TWI497631B - 晶片分離裝置 - Google Patents

晶片分離裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI497631B
TWI497631B TW101147959A TW101147959A TWI497631B TW I497631 B TWI497631 B TW I497631B TW 101147959 A TW101147959 A TW 101147959A TW 101147959 A TW101147959 A TW 101147959A TW I497631 B TWI497631 B TW I497631B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
abutting
wafer
module
limiting
hole
Prior art date
Application number
TW101147959A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201426892A (zh
Inventor
Wei Ta Lee
Original Assignee
Hon Soon Internat Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hon Soon Internat Technology Co Ltd filed Critical Hon Soon Internat Technology Co Ltd
Priority to TW101147959A priority Critical patent/TWI497631B/zh
Publication of TW201426892A publication Critical patent/TW201426892A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI497631B publication Critical patent/TWI497631B/zh

Links

Description

晶片分離裝置
  本發明是有關於一種晶片分離裝置,特別是有關於一種具有一第一頂推模組、一第二頂推模組及一第三頂推模組之三段式晶片分離裝置。
  請參閱第8圖,為一已切割之晶圓200,該晶圓200黏貼於一黏膠層210上,該晶圓200具有複數個晶片230,其中相鄰之各該晶片230之間具有一連接部231,習知將各該晶片230由該晶圓200及該黏膠層210上分離的方法是利用一頂針220頂推該黏膠層210之下方,使該連接部231斷裂,以使該晶片230斷離該晶圓200,再以一真空吸嘴240吸取斷離該晶圓200的該晶片230,並使該晶片230脫離該黏膠層210,但由於現今該晶片230之尺寸較小較薄,以該頂針220頂推該黏膠層210,會造成該晶圓200彎曲,而無法使該連接部231斷裂,且該晶片230與該黏膠層210黏合面積較大,因此由該真空吸嘴240吸取該晶片230時,仍不易將該晶片230由該黏膠層上210脫離,而易造成該晶片230損壞。
  本發明之主要目的在於提供一種晶片分離裝置,其依序藉由第一頂推模組、第二頂推模組及第三頂推模組逐步地將晶片由晶圓及黏膠層分離,以避免晶片損壞。
  本發明之一種晶片分離裝置其包含一基座、一第一頂抵模組、一第二頂抵模組及一第三頂抵模組,該基座具有一頂抵面及一開口,該第一頂抵模組具有一第一頂抵件及一第一傳動件,該第一傳動件用以頂推該第一頂抵件,該第一頂抵件具有一第一表面、一第一頂抵部及一第一容置腔,該第一表面及該基座之間具有一第一間距,該第一頂抵部凸出於該第一表面,該基座的該開口顯露該第一頂抵部,該第一頂抵部具有一第一抵觸面及一第一透孔,該第一透孔連通該第一容置腔,該第一傳動件具有一第二容置腔,該第二容置腔及該第一容置腔構成一第一限位空間,該第二頂抵模組設置於該第一限位空間中,該第二頂抵模組具有一第二頂抵件及一第二傳動件,該第二傳動件用以頂推該第二頂抵件,該第二頂抵件具有一第二表面、一第二頂抵部及一第三容置腔,該第二表面及該第一頂抵件之間具有一第二間距,該第二頂抵部凸出於該第二表面,該第一透孔顯露該第二頂抵部,該第二頂抵部具有一第二抵觸面及一第二透孔,該第二透孔連通該第三容置腔,該第二傳動件具有一第四容置腔,該第三容置腔及該第四容置腔構成一第二限位空間,該第三頂抵模組具有一第三頂抵件及一第三傳動件,該第三傳動件用以頂推該第三頂抵件,該第三頂抵件設置於該第二限位空間,該第三頂抵件具有一第三表面及一第三頂抵部,該第三表面及該第二頂抵件之間具有一第三間距,該第三頂抵部凸出於該第三表面,該第二透孔顯露該第三頂抵部,該第三傳動件頂推該第三頂抵件,本發明藉由該第一頂抵模組、第二頂抵模組及該第三頂抵模組分段式的依序將晶片由已切割之晶圓及黏膠層上分離,可避免分離晶片時造成晶片損壞,而可提高製程之良率。
  請參閱第1、2、3及4圖,為本發明之一實施例,一種晶片分離裝置100包含一基座110、一第一頂抵模組120、一第二頂抵模組130、一第三頂抵模組140、一第一彈性件150、一間隔件160、一第二彈性件170、一殼體180及一固定環190,該殼體180具有一容置槽A,在本實施例中,該基座110設置於該殼體180,該固定環190結合於該殼體180,該基座110被夾持於該固定環190及該殼體110之間,或者在另一實施例中,該基座110及該殼體180為一體成型,因此可不需以該固定環190固定該基座110。
  請參閱第2及4圖,該第一頂抵模組120、該第二頂抵模組130、該第三頂抵模組140、該第一彈性件150、該間隔件160、及該第二彈性件170容置於該容置槽A中,該基座110具有一頂抵面111、一開口112及複數個穿孔113,該開口112及各該穿孔113貫穿該基座110,且該開口112及各該穿孔113連通該頂抵面111及該容置槽A。
  請參閱第3、4及5圖,該第一頂抵模組120具有一第一頂抵件121及一第一傳動件122,該第一傳動件122用以頂推該第一頂抵件121,該第一頂抵件121具有一第一表面121a、一第一頂抵部121b及一第一容置腔121c,該第一表面121a及該基座110之間具有一第一間距G1,該第一頂抵部121b凸出於該第一表面121a,該基座110的該開口112顯露該第一頂抵部121b,該第一頂抵部121b具有一第一抵觸面121d及一第一透孔121e,該第一透孔121e連通該第一容置腔121c,當該第一傳動件122頂推該第一頂抵件121時,使該第一頂抵件121朝向該基座110移動,並使該第一頂抵部121b凸出於該頂抵面111。
  請參閱第3、4及5圖,該第一傳動件122具有一第二容置腔122a及一第一限位凹槽122b,該第二容置腔122a及該第一容置腔121c構成一第一限位空間S1,該第二頂抵模組130設置於該第一限位空間S1,該第二頂抵模組130具有一第二頂抵件131及一第二傳動件132,該第二傳動件132用以頂推該第二頂抵件131,在本實施例中,該第二容置腔122a為階梯狀,該階梯狀的第二容置腔122a用以限制該第二傳動件132在該第一限位空間S1縱向移動,該第二頂抵件131具有一第二表面131a、一第二頂抵部131b及一第三容置腔131c,該第二表面131a及該第一頂抵件121之間具有一第二間距G2,該第二頂抵部131b凸出於該第二表面131a,該第一透孔121e顯露該第二頂抵部131b,該第二頂抵部131b具有一第二抵觸面131d及一第二透孔131e,該第二透孔131e連通該第三容置腔131c,當該第二傳動件132頂推該第二頂抵件131時,使該第二頂抵部131b朝向該基座110移動,並使第二頂抵部131b凸出於該第一抵觸面121d。
  請參閱第3、4及5圖,該第二傳動件132具有一第四容置腔132a,該第三容置腔131c及該第四容置腔132a構成一第二限位空間S2,在本實施例中,該第三通孔131c及該第四通孔132a為階梯狀。該第三頂抵模組140具有一第三頂抵件141及一第三傳動件142,該第三傳動件142用以頂推該第三頂抵件141,該第三頂抵件141設置於該第二限位空間S2,該第三頂抵件141具有一第三表面141a及一第三頂抵部141b,該第三表面141a及該第二頂抵件131之間具有一第三間距G3,該第三頂抵部141b凸出於該第三表面141a,該第二透孔131e顯露該第三頂抵部141b,該第三頂抵部141b具有一第三抵觸面141c,當該第三傳動件142頂推該第三頂抵件141時,使該第三頂抵部141b朝向該基座110移動,並使該第三頂抵部141可凸出於該第二抵觸面131d。
  請參閱第3及4圖,該第三傳動件142具有一第二限位凹槽142a、一第六表面142b及一第二定位孔142c,該第六表面142b朝向該第一傳動件122,該第二定位孔142c凹設於該第六表面142b。
  請參閱第3及4圖,該間隔件160設置於該第一彈性件150與該第二彈性件170之間,該間隔件160具有一第四表面161、一第五表面162、一第一限位凸柱163、一第二限位凸柱164及一第一定位孔165,該第四表面161朝向該第一傳動件122,該第五表面162朝向該第三傳動件142,該第一限位凸柱163凸出於該第四表面161,且該第一限位凸柱163限位於該第一限位凹槽122b中,該第二限位凸柱164凸出於該第五表面162,且該第二限位凸柱164限位於該第二限位凹槽142a中,該間隔件160可於該第一限位凹槽122b及該第二限位凹槽142a中作線性運動,該第一定位孔165凹設於該第四表面161,該間隔件160抵觸該第二傳動件132,且該第二傳動件132穿設於該第一定位孔165,該第三頂抵件141定位於該第二定位孔142c,可避免該第二傳動件132及該第三傳動件141於作動時產生晃動,該第一彈性件具150有一第一端151及一第二端152,該第一端151抵觸該第一傳動件122,該第二端152抵觸該間隔件160,該第二彈性件170具有一第三端171及一第四端172,該第三端171抵觸該間隔件160,該第四端172抵觸該第三傳動件142,在本實施例中,該第一彈性件150及該第二彈性件170為壓縮彈簧,在本實施例中,該第一彈性件150之彈力小於該第二彈性件170之彈力。
  請參閱第4圖,一晶圓300黏設於一黏膠層400,該晶圓300包含有複數個未斷離的晶片310,請參閱第5、6及7圖,其為藉由第一頂推模組120、該第二頂推模組130及該第三頂推模組140的三段式作動,使該晶片310斷離該晶圓300以及減少該晶片310與該黏膠層400的黏貼面積,以利一真空吸嘴500吸取的作動圖。
  首先,請參閱第4圖,將該基座110之該頂抵面111抵觸該黏膠層400,並藉由一吸取裝置(圖未繪出)經由該些穿孔113將該黏膠層400吸附於該頂抵面111。
  接著,請參閱第5圖,以一控制裝置(圖未繪出)頂推該第三傳動件142,使該第三傳動件142透過該第二彈性件170、該間隔件160、該第一彈性件150及該第一傳動件122頂推該第一頂抵件121,以使該第一頂抵件121之該第一頂抵部121b凸出於該頂抵面111,並且以該第一頂抵部121b抵觸該黏膠層400,以使該晶片310斷離該晶圓300。
  之後,請參閱第6圖,由於該第一頂抵模組120受到該基座110的限制無法繼續上升,且該第一彈性件150之彈力小於該第二彈性件170之彈力,因此,當該第三傳動件142持續向上頂推該第二彈性件170時,該第三傳動件142透過該第二彈性件170、該間隔件160頂推該第一彈性件150,而造成該第一彈性件150被壓縮,以使該間隔件160透過該第二傳動件132頂推該第二頂抵件131上升,並使該第二頂抵部131b凸出於該第一抵觸面121d,請參閱第6圖,由於該第二頂抵部131b凸出於該第一抵觸面121d,因此該第二頂抵部131b會抵觸該黏膠層400,而使得該黏膠層400形成弧狀,因此可減少該黏膠層400與該晶片310的黏合面積。
  最後,請參閱第7圖,由於該第二頂抵模組130受到該第一頂抵模組120之該第一限位空間S1之限制無法繼續上升,因此,當該第三傳動件142持續向上頂推該第二彈性件170時,會造成該第二彈性件170被壓縮,以使該第三傳動件142頂推該第三頂抵件141上升,且使該第三頂抵件141之該第三頂抵部141b凸出於該第二抵觸面131d,請參閱第7圖,由於該第三頂抵部141b凸出於該第二抵觸面131d,因此該第三頂抵部141b會抵觸該黏膠層400,與第6圖相較在第7圖中,該第三頂抵部141b抵觸該黏膠層400會使得該黏膠層400形成更小弧狀,更可減少該黏膠層400與該晶片310的黏合面積,以利一真空吸嘴500吸取該晶片310,即可將該晶片310由該黏膠層400上分離。
  本發明藉由該第一頂抵模組120、第二頂抵模組130及該第三頂抵模組140三段式的作動,將該晶片310斷離該晶圓300及減少該晶片310與該黏膠層400的黏貼面積,可避免在該真空吸嘴500吸取該晶片310時,因該晶片310與該黏膠層400過大,而造成該晶片310損壞,而可提高製程之良率。
  本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準,任何熟知此項技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內所作之任何變化與修改,均屬於本發明之保護範圍。
100‧‧‧晶片分離裝置
110‧‧‧基座
111‧‧‧頂抵面
112‧‧‧開口
113‧‧‧穿孔
120‧‧‧第一頂抵模組
121‧‧‧第一頂抵件
121a‧‧‧第一表面
121b‧‧‧第一頂抵部
121c‧‧‧第一容置腔
121d‧‧‧第一抵觸面
121e‧‧‧第一透孔
122‧‧‧第一傳動件
122a‧‧‧第二容置腔
122b‧‧‧第一限位凹槽
130‧‧‧第二頂抵模組
131‧‧‧第二頂抵件
131a‧‧‧第二表面
131b‧‧‧第二頂抵部
131c‧‧‧第三容置腔
131d‧‧‧第二抵觸面
131e‧‧‧第二透孔
132‧‧‧第二傳動件
132a‧‧‧第四容置腔
140‧‧‧第三頂抵模組
141‧‧‧第三頂抵件
141a‧‧‧第三表面
141b‧‧‧第三頂抵部
141c‧‧‧第三抵觸面
142‧‧‧第三傳動件
142a‧‧‧第二限位凹槽
142b‧‧‧第六表面
142c‧‧‧第二定位孔
150‧‧‧第一彈性件
151‧‧‧第一端
152‧‧‧第二端
160‧‧‧間隔件
161‧‧‧第四表面
162‧‧‧第五表面
163‧‧‧第一限位凸柱
164‧‧‧第二限位凸柱
165‧‧‧第一定位孔
170‧‧‧第二彈性件
171‧‧‧第三端
172‧‧‧第四端
180‧‧‧殼體
190‧‧‧固定環
200‧‧‧晶圓
210‧‧‧黏膠層
220‧‧‧頂針
230‧‧‧晶片
231‧‧‧連接部
300‧‧‧晶圓
310‧‧‧晶片
400‧‧‧黏膠層
A‧‧‧容置槽
G1‧‧‧第一間距
G2‧‧‧第二間距
G3‧‧‧第三間距
S1‧‧‧第一限位空間
S2‧‧‧第二限位空間
第1圖:依據本發明之一實施例,一種晶片分離裝置之立體圖。
第2圖:依據本發明之一實施例,該晶片分離裝置之立體之分解圖。
第3圖:依據本發明之一實施例,一基座、一第一頂抵模組、一第二頂抵模組、一第三頂抵模組、一第一彈性件、一間隔件及一第二彈性件之立體分解圖。
第4圖:依據本發明之一實施例,該晶片分離裝置之側面剖視圖。
第5圖:依據本發明之一實施例,該晶片分離裝置之側面剖視圖。
第6圖:依據本發明之一實施例,該晶片分離裝置之側面剖視圖。
第7圖:依據本發明之一實施例,該晶片分離裝置之側面剖視圖。
第8圖:一種習知晶片分離之方法的示意圖。
100...晶片分離裝置
110...基座
111...頂抵面
112...開口
113...穿孔
120...第一頂抵模組
121e...第一透孔
130...第二頂抵模組
131e...第二透孔
140...第三頂抵模組
180...殼體
190...固定環

Claims (9)

  1. 一種晶片分離裝置,其包含:一基座,其具有一頂抵面及一開口;一第一頂抵模組,其具有一第一頂抵件及一第一傳動件,該第一傳動件用以頂推該第一頂抵件,該第一頂抵件具有一第一表面、一第一頂抵部及一第一容置腔,該第一表面及該基座之間具有一第一間距,該第一頂抵部凸出於該第一表面,該基座的該開口顯露該第一頂抵部,該第一頂抵部具有一第一抵觸面及一第一透孔,該第一透孔連通該第一容置腔,該第一傳動件具有一第二容置腔,該第二容置腔及該第一容置腔構成一第一限位空間;一第二頂抵模組,設置於該第一限位空間中,該第二頂抵模組具有一第二頂抵件及一第二傳動件,該第二傳動件用以頂推該第二頂抵件,該第二頂抵件具有一第二表面、一第二頂抵部及一第三容置腔,該第二表面及該第一頂抵件之間具有一第二間距,該第二頂抵部凸出於該第二表面,該第一透孔顯露該第二頂抵部,該第二頂抵部具有一第二抵觸面及一第二透孔,該第二透孔連通該第三容置腔,該第二傳動件具有一第四容置腔,該第三容置腔及該第四容置腔構成一第二限位空間;一第三頂抵模組,其具有一第三頂抵件及一第三傳動件,該第三傳動件用以頂推該第三頂抵件,該第三頂抵件設置於該第二限位空間,該第三頂抵件具有一第三表面及一第三頂抵部,該第三表面及該第二頂抵件之間具有一第三間距,該第三頂抵部凸出於該第三表面,該第二透孔顯露 該第三頂抵部;一第一彈性件,具有一第一端及一第二端,該第一端抵觸該第一傳動件;一間隔件,該第一彈性件的該第二端抵觸該間隔件,該間隔件抵觸該第二傳動件;以及一第二彈性件,具有一第三端及一第四端,該間隔件設置於該第一彈性件與該第二彈性件之間,該第三端抵觸該間隔件,該第四端抵觸該第三傳動件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之晶片分離裝置,其另包含有一殼體,該殼體具有一容置槽,該基座設置於該殼體,該第一頂抵模組、該第二頂抵模組及該第三頂抵模組容置於該容置槽中。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之晶片分離裝置,其中該基座另具有複數個穿孔,各該穿孔連通該頂抵面及該容置槽。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之晶片分離裝置,其另包含有一固定環,該固定環結合於該殼體,且該基座被夾持於該固定環及該殼體之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之晶片分離裝置,其中該間隔件具有一第四表面及一第一限位凸柱,該第一傳動件具有一第一限位凹槽,該第四表面朝向該第一傳動件,該第一限位凸柱凸出於該第四表面,且該第一限位凸柱限位於該第一限位凹槽中。
  6. 如申請專利範圍第1或5項所述之晶片分離裝置,該間隔件具有一第五表面及一第二限位凸柱,該第三傳動件具有一第二限位凹槽,該第五表面朝向該第三傳動件,該第二限位凸柱凸出於該第五表面,且該第二限位凸柱限位於該第 二限位凹槽中。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之晶片分離裝置,其中該間隔件具有一第四表面及一第一定位孔,該第四表面朝向該第一傳動件,該第一定位孔凹設於該第四表面,其中該第二傳動件穿設於該第一定位孔。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之晶片分離裝置,其中該第三傳動件具有一第六表面及一第二定位孔,該第六表面朝向該第一傳動件,該第二定位孔凹設於該第六表面,該第三頂抵件穿設於該第二定位孔。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之晶片分離裝置,其中該第一彈性件及該第二彈性件為壓縮彈簧,且該第一彈性件之彈力小於該第二彈性件之彈力。
TW101147959A 2012-12-17 2012-12-17 晶片分離裝置 TWI497631B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101147959A TWI497631B (zh) 2012-12-17 2012-12-17 晶片分離裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101147959A TWI497631B (zh) 2012-12-17 2012-12-17 晶片分離裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201426892A TW201426892A (zh) 2014-07-01
TWI497631B true TWI497631B (zh) 2015-08-21

Family

ID=51725656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101147959A TWI497631B (zh) 2012-12-17 2012-12-17 晶片分離裝置

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI497631B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI767211B (zh) * 2020-04-15 2022-06-11 竑昇國際科技有限公司 晶片頂出構造

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5038342B2 (zh) * 1971-12-01 1975-12-09
JPH0917840A (ja) * 1995-06-29 1997-01-17 Samsung Electron Co Ltd 半導体チップの分離装置およびその分離方法
US20050274457A1 (en) * 2004-05-28 2005-12-15 Asm Assembly Automation Ltd. Peeling device for chip detachment

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5038342B2 (zh) * 1971-12-01 1975-12-09
JPH0917840A (ja) * 1995-06-29 1997-01-17 Samsung Electron Co Ltd 半導体チップの分離装置およびその分離方法
US20050274457A1 (en) * 2004-05-28 2005-12-15 Asm Assembly Automation Ltd. Peeling device for chip detachment

Also Published As

Publication number Publication date
TW201426892A (zh) 2014-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10978332B2 (en) Vacuum suction apparatus
US9577147B2 (en) Light emitting device package and manufacturing method thereof
JP5464532B2 (ja) チップエジェクター及びこれを利用したチップ着脱方法
KR20070120319A (ko) 한 쌍의 이젝터들을 구비하는 반도체 칩의 탈착 장치 및이를 이용한 반도체 칩의 탈착 방법
TW200701335A (en) Nitride semiconductor device and manufacturing mathod thereof
EP2378570A3 (en) Light emitting device with a stepped light extracting structure and method of manufacturing the same
TWI497631B (zh) 晶片分離裝置
CN110676355B (zh) 发光元件的制作方法
TWI396241B (zh) A semiconductor wafer picking device
TWI588928B (zh) 晶粒拾取方法
CN112424941A (zh) 微发光二极管、阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法
TWM451657U (zh) 晶片分離裝置
US20100000082A1 (en) Die sucking module
TWI670784B (zh) 真空吸取裝置
CN212161785U (zh) 芯片顶出构造
TWI714079B (zh) 頂針裝置
TWM600474U (zh) 晶片頂出構造
US8823020B2 (en) Light emitting diode
TW202114249A (zh) 微型半導體晶片、微型半導體元件結構、以及顯示元件
TWM501634U (zh) 晶片分離裝置
KR101630799B1 (ko) 발광 소자 및 그의 제조방법
CN220041830U (zh) 固晶顶针结构及固晶机
JP2005243834A (ja) コレット及びそれを用いたチップのピックアップ方法
TWI388484B (zh) 吸嘴及吸取裝置
TWM618759U (zh) 用於邊射型發光元件的吸嘴