变换并进行运算处理，由此进行能见度修正。作为运算处理，从与照度传感器用受光元件的输出电流对应的数字信号中减去与乘以了修正系数的能见度修正用受光元件的输出电流对应的数字信号。通过能见度修正单元30，使照度传感器用受光元件的分光特性接近能见度特性，由此提高光传感器用半导体集成电路1的检测精度。

[受光部的结构]

图2表示本实施方式的光传感器用半导体集成电路1具备的受光部20的结构的一例。

受光部20包含第一受光元件21、第二受光元件22和第三受光元件23。如图2所示，第一受光元件21是照度传感器用的受光元件，第二受光元件22是能见度修正用的受光元件，第三受光元件23是接近传感器用的受光元件。

照度传感器根据第一受光元件21接受的环境光的光量来检测周围的亮度。另外，接近传感器根据第三受光元件23接受的红外光的光量的变化来检测物体的接近。接近传感器检测从移动的物体反射的微弱的红外光，因此，优选将第三受光元件23设计为高灵敏度。

优选各受光元件以相互隔离并且中心一致的方式形成(同心配置)。另外，优选形成为在各受光元件间，中心和内侧以及外侧的顶点存在于同一直线上。此外，各受光元件的配置顺序不特别限定，例如可以如图2所示，从内侧起按照第三受光元件23、第一受光元件21、第二受光元件22的顺序形成，也可以按照与图2不同的顺序形成。

各受光元件的平面形状优选为中空正多边形、多边形、中空圆形或圆形。该多边形不特别限定，可以是四边形、五边形、六边形、八边形等。例如，可以如图2所示，将第一受光元件21以及第二受光元件22的平面形状设为中空正方形，将第三受光元件23的受光元件的平面形状设为正方形。

优选各受光元件的面积相等。图3表示照度传感器用的受光元件以及能见度修正用的受光元件的暗电流特性。如图3所示，在面积相等的受光元件中产生的暗电流大致相等，因此，通过由能见度修正单元30进行的运算处理，可以将各受光元件中产生的暗电流大致抵消。

图4(A)表示入射到受光部20的表面20s的光和各受光元件的受光光量的关系。圆101表示直进光，圆102以及圆103表示斜光。

在图4(A)中，第一受光元件21以及第二受光元件22的平面形状为近似中空四边形，第一受光元件21和第二受光元件22互相隔离并且同心配置。在图4(A)的情况下，若考虑照射到第一受光元件21的光的面积，则圆101>圆102＝圆103。即，当以圆101的情况下照射到第一受光元件21的光的面积作为基准时，在圆102和圆103的情况下光的面积减小，但其减小量大致相同。即，在光点的位置由于斜光而如圆102那样偏移的情况下，或者如图103那样偏移的情况下，光的面积的减小量大致相同。关于第二受光元件22也相同。因此，在第一受光元件21和第二受光元件22之间，可以使受光光量大致均匀(可以减轻斜光时的两元件的受光光量的比例的变动)。

在此，若改为参照图11(B)，考虑照射到照度传感器用PD的光的面积，则圆102>圆101。另外，在光点的位置由于斜光而相对于圆101向与圆102相反侧偏移的情况下(将该情况设为圆103)，圆101>圆103。即，当以圆101的情况下照射到照度传感器用PD的光的面积作为基准时，在圆102的情况下，光的面积增加，在圆103的情况下光的面积减小。即，在光点的位置由于斜光而偏移的情况下，依存于偏移的方向，光的面积相对于基准发生增减，光的面积的波动范围增大(受光光量的波动范围增大)。关于接近传感器用PD也相同。

另一方面，如上所述，在本实施方式中(参照图4(A))，在光点的位置由于斜光而如圆102那样偏移的情况下，或者如圆103那样偏移了的情况下，光的面积都不增加，光的面积减小大致相同的量。因此，与图11所示的现有例相比，即使在光点的位置由于斜光而偏移了的情况下，也可以抑制依存于偏移的方向的光的面积的波动(可以抑制受光光量的波动)。

这样，通过将第一受光元件21以及第二受光元件22的平面形状设为近似中空四边形，将第一受光元件21和第二受光元件22互相隔离并且同心配置，即使在光点的位置由于斜光而偏移的情况下，也可以抑制依存于偏移方向的光的面积的波动(可以抑制受光光量的波动)。

第一受光元件21具有第一分光特性。第一分光特性在可见光区域中具有高的相对灵敏度。第一分光特性，例如在波长约550nm时具有最大灵敏度，在波长约800nm时具有微小的相对灵敏度。

如图4(B)所示，优选以覆盖第一受光元件21的方式形成红外光截止滤光片(第一滤光片)500。红外光截止滤光片使可见光透过，使红外光衰减。通过形成该滤光片，可以降低第一分光特性中的红外光区域的相对灵敏度。

第三受光元件23具有第二分光特性。第二分光特性在红外光区域具有高的相对灵敏度。

如图4(C)所示，优选以覆盖第三受光元件23的方式形成可见光截止滤光片(第二滤光片)501。可见光截止滤光片使红外光透过，使可见光衰减。

图5是受光部20的放大图。第一受光元件21包含光电变换部21a、阳极电极21b、阴极电极21c。第二受光元件22包含光电变换部22a、阳极电极22b、阴极电极22c。第三受光元件23包含光电变换部23a、阳极电极23b、阴极电极23c。

分离部20d使各受光元件互相隔离且绝缘。分离部20d的平面形状优选为与各受光元件的平面形状对应的形状，以便可以将各受光元件有效分离。分离部20d的间隔w能够适当调整。

优选光电变换部21a、22a、23a包含具有不同分光特性的半导体材料而形成。优选光电变换部21a由在可见光区域具有最大灵敏度的半导体材料形成，光电变换部22a、23a由在红外光区域具有最大灵敏度的半导体材料形成。可以根据用途，使光电变换部的厚度、组成比、带隙能量以及杂质浓度等变化，适当调整分光特性。

[变形例1]

图6(A)表示入射到受光部20的表面20s的光和各受光元件的受光光量的关系。圆101表示直进光，圆102以及圆103表示斜光。

在图6(A)中，第一受光元件21以及第二受光元件22的平面形状为近似中空圆形，第三受光元件23的平面形状为近似圆形，第一受光元件21和第二受光元件22以及第三受光元件23互相隔离并且同心配置。此外，各受光元件的面积大致相等。

在图6(A)的情况下，若考虑照射到第一受光元件21的光的面积，则圆101>圆102＝圆103。即，若以圆101的情况下照射到第一受光元件21的光的面积作为基准，则在圆102和圆103的情况下光的面积减小，但其减小量大致相同。即，即使光点的位置由于斜光而如圆102那样偏移的情况下，或者如圆103那样偏移的情况下，光的面积的减小量大致相同。图6(A)时的减小量比图4(A)时的减小量小。

因此，即使在光点的位置由于斜光而偏移的情况下，也可以使照射到全部受光元件(第一受光元件21、第二受光元件22、第三受光元件23)的光的面积大致相等(可以在受光元件间使受光光量大致均匀)。

[变形例2]

图6(B)表示入射到受光部20的表面20s的光和各受光元件的受光光量的关系。圆101表示直进光，圆102以及圆103表示斜光。

在图6(B)中，第一受光元件21的平面形状为近似中空八边形。

在图6(B)的情况下，若考虑照射到第一受光元件21的光的面积，则圆101>圆102＝圆103。即，若以圆101的情况下照射到第一受光元件21的光的面积作为基准，则在圆102和圆103的情况下光的面积减小，但是其减小量大致相同。即，在光点的位置由于斜光而如圆102那样偏移的情况下，或如圆103那样偏移的情况下，光的面积的减小量大致相同。图6(B)时的减小量比图6(A)时的减小量大，但是比图4(A)时的减小量小。

八边形中的同心多变形的比(外接圆半径/内切圆半径)为 因此，从中心到顶点(离中心最远的点)的距离、和从中心到各边的中心(离中心最近的点)的距离之间产生的误差为8.2％以内。正方形中的同心多边形的比为因此，通过增加多边形的边数，即使在光点的位置由于斜光而偏移的情况下，也可以进一步抑制依存于偏移方向的光的面积的波动。

此外，在受光元件的平面形状为近似中空多变形的情况下，也可以在多边形的外侧的角部削去一部分面积，在内侧(中空侧)的角部补足所削去的部分的面积。通过形成这样的平面形状，例如在圆101的情况下，可以使图4(A)以及图6(B)中照射到第一受光元件21的光的面积接近图6(A)中照射到第一受光元件21的光的面积。

[能见度修正单元]

图7表示本实施方式的光传感器用半导体集成电路1具备的能见度修正单元30的一例。

能见度修正单元30包含开关电路311、开关电路312、AD变换器313、第一抽取滤波器314(照度传感器用)、第二抽取滤波器315(能见度修正用)、乘法器316、控制电路317、加法器318。

能见度修正单元30通过AD变换器313分时地对输入信号24、25进行AD变换，通过抽取滤波器314、315进行抽取，通过乘法器316以及加法器318进行运算处理，输出输出信号170。

开关电路311进行来自第一受光元件21的输入信号24向AD变换器313的输入、不输入的切换。开关电路311的接通、断开的切换由控制电路317控制。例如，开关电路311接通时，将输入信号24输入到AD变换器313。

开关电路312进行来自第二受光元件22的输入信号25向AD变换器313的输入、不输入的切换。开关电路312的接通、断开的切换由控制电路317控制。例如，开关电路312接通时，将输入信号25输入到AD变换器313。

控制电路317控制各开关电路，以使开关电路311的接通(断开)的定时和开关电路312的接通(断开)的定时不一致。

AD变换器313(AD变换部)例如是16位的ΔΣ型AD变换器，利用ΔΣ调制来进行AD变换。具体来说，AD变换器313与开关电路311、312的接通、断开的切换定时同步地对输入信号24、25进行AD变换，生成输出信号120(数字信号)。换言之，AD变换器313分时地对第一受光元件21的输出即输入信号24、第二受光元件22的输出即输入信号25进行AD变换，生成输出信号120(数字信号)。另外，AD变换器313将输出信号120输入到第一抽取滤波器314以及第二抽取滤波器315。

第一抽取滤波器314对输出信号120进行抽取，生成与第一受光元件21的输出电流对应的信号140(数字信号)。另外，将信号140输入到作为运算部的加法器318。第二抽取滤波器315对输出信号120进行抽取，生成与第二受光元件22的输出电流对应的信号150(数字信号)。另外，将信号150输入乘法器316。由于通过同一AD变换器分时地对两个输入信号进行AD变换，因此，在信号140和信号150之间基本不产生误差。此外，通过抽取滤波器还能够去除在输出信号120中产生的噪声等。

第一抽取滤波器314以及抽取滤波器315的动作、不动作由控制电路317控制。

乘法器316将修正系数与信号150相乘，生成信号160(数字信号)。此外，在乘法器316中设置了反相电路(反相器)，因此，信号160成为乘以了修正系数的信号150的反相信号。

加法器318对信号140和信号160进行加法运算(实质上是减法运算)，生成输出信号170(数字信号)。

即，从作为照度传感器用受光元件的第一受光元件21的输出电流所对应的信号140中减去乘以了修正系数的作为能见度修正用受光元件的第二受光元件22的输出电流所对应的信号160。由此，可以降低第一受光元件21的在红外光区域的相对灵敏度。

此外，在加法器318中设置偏置输入部，在通过能见度修正单元30的运算处理无法完全抵消暗电流等情况下，可以通过从偏置输入部输入偏置来抵消暗电流。

乘法器316以及加法器318中的运算处理由下式表示。

(信号140)－{(修正系数)×(信号150){＝(信号160)}}＝输出信号170

能见度修正单元30可以具备任意设定修正系数的修正系数设定电路、适当选择所设定的修正系数的修正系数选择电路等(未图示)。优选使用这些电路，配合各条件适当调整修正系数。

在此，使用图8简单地说明光传感器用半导体集成电路1具备的能见度修正单元30以外的电路。光传感器用半导体集成电路1除了能见度修正单元30以外，还包含AD变换器31(接近传感器用)、高通滤波器(HPF)32、寄存器33、34、检测电路35、接口36、LED驱动电路37、振荡器38等。

高通滤波器32从第三受光元件23的输出电流中去除直流成分，仅取出交流成分，生成信号180。

AD变换器31利用从振荡器38输出的脉冲信号以及参考电压Vref，对信号180进行AD变换，生成输出信号190(数字信号)。

寄存器33、34是写入任意值的设定寄存器，在寄存器33中写入上限阈值，在寄存器34中写入下限阈值。此外，优选根据各条件适当设定上限阈值和下限阈值。

检测电路35根据寄存器33的设定值，检测输出信号170或输出信号190是否超过了上限阈值。即，检测电路35在输出信号170超过了上限阈值时，INT端子输出成为“高电平(High)”的信号，当输出信号170未超过上限阈值时，INT端子输出成为“低电平(Low)”的信号。

另外，检测电路35根据寄存器34的设定值，检测输出信号170或输出信号190是否低于下限阈值。即，检测电路35在输出信号170低于下限阈值时，INT端子输出成为“高电平(High)”的信号，当输出170不低于下限阈值时，INT端子输出成为“低电平(Low)”的信号。

接口36经由SDA端子、SCL端子进行外部设备与包含能见度修正单元30、AD变换器31等的光传感器用半导体集成电路1的相互通信。另外，接口36也可以取入来自外部设备的信息。

例如，可以将能见度修正单元30经由预定的接口(例如I²C总线等)与CPU等连接，使得能够从CPU等进行修正系数的设定或选择。在这种情况下，可以通过CPU等实现修正系数设定单元。修正系数设定单元可以通过软件来实现，也可以通过硬件来实现，也可以包含二者。另外，例如也可以经由接口将环境光过于明亮、物体正在接近等的检测结果传递到外部设备，可以从外部设备根据所取得的信息适当控制检测电路35、LED驱动电路37等。

LED驱动电路37根据从接口36输出的控制信号生成LED控制信号，经由IRDR端子控制红外线LED的驱动(发光、不发光)。接近传感器通过检测红外线LED的发光输出被物体反射时的反射光的有无，检测物体的接近。因此，例如需要通过振荡器38等联动地控制LED驱动电路37的驱动定时和AD变换器31的AD变换的定时。此外，独立地控制能见度修正单元30中的AD变换的定时和LED驱动电路37的驱动定时。

图9是表示使修正系数变化为0、4、16、64、256时的由遮盖部件3覆盖的第一受光元件21的相对灵敏度和波长的关系的曲线图。横轴是波长[nm](波长400nm～波长1150nm)，纵轴是相对灵敏度[％]。

已知修正系数越大，红外光区域中的相对灵敏度越低。例如在波长为800[nm]的情况下，修正系数为0时的相对灵敏度约为25％，修正系数为64时的相对灵敏度约为8％，修正系数为256时的相对灵敏度约为0％。

即，已知通过使修正系数变化，可以控制红外光区域中的相对灵敏度。此外，裸芯片(受光部20未被遮盖部件3覆盖)中的第一受光元件21的相对灵敏度，在波长为800[nm]，修正系数为0的情况下约为5％。通过用遮盖部件3覆盖受光部20，红外光区域中的相对灵敏度升高。

这样，根据本实施方式的光传感器用半导体集成电路，通过对多个受光元件的平面形状、配置、面积等进行研究来形成，即使对受光部的表面入射的光的方向变化，也可以在各受光元件间使受光光量均匀。因此，可以实现在提高照度传感器的能见度修正精度的同时，维持接近传感器的检测精度的光传感器用半导体集成电路。

以上，详细说明了本发明的优选实施方式，但本发明不限于该特定的实施方式，在请求专利保护的范围内记载的本发明的实施方式的主旨范围内，能够进行各种变形、变更。

Claims (8)

1.一种光传感器用半导体集成电路，经由使可见光衰减，使红外光透过的遮盖部件和聚光透镜接受环境光，并根据受光光量进行能见度修正，检测所述环境光的照度，其特征在于，

具有：

第一受光元件，其具有第一分光特性；

第二受光元件；以及

能见度修正单元，其对所述第一受光元件的输出和所述第二受光元件的输出进行减法运算，

所述第一受光元件和所述第二受光元件的平面形状为近似中空多边形，

所述第一受光元件和所述第二受光元件互相隔离并且同心配置。

2.根据权利要求1所述的光传感器用半导体集成电路，其特征在于，

通过使可见光透过的第一滤光片得到所述第一分光特性。

3.根据权利要求2所述的光传感器用半导体集成电路，其特征在于，

所述能见度修正单元具备：

在所述第二受光元件的输出上乘以修正系数的乘法器；以及

设定所述修正系数的修正系数设定单元。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的光传感器用半导体集成电路，其特征在于，

所述第一受光元件和所述第二受光元件的面积大致相等。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的光传感器用半导体集成电路，其特征在于，

所述第一受光元件和所述第二受光元件的平面形状为近似中空圆形。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的光传感器用半导体集成电路，其特征在于，

具备第三受光元件，其具有所述第二分光特性，

与所述第一受光元件以及所述第二受光元件相比，将所述第三受光元件配置在内侧。

7.根据权利要求6所述的光传感器用半导体集成电路，其特征在于，

将所述第二受光元件和所述第三受光元件相邻配置。

8.根据权利要求6或7所述的光传感器用半导体集成电路，其特征在于，

所述第三受光元件的平面形状为近似正方形。