TWI472777B - 自動描繪電漿之特性的方法 - Google Patents

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Description

自動描繪電漿之特性的方法
本發明係關於一種在基板處理期間自動描繪電漿特性的方法。
電漿處理的進展已促進半導體工業的成長。為供給用於典型電子產品的晶片，吾人可能需處理數百個或數千個基板(例如半導體晶圓)。為了使製造業者具有競爭力，製造業者必須能以最短處理時間將基板加工成優良的半導體裝置。
典型上，在電漿處理期間，可能會引起帶給基板負面影響的問題。可能改變處理基板之品質的一個重要因素為電漿本身。為了獲得用以分析電漿的充分資料，感測器可用以收集關於每一個基板的處理資料。所收集到的這些資料可被分析而判定問題的起因。
為了促進說明，圖1顯示在一部分電漿系統100中之資料收集探針的簡易示意圖。電漿系統100可包含射頻(RF，radio frequency)源102，例如脈衝RF頻率產生器，其電容耦合至反應器腔室104以產生電漿106。當開啟RF源102時，偏壓可被產生而通過外部電容器108，其可約為26.2毫微法拉第(nF)。在一範例中，RF源102可在每數毫秒(例如約5毫秒)提供小功率脈衝串(burst)(例如11.5百萬赫茲)，而使外部電容器108充電。當關閉RF源102時，偏壓會留在外部電容器108上而具有極性，以使探針110被偏壓而收集離子。當偏壓衰減時，如圖2A、圖2B以及圖3所示之曲線可被加以描繪。
熟習本項技藝者可瞭解探針110通常為具有導電平面的電探針，其可安置抵靠在反應器腔室104的室壁。於是探針110可直接曝露於反應器腔室104的環境。由探針110所收集到的電流與電壓資料可被加以分析。由於某種處方會使非導電沉積層116沉積在探針110上，所以並非所有探針都能夠收集到可靠的量測。 然而，熟習本項技藝者可瞭解平面離子通量(PIF，planar ion flux)探針能夠收集資料而不管非導電沉積層，因為PIF探針機構不必獲得直流電流(DC)即可執行量測。
電漿系統100的電流與電壓信號可藉由其他感測器來加以量測。在電漿系統100中，當關閉RF源102時，電流感測器112與高阻抗電壓感測器114可分別用以量測電流與電壓。從電流感測器112以及電壓感測器114所收集到的量測資料之後可進行繪製而產生電流圖以及電壓圖。這些資料可以人工方式進行繪圖，或者這些資料可輸入到軟體程式內而產生圖。
圖2A顯示在RF充電循環之後電壓對時間的圖。於資料點202，在提供RF充電(即RF脈衝串)之後關閉RF源102。在本範例中，於資料點202，通過探針110的電壓約為負57伏特。當電漿系統100回到休止狀態(位於資料點204與206之間的區間)時，電壓通常會達到浮動電壓電位。在本範例中，浮動電壓電位會從約負75伏特上升至約零伏特。然而，浮動電壓電位不必為零，而可為負或正偏壓電位。
同樣地，圖2B顯示在RF充電之後所收集到之電流資料的圖。於資料點252，在提供RF充電之後關閉RF源102。在衰減週期254的期間，位於外部電容器108的回路電流可進行放電。在一範例中，於完全充電(資料點252)時，電流約為0.86mA/cm2 。然而，當電流完全放電(資料點256)時，電流會回到零。根據圖，放電會花費約75毫秒。從資料點264到資料點258，電容器會維持放電。
由於電流資料與電壓資料兩者皆在時間週期內被收集，所以電流對電壓圖可藉由對時間進行座標繪圖而產生，以消除時間變數。換言之，所收集的電流資料可與所收集的電壓進行匹配。圖3顯示關於RF脈衝串之間的單一時間區間的簡易電流對電壓圖。於資料點302，在提供RF充電之後關閉RF源102。
藉由將非線性擬合用於每一RF脈衝串期間所收集到的資料上，吾人可描繪電漿106的特性。換言之，吾人可判定用以描繪電漿106之特性的參數(例如離子飽和度、離子飽和斜率、電子溫度、浮動電壓電位等等)。雖然電漿106可用收集到的資料來進行特性描繪，但計算這些參數的過程係一種需要人工介入且令人厭煩的人工程序。在一範例中，當在每一RF脈衝串之後(即當提供RF充電然後關閉時)收集資料時，這些資料會被送到軟體分析程式內。此軟體分析程式可執行非線性擬合而判定用以描繪電漿特性的參數。藉由描繪電漿的特性，工程師便能夠判定如何調整處方以使基板的不標準處理降至最低。
不幸地，用以分析每一RF脈衝串之資料的習知方法需要數秒或多達數分鐘來加以完成。由於典型上若非有數百萬個、也有數千個RF脈衝串需進行分析，所以描繪關於一處方之電漿特性的總時間可能會花費數小時來進行計算。因此，習知方法在為了處理控制目的而提供及時(timely)相關資料方面上並非係有效的方法。
在一實施例中，本發明係關於一種在基板處理期間自動描繪電漿特性的方法。此方法包含收集一組處理資料，此組處理資料至少包含關於電流與電壓的資料。此方法亦包含辨識關於此組處理資料的關聯性範圍，其中此關聯性範圍包含此組處理資料的子集合。此方法更包含判定一組種子值。此方法又包含使用此關聯性範圍以及此組種子值以執行曲線擬合，其中此曲線擬合能自動描繪電漿的特性。
上述發明內容係關於在此所揭露之本發明的許多實施例的僅僅其中之一，並且不意指限制本發明之範圍，本發明之範圍被提及於在此的請求項中。本發明的這些與其他特徵將在以下結合隨附圖式的本發明詳細說明中被更詳細地描述。
以下將參考隨附圖式所示之數個實施例來詳述本發明。在以下說明中，提及許多具體細節以提供對本發明的整體瞭解。然而，熟習本項技藝者可明白在不具有其中某些或所有這些具體細節的情況下，仍可實施本發明。在其他情況下，為了不使本發明產生不必要的混淆，已不詳述熟知的處理步驟及/或結構。
以下說明各種實施例，其包含方法與技術。吾人應記住本發明亦可能涵蓋製品，包含於其上儲存有用以執行本發明技術之實施例之電腦可讀取指令的電腦可讀取媒體。此電腦可讀取媒體可例如包含：半導體、磁性、光-磁、光學、或其他形式之用以儲存電腦可讀取碼的電腦可讀取媒體。又，本發明亦可涵蓋用以實施本發明之實施例的設備。此種設備可包含專用及/或可程式的電路，其用以執行關於本發明之實施例的工作。此種設備的範例包含通用電腦及/或經過適當程式設計的專用計算裝置，並且可包含電腦/計算裝置與專用/可程式電路的組合，其可用在關於本發明之實施例的各種工作。
如上所述，PIF探針法可用以收集關於位在反應器腔室環境內之電漿的資料。從感測器(例如PIF探針)所收集到的資料可用以描繪出反應器腔室內之電漿的特性。此外，由於此感測器係利用如圖1所示的收集表面，所以亦可測定關於腔室表面的資料。在習知技藝中，由PSD探針所收集到的資料能提供可用於分析的現成資料來源。不幸地，可被收集的大量資料會使這些資料的及時分析變成一項挑戰。由於可能收集數千個或甚至數百萬個的資料點，所以辨識相關區間以準確描繪電漿之特性的工作可能令人怯步，尤其因為這些資料通常都是人工分析。因此，在對電漿處理系統提供及時電漿特性描繪時，所收集到的資料並非係有用的。
然而，假使從可被收集的數千/數百萬個資料點中辨識出描繪電漿特性所需的相關資料點時，便可明顯減少描繪電漿特性所需的時間。依照本發明之實施例，提供一種在相當短時間週期內自動描繪電漿特性的方法。在此所述之本發明的實施例可提供用以辨識關聯性範圍的演算法，以減少為描繪電漿特性而需被分析的資料點。如在此所述，關聯性範圍係指可在每一RF脈衝串(RF burst)之間被收集到之數千個或數百萬個資料點中的較小資料點組。本發明之實施例更可提供預估之種子值(seed value)，其可應用至一數學模型，該數學模型可計算用於描繪電漿特性的值。藉由對關聯性範圍執行曲線擬合(curve-fitting)，吾人可計算出用以描繪電漿之特性的參數。
吾人可參考圖式與以下說明而更加瞭解本發明之特性與優點。
圖4顯示依照本發明之一實施例的一簡易流程圖，其說明在基板處理期間自動描繪電漿特性的步驟。考慮在基板處理期間提供RF充電的情況。
於第一步驟402，收集電流與電壓資料。於一範例中，在開啟RF源之後提供RF充電(脈衝)。在關閉RF充電之後，使用電流感測器以及電壓感測器在探針處(例如平面離子通量探針(planar ion flux probe)，其可安裝在反應器腔室的腔壁)收集資料。如上所述，可被感測器所收集的資料點數量可能涉及數千個或數百萬個。在某些情況下，習知技藝中在每一RF脈衝串之間收集數千到數萬個資料點乃幾乎不可能做出接近-即時(near-realtime)的分析。
在習知技藝中，吾人會分配數小時來進行在半導體基板處理期間所收集之量測資料的分析。在本發明的一實施樣態中，本案發明人在此領悟到不必為了描繪電漿特性而分析位於每一RF脈衝串之間的量測資料。取而代之為，假使將曲線擬合用在資料組的關聯性範圍時，吾人能判定可用以描繪電漿特性的參數。
於下一個步驟404，判定關聯性範圍。如上所述，關聯性範圍係指已在每一RF脈衝串之間收集到之資料組的子集合。在習知技藝中，因為這些資料係採用人工分析，所以收集到的大量資料會使關聯性範圍的計算變成艱鉅的工作。在許多情況下，吾人可直觀地估計關聯性範圍。在辨識關聯性範圍時，吾人可從資料組的子集合實質上消除可能存在的雜訊。在一範例中，於複雜的基板處理期間，聚合物集結會發生在探針上，而導致所收集的一部分資料失真。舉例而言，可能會被影響的資料部分傾向於是在電容器一旦完全放電後所收集到的資料。在辨識關聯性範圍時，與聚合物集結相關的資料亦排除在分析之外。換言之，關聯性範圍的判定可使電漿特性描繪加以進行而不受到隨機出現的雜訊影響。例如，關於如何判定關聯性範圍的說明，稍後會在圖5的說明中提出。
於下一個步驟406，除了辨識關聯性範圍以外，亦可判定種子值。如在此所述，種子值係指斜率、電子溫度、離子飽和值、浮動電壓電位(floating voltage potential)等等的估計值。例如，關於如何估計種子值的說明，會在圖5的說明中提出。
關聯性範圍以及種子值可用以執行曲線擬合。由於曲線擬合必須在下一個RF脈衝串之前被執行，所以用以判定關聯性範圍及/或種子值的方法必須在最小負擔(minimum overhead)下產生接近最終配適值(final fit values)的數值，藉以減少為達到快速趨同所需的曲線擬合迭代次數。
以關聯性範圍以及種子值而言，於下一個步驟408，吾人可執行非線性擬合(例如曲線擬合)，藉以在較短的時間週期內描繪出電漿的特性，而不需昂貴的高級電腦。不像習知技藝，此方法容許來自衰減區間的結果，因欲進行特性描繪之單一RF脈衝串僅需於於約20毫秒內而非需要數分鐘或甚至數小時來進行處理。因有著此種接近-即時分析的能耐，此方法可用來作為自動控制系統的部分，以在電漿處理期間提供相關資料給工程師。
圖5顯示依照本發明之一實施例的簡易演算法，其用以判定關聯性範圍以及種子值。圖5將會以相關之圖6A、6B、6C、以及6D來進行討論。
於第一步驟502，對在每一RF脈衝串期間所收集到的資料進行繪圖。在一範例中，藉由電流感測器所收集的電流資料被繪製成電流對時間圖600，例如圖6A所示者。在另一範例中，所收集到的電壓資料可被繪製成電壓對時間圖650，如圖6B所示。雖然這些資料可產生相似於習知技藝的圖，但不像習知技藝，所收集到的這些資料會自動被送到分析程式內，而不需人工介入。或者，不必繪製所收集到的量測資料。取而代之為，這些資料可被直接送到分析程式內。取而代之為，這些圖式可被提供作為直觀範例，以說明此演算法。
不像習知技藝，整個資料組並非為了描繪電漿特性而分析。取而代之為，是為了判定關聯性範圍。為了判定關聯性範圍，於下一個步驟504中，吾人可首先判定百分率衰減點(percentage decay point)。如在此所述，百分率衰減點係指初始值衰減至此初始值之某百分率的資料點。在一實施例中，百分率衰減點可表示待分析之資料區間的末端，且關聯性範圍介於初始值與百分率衰減點之間。在一範例中，當關閉RF源時，電流值約為0.86mA/cm2 。此數值被表示成位在圖6A之圖600上的資料點602。假使百分率衰減點被設定成初始值的10%時，此百分率衰減點會位在資料點604，其約為0.086mA/cm2 。換言之，吾人可藉由將預先界定的百分率用在初始值上，而判定百分率衰減點，該初始值為在RF源被關閉而系統回到平衡狀態時的充電值。在一實施例中，吾人可憑經驗來判定此百分率。在一實施例中，吾人可計算出對每一RF脈衝串所收集到之資料的一階導數(first derivative)的峰值，而不利用百分率衰減點來判定資料區間的末端。
於下一個步驟506，此演算法可判定離子飽和區間，其為初始值與第二衰減點之間的資料子集合。如在此所述，離子飽和區間係指一電流-電壓(IV)曲線區域，其中該探針電位相對於浮動電位而充分為負，俾使通往探針之電子通量為可忽略。在此區域中，通往探針的電流會隨著漸增的負電位而緩慢地呈線性增加。此外，離子飽和區間為一偏壓，其相對於浮動電位而充分為負，俾使探針可收集系統中所有有效離子的區域。換言之，當偏壓上升到足夠高時，所收集到的電流會呈現「飽和」。又，如在此所述，「有效離子」係指撞擊在鞘邊界(sheath boundary)上的離子通量，當進一步增加偏壓時其可放大。
換言之，離子飽和區間係出自於圖6A之資料點602與606的區間。在一實施例中，吾人可藉由取得初始值(即資料點602)的百分率來判定第二衰減點。在一範例中，假使第二衰減點約為初 始值的95%時，則第二衰減點約為0.81mA/cm2 (即資料點606)。因此，離子飽和區間係從初始值(資料點602)到第二衰減點(資料點606)。吾人可注意到第二衰減點(例如資料點608)係介於初始值(資料點602)與百分率衰減點(資料點604)之間。與百分率衰減點相類似，在一實施例中，第二衰減點亦可基於預先界定的閾值。在一實施例中，吾人可憑經驗來判定此百分率。一旦判定離子飽和區間之後，於下一個步驟508，便可估計斜率以及離子飽和度(i0 )。如上所述，斜率以及離子飽和度(i0 )係四種種子值的其中兩種，這些種子值可用於數學模型(以下方程式2)，以判定描繪電漿之特性的參數。在一範例中，吾人可藉由執行線性迴歸來判定斜率。在另一實施例中，此演算法亦可藉由取得資料點602與606之間的資料值平均而判定離子飽和度(i0 )。
於下一個步驟510，此演算法可判定反曲點(inflection point)，其為一階導數改變正負符號的點。在一實施例中，吾人可藉由辨識百分率衰減點與第二衰減點間之電流值的一階導數最小值而計算出反曲點。為了說明，圖6C顯示電流信號660之百分率衰減點(664)與初始點(662)間之數值的一階導數。反曲點係一階導數(670)的最小資料點，其具有-0.012mA/cm2 的值以及226的指數值(如資料點666所示)。為判定反曲值，將指數值標繪於電流信號曲線660。在本範例中，當一階導數的指數值被標繪於電流信號660時，反曲值為0.4714mA/cm2 ，如資料點668所示。
在一實施例中，關聯性範圍被界定為位在初始值與反曲點之間的範圍。此外/或者，吾人可設定百分率衰減閾值(例如設在35%)，而不計算反曲點。在一範例中，使用35%的百分率衰減點，其可憑經驗來加以判定，關聯性範圍可落在圖6A之點602與604之間。
以所辨識的反曲點，於下一個步驟512，吾人可估計電子溫度。電子溫度可利用上述方程式1來估計。用以計算電子溫度的電流與電壓資料係位於過渡區間內，此過渡區間通常係指探針獲得較離子飽和電流小之電流的區間。在一實施例中，量測電流與電壓資料的時間係與反曲點一致。或者，亦可利用電流-電壓(I-V)曲線的反曲點。由於電子溫度為一在電流-電壓曲線上之反曲點所對應的時間，對一RF脈衝串收集之資料的一階導數(如在計算百分率衰減點時所判定)的比值，所以用以產生此算術所需的計算負擔(computational overhead)為最小。
於下一個步驟514，此演算法可判定浮動電壓電位。由於浮動電壓電位係根據所收集到的電壓資料而判定，所以吾人可不必先判定如在步驟504-512中所計算之數值便可判定浮動電壓電位。熟習本項技藝者可瞭解浮動電壓電位係指探針在外部電容器完全放電之後浮動的電位。典型上，浮動電壓電位可藉由觀看正好在下一個RF脈衝串之前產生的信號而加以判定。然而，由於聚合物集 結而導致失真的可能性，所以可能會收集到錯誤資料(即雜訊)；因此，吾人可藉由對接近收集週期末端所收集到的電壓值取其平均而計算出浮動電壓電位。在一實施例中，如圖6B所示，吾人可從資料點652(電壓首先達到其浮動電位的資料點)到資料點654(正好在下一個RF脈衝串之前的資料點)而計算出浮動電壓電位。在另一實施例中，浮動電壓電位可基於視窗656內的電壓值，此視窗係位於資料點652與654之間，如圖6B所示。在一實施例中，視窗656可為任何尺寸，只要此視窗開始於已衰減大於99%的前一個脈衝之前並且結束於下一個脈衝開始時即可。在一實施例中，吾人可從提供具有低標準偏差(錯誤)之平均值的視窗來判定浮動電壓電位。
吾人可從上述內容明白，用以判定關聯性範圍以及種子值的方法說明發生在電流、電壓及/或電流-電壓(I-V)曲線上的異常。在一範例中，聚合物集結會發生在RF脈衝串的末端。然而，藉由使用上述演算法，關聯性範圍以及種子值可不受處理期間的偶發異常生成物所影響。
一旦判定關聯性範圍並且計算出種子值之後，於下一個步驟516，電流值可相對於電壓值繪製出，並且使用曲線擬合以產生圖6D的圖680。在一範例中，例如李文柏格-馬夸特(Levenberg-Marquardt)演算法的非線性曲線擬合，可被用來執行曲線擬合。藉由產生曲線擬合圖並且將種子值用在數學模型，例如下列方程式2，吾人可判定用以描繪電漿特性的四種參數。
吾人可從本發明之一個以上實施例明白，本發明可提供一種用以在電漿處理期間描繪電漿特性的自動化方法。藉由判定關聯性範圍以及一組種子值，吾人可進行電漿特性描繪而不必處理通常在單一RF脈衝串之後所收集到之數千個或數百萬個的資料點。自動化方法可將習知令人厭煩的人工程序轉變成可被快速及有效執行的自動化工作。以自數分鐘(或甚至數小時)明顯縮短至數毫秒的資料分析，吾人可在電漿處理的期間就可執行電漿特性描繪而不需等到後生產程序。因此，相關資料可提供對現今電漿環境的深刻理解，藉以進行處方及/或工具的調整，並且使浪費降至最少。
雖然本發明已就數個較佳實施例來進行說明，但仍存在有落入本發明之範圍的修改、置換、等效替代。雖然在此提供各種範例，但其意指這些範例係例示而非限制本發明。
又，在此為了方便而提出本發明之標題與發明內容，其不應在此被使用來理解請求項的範圍。又，本發明之摘要係以極簡化的格式來撰寫且在此為方便而被提出，並因此不應被使用來理解或限制在請求項中所陳述的整體發明。假使在此使用「組(set)」一詞時，此種詞語係用以使其一般理解數學意義涵蓋零、1、或1以上。吾人亦應注意到存在有許多用以執行本發明之方法與設備的替代方式。因此其意指以下隨附的請求項可被理解為包含落入本發明之真實精神與範圍的所有此種修改、置換、以及等效替代。
100‧‧‧電漿系統
102‧‧‧RF源
104‧‧‧反應器腔室
106‧‧‧電漿
108‧‧‧外部電容器
110‧‧‧探針
112‧‧‧電流感測器
114‧‧‧電壓感測器
116‧‧‧非導電沉積層
在隨附圖式的圖形中，本發明係藉由範例方式而非限制方式來進行說明，並且在圖式中相似的參考符號係參照相似的元件，而其中：圖1顯示具有射頻(RF)源之一部分電漿系統的簡易示意圖，此射頻源被電容耦合至反應器腔室以產生電漿；圖2A顯示在RF充電之後電壓對時間的圖；圖2B顯示在RF充電之後所收集到之電流資料的圖；圖3顯示關於RF脈衝串之間的單一時間區間的簡易電流對電壓圖；圖4顯示依照本發明之一實施例的簡易流程圖，其說明在基板處理期間用以自動描繪電漿特性的整個步驟；圖5顯示依照本發明之一實施例的簡易演算法，其用以判定關聯性範圍以及種子值；圖6A顯示在RF脈衝串之後電流對時間的一範例；圖6B顯示在RF脈衝串之後電壓對時間的一範例；圖6C顯示反曲點的一範例；及圖6D顯示用在電流對電壓圖之曲線擬合的一範例。
402．．．收集電流與電壓資料
404．．．判定關聯性範圍
406．．．判定種子值
408．．．執行非線性擬合

Claims (9)

  1. 一種在電漿處理系統中處理基板期間自動描繪電漿特性的方法，包含下列步驟：在該電漿處理系統的電漿處理腔室中設置一探針；將一電容器的一端連接至該探針；將包括複數RF脈衝串的RF信號選擇性供應至該電容器的另一端；在處理基板期間，藉由量測供應至該電容器的該另一端之電流、以及在該電容器的該一端之電壓，以自該探針收集一組處理資料；辨識關於該組處理資料的一關聯性範圍，其中該關聯性範圍包含該組處理資料的一子集合，該組處理資料的該子集合係於該等RF脈衝串其中一者後該電容器開始放電之後、且於該等RF脈衝串其中該一者後該電容器完全放電之前進行收集；基於該關聯性範圍中的該處理資料來判定一組種子值；及使用該關聯性範圍以及該組種子值作為曲線擬合的初始值，該初始值對應至該等RF脈衝串其中該一者，以減少曲線擬合迭代的次數。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之在電漿處理系統中處理基板期間自動描繪電漿特性的方法，其中，辨識該關聯性範圍的該步驟包含下列至少其中之一：計算該組處理資料之一階導數的一峰值，以及判定一百分率衰減點，其中該百分率衰減點係代表低於一初始資料值的一位準，該初始資料值對應至該等RF脈衝串其中一者的末端，且其中該關聯性範圍係介於該初始資料值與該百分率衰減點之間。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之在電漿處理系統中處理基板期間 自動描繪電漿特性的方法，其中，辨識該關聯性範圍的該步驟更包含辨識一反曲點；該關聯性範圍係由介於該初始資料值與該反曲點之間的一範圍所表示；該反曲點為位在該百分率衰減點與一第二衰減點之間的電流值的一階導數；該第二衰減點係介於該初始資料值與該百分率衰減點之間。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之在電漿處理系統中處理基板期間自動描繪電漿特性的方法，其中該組種子值包含下列至少其中之一：斜率、電子溫度、離子飽和值、以及浮動電壓電位。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之在電漿處理系統中處理基板期間自動描繪電漿特性的方法，其中，判定該組種子值的該步驟包含判定一離子飽和區間，該離子飽和區間係關於從該初始資料值到該第二衰減點的一區間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之在電漿處理系統中處理基板期間自動描繪電漿特性的方法，其中該斜率係藉由執行該離子飽和區間的線性迴歸而判定。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之在電漿處理系統中處理基板期間自動描繪電漿特性的方法，其中該離子飽和值係藉由對該離子飽和區間內的資料值取其平均而判定。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之在電漿處理系統中處理基板期間自動描繪電漿特性的方法，其中該電子溫度係藉由取得在該反曲點所收集到之資料的一階導數而判定。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之在電漿處理系統中處理基板期間 自動描繪電漿特性的方法，其中該浮動電壓電位係藉由對自一初始浮動電壓電位點到位在一第二RF充電之前的一資料點所收集到之電壓資料取其平均而判定。
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