TWI471443B - 殼體之製作方法及由該方法製得之殼體 - Google Patents

Description

殼體之製作方法及由該方法製得之殼體

本發明涉及一種殼體的製作方法及由該方法製得的殼體。

隨著科技的不斷進步，手機及電腦等各式電子裝置也迅速發展，其功能亦愈來愈豐富。為了使電子裝置的外殼具有更加豐富的色彩，傳統上可利用彩色塑膠形成彩色塑膠外殼，或藉由噴漆方式在電子裝置的殼體表面形成色彩層。但，使用塑膠殼體不能呈現良好的金屬質感。

磁控濺射技術因其環保、製備的薄膜耐磨性好、產品外觀極具金屬質感等特點，因此在裝飾性鍍膜領域應用越來越廣。藉由磁控濺射雖然可以在塑膠殼體上獲得較佳的金屬質感的膜層，但膜層的顏色卻不如烤漆、陽極處理等成膜工藝的顏色豐富，嚴重限制了磁控濺射工藝在裝飾鍍膜領域的競爭力。

有鑒於此，有必要提供一種具有黃色及金屬質感的殼體的製作方法。

另外，還有必要提供一種由上述方法所製得的殼體。

一種殼體的製作方法，其包括如下步驟：提供透明的基體；

對基體的表面進行遮蔽，使用鈦靶，以氧氣和氮氣為反應氣體，氧氣流量為10~14sccm，氮氣流量為115~125sccm，採用磁控濺射方法對基體進行磁控濺射，濺射時間為75~95分鐘，以在基體的另一表面形成鈦氧氮膜層；在該鈦氧氮膜層上以磁控濺射方法形成鉻膜層，濺射時間為0.5小時，使在鈦氧氮膜層一側呈現的色度區域於CIE LAB表色系統的L*座標介於40至55，a*座標介於8至10，b*座標介於-24至-16。

一種由上述方法製得的殼體，包括透明的基體及形成於基體上的複合膜層，該複合膜層包括鈦氧氮膜層及鉻膜層，該鈦氧氮膜層直接形成於基體的表面上，該鉻膜層形成於該鈦氧氮膜層上，該複合膜層於該鈦氧氮膜層一側呈現的色度區域於CIE LAB表色系統的L*座標介於40至55，a*座標介於8至10，b*座標介於-24至-16。

本發明殼體的製作方法藉由於透明的基體的一表面磁控濺射一鈦氧氮膜層和一鉻膜層的複合膜層，並藉由控制濺射過程中反應氣體的流量以使所述複合膜層形成特定的微觀結構，而使所述殼體呈現出黃色並有金屬質感的外觀，提高了產品的外觀競爭力。

本發明一較佳實施方式的殼體10（如圖1所示）的製作方法包括如下步驟：

提供一透明的基體11，該基體11可以為透明玻璃或透明塑膠。該基體11包括一內表面112及一外表面114。

對基體11進行表面清洗，以除去基體11表面的雜質和油污等，清洗完畢後烘乾備用。所述清洗包括將基體11放入盛裝有乙醇及/或丙酮溶液的超聲波清洗器中進行震動清洗。

對基體11的外表面114進行遮蔽，以防止於內表面112形成複合膜層13時對外表面114造成污染。在本優選實施例使用高溫膠帶對外表面114進行遮蔽。

將基體11固定於一磁控濺射鍍膜機（圖未示）的轉架上，抽真空該鍍膜機的腔體至8×10^-3 Pa，並使該腔體的溫度保持在0℃左右，通入流量為400~450sccm（標準狀態毫升/分鐘）的高純氬氣（工作氣體），以氧氣和氮氣為反應氣體，氧氣流量為10~14sccm，氮氣流量為115~125sccm；開啟一鈦靶材的電源，設定功率為8~12kw，並設置轉架的公轉轉速為3轉每分鐘(revolution per minute， rpm)，對基體11的內表面112進行磁控濺射，以在該內表面112上形成一鈦氧氮膜層131。濺射形成該鈦氧氮膜層131的時間為75~95分鐘。

濺射所述鈦氧氮膜層131後，關閉鈦靶，停止通入氮氣及氧氣，然後開啟一鉻靶並調節鉻靶功率為8~10kw，繼續進行磁控濺射，以在該鈦氧氮膜層131上形成一鉻膜層133。濺射形成該鉻膜層133的時間為0.5小時。

所述鉻膜層133形成後，即製得所述複合膜層13。

磁控濺射完成後，撕掉高溫膠帶。

根據上述步驟製作的複合膜層13透過外表面114呈紫紅色，並具有較佳的金屬質感。如前所述，所述的複合膜層13於鈦氧氮膜層131一側呈現的色度座標(L*，a*，b*)為(40~55，8~10，-24~-16)。

由於複合膜層13形成於基體11的內表面112，使用時，可將外表面114作為外觀面，因而可以避免複合膜層13的刮傷或脫落。

所述殼體10的製作方法藉由於透明的基體11的內表面112磁控濺射一鈦氧氮膜層131與一鉻膜層133的複合膜層13，並藉由控製濺射過程中反應氣體的流量、濺射時間等，以使所述複合膜層13形成特定的微觀結構，而使所述殼體10呈現出紫紅色並有金屬質感的外觀。

請再一次參閱圖1，由上述方法所製得的殼體10包括一透明的基體11及形成於基體11上的複合膜層13。

基體11可以為透明玻璃或塑膠。基體11包括一內表面112及與該內表面112相對的外表面114，該外表面114為該殼體的外觀面，該複合膜層13形成於該內表面112上。

複合膜層13包括一鈦氧氮膜層131及一鉻膜層133。該鈦氧氮膜層131直接形成於基體11的內表面112。鉻膜層133形成於該鈦氧氮膜層131上。所述鉻膜層133的透光率較低，其可很好地阻止光線透過，給鈦氧氮膜層131起到襯底的作用，使該複合膜層13在鈦氧氮膜層131一側所呈現的色度區域於CIE LAB表色系統的L*座標介於40至55，a*座標介於8至10，b*座標介於-24至-16，呈現為紫紅色。

10．．．殼體

11．．．基體

112．．．內表面

114．．．外表面

13．．．複合膜層

131．．．鈦氧氮膜層

133．．．鉻膜層

圖1為本發明較佳實施例的殼體的剖視示意圖。

10．．．殼體

11．．．基體

112．．．內表面

114．．．外表面

13．．．複合膜層

131．．．鈦氧氮膜層

133．．．鉻膜層

Claims (6)

1. 一種殼體的製作方法，其包括如下步驟：
   提供透明的基體；
   對基體的表面進行遮蔽；
   使用鈦靶，以氧氣和氮氣為反應氣體，氧氣流量為10~14sccm，氮氣流量為115~125sccm，採用磁控濺射方法對基體進行磁控濺射，濺射時間為75~95分鐘，以在基體的另一表面形成鈦氧氮膜層；
   在該鈦氧氮膜層上以磁控濺射方法形成鉻膜層，濺射時間為0.5小時，使在鈦氧氮膜層一側呈現的色度區域於CIE LAB表色系統的L*座標介於40至55，a*座標介於8至10，b*座標介於-24至-16。
2. 如申請專利範圍第1項所述之殼體的製作方法，其中所述鈦氧氮膜層以氬氣為工作氣體，鍍膜腔體的溫度保持在0℃，、鈦靶的功率為8~12kw。
3. 如申請專利範圍第1項所述之殼體的製作方法，其中所述磁控濺射該鉻膜層以鉻靶為靶材，鉻靶功率為8~10kw。
4. 如申請專利範圍第1項所述之殼體的製作方法，其中所述基體為透明玻璃或塑膠。
5. 如申請專利範圍第1項所述之殼體的製作方法，其中所述對基體的表面遮蔽係採用高溫膠帶進行遮蔽。
6. 一種如申請專利範圍第1-5項中任一項所述之方法製得的殼體。