TWI484777B - 透過鄰近通訊之多重存取 - Google Patents

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TWI484777B
TWI484777B TW097151246A TW97151246A TWI484777B TW I484777 B TWI484777 B TW I484777B TW 097151246 A TW097151246 A TW 097151246A TW 97151246 A TW97151246 A TW 97151246A TW I484777 B TWI484777 B TW I484777B
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Robert J Drost
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Description

透過鄰近通訊之多重存取 [政府許可權利]
依照防禦先進研究計劃部門所授予之合約號NBCH020055在美國政府的支持下部分做出本發明。美國政府對本發明具有某些權利。
本發明有關於在積體電路之間通訊的技術。詳言之，本發明有關於使用電容耦合之通訊技術的方法及設備，以在層壓積體電路(IC)晶片的堆疊總成間通訊。
半導體技術的進步允許出製造含有數百萬個電晶體之單一積體電路(IC)。整合系統到單一IC晶片上的優點之一為增加整體系統的操作速度。這係因為在多晶片的替代設計中，系統構件之間的信號必須跨越晶片邊界，其係因為長晶片至晶片傳播延遲及有限的晶片至晶片電線數量的緣故，典型上會降低系統的操作速度。相反地，在單一晶片的解決方式中，系統構件之間的信號不再需要跨越晶片邊界，藉此大幅增加整體系統速度。此外，整合系統到單一IC晶片上大幅降低整體成本，因為需要較少晶片來執行特定運算工作。
然而，一些系統因其高複雜度及大尺寸而無法整合到單一晶片中。注意到典型上將多個IC晶片整合到含有晶片間通訊用之多層信號線的印刷電路板上。此外，IC晶片上的信號線比印刷電路板上的信號線更密集佈設100倍。因此，僅能將晶片上少部分的信號線路由經過印刷電路板到其他晶片。由於此原因，在此種系統中，晶片間之通訊變成增加操作速度的瓶頸。此外，預料IC整合密度之增加會使此瓶頸更為惡化。
欲克服此晶片間的通訊瓶頸，研發人員最近研發出一種替代技術，稱為「鄰近通訊」，用於在半導體晶片之間通訊。I/O技術中之鄰近通訊允許兩面對面的晶片在無電線的情況下通訊。它涉及將電容性傳送器及接收器的陣列整合到IC晶片的主動表面上以促進晶片間之通訊。若第一晶片與第二晶片面對面設置使得第一晶片上的傳送器區域與第二晶片上的接收器區域電容耦合，可直接從第一晶片傳送信號到第二晶片，而無需路由信號經過印刷電路板內的中間信號線。
雖鄰近通訊允諾高許多的I/O密度及較低功率，其需要兩通訊晶片間準確的對準。機械不對準藉由降低信號並增強串音雜訊使性能下降，若晶片夠不對準，雜訊可能凌駕於所希望的信號上，使通訊失敗。主要有兩種不對準：平面不對準以及晶片離距。傾斜與旋轉顯現為這兩種效果之變型。
已開發出數種技術來減輕水平(x,y)面中的平面不對準。可藉由根據接收(Rx)晶片的相對位置調整發送或傳送(Tx)晶片上之資料的空間性放置。然而，資料操縱電路複雜、功率上昂貴且僅作用於小空間範圍一典型兩襯墊間距。並且，由卓絲特(Drost)等人在2004年2月15至19日的美國電機暨電子工程師學會國際固態電路會議(IEEE International Solid-State Circuits Conference)(2004年第1冊)中之「鄰近通訊之電子性對準(Electronic Alignment for Proximity Communication)」中所提出的電子性對準僅對電容耦合之鄰近通訊有用。針對電感耦合之通訊尚未發展出類似的方法；事實上，即使在沒有不對準的情況下，串音雜訊為此種電感耦合制之主要限制，因為磁場必須有封閉的返回路徑，而這些迴路經常為不受限且大型。最近對於電感耦合之資料鏈結的示範顯示出在沒有主動串音減少方法中，雜訊將可達成的位元錯誤率(BER)限制在大於10-4 ，即便有60微米之大通道間距，如米由拉(Miura)等人在ISSC文摘技術文章(Digest Technical Paper)(2006年2月第142至143頁)之「用於晶片間之時脈與資料鏈結的1Tb/s 3W電感耦合收發器(A 1Tb/s 3W Inductive-coupling Transceiver for Inter-chip Clcok and Data Link)」中所述。
晶片離距亦藉由降低信號位準並增強串音雜訊而使性能下降。不幸地，無法藉由電子方式輕易校正此問題。雖然理論上可調適發信位準及襯墊大小以減輕晶片離距所帶來的降級，這些方法太過複雜，且實際上難以實行。可靠的通訊因此主要仰賴封裝技術中的嚴格容限，其能確保兩通訊晶片間夠小且受控之離距。
在使用電磁(無線電)波傳播長距離之現代無線電信系統中早已建立起多重存取方法。例如，細胞式網路中之多個裝置可在相同空間中與基地台同時通訊，因為分配不同的時間槽、頻帶或碼給每一裝置。無線通訊系統中的多重存取方法能有效地允許多個通道以最小干擾在相同空間中長距離地操作。
本發明之一些實施例提供致能透過鄰近通訊之多重存取的系統，其中電性傳送器及接收器形成在附近之不同的晶片上且互相接近。
在一些實施例中，電性傳送器及接收器為形成在不同晶片上的導電墊，晶片被電介質間隔所分開，以產生電容器並提供電容耦合。在一實施例中，在一晶片上執行電容多工並且其結合之輸出電容耦合至另一晶片。
在一些實施例中，傳送墊大於多個接收電之面積。
在其他實施例中，電性傳送器及接收器為形成在不同晶片上的電感線圈。
在一些實施例中，電感線圈為平面薄膜線圈。
在一些實施例中，傳送線圈大於多個接收線圈之面積。
在其他實施例中，接收線圈形成在配置成封閉形式之多條帶子上。
在一些實施例中，線圈可形成在大致對準之三或更多晶片上，並提供接收或傳送元件給關連的晶片。此一配置允許廣播至多個晶片。
在一些實施例中，傳送器可配置在一晶片上的多群中，且多組接收器可配置在另一晶片上對應且對準之群中。
在一些實施例中，多工為時分多工(TDM)。
在其他實施例中，多工為頻分多工(FDM)。
在另外其他實施例中，多工為碼分多工(CDM)。
提出下列說明使熟悉該項技藝之任何人得以製作並使用所揭露之實施例，且在特定應用及其條件的背景下提出下列說明。對熟悉該項技藝人士而言，所揭露實施例之各種修改為顯而易見，且在此所界定之一般原則可應用至其他實施例及應用而不背離本說明之精神與範疇。因此，本說明非意圖侷限於所示之實施例，而應給予其與在此所揭露之原則及特徵一致之最廣範疇。
本發明之一些態樣利用在鄰近通訊上使用各種多重存取領域之多工方法。雖然名詞「多工」及「多重存取」在電信中之系統層級有某程度上不同的意義，在此將同義式地使用它們。此種領域包括時間、頻率及碼。由於可電性操作這些多重存取領域，系統在將通道侷限於其之領域內上可以有更大的控制。通訊因此較不受串音雜訊影響，且通道可在大平面不對準及晶片離距程度的情況下操作。這免除了用於電子性對準校正之複雜資料操縱電路的需求。
將於下顯示，某些多工方法(如頻分及碼分)透過關聯來恢復信號。此恢復允許偵測小許多之信號位準，因此使晶片得以通訊，即便它們間隔很遠。相反地，針對相同晶片離距，可使用小許多的I/O襯墊大小，故比鄰近通訊已能提供的甚至更高的I/O密度。此外，某些多工方法(如頻分及碼分)減少差分參照的需求，使得單端發信方式之密度有2倍的改善。
鄰近通訊系統之一傳統實行例係描繪在第1圖之電路圖中，其中通道空間上分隔。每一通道係由發送信號到傳送(Tx)晶片14上的金屬墊12之驅動器10以及在接收(Rx)晶片20的面對表面上感測信號之接收器16所構成。晶片14及20典型上各包括半導體積體電路並由固定(接合)或可重合技術固定在一起。卓絲特(Drost)等人在美國專利申請案公開號2006/0017147中描述此一層壓晶片的總成。在傳統系統中，發送墊12僅與一個接收墊18靠攏並置。各通道上的信號從Tx墊12電容耦合跨過中間的間隔或其他電介質層到那個通道之對應的Rx墊18，前提為這兩個板子在空間上足夠地對準。具有N個通道之系統因而由N個驅動器10、N個接收器16、2N個墊12及18所構成，假設使用單端發信方式。
實行鄰近通訊的多重存取之本發明之一實施例係描繪於第2圖之電性圖中。設想具有時間、頻率或碼多工的N通道之系統。傳送晶片14可包括傳統的第1圖之傳送晶片，其中每一通道具有一分別的驅動器10，以驅動相關之金屬墊12。然而，在此實施例之接收晶片24上，所有通道共用一個大型墊26。接收器28感測並放大接收到的信號，其為來自所有N個通道之信號的結合。欲恢復每一通道，解多工器30根據多工方法在特定時間、頻率或碼槽提取一通道來分離所接收之信號。在此，具有N個通道之系統由N個驅動器10、N個接收器16、一個接收器28及一個接收墊26所構成。
不像傳統多重存取方法，Tx晶片14上無需明確之多工器。由於所有Tx通道耦合到相同的Rx墊26，多工為自動且在墊12及26之結構中為本質。
第2圖之發明性實施例有多個優點。其較不受機械不對準影響係有幾個原因。在第1圖之傳統實行例中，每一Tx墊12必須在一墊間距(或以微墊資料操縱而無宏觀操縱為兩個墊間距)內與對應的Rx墊18對準，以確保足夠的耦合及最小串音。若使用第2圖之多工方法，針對所有通道僅允許一個接收墊26。只要每一Tx墊12與較大接收墊26之某些部分重疊，則信號可從一晶片良好地耦合至另一晶片。
墊12及26之相對尺寸的一範例係顯示在第3圖中，其顯示Tx及Rx晶片間之可觀的不對準仍使墊12及26有良好的電容耦合。另外，晶片可角不對準至某程度。
另一優點為增加串音抗擾性。串音雜訊不再取決於不對準，因為通道空間上不再分離。取而代之，所有Tx通道與相同的接收墊26通訊，且可藉由選擇解多工器中之特定時間槽、頻帶或碼以從所接收之信號提取想要的通道。這對於減輕大晶片離距之信號降級特別有用。在鄰近通訊的傳統實行中，不僅隨著晶片離距之增加信號會非常快速地降級，每一通道亦會明顯看見來自相鄰通道之更多的串音。因此，晶片僅能在窄的晶片離距範圍內通訊。此外，不像平面不對準，無法輕易電子補償晶片離距；大晶片離距因此可能導致通訊失敗。然而，多工方法減輕此問題，允許晶片在比否則可能之顯著更大的離距內通訊。
本發明亦改善關鍵信號通道之可靠性。在透過鄰近通訊之晶片系統中，某些關鍵信號用作系統監督、監視及控制。例如，可監視每一晶片之對準及位元錯誤率以允許系統「通量」監視，或故障路徑與冗餘路徑之動態交換。即使當晶片遭受到大量不對準，仍必須正確地傳送這些系統信號。應使用在此提出之頻率及碼多工方法來傳遞這些關鍵信號，因為在給予足夠的關聯時間的前提下，它們確保可在幾乎任何程度的不對準下傳送信號。這係因為，將稍後指出，經由頻率或碼之關聯允許恢復信號，即使信號位準比雜訊基準(noise floor)低許多。
本發明還增加對於接收器偏置之抗擾性。在一些多工方法中，如稍後詳述之頻分多工(FDM)及碼分多工(CDM)，使用解多工及過濾來恢復每一通道中之信號。解多工及過濾本質上提供DC偏置補償，使得通訊對接收器偏置大多有抗擾性。這係一個很重要的優點，因位其大幅降低在接收器之最小所需的信號位準，因此擴張最大可允許的晶片離距。
本發明亦增加對其他來源之抗擾性。一些多工方法，如FDM及CDM，利用關聯接收器來恢復每一通道中之信號。此關聯不但有助於抑制串音，亦抑制來自其他來源的雜訊。一般而言，關聯改善信號對雜訊比，且針對較長的關聯時期之改善的程度增加。在非常長關聯時間，可抑制幾乎所有的雜訊。由於這些方法亦對接收器偏置有抗擾性，性能僅受限於次要雜訊來源，如電源供應雜訊及熱雜訊，其之位準一般非常低。因此可大幅降低所需之信號位準，且因而晶片可透過大晶片離距通訊，或使用小許多的襯墊。
本發明另外允許適應性雜訊抑制。針對多工，信號對雜訊比或位元錯誤率主要受到所使用之多工及關聯方法的控制。可因此藉由電子設計，而非較易失且較難控制之機械穩定度來控制性能。此外，可根據對準情況適應性地控制雜訊抑制的性能。例如，當信號完整性因對準情況改變而降級時，可在系統操作期間加長關聯時間。這允許調適各種時變機械因素，包括晶片離距的改變。
本發明亦提供電子不對準校正之替代方式。由於本發明之系統較能對抗不對準，不再需要電子對準校正之資料操縱電路。這排除此種電路所消耗之功率並減少傳送器設計中的複雜度。較少接收器及接收墊之需求亦減少複雜度及耗電量。
控制傳統Tx陣列中之資料操縱的切換組構在電路及功率上都很昂貴。針對一Tx微墊分割成NxN個微墊，閘極及功率的成本大約與N2 成正比。因此，針對180nm技術中之10×10的陣列(N=10)，傳輸功率的成本約為無電子對準校正及類似速度性能下驅動信號所需的60倍。可使用較粗略分割的4×4陣列(N=4)來降低功率，但在此情況中串音雜訊會移除高達信號的1/3，而傳輸功率仍為11倍。Tx陣列中所消耗的功率典型上約為鄰近通訊介面中之總功率的75%。因此，免除電子對準之需求可大幅節省功率。
在第4圖之電性圖中所示之本發明之另一實施例藉由電容耦合經過個別電極42的所有信號到單一大型Tx墊44而在傳送晶片40上多工信號。在Tx晶片40上，可使用高耦合的金屬一絕緣體一金屬(MIM)電容器來實施晶片上耦合多工器。接收晶片24同樣由所有通道共享之單一Rx墊26所構成。Rx墊26之大小可比所示的更大且近似Tx墊44的大小。然而，較小的Rx墊26有利地減少Rx墊26之電容，其改善所接收之信號的位準。
多工大量的通道會有相關的成本，將於後針對不同種類的多工進一步討論。由於鄰近通訊介面可支援數千個通道，本發明之另一實用的實施例，如第5圖的電性圖中所示，包括多組通道，其中僅多工相同組內的通道。傳送晶片50包括多群驅動器10及Tx墊12，且接收晶片52包括對應多群接收器28、解多工器30及Rx墊26，其電容耦合置傳送晶片50上之對應群之Tx墊12。注意到每一群中之通道的數量Ni可為不同。
鄰近通訊不僅可使用前述之電容耦合通訊鏈結，但可替代地實施在兩或更多晶片間的電感耦合鏈結上。
第6圖顯示透過電感鄰近通訊之多重存取的一實施例。這與顯示透過電容鄰近通訊介面之多工的第2圖之電路類似。可以時間、頻率或碼多工具有N個通道之系統。在傳送晶片60上，各通道具有驅動電感線圈64之個別驅動器62。然而在接收晶片66上，所有通道共享單一電感線圈68。接收器70感測並放大所接收之信號，其為來自所有通道之信號的結合。所有線圈64及68在相對於驅動器62或接收器72端上具有未圖示的返回路徑。欲恢復各通道，解多工器72在個別時間、頻率或碼槽從接收到的信號提取各通道。針對電容耦合鏈結所述之相同的多工、解多工及群集技術可大部分應用至電感耦合鏈結。
在第7圖的放大正投影視圖中描繪透過電感耦合鏈結多工四個通道之一實體實施例。傳送晶片60包括形成在其表面上之四個分別的薄膜線圈80，藉由例如金屬層的光微影技術。另一方面，接收晶片66包括一大型薄膜線圈82，其之開放區域圍住重疊傳送線圈80集合之區域。此外，接收線圈82之開放區域應夠大以在潛在晶片不對準下容納所有傳送線圈80。驅動器62及接收器70連接至線圈之個別端，且返回路徑連接至個別另一端。晶片60及66一起固定在堆疊中。注意到線圈80及82無需形 成在兩晶片60及66之面對的表面上，由於電感場延伸相對較遠的距離。
在第8圖的放大正投影視圖中描繪透過電感多工方法之另一實體實施例，各傳送通道到在一邊之部分薄膜電感線圈84。此一部分線圈84可僅包括單一線性部分，其無論如何仍會產生圍繞其之電感場。所有通道之所有部分線圈84的集合形成一迴路，其重疊接收晶片66上的電感線圈82之區域。當然，在第7及8圖兩者中所示的技術可擴大或縮減成任何數量的傳送通道。
如第9圖的放大正投影視圖中所示，由於電感鄰近通訊的廣泛擴張之磁場，可經由多個晶片860 -86N 的堆疊通訊。傳送線圈881 -88N 所發射之電感場可由堆疊中之任何其他晶片上的接收線圈881 -88N 所接收，只要傳送與接收線圈有足夠的重疊。多工方法對此種系統特別有用，因為允許多個晶片同時廣播信號及訊息至堆疊中的多個其他晶片。在此情況中，可分配特定時間、頻率或碼槽給每個晶片；晶片調變其信號，使傳送的信號僅佔據所分配的時間、頻率或碼譜。堆疊中之接收晶片接著藉由解調變信號而從任何特定發送晶片提取訊息。相同線圈881 -88N 可用來傳送及接收兩者。
上述元件利用電性元件，無論電容器或電感器，來執行多工而非發射無線電波之傳統的電子多工器或電磁天線。在大部分的實施例中，執行多工做為晶片間的鄰近通訊鏈結之一部分。
通訊系統中最常見的多工技術為時分、頻分及碼分多工(分別為TDM、FDM及CDM)。這三個領域中之通道的劃分係描繪在第10至12圖中。在第10圖的TDM中，N通道的每一個佔據整個頻寬，但分配得到N個序列時槽之一。N槽在預定時期後重複。在第11圖之FDM中，N通道的每一個係分配得到總頻寬內之N個頻率之一。每一個通道具有分配給其自己之次頻寬，其持續佔據一段頗長的時期。在第12圖之CDM中，N個通道佔據相同的整個頻寬但分配得到不同的編碼鑰匙。根據包含所有通道的編碼鑰匙所編碼之信號係發送於此頻寬但實際只維持編碼週期。在接收器，不同解碼鑰匙施加至相同信號以同時提取多個編碼通道。在下列章節中，討論透過鄰近通訊之這些方法的每一種之實行例，並評估每一技術的優缺點。雖然藉由電容耦合鄰近通訊來討論這些實行例，藉由以電感線圈取代電容墊可輕易發展出電感耦合鄰近通訊之非常類似的實行例。
時分多工
時分多工(TDM)為一種多重存取方法，其中N個通道的每一個佔據N個時槽的不同者。所有通道之時槽的集合稱為訊框。第13圖的時序圖顯示具有N個通道之系統的時槽及訊框的配置。時槽為循環，使得每一訊框的第一通道跟隨在上一個訊框的最後一通道後。
第14圖的電路圖描繪透過鄰近通訊之TDM的實行 例，其中在相同空間中多工N個通道。在傳送晶片14上，N個通道之每一個僅在預定的時槽內為有效。在所有其他時間，通道為無效。在傳送晶片14上，個別驅動器10將每一通道之訊號驅動到不同的Tx墊12上。在接收晶片24上，時分接收器61偵測一Rx墊26上從所有N個通道所耦合之信號。時分解多工器63接著分離在不同時槽之信號以恢復每一個別的通道。
透過鄰近通訊之TDM有所有上述多工鄰近通訊的好處。詳言之，通訊對因不對準造成的串音有實質抗擾性，因為不同通道的信號在時間上分離。不再需要電子對準校正，故可大幅節省傳輸功率。
很難量化傳輸功率的節省，因為這是功率、信號完整度及頻寬之間的取捨。針對TDM，在通道間若有足夠的防護帶，串音則小到可忽略。然而，針對電子對準校正，總會有多達半個微墊間距之殘餘不對準。因此，串音會隨著越密的Tx墊區隔而減少，但僅在過密的墊區隔的情況下才會小到可忽略。
針對各種墊區隔之信號與串音雜訊的詳細研究顯示，針對在7μ m晶片離距之4×4的區隔，最壞情況的串音雜訊約為信號的27%，即使當使用蝶型發信(butterfly signaling)方式，其具有優異的串音抑制性質。針對6×6區隔，串音約為信號的18%；而針對10×10區隔，11%。與具有相同速度性能而無對準校正所需之功率相比，這些情況之電子對準校正之功率成本分別為11倍、 20倍及60倍。因此，即使與6×6區隔之保守的比較，TDM減少傳輸功率20倍，以及信號20%的改善。
TDM之最明顯的成本為頻寬減少。詳言之，第14圖之實行例的性能受限於Rx晶片24上之時分接收器61及解多工器63的速度，因其需要偵測單一墊26上之所有N個通道的過渡。以最壞情況假設TDM接收器61不比傳統鄰近通訊系統中之接收器16(如第1圖中)更快速地偵測過渡，各TDM通道僅可以無多工通道之1/N的速率操作。經過各通道之最大資料率相應地低N倍。
欲減輕每通道頻寬之限制，可以時間交織方式使用多個接收器。在此情況中，可藉由使用針對不同通道的不同接收器來分離每一通道的重新產生時間。每一接收器(如感測放大器)由具有不同相位之信號時控。在此，頻寬受限於相位控制的程度，其可良好控制在閘極延遲內。這允許總處理量5至10倍的改善。並且，通道可分成不同群，如參照第15圖所述，每一群包括例如多工於該群內之9至16個通道。藉由此種群集方式並使用時間交織接收器，應不會有太大的頻寬成本。
透過鄰近通訊之TDM的實行例會有其他細微的需求。首先，接收器需要有較高的敏感度，因為信號位準由於Rx板26上的負載增加而較低。因此需要明確的偏置補償，u因為不似FDM或CDM，TDM本質上不提供此種偏置補償。並且，在每一訊框末端，信號必須返回零狀態(如電壓在半擇幅)，使得過渡總會發生在下一訊框。
頻分多工
在頻分多工(FDM)中，每一通道分配得到一獨特的頻帶。第15圖以最簡單的方式描繪此種方法，儘管抽象，其中使用單純的正弦信號。在Tx晶片14上的每一通道i分配到獨特的頻率fi，並且信號被驅動至個別的Tx墊12上。所有通道在時間上同時操作。
在Rx晶片24上，單一FDM接收器70偵測來自所有通道的信號。第16圖顯示所接收之信號的頻譜振幅。為使圖示簡單，僅顯示頻譜正的部分。FDM解多工器72，在此情況中解調變器，分離所有頻率成分，將每一通道之信號恢復到個別輸出路徑中。注意到由於每一通道之頻譜佔據與所有其他通道不相交，可恢復每一通道而不會有串音造成的任何損失或訛誤。然而，在有資料編碼之較實際的實行例中，每一通道的頻譜可稍微重疊。
為了傳送資料，必須施加載波與資料的調變方式至第15圖的理想實行例上。目前存在許多此種方法，最常用的為幅移鍵控(ASK)、相移鍵控(PSK)及頻移鍵控(FSK)。第17圖顯示使用這三種方法之單極開-關NRZ線型編碼基頻信號b(t)之調變。
針對幅移鍵控(ASK)，兩二元資料值編碼成具有不同振幅的載波信號。針對二元資料通訊之最簡單形式的ASK為開-關鍵控(On-off keying；OOK)，其中「1」值由載波的存在所代表，且「0」值由載波的不存在所代 表，或反之亦然。
針對相移鍵控(PSK)，兩二元資料值編碼成具有不同相位的載波信號。針對二元資料通訊，載波的相位典型為分開180°。注意到此與ASK相同，其中使用單極開-關NRZ線型編碼基頻信號，使得「1」由1所代表，且「0」由-1所代表，或反之亦然，標稱化至信號擇幅。
針對頻移鍵控(FSK)，兩二元資料值編碼成具有不同頻率的載波信號。「0」值由具有角頻率ω c0 之載波所代表，且「1」值由有角頻率ω c1 之載波所代表。注意到FSK信號與兩個ASK信號等效，一以ω c0 調變而另一以ω c1 調變，無其之DC成分。
使用ASK透過鄰近通訊施加FDM之方法的一實施例係描繪在第18圖的電性圖中。使用PSK及FSK之實行例原則上類似。在第18圖之ASK實施例中，頻率多工N個通道成為一群。在時間中每一通道i的基頻信號為bi(t)。
分配角頻率ω ci =2π fci 給每一通道。bi(t)的位元值控制2：1多工器81，並藉此在載波及某標稱DC值(在此圖中為0)之間選擇。多工器81的輸出因此變成基頻信號的ASK調變型式，並且被驅動到Tx晶片14上的鄰近I/O墊12上。
假設基頻信號bi(t)係使用單極開-關NRZ加以線型編碼並可視為靜止隨機程序。如下般給出通道i之功率譜密度(PSD)Sbi (ω )： 其中Tb 代表位元週期。讓通道i上的調變載波為ci (t)=cos(ω ci t)。ASK調變之信號則為：m i (t )=b i (t )．c i (t )=b i (t )．cos(ω ci t ) mi (t)的PSD，Smi (ω )，即為位移至±ω ci 的Sbi (ω )： Smi (ω )的正頻率的半部分係描繪於第19圖的圖中。
欲實行FDM，由具有獨特頻率ω ci =2π fi 之載波調變每一通道i。可同時操作所有的通道。欲最小化頻率串音，應選擇載波頻率使得與每一調變信號(~2π /Tb )的頻寬相比，相鄰載波間的距離為大。
在第18圖的接收晶片24上，一接收器83偵測所有通道之結合信號，標示為mr (t)，其之PSD係顯示在第20圖中。所接收的信號在跨過鄰近I/O介面時經歷通常的衰減並且不同的通道會有不同地衰減。此信號mr (t)饋送到N個分別的分支中。在每一分支i中，混合器84藉由對應於通道i上所用之調變載波的角頻率為ω ci =2π fci 之載波來解調變結合信號mr (t)。通道i所佔據之頻譜的部份現出現在基頻上。低通過濾器86接著抑制所有其他通道所佔據之頻譜的部份，以恢復基頻信號bri (t)。
在第18圖中所示之透過鄰近通訊之FDM的非常簡單之實行例可在實際上依照各種編碼及電路細節做變更，以改善時序、功率及頻譜效率。
ASK僅為FDM之許多可能的編碼方法的其中一種。可使用其他調變方法而得到各種好處。例如，許多複雜的編碼方法可提供高許多的頻譜效率，但代價為較複雜的接收器。範例包括正交相移鍵控(QPSK)、垂直QPSK(OQPSK)、最少位移鍵控(MSK)及高斯(Gaussian)MSK(GMSK)，所有皆為常用者。
為使說明簡單，亦已經假設基頻信號的脈衝形狀為矩形。此種脈衝形狀具有滿低的效率。實際上，脈衝可有不同形狀，例如藉由使用高斯或上升餘弦過濾器。
亦可將過濾器實行為同步整流器。只要控制信號與載波一致，整流器之轉換函數與理想過濾器的轉換函數類似。
透過鄰近通訊之FDM的應用提供上述的許多好處。由於一大型的Rx墊用來偵測來自所有通道的信號，在傳送器中不再需要電子對準校正，與使用6×6Tx操縱相比，減少功率消耗20倍。然而，調變需要額外的功率，將於下說明。
FDM亦提供本質偏置補償。詳言之，接收放大器中的電壓偏置不會傳播超過混合器，因為混合器剃除所有DC成分。假使接收器有偏置，其造成在輸出Vo 之DC位移。在混合後，此偏置成分變成Vo ‧cos(ωci t)。在通過低通過濾器後，此成分被過濾掉，因此有效剃除偏置。此種偏置抑制性質大幅鬆弛對於敏感度的要求。在傳統的鄰近通訊通道中，Rx板上已接收的電壓擇幅典型非常小；從此信號減去接收器偏置，因此限制兩通訊晶片間可允許的離距。藉由本質偏置補償，所需的接收信號位準低許多，其允許在大許多的晶片離距下進行通訊，或使用小許多的I/O墊以達到更高通道密度。
通訊幾乎對不對準造成之串音有抗擾性，因為不同通道之信號佔據不相交之頻帶，且因此為隔離。這對於通訊晶片距離非常遙遠的情況特別有用。通訊亦對其他雜訊來源有抗擾性，因為接收信號係經由關聯而恢復。一般而言，SNR會隨關聯時間成比例地改善。錯誤機率Pb 或位元錯誤率(BER)亦改善，且如下般給出：
其中Q函數界定為：
在長關聯時期後，可抑制幾乎所有的雜訊；接著僅由混合器偏置支配性能，因此僅需非常小的接收信號。此雜訊抑制性質提供允許即使透過大晶片離距仍有可靠通訊的莫大好處。替代地，可使鄰近I/O墊變得非常小以獲得甚至更高的I/O密度。
注意到抑制亦可為適應性，例如，當晶片變得更分開且信號完整性降級時，可加長關聯時期以改善信號對雜訊比(SNR)。這提供在系統操作期間電子性減輕晶片離距之一種簡單的方式。
FDM需要產生不同頻率的許多載波；這些頻率典型非常高以支援高基頻頻寬。這會增加功率成本。不過，幸運地，載波可為簡單的正弦信號，可使用具有高品質或Q因子的共振器以非常有功率效率地方式產生。一般而言，具有Q1 的Q因子之共振器可以僅1/Q1 倍的功率成本產生載波。即使在CMOS技術中，可獲得非常高的Q因子；在90nm CMOS中已展現出在15GHz之高達50的Q。因此，針對FDM之高頻率載波的產生僅會帶來少許功率成本。
編碼及解調變的需要必定會替傳送器及接收器電路帶來額外的複雜度。例如，接收晶片可能需要載有類比RF過濾器及一致性解調變器。傳送晶片可能需要更複雜的一致性調變器以應付複雜的鍵控方法；例如像ASK及PSK的方法，然而，第18圖之多工器實行例已足夠且可輕易地加以建構。
為了準確地解調變經多工的已接收信號，接收器必須在整個信號範圍內有高線性轉換函數。這需要更精巧且精密的電路設計。
由於每一通道必須以獨特的頻率加以調變，可實際多工之通道數量係受限於可產生之載波頻率。欲將許多通道多工在一群中，必須使用具有高頻譜效率的脈衝形狀；這允許載波間有較少離距，因此在相同頻寬上有更多通道。
碼分多工
在碼分多工(CDM)中，由展碼ci (t)調變每一通道i的基頻信號bi (t)。展碼為偽隨機位元序列(PRBS)，亦稱為偽雜訊或PN序列。雖其為週期性且可確定性地加以產生，其之頻譜及關聯性質與頻帶受限之白雜訊類似。展碼典型具有比基頻信號高許多的頻率。碼中的一位元常稱為基片(chip)，且碼頻率稱為基片率。
第21圖顯示藉由展碼ci (t)基頻信號bi (t)之調變。基頻信號具有Tb 的位元週期且展碼具有Tc 的基片週期。為使說明簡單，假設使用單極NRZ或BPSK線型編碼bi (t)及ci (t)兩者。調變信號稱為mi (t)。
以此方式調變得信號無法預期且如隨機雜訊般表現。然而，具有產生展碼ci (t)的演算法之接收器可藉由將mi (t)與ci (t)關聯來完全恢復基頻信號。由於ci (t)2 =1，解碼之信號簡明地為
d i (t )=m i ( t ) ‧c i (t )=(b i (t )‧c i (t ))‧c i (t )=b i (t ).
PRBS碼具有碼與另一碼之交叉關聯性非常低的性質。這意味著另一接收器ν，ν≠i，其嘗試使用碼cν (t)來解調變mi (t)會獲得類似雜訊的結果。這允許同時且相同頻譜上多工許多不同的信號。
第22圖顯示透過鄰近通訊之CDM的電路之一實施例，其中N個通道多工成一群。分配一展碼ci (t)給每一通道i，此展碼與相同領域中的其他碼幾乎垂直。為使說明簡單，假設使用BPSK(單極NRZ)來編碼信號，不過線型碼之選擇不影響實行例的功能。
在傳送晶片14上，於調變器90中以其分配到的碼調變每一基頻信號bi (t)，並將之驅動到鄰近I/O墊12上。注意到調變器90可為兩輸入多工器，如所示，或具有bi (t)及cN (t)作為輸入之簡單的2輸入XNOR閘。假設基頻信號的頻寬為Bb ，且展碼的頻寬為Bc 。由於此碼具有比基頻信號高許多之位元率，Bc >>Bb ，調變信號的頻寬大約也為Bc 。藉由展碼之調變有效地增加信號頻寬Bc /Bb 倍，其稱為編碼增益或處理增益，GP 。由於B~1/T，
將於下觀察到，CDM的處理增益提供希望的雜訊抑制性質。並且，因為每一通道上的碼幾乎為垂直，所有通道可共用相同頻譜並同時操作。
在接收晶片24上，單一CDM接收器92偵測來自所有N個多工通道之結合的信號mr (t)。已接收的信號在跨過鄰近I/O介面時經歷通常的衰減，並且不同的通道會有不同地衰減。在放大後，信號mr (t)饋送到N個分別的分支中。在每一分支i中，混合器94將mr (t)與對應於傳送晶片14上之通道i所用的碼i關聯。這反展頻(despread)通道i上的信號；因為碼i與其他碼不關聯，來自其他通道之信號維持擴展且仍舊顯示為雜訊。低通過濾器96移除基頻信號bi (t)之頻寬外的大部分雜訊，並乾淨地恢復基頻信號。
透過鄰近通訊之CDM的應用提供上述所有好處。不過，其主要好處為適應性雜訊抑制。首先，串音雜訊減少與處理增益GP 相等的倍數，可藉由改變位元率或基片率或兩者而輕易地調適處理增益。SNR亦與關聯時間成比例地改善。因此可在系統操作期間針對對準條件動態調適發信協定。
使用線性接收放大器，CDM提供本質接收器偏置補償，其原因與上述FDM之原則相同。並且，由於可在一段長關聯時期後抑制所有雜訊，則僅由次要雜訊來源支配性能，如電源供應器雜訊及熱雜訊。由於這些雜訊來源典型比接收器偏置低許多，僅需小許多的接收信號位準。這使得可在非常大晶片離距下進行可靠的通訊，或可使用非常小的鄰近I/O墊以達到高密度。
CDM亦提供多工非常大量信號之能力。此數量主要受限於可得之垂直碼的數量。最近PRBS產生器設計中的發明已使以高處理量及低電路複雜度產生許多不同的PRBS型樣變得簡單。可使用哥登(Gold)或卡沙米(Kasami)序列更進一步擴張碼空間。並且，鄰近通訊上之信號為同步化，選擇以某固定偏置垂直之碼已經足夠。這大幅擴大可用碼的空間。
CDM最明顯的成本為功率及每通道之頻寬。展碼之產生的成本為功率，且由於基片率為高，此功率成本可能很大。在多群的多工信號中重複使用展碼可攤平此成本。並且，CDM使得使用電子對準校正變得不必要；在此之功率節省可部分抵銷碼功率成本。
由於基片率必須比資料率高許多以達成大編碼增益，基頻信號無法以技術極限之速度操作。這降低最大每通道之頻寬。然而，由於CDM允許使用小許多的鄰近I/O墊，可達成高許多的通道密度，以獲得類似之聚集頻寬。
為了解釋及說明已提供上述之實施例的說明。此說明非意圖為窮舉性或將說明限制於所揭露的形式。因此，許多修改及變化對熟悉此項技藝人士而言為顯而易見。此外，上述揭露非意圖限制本說明。本說明之範疇係由下列申請專利範圍所界定。
10‧‧‧驅動器
12‧‧‧金屬墊
14‧‧‧傳送晶片
16‧‧‧接收器
18‧‧‧接收墊
20‧‧‧接收晶片
24‧‧‧接收晶片
26‧‧‧大型墊
28‧‧‧接收器
30‧‧‧解多工器
40‧‧‧傳送晶片
42‧‧‧電極
44‧‧‧大型墊
50‧‧‧傳送晶片
52‧‧‧接收晶片
60‧‧‧傳送晶片
61‧‧‧時分接收器
63‧‧‧時分解多工器
62‧‧‧驅動器
64、68‧‧‧電感線圈
66‧‧‧接收晶片
70‧‧‧接收器
72‧‧‧解多工器
80‧‧‧傳送線圈
82‧‧‧接收線圈
84‧‧‧部分薄膜電感線圈
860 -86N ‧‧‧晶片
881 -88N ‧‧‧線圈
81‧‧‧2：1多工器
83‧‧‧接收器
84‧‧‧混合器
86‧‧‧低通過濾器
90‧‧‧調變器
92‧‧‧CDM接收器
94‧‧‧混合器
96‧‧‧低通過濾器
第1圖為傳統鄰近通訊系統之電性圖。
第2圖為根據本發明之一實施例的電容耦合鄰近通訊系統之電性圖。
第3圖為示意性圖解第2圖之鄰近通訊系統所容許之不對準的平面圖。
第4圖為根據本發明之一實施例的電容耦合鄰近通訊系統之電性圖。
第5圖為根據本發明之一實施例的合併多群電容耦合元件的電容耦合鄰近通訊系統之電性圖。
第6圖為根據本發明之一實施例的電感耦合鄰近通訊系統之電性圖。
第7圖為根據本發明之一實施例的第6圖之電感耦合系統的實體實行例之放大正投影視圖。
第8圖為根據本發明之一實施例的第6圖之電感耦合系統的另一實體實行例之放大正投影視圖。
第9圖為根據本發明之一實施例的另一電感耦合鄰近通訊系統的放大正投影視圖。
第10圖為時分多工(TDM)之示意圖。
第11圖為頻分多工(FDM)之示意圖。
第12圖為碼分多工(CDM)之示意圖。
第13圖為說明時分多工(TDM)之時序圖。
第14圖為說明根據本發明之一實施例的電容耦合鄰近通訊系統之電性圖。
第15圖為說明根據本發明之一實施例的電容耦合FDM鄰近通訊系統之電性圖。
第16圖為說明頻分多工(FDM)之頻率圖。
第17圖為說明不同形式之FDM之資料編碼的時序圖。
第18圖為根據本發明之一實施例的利用幅移鍵控之電容耦合的FDM鄰近通訊系統之電性圖。
第19圖為可在第18圖之系統中獲得之一通道的功率譜。
第20圖為可在第18圖之系統中獲得之多個通道的功率譜。
第21圖為說明資料信號之CDM編碼之信號時序圖。
第22圖為根據本發明之一實施例的電容耦合CDM鄰近通訊系統之電性圖。
10．．．驅動器
12．．．金屬墊
26．．．大型墊
28．．．接收器
30．．．解多工器
50．．．傳送晶片
52．．．接收晶片

Claims (8)

  1. 一種基底間之通訊系統，包含：一起配置於堆疊中之複數基底；在該些基底的至少第一者基底上的複數電性傳送元件，其中該些傳送元件各者在一組時槽中的一不同的指派時槽期間，從一組通道中的一對應的不同通道傳送信號，其中該些傳送元件各者在自己的指派時槽中係有效的且在該組時槽中除了自己的指派時槽之外的所有時槽期間係無效的，其中該些電性傳送元件包括複數傳送墊；在該些基底的至少另一者基底上的電耦合至該些電性傳送元件之電性接收元件，其中該電性接收元件包括與所有的該些傳送墊實體上相對之一接收墊，其中該接收墊的面積大於包圍所有該些傳送墊的面積以利於信號耦接，且其中該電性接收元件係耦接至相同的該基底上的一解多工器。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中該些電性傳送及接收元件在其之間形成電容耦合元件。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之系統，其中該些電性傳送元件包括複數傳送墊，分成複數群之傳送墊，以及該些電性接收元件包括複數接收墊，其中該些複數接收墊各者係實體上相對於個別群之該些傳送墊之至少一者。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中該些基底之該第一者包括複數條線，運送在其之間多工之經多工的資料信號至該個別的傳送元件。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之系統，其中該些經多工的資料信號為在其之間經頻率多工。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之系統，其中該些經多工的資料信號為在其之間根據個別的碼信號序列經碼分多工。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之系統，其中該些另一基底包括複數解多工器，其以該些個別的碼信號序列混合從該電性接收元件所接收之信號。
  8. 一種基底間之通訊系統，包含：第一基底，具有形成於其表面上之複數傳送墊，並包括個別驅動器，其接收個別資料信號並驅動該些傳送墊之個別者，其中該些驅動器各者在一組時槽中的一不同的指派時槽期間，驅動一組通道的一對應的不同通道，且其中該些驅動器各者在自己的指派時槽中係有效的且在該組時槽中除了自己的指派時槽之外的所有時槽期間係無效的；以及第二基底，與該第一基底相鄰設置，並具有形成於其表面上之一接收墊，其相對於並電容耦合至所有該些傳送墊，其中該接收墊的面積大於包圍所有該些傳送墊的面積以利於信號耦接，且其中該接收墊係耦接至相同的該基底上的一解多工器。
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