TWI474169B - 記憶體資料存取方法及記憶體資料存取控制器 - Google Patents

Description

記憶體資料存取方法及記憶體資料存取控制器

本發明是有關於一種記憶體定址方法，且特別是有關於一種唯讀記憶體的定址方法。

在記憶體的製造過程當中，需符合各個記憶體型態(type)、廠商定義的規格，設計一個記憶體裝置常需要同時相容於此多種型態或規格。電子抹除式可複寫唯讀記憶體(Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory；EEPROM)因其可多次複寫的特性，通用於半導體存儲設備當中。EEPROM不需要用紫外線照射來清除資料，其可簡易地以特定的電壓清除內部的訊息，以便寫入新的數據。

EEPROM有多種工作模式，例如讀取、寫入、清除、校驗等模式。讀取內部資料時，晶片只需要低電壓供電。寫入資料時，晶片透過以較高的電壓進行，利用脈衝信號寫入數據。清除資料時，只需使用高電壓，不需要紫外線，便可以清除指定位址的內容。由於EEPROM的優秀性能，以及在線上操作的便利，它被廣泛用於需要經常擦拭的BIOS晶片以及快閃記憶體晶片當中來取代RAM晶片。

在傳統的EEPROM當中，均以資料庫為單位來進行下載，且資料的下載方式係一對一得搬運至目的地；然而，須要下載的資料庫數目隨著需要實現的功能越來越多，每個功能所需求的控制位置也有所不同，再加上每個計劃所需要的功能均相異，如何才能夠有效地從EEPROM下載資 料實屬關鍵，至為重要。

因此，本發明一方面提供一種記憶體資料存取方法，能夠提升從記憶體下載資料的效率，使顯示器整體性能更進一步。

依據本發明之一實施例，記憶體資料存取方法依據一面板時序控制器的需求，存取一記憶體當中的資料，此記憶體資料存取方法對記憶體當中一模式型態儲存欄位進行讀取；依據模式型態儲存欄位所儲存之數值，判斷是否進入一間接定址模式；當進入間接定址模式，對記憶體當中之一資料庫數目儲存欄位、一資料庫位置儲存欄位、一位元組位置儲存欄位，以及一位元組數目儲存欄位進行讀取；接著組合資料庫位置儲存欄位以及位元組位置儲存欄位所儲存之數值，以取得一實體位置；然後讀取記憶體當中所儲存之一傳輸資料，並依據實體位置將傳輸資料傳送至面板時序控制器。

本發明之另一方面提供一種記憶體資料存取控制器，能夠提升從記憶體下載資料的效率，使顯示器整體性能更進一步。

依據本發明之一實施例，記憶體資料存取控制器用以控制一記憶體與一時序控制器之間的資料傳輸，此記憶體資料存取控制器內含一第一匯流排控制器以及一定址控制器。第一匯流排控制器控制一第一匯流排以對記憶體存取資料；定址控制器則決定將傳輸資料寫入哪些位置。

以上實施例的記憶體資料存取方法以及記憶體資料存取控制器，能夠精確的掌握需要下載的資料以及儲存位置，避免下載多餘的資料，因此能夠提升資料下載的效率。

以下實施例的記憶體資料存取方法以及記憶體資料存取控制器，能夠精確的掌握需要下載的資料以及相關位置，避免下載多餘的資料，因此能夠提升資料下載的效率。

請參照第1圖，其係繪示本發明一實施方式電子可抹除可程式化唯讀記憶體(Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory；EEPROM)之模式型態示意圖。在第1圖當中，左邊所繪示的是模式型態0的狀況，在模式型態0的直接定址狀況下，傳輸資料儲存於唯讀記憶體101當中的連續位置，讀取時則依序讀取這些傳輸資料，也就是說，讀取完一筆傳輸資料之後，會往下移至下一記憶體位置繼續讀取，當這些資料讀取完成之後，則依序寫入時序控制器當中的連續位置內，唯讀記憶體當中的資料儲存結構會直接映射至時序控制器當中，也就是說，記憶體當中的一個資料庫(Bank)會對應至時序控制器當中一個資料庫，兩資料庫內傳輸資料的儲存方式一致。

另一方面，在右邊所繪示的模式型態1的間接定址狀況下，電子可抹除可程式化唯讀記憶體所儲存的資料含表頭區以及傳輸資料區，其中表頭區儲存了資料庫位置、位元組位置，以及位元組數目，資料庫位置以及位元組位置用來指出傳輸資料的儲存位置，位元組數目欄位則標示需 要進行傳輸的位元組(Byte)數目。

請參照第2圖，其係繪示本發明一實施方式電子可抹除可程式化唯讀記憶體模式型態1的資料寫入示意圖。在模式型態1的間接定址狀況下，唯讀記憶體201開頭的兩列(列0、列1)所儲存的是傳輸資料的寫入起始位置，例如，在此第2圖當中，列0與列1所儲存的是08、40，代表傳輸資料的寫入起始位置是0840，列2所儲存的數值為02，代表需要存取的位元組數目是3個位元組，因此唯讀記憶體201位置0003所儲存的數值aa，需要寫入時序控制器207的位置0840。除了讀取位置0003以外，會繼續讀取唯讀記憶體201位置0004、0005所儲存的bb、cc，然後寫入時序控制器207的位置0841、0842。

第一匯流排控制器203會以寫入指令，將唯讀記憶體201上連續位置所儲存的資料，一對一地複製到定址控制器205；如第2圖所繪示的，會依序將資料08、40、02...寫入定址控制器205的位置0000、0001、0002...上，然後再由定址控制器205進行轉換，將傳輸資料08、40、02...寫入時序控制器207的特定位置；換言之，定址控制器205會重新安排寫入時序控制器207的位置，不會直接使用第一匯流排控制器203自記憶體201取得的位置。

請參照第3圖，其係繪示本發明一實施方式記憶體資料存取控制器。記憶體資料存取控制器303用來控制記憶體301與時序控制器309之間的資料傳輸，此記憶體資料存取控制器303含第一匯流排控制器305以及定址控制器307。第一匯流排控制器305控制第一匯流排311以對記憶 體301存取傳輸資料，記憶體301可為一電子可抹除可程式化唯讀記憶體，第一匯流排控制器305則可為內部整合電路匯流排(Inter-Integrated Circuit；I2C)控制器，在記憶體301與記憶體資料存取控制器303之間傳輸指令與資料，定址控制器307則決定將前述傳輸資料寫入哪些位置。

定址控制器307的內部電路結構繪示於第4圖當中，此定址控制器307含有模式判斷電路401、表頭讀取器403、位址組合器405、傳輸資料讀取器407以及第二匯流排控制器409。

模式判斷電路401對記憶體當中模式型態儲存欄位進行讀取，並依據模式型態儲存欄位所儲存之數值，判斷是否進入間接定址模式；當進入間接定址模式，表頭讀取器403對記憶體當中之資料庫數目儲存欄位、資料庫位置儲存欄位、位元組位置儲存欄位，以及位元組數目儲存欄位進行讀取；位址組合器405組合資料庫位置儲存欄位以及位元組位置儲存欄位所儲存之數值，以取得實體位置；傳輸資料讀取器407讀取記憶體當中所儲存之傳輸資料；第二匯流排控制器409依據實體位置，將傳輸資料傳送至面板時序控制器411，在此一實施例當中，實體位置為十六位元，傳輸資料則為八位元。

請參照第5圖，其係繪示本發明一實施方式記憶體資料存取方法之流程圖。記憶體資料存取方法可由一狀態機(State machine)來執行，其係依據面板時序控制器的需求，存取一記憶體當中的資料，此記憶體資料存取方法首先對記憶體當中模式型態儲存欄位進行讀取(步驟501)，這個欄 位通常具有特定的位置，以利控制器進行讀取。接著，依據模式型態儲存欄位所儲存之數值，判斷是否進入間接定址模式(步驟503)；詳細來說，倘若模式型態儲存欄位所儲存的數值為1，代表此記憶體目前處於間接定址模式，接下來會依照間接定址的方式，來處理記憶體當中所儲存的資訊。

當進入間接定址模式，記憶體資料存取方法會對記憶體當中之資料庫數目儲存欄位、資料庫位置儲存欄位、位元組位置儲存欄位，以及位元組數目儲存欄位進行讀取，以獲得需要存取的資料庫數目、資料庫位置、位元組位置，以及需要存取的位元組數目(步驟505)。再來，記憶體資料存取方法會組合資料庫位置儲存欄位以及位元組位置儲存欄位所儲存之數值，來取得實體位置，這個實體位置一般由十六位元組成，代表與時序控制器內部儲存空間相關的位址資訊；然後再讀取記憶體所儲存之傳輸資料(步驟509)，並依據實體位置將傳輸資料傳送至面板時序控制器(步驟510)。關於資料的傳輸方法，可先將需要讀取的傳輸資料整批讀取完成，再將傳輸資料整批傳輸至面板時序控制器，以提升資料傳輸的效率；一整批的傳輸資料通常會儲存於記憶體當中的連續位置上。

必需特別說明的是，在步驟511當中，會比對已讀取之傳輸資料的筆數以及位元組數目儲存欄位所儲存之數值，當已讀取之傳輸資料的筆數小於位元組數目儲存欄位所儲存之數值，代表同一資料庫當中，尚且存在需要讀取但沒有讀取的傳輸資料，所以會回到步驟509繼續讀取下 一筆傳輸資料；另一方面，當已讀取之傳輸資料的筆數大於位元組數目儲存欄位所儲存之數值加一，代表這一組傳輸資料已經讀取完成，記憶體資料存取方法會檢視是否存在另外一筆需要讀取的傳輸資料，也就是繼續比對已讀取資料庫的數目以及資料庫數目儲存欄位所儲存之數值(步驟513)；當已讀取資料庫的數目小於資料庫數目儲存欄位所儲存之數值，代表仍然存在需要讀取的資料庫，則回到步驟505讀取下一組資料庫位置儲存欄位、位元組位置儲存欄位，以及位元組數目儲存欄位；倘若已讀取資料庫的數目不小於資料庫數目儲存欄位所儲存之數值，代表資料庫已完成讀取，則逕行結束。

以上實施例的記憶體資料存取方法以及記憶體資料存取控制器，能夠以位元組取代資料庫為單位進行資料傳輸，精確地掌握需要下載的資料數量，避免下載多餘的資料，因此能夠提升資料下載的效率；另一方面，可彈性地將傳輸資料儲存到時序控制器當中預先設定的位置，不再需要將記憶體當中的資料結構一對一地複製到時序控制器內，增加了彈性與適用性。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何在本發明所屬技術領域當中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

101‧‧‧唯讀記憶體

201‧‧‧唯讀記憶體

203‧‧‧第一匯流排控制器

205‧‧‧定址控制器

207‧‧‧時序控制器

301‧‧‧記憶體

303‧‧‧記憶體資料存取控制器

305‧‧‧第一匯流排控制器

307‧‧‧定址控制器

309‧‧‧時序控制器

311‧‧‧第一匯流排

401‧‧‧模式判斷電路

403‧‧‧表頭讀取器

405‧‧‧位址組合器

407‧‧‧傳輸資料讀取器

409‧‧‧第二匯流排控制器

411‧‧‧面板時序控制器

501~515‧‧‧步驟

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖係繪示本發明一實施方式電子可抹除可程式化唯讀記憶體之模式型態示意圖。

第2圖係繪示本發明一實施方式電子可抹除可程式化唯讀記憶體模式型態1的資料寫入示意圖。

第3圖係繪示本發明一實施方式記憶體資料存取控制器之示意圖。

第4圖係繪示本發明一實施方式定址控制器之方塊圖。

第5圖係繪示本發明一實施方式記憶體資料存取方法之流程圖。

301‧‧‧記憶體

303‧‧‧記憶體資料存取控制器

305‧‧‧第一匯流排控制器

307‧‧‧定址控制器

309‧‧‧時序控制器

311‧‧‧第一匯流排

Claims (9)

1. 一種記憶體資料存取方法，以依據一面板時序控制器的需求，存取一記憶體當中的資料，該記憶體資料存取方法包含以下步驟：對該記憶體當中一模式型態儲存欄位進行讀取；依據該模式型態儲存欄位所儲存之數值，判斷是否進入一間接定址模式；當進入該間接定址模式，對該記憶體當中之一資料庫數目儲存欄位、一資料庫位置儲存欄位、一位元組位置儲存欄位，以及一位元組數目儲存欄位進行讀取；組合該資料庫位置儲存欄位以及該位元組位置儲存欄位所儲存之數值，以取得一實體位置；讀取該記憶體所儲存之一傳輸資料；依據該實體位置，將該傳輸資料傳送至該面板時序控制器；以及當已讀取之該傳輸資料的筆數大於該位元組數目儲存欄位所儲存之數值加一，則對該記憶體中下一組該資料庫位置儲存欄位、該位元組位置儲存欄位，以及該位元組數目儲存欄位進行讀取，其中該下一組該資料庫位置儲存欄位、該位元組位置儲存欄位，以及該位元組數目儲存欄位是位於該傳輸資料之後。
2. 如請求項1所述之記憶體資料存取方法，更包含：比對已讀取之該傳輸資料的筆數以及該位元組數目儲存欄位所儲存之數值；以及 當已讀取之該傳輸資料的筆數小於該位元組數目儲存欄位所儲存之數值，繼續讀取下一筆該傳輸資料。
3. 如請求項2所述之記憶體資料存取方法，其中先將需要讀取的該傳輸資料整批讀取完成，再將該傳輸資料整批傳輸至該面板時序控制器。
4. 如請求項3所述之記憶體資料存取方法，其中整批該傳輸資料係儲存於該記憶體當中的連續位置上。
5. 如請求項1所述之記憶體資料存取方法，更包含：比對已讀取資料庫的數目以及該資料庫數目儲存欄位所儲存之數值；以及當已讀取資料庫的數目小於該資料庫數目儲存欄位所儲存之數值，繼續讀取下一筆資料庫。
6. 一種記憶體資料存取控制器，以控制一記憶體與一時序控制器之間的資料傳輸，該記憶體資料存取控制器包含：一第一匯流排控制器，控制一第一匯流排以對該記憶體存取至少一傳輸資料；以及一定址控制器，以決定將該傳輸資料寫入哪個位置，其中該定址控制器包含：一模式判斷電路，以對該記憶體當中一模式型態儲存 欄位進行讀取，並依據該模式型態儲存欄位所儲存之數值，判斷是否進入一間接定址模式；一表頭讀取器，當進入該間接定址模式，該表頭讀取器對該記憶體當中之一資料庫數目儲存欄位、一資料庫位置儲存欄位、一位元組位置儲存欄位，以及一位元組數目儲存欄位進行讀取；一位址組合器，組合該資料庫位置儲存欄位以及該位元組位置儲存欄位所儲存之數值，以取得一實體位置；一傳輸資料讀取器，讀取該記憶體當中所儲存之該傳輸資料；以及一第二匯流排控制器，依據該實體位置將該傳輸資料傳送至該時序控制器，當已讀取之該傳輸資料的筆數大於該位元組數目儲存欄位所儲存之數值加一，該表頭讀取器則對該記憶體中下一組該資料庫位置儲存欄位、該位元組位置儲存欄位，以及該位元組數目儲存欄位進行讀取，其中該下一組該資料庫位置儲存欄位、該位元組位置儲存欄位，以及該位元組數目儲存欄位是位於該傳輸資料之後。
7. 如請求項6所述之記憶體資料存取控制器，其中該第一匯流排控制器係為一內部整合電路匯流排(Inter-Integrated Circuit；I2C)控制器。
8. 如請求項6所述之記憶體資料存取控制器，其中該記憶體係為一電子可抹除可程式化唯讀記憶體 (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory；EEPROM)。
9. 如請求項6所述之記憶體資料存取控制器，其中該實體位置為十六位元，該傳輸資料則為八位元。