TWI477774B - 掃瞄設備 - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種掃瞄設備,特別係有關於一種超音波掃瞄式顯微鏡。
參照第1A圖,其係顯示習知之超音波掃瞄式顯微鏡1(C-Mode Scanning Acoustic Microscope)的掃瞄情形。習知之超音波掃瞄式顯微鏡1包括一軌道10、一探測頭20以及介質液體30。待測物(晶片)40置於該介質液體30之中,該探測頭20沿軌道10滑動,該探測頭20朝該待測物(晶片)40發出一超音波訊號2,該超音波訊號2接觸該待測物(晶片)40之後,由該待測物(晶片)40反射,並由該探測頭20所接收。藉此,以檢測該待測物(晶片)40的表面情況。
參照第1B圖,然而,當待測物(晶片)40表面的彎曲程度過大時,由該待測物(晶片)40所反射的超音波訊號2將被散射,而無法充分的由探測頭20接收,因此將導致檢測失敗。
本發明即為了欲解決習知技術之問題而提供之一種掃瞄設備,用以對一待測物進行檢測,包括一軌道、一探測頭、一連接裝置以及一轉位單元。該連接裝置連接該軌道以及該探測頭,該連接裝置包括一推送單元,該推送單元連接該軌道,使該連接裝置及該探測頭沿該軌道滑動。轉位單元連接於該探測頭以及該軌道,該轉位單元透過磁力控制該探測頭相對於該軌道而轉動。
應用本發明之掃瞄設備,由於探測頭可以透過磁力調制而相對於該軌道轉動,因此可以調整超音波訊號的射出方向。當待測物(晶片)表面的彎曲程度過大時,超音波訊號的行進方向仍然可以大致垂直於該待測物(晶片)表面,因此由該待測物(晶片)所反射的超音波訊號仍可充分的由探測頭接收,避免檢測失敗的情況發生。
參照第2圖,其係顯示本發明實施例之掃瞄設備100,用以對一待測物40進行檢測,包括一軌道110、一探測頭120、一連接裝置130、介質液體30以及一轉位單元140。待測物40置於該介質液體30之中。連接裝置130連接該軌道110以及該探測頭120。連接裝置130包括一推送單元131。推送單元131連接該軌道110,使該連接裝置130及該探測頭120沿該軌道110滑動。轉位單元140連接該探測頭120以及該軌道110,該轉位單元140透過磁力控制該探測頭120相對於該軌道110而轉動。
參照第3圖,其係顯示第2圖中之沿X方向觀察之剖面圖。搭配參照第2、3圖,軌道110包括一支撐部111以及一懸吊部112,該支撐部111形成於該懸吊部112的兩側,該推送單元131於該支撐部111接觸該軌道110。該推送單元131可以為滾輪,該滾輪(131)於該軌道110之支撐部111上滑動。
該探測頭120包括一頂面121,該頂面121上形成有一凹槽122。
搭配參照第2、3圖,該轉位單元140包括複數個懸吊電磁元件141、複數個懸吊磁鐵142、複數個輔推電磁元件143以及複數個輔推磁鐵144。
該等懸吊磁鐵142設於該探測頭120之該頂面121之上,該等懸吊電磁元件141設於該軌道110之該支撐部111之上。該等懸吊電磁元件141對應該等懸吊磁鐵142,透過調制該等懸吊電磁元件141對於該等懸吊磁鐵142的吸力,可使該探測頭120相對於該軌道110轉動。
該等輔推磁鐵144設於該探測頭120之該凹槽122之中,該等輔推電磁元件143設於該軌道110之該懸吊部112之上(接近底端),該等輔推電磁元件143對應該等輔推磁鐵144,透過調制該等輔推電磁元件143對於該等輔推磁鐵144的吸力,可使該探測頭120相對於該軌道110轉動。
參照第3圖,該連接裝置130更包括一支撐框件132,該支撐框件132連接該推送單元131以及該探測頭120。
參照第4A以及4B圖,其係顯示本發明之掃瞄設備100的掃瞄情形,其中,由於探測頭120可以透過磁力調制而相對於該軌道110轉動,因此可以調整超音波訊號2的射出方向。當待測物(晶片)40表面的彎曲程度過大時,超音波訊號2的行進方向仍然可以大致垂直於該待測物(晶片)40表面,因此由該待測物(晶片)40所反射的超音波訊號2仍可充分的由探測頭20接收,避免檢測失敗的情況發生。
在上述實施例中,掃瞄設備100可以根據探測頭20所接收的超音波訊號2,動態控制探測頭120的旋轉方位。
在上述實施例中,該等懸吊磁鐵142設於該探測頭120之上,該等懸吊電磁元件141設於該軌道110之上,該等輔推磁鐵144設於該探測頭120之上,該等輔推電磁元件143設於該軌道110之上。然,上述描述並限制本發明,在一變形例之中,懸吊磁鐵142與懸吊電磁元件141亦可以互換位置,輔推磁鐵144與輔推電磁元件143亦可以互換位置。
該掃瞄設備100可以為一超音波掃瞄式顯微鏡(C-Mode Scanning Acoustic Microscope)或其他型式之掃瞄設備。
雖然本發明已以具體之較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習此項技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,仍可作些許的更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1...超音波掃瞄式顯微鏡
2...超音波訊號
10...軌道
20...探測頭
30...介質液體
40...待測物
100...掃瞄設備
110...軌道
111...支撐部
112...懸吊部
120...探測頭
121...頂面
122...凹槽
130...連接裝置
131...推送單元
132...支撐框件
140...轉位單元
141...懸吊電磁元件
142...懸吊磁鐵
143...輔推電磁元件
144...輔推磁鐵
第1A圖係顯示習知之超音波掃瞄式顯微鏡
第1B圖係顯示當待測物(晶片)表面的彎曲程度過大時,習知之超音波掃瞄式顯微鏡的掃瞄情形;
第2圖係顯示本發明實施例之掃瞄設備;
第3圖係顯示第2圖中之沿X方向觀察之剖面圖;以及
第4A以及4B圖係顯示本發明之掃瞄設備的掃瞄情形。
30...介質液體
40...待測物
100...掃瞄設備
110...軌道
120...探測頭
130...連接裝置
131...推送單元
140...轉位單元
141...懸吊電磁元件
142...懸吊磁鐵
143...輔推電磁元件
144...輔推磁鐵
Claims (10)
- 一種掃瞄設備,用以對一待測物進行檢測,包括:一軌道;一探測頭;一連接裝置,該連接裝置連接該軌道以及該探測頭,該連接裝置包括一推送單元,該推送單元連接該軌道,使該連接裝置及該探測頭沿該軌道滑動;以及一轉位單元,連接於該探測頭以及該軌道,該轉位單元透過磁力控制該探測頭相對於該軌道而轉動。
- 如申請專利範圍第1項所述之掃瞄設備,其中,該推送單元包括複數個滾輪,該滾輪於該軌道中滑動。
- 如申請專利範圍第1項所述之掃瞄設備,其中,該轉位單元包括複數個懸吊磁鐵以及複數個懸吊電磁元件,該等懸吊磁鐵設於該探測頭之上,該等懸吊電磁元件設於該軌道,該等懸吊電磁元件對應該等懸吊磁鐵,透過調制該等懸吊電磁元件對於該等懸吊磁鐵的吸力,該探測頭相對於該軌道轉動。
- 如申請專利範圍第3項所述之掃瞄設備,其中,該軌道包括一支撐部以及一懸吊部,該支撐部形成於該懸吊部的兩側,該推送單元於該支撐部接觸該軌道,該等懸吊電磁元件係設於該支撐部之上。
- 如申請專利範圍第4項所述之掃瞄設備,其中,該轉位單元更包括複數個輔推磁鐵以及複數個輔推電磁元件,該等輔推磁鐵設於該探測頭之上,該等輔推電磁元件設於該軌道,該等輔推電磁元件對應該等輔推磁鐵,透過調制該等輔推電磁元件對於該等輔推磁鐵的吸力,該探測頭相對於該軌道轉動。
- 如申請專利範圍第5項所述之掃瞄設備,其中,該該等輔推電磁元件係設於該懸吊部之上。
- 如申請專利範圍第6項所述之掃瞄設備,其中,該探測頭包括一頂面,該頂面上形成有一凹槽,該等懸吊磁鐵係設於該頂面之上,該等輔推磁鐵係設於該凹槽之中。
- 如申請專利範圍第1項所述之掃瞄設備,其中,該連接裝置更包括一支撐框件,該支撐框件連接該推送單元以及該探測頭。
- 如申請專利範圍第1項所述之掃瞄設備,其中,該掃瞄設備為一超音波掃瞄式顯微鏡(C-Mode Scanning Acoustic Microscope)。
- 如申請專利範圍第1項所述之掃瞄設備,其中,該轉位單元包括包括複數個磁鐵以及複數個電磁元件,該等磁鐵設於該軌道之上,該等電磁元件設於該探測頭,該等電磁元件對應該等磁鐵,透過調制該等電磁元件對於該等磁鐵的吸力,該探測頭相對於該軌道轉動。
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TW099126254A TWI477774B (zh) | 2010-08-06 | 2010-08-06 | 掃瞄設備 |
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TW099126254A TWI477774B (zh) | 2010-08-06 | 2010-08-06 | 掃瞄設備 |
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TW (1) | TWI477774B (zh) |
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