TWI464898B - 薄膜型太陽能電池及其製造方法 - Google Patents

Description

薄膜型太陽能電池及其製造方法

本發明係關於一種薄膜型太陽能電池，特別是關於一種具有複數個串聯的單元電池的薄膜型太陽能電池。

一具有半導體性能的太陽能電池可將一光能轉化為一電能。

以下將簡單描述習知技術之太陽能電池之結構及原理。

習知技術之太陽能電池在一PN接面結構中形成，此PN接面中一正極(P)型半導體與一負極(N)型半導體形成一接面。

當太陽光線入射於此PN接面結構之太陽能電池上時，由於太陽能之作用在半導體中產生電洞(＋)及電子(－)。透過在PN接面區域中產生的一電場，電洞(＋)朝向P型半導體漂移，並且電子(－)朝向N型半導體漂移，由此隨著電壓的產生而產生一電能。

太陽能電池基本上被分類為一晶片型太陽能電池及一薄膜型太陽能電池。

晶片型太陽能電池使用一半導體材料，例如矽(Si)製成之晶片。同時，薄膜型太陽能電池透過在一玻璃基板上形成一薄膜型半導體而製成。

在效能方面，晶片型太陽能電池相比較於薄膜型太陽能電池更好。然而，晶片型太陽能電池由於製造過程具有困難，因此難 以實現較小之厚度。此外，晶片型太陽能電池使用昂貴的半導體晶片，由此製造成本較高。

雖然薄膜型太陽能電池性能上相比較於晶片型太陽能電池較差，但是薄膜型太陽能電池具有可實現為薄外形及使用便宜材料之優點。因此，薄膜型太陽能電池適合於大量製造。

薄膜型太陽能電池透過一系列步驟製成：形成一前電極於一玻璃基板上，形成一半導體層於前電極上，以及形成一後電極於半導體層上。此種情況下，由於前電極對應於光線入射面，因此前電極係由一透明之導電材料，例如氧化鋅(ZnO)製造。使用較大尺寸之基板時，由於透明導電層之電阻因此可增加電能損失。

因此，開發出一種減少電能損失之方法，此方法中薄膜型太陽能電池被分割為複數個單元電池，並且這些單元電池彼此串聯。此種方法能夠最小化由透明導電材料之電阻產生的電能損失。

以下將結合「第1A圖」至「第1G圖」詳細描述習知技術之一薄膜型太陽能電池之製造方法，其中薄膜型太陽能電池具有複數個彼此串聯之單元電池。

首先，請參閱「第1A圖」，一前電極層12係形成於一基板10上，其中前電極層12係由一透明導電材料，例如氧化鋅(ZnO)製成。

請參閱「第1B圖」，前電極層12透過一雷射刻印法形成圖案，用以由此形成單元前電極12a、12b、以及12c。

請參閱「第1C圖」，一半導體層14形成於基板10之全部表面上。半導體層14係由一半導體材料，例如矽(Si)製成。半導體層14形成為一PIN結構，即，順次沉積一P型半導體層、一本質半導體層、以及一N型半導體層。

請參閱「第1D圖」，半導體層14透過一雷射刻印法形成圖案，用以由此形成單元半導體層14a、14b、以及14c。

請參閱「第1E圖」，一透明導電層16及一金屬層18順次形成於基板10之全部表面上，由此形成一後電極層20。透明導電層16由氧化鋅(ZnO)製成，並且金屬層18係由鋁(Al)製成。

請參閱「第1F圖」，單元後電極20a、20b、以及20c透過形成後電極層20之圖案形成。當形成後電極層20之圖案時，定位於後電極層20之下的單元半導體層14b及14c透過一雷射刻印法與後電極層20一起形成圖案。

請參閱「第1G圖」，透過形成最外層的單元後電極20a及20c、最外層的單元半導體層14a及14c、以及最外層的單元前電極12a及12c，隔離絕緣基板10之最外層部份。這是因為當薄膜型太陽能電池與外罩作為一模組相連接時可產生一短路。基板10之最外層部份之隔離能夠防止薄膜型太陽能電池與外罩之間的短路。

透過一雷射刻印法可形成基板10之最外層部份之圖案。基板10之最外層部份係由不同之材料層組成。因此，單元後電極20a及20c、以及單元半導體層14a及14c首先透過具有相對較短波長 之雷射刻印，並且然後單元前電極12a及12c透過具有相對較長波長之雷射刻印。

然而，習知技術之薄膜型太陽能電池之製造方法具有以下之缺點。

首先，習知技術之方法由於具有四個形成圖案之步驟而較複雜，這四個形成圖案之步驟包含：形成前電極層12之圖案之步驟(如「第1B圖」所示)，形成半導體層14之圖案之步驟(如「第1D圖」所示)，形成後電極層20之步驟(如「第1F圖」所示)，以及形成基板10之最外層部份之圖案之步驟(如「第1G圖」所示)。

其次，這四個形成圖案之步驟透過雷射刻印法執行。在雷射刻印之期間，保留於基板中之殘留物可污染基板。關於這一點，需要額外執行一清潔過程，以便防止污染該基板。然而，該額外之清潔過程可使得製程複雜且降低產量。

鑒於以上之問題，本發明之目的之一在於提供一種薄膜型太陽能電池及其製造方法，此種薄膜型太陽能電池之製造方法透過減少形成圖案之步驟具有一簡化之製程。

本發明之另一目的在於提供一種薄膜型太陽能電池之製造方法，在一形成圖案之步驟期間，本發明之製造方法透過減少雷射刻印製程之數目能夠減少基板污染的可能性，並且透過省去一清 潔過程能夠提高產量。

為了獲得本發明的這些目的和其他特徵，現對本發明作具體化和概括性的描述，本發明的一種薄膜型太陽能電池之製造方法包含以下步驟：執行一第一製程，係用以以預設之間隔在一基板上形成複數個單元前電極圖案；執行一第二製程，係用以形成一半導體層圖案於此基板上，其中半導體層圖案係由一分離部份及一接觸部份形成，其中分離部份用以將太陽能電池分割為複數個單元電池，並且接觸部份用以電連接這些電極圖案；以及執行一第三製程，係用以形成複數個單元後電極圖案，這些單元後電極圖案通過接觸部份分別與複數個單元前電極圖案相連接，並且單元後電極圖案透過分離部份彼此相分離。

同時，第一製程包含形成一第一隔離部份於最外層單元前電極圖案中，用以透過第一隔離部份隔離此基板之最外層部份。

第一製程包含形成一前電極層於基板上；以及形成前電極層之圖案。

第一製程包含透過一絲網印刷法、一噴墨印刷法、一凹版印刷法、或一微接觸印刷法形成這些前電極圖案。

第一製程還包含有一對前電極圖案之表面執行的紋理製程。

第二製程包含形成一半導體層於此基板之全部表面上；以及形成半導體層之圖案。

第二製程包含形成一半導體層及一透明導電層於基板之全部 表面上；以及形成此半導體層及透明導電層之圖案。

第二製程包含形成一第二隔離部份於最外層半導體層圖案中，用以透過第一隔離部份及第二隔離部份隔離基板之最外層部份，其中第二隔離部份與前電極圖案之第一隔離部份相對應。

第二製程包含形成一PIN結構之半導體層圖案，此PIN結構中順次沉積有一P型半導體層、一本質半導體層、以及一N型半導體層。

第三製程包含透過一絲網印刷法、一噴墨印刷法、一凹版印刷法、或一微接觸印刷法形成後電極圖案。

第三製程包含形成一第三隔離部份於最外層後電極圖案中，用以透過第一隔離部份、第二隔離部份、以及第三隔離部份隔離基板之最外層部份，其中第三隔離部份與前電極圖案之第一隔離部份相對應。

在本發明之另一方面中，一種薄膜型太陽能電池之製造方法包含以下步驟：形成一前電極層於一基板之全部表面上；透過形成前電極層之圖案，以預設之間隔形成複數個單元前電極圖案，其中最外層前電極圖案配設有一第一隔離部份；順次形成一半導體層及一透明導電層於基板之全部表面上；形成半導體層及透明導電層之圖案，以便形成一分離部份、一接觸部份、以及一第二隔離部份，其中分離部份用以將太陽能電池分割為複數個單元電池，接觸部份用以電連接這些電極圖案，並且第二隔離部份與前 電極圖案之第一隔離部份相對應；以及形成複數個單元後電極圖案，單元後電極圖案配設有一第三隔離部份，第三隔離部份係與前電極圖案之第一隔離部份相對應，並且單元後電極圖案通過接觸部份分別與單元前電極圖案相連接，並且單元後電極圖案透過分離部份彼此相分離。

同時，其中形成後單元電極圖案係透過一絲網印刷法、一噴墨印刷法、一凹版印刷法、或一微接觸印刷法執行。

在本發明之另一方面中，一種薄膜型太陽能電池包含有：複數個單元前電極圖案，係以預設之間隔形成於一基板上；一基板上之半導體層圖案，其中半導體層圖案配設有一分離部份及一接觸部份，其中分離部份用以將太陽能電池分割為複數個單元電池，並且接觸部份用以電連接這些電極圖案；一半導體層圖案上之透明導電層圖案，其中透明導電層圖案形成為與半導體層圖案具有同樣之圖案；以及複數個單元後電極圖案，單元後電極圖案通過接觸部份分別與單元前電極圖案相連接，並且單元後電極圖案透過分離部份彼此相分離。

同時，一第一隔離部份形成於最外層之單元前電極圖案中。

而且，此半導體層圖案包含有一第二隔離部份，第二隔離部份形成在一與前電極圖案之第一隔離部份相對應之部份，其中之第二隔離部份透過去除半導體層形成；並且後電極圖案包含有一第三隔離部份，第三隔離部份形成在一與前電極圖案之第一隔離 部份相對應之部份，其中第三隔離部份透過去除後電極形成。

這些單元前電極圖案具有不均勻之表面。

半導體圖案形成為一PIN結構，此PIN結構順次沉積有一P型半導體層、一本質半導體層、以及一N型半導體層。

以下，將結合圖式部份對本發明的較佳實施方式作詳細說明。其中在這些圖式部份中所使用的相同的參考標號代表相同或同類部件。

在下文中，將結合圖式部份描述本發明之一實施例之薄膜型太陽能電池及其製造方法。

「第2A圖」至「第2F圖」係為本發明之一實施例之薄膜型太陽能電池之製造方法之橫截面圖。

請參閱「第2A圖」，一前電極層120形成於一基板100上。基板100可由玻璃或透明塑料形成。前電極層120係由一種透明導電材料，例如氧化鋅(ZnO)、摻硼氧化鋅(ZnO)：B)、摻鋁氧化鋅(ZnO：Al)、二氧化錫(SnO2)、摻氟二氧化錫(SnO2：F)、或氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)，透過濺鍍或金屬有機化學氣相沉積(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)形成。

前電極層120對應於一太陽光線入射面。在這一點上，前電極層120以最少損失將太陽光線傳送至太陽能電池之內部是重要的。考慮到此方面，可對該前電極層120另外執行一之紋理形成 過程。

通過此紋理形成過程，透過使用光刻的蝕刻過程，使用一化學溶液的各向異性蝕刻過程，或一機械研磨過程，材料層之表面具有一不均勻之表面，即，一紋理結構。根據對前電極層120執行的紋理過程，因此可減少太陽能電池的前電極層120上的太陽光線的反射率且由於太陽光線的分散，可增加太陽能電池中的一太陽光吸收率，由此能夠提高太陽能電池之效率。

請參閱「第2B圖」，形成前電極層120之圖案。透過形成前電極層120之圖案，複數個單元前電極圖案120a、120b、以及120c以預設之間隔形成。而且，一第一隔離部份125形成於最外層單元前電極圖案120a及120c中。當全部薄膜型太陽能電池與預定的外罩作為一模組相連接時，第一隔離部份125防止外罩與該薄膜型太陽能電池之間產生短路。也就是說，基板100的最外層部份透過第一隔離部份125而絕緣。

前電極層120透過雷射刻印法形成圖案。

單元前電極圖案120a、120b、以及120c可透過向基板100之全部表面上形成的前電極層120執行一絲網印刷法、一噴墨印刷法、一凹版印刷法、或一微接觸印刷法而代替執行雷射刻印法直接形成。

在絲網印刷法之情況下，一材料通過使用絲網及擠壓被傳送至一預設主體。噴墨印刷法通過使用一噴墨將一材料噴塗於一預 設主體上，用以由此於該主體上形成一預設圖案。在凹版印刷法之情況下，一材料覆蓋於一凹版面板上，由此於預設主體上形成一預設之圖案。微接觸印刷法通過使用一預設模具，在一預設主體上形成一材料之預設圖案。

如果透過絲網印刷法、噴墨印刷法、凹版印刷法、或微接觸印刷法形成單元前電極圖案120a、120b、以及120c，相比較於雷射刻印法，則不需要更多擔心基板之污染。而且，在絲網印刷法、噴墨印刷法、凹版印刷法、或微接觸印刷法之情況下，不需要執行用以防止基板污染的清潔過程。

在基板100之全部表面上形成前電極層120之後，單元前電極圖案120a、120b、以及120c可透過光刻形成。

然後，請參閱「第2C圖」，一半導體層140形成於基板100之全部表面上。半導體層140形成於各個單元前電極圖案120a、120b、以及120c之間，第一隔離部份125之內部空間，以及單元前電極圖案120a、120b、以及120c之頂部空間的空間上。

半導體層140透過一電漿化學氣相沉積(CVD)法，可由一矽基(silicon－based)、銅銦硒基(CuInSe2－based)、或銻化鎘基(CdTe－based)的半導體材料形成。矽基半導體材料可由氫化非晶矽(a－Si：H)或氫化微晶矽(μc－Si：H)形成。

半導體層140可形成為一PIN結構，該PIN結構中順次沉積有一P型半導體層、一本質半導體層、以及一N型半導體層。同 時，電洞及電子透過太陽光線產生於半導體層140中，並且產生的電洞及電子分別收集於P型半導體層及N型半導體層中。為了提高電洞及電子的收集效率，該PIN結構相比較於由P型半導體層及N型半導體層組成的PN結構更佳。

如果半導體層140形成於PIN結構中，則透過P型半導體層及N型半導體層空乏出現於本質半導體層中。因此，一電場產生於該PIN結構中，由此透過太陽光線產生的電洞及電子透過電場漂移，結果，電洞及電子分別收集於P型半導體層及N型半導體層中。

當形成PIN結構之半導體層140時，較佳地，P型半導體層形成於單元前電極圖案120a、120b、以及120c上，並且然後本質半導體層及N型半導體層順次形成於P型半導體層之上。這是因為電洞的漂移移動率相比較於電子的漂移移動率較低。為了最大化入射光線的收集效率，P型半導體層相鄰於光線入射面形成。

請參閱「第2D圖」，一透明導電層160形成於半導體層140之上。

半導體層140係透過濺鍍或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)由透明導電材料，例如氧化鋅(ZnO)、摻硼氧化鋅(ZnO：B)、摻鋁氧化鋅(ZnO：Al)、或銀(Ag)形成。

可省去形成透明導電層160之過程。為了提高太陽能電池之效率，形成有透明導電層160較佳。也就是說，如果形成透明導 電層160，則太陽光線穿過半導體層140，並且然後穿過透明導電層160。此種情況下，穿過透明導電層160的太陽光線以不同之角度分散。結果，太陽光線在單元後電極圖案180a、180b、以及180c上反射(如「第2F圖」所示)，由此可提高太陽光線重新入射於半導體層140上。

請參閱「第2E圖」，半導體層140及透明導電層160同時形成圖案，由此形成一半導體層圖案140a及一透明導電層圖案160a。此時，透過形成半導體層140及透明導電層160之圖案可形成一分離部份170、一接觸部份172、以及一第二隔離部份174。

分離部份170將太陽能電池分割為複數個單元電池。接觸部份172分別將單元前電極圖案120b及120c與單元後電極圖案180a及180b電連接(如「第2F圖」所示)。第二隔離部份174對應於上述之第一隔離部份125。第二隔離部份174透過去除半導體層140及透明導電層160之最外層部份形成。因此，基板100之最外層部份透過第一及第二隔離部份125及174被隔離。

半導體層140及透明導電層160可透過雷射刻印法形成圖案，但是並不限制於此。半導體層140及透明導電層160可透過光刻形成圖案。

請參閱「第2F圖」，複數個單元後電極圖案180a、180b、以及180c使用其間的分離部份170形成。即，分離部份170形成於各個單元後電極圖案180a、180b、以及180c之間。

單元後電極圖案180a、180b、以及180c通過接觸部份172分別與單元前電極圖案120b及120c相連接。而且，一第三隔離部份175形成於最外層的單元後電極圖案180a及180c中。第三隔離部份175與上述之第一隔離部份125相對應，並且第三隔離部份175與第二隔離部份174配設於同一位置。因此，基板100之最外層部份透過第一隔離部份125、第二隔離部份174、以及第三隔離部份175被隔離。

薄膜型太陽能電池之最外層部份透過單元前電極圖案120a及120c之第一隔離部份125，半導體層140及透明導電層160之第二隔離部份174，以及單元後電極圖案180a及180c之第三隔離部份175被隔離。以使得可能防止在模組製程期間在外罩與薄膜型太陽能電池之間產生短路。特別地，由於當形成前電極層120、半導體層140、透明導電層160、以及單元後電極圖案180a、180b、以及180c時，形成第一隔離部份125、第二隔離部份174、以及第三隔離部份175，因此不需要額外之隔離薄膜型太陽能電池之最外層部份之過程。

單元後電極圖案180a、180b、以及180c可透過絲網印刷法、噴墨印刷法、凹版印刷法、或微接觸印刷法，由一金屬材料，例如銀(Ag)、鋁(Al)、銀鉬(Ag＋Mo)、銀鎳(Ag＋Ni)、或銀銅(Ag＋Cu)形成。

「第3圖」係為本發明一實施例之一薄膜型太陽能電池之橫 截面圖。

請參閱「第3圖」，本發明一實施例之薄膜型太陽能電池包含有一基板100；複數個單元前電極圖案120a、120b、以及120c；一半導體層圖案140a；一透明導電層圖案160a；以及複數個單元後電極圖案180a、180b、以及180c。

基板100可由玻璃或透明塑料製成。

複數個單元前電極圖案120a、120b、以及120c可由一種透明導電材料，例如氧化鋅(ZnO)、摻硼氧化鋅(ZnO：B)、摻鋁氧化鋅(ZnO：Al)、二氧化錫(SnO2)、摻氟二氧化錫(SnO2：F)、或氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)形成。

複數個單元前電極圖案120a、120b、以及120c以預設之間隔形成於基板100之上。而且，一第一隔離部份125形成於複數個單元前電極圖案120a、120b、以及120c之中之最外層的單元前電極圖案120a及120c中。

根據執行的一紋理過程，複數個單元前電極圖案120a、120b、以及120c之表面變得不均勻，由此複數個單元前電極圖案120a、120b、以及120c之表面上具有一紋理結構。

半導體層圖案140a可由一矽基(silicon－based)、銅銦硒基(CuInSe2－based)、或銻化鎘基(CdTe－based)半導體材料形成。而且，該半導體層圖案140a可形成為一PIN結構中，該PIN結構中順次沉積有一P型半導體層、一本質半導體層、以及一N型半 導體層。

半導體層140配設有一分離部份170，分離部份170用以將太陽能電池分割為複數個電池單元；以及一接觸部份172，接觸部份172用以電連接複數個電極。在半導體層圖案140a之最外層部份中具有一第二隔離部份174，第二隔離部份174對應於單元前電極圖案120a及120c之第一隔離部份125。

透明導電層圖案160a可由一透明導電材料，例如氧化鋅(ZnO)、摻硼氧化鋅(ZnO：B)、摻鋁氧化鋅(ZnO：Al)、或銀(Ag)形成。

透明導電層圖案160a形成於上述之半導體層圖案140a之上，其中透明導電層圖案160a及半導體層圖案140a形成為同樣之圖案。也就是說，透明導電層圖案160a配設有一分離部份170及一接觸部份172。在透明導電層圖案160a之最外層部份具有一第二隔離部份174。

複數個單元後電極圖案180a、180b、以及180c透過分離部份170彼此相分離。通過接觸部份172，單元後電極圖案180a及180b分別與單元前電極圖案120b及120c相連接，在單元後電極圖案180a及180c之最外層部份中，具有一與前電極之第一隔離部份125相對應之第三隔離部份175。第三隔離部份175與第二隔離部份174形成於同一位置。

本發明之一實施例之薄膜型太陽能電池可透過「第2A圖」至 「第2F圖」之方法之製造。

本領域之技術人員應當意識到在不脫離本發明所附之申請專利範圍所揭示之本發明之精神和範圍的情況下，所作之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍之內。關於本發明所界定之保護範圍請參照所附之申請專利範圍。

10、100‧‧‧基板

12、120‧‧‧前電極層

12a、12b、12c‧‧‧單元前電極

14、140‧‧‧半導體層

14a、14b、14c‧‧‧單元半導體層

16、160‧‧‧透明導電層

18‧‧‧金屬層

20‧‧‧後電極層

20a、20b、20c‧‧‧單元後電極

120a、120b、120c‧‧‧單元前電極圖案

125‧‧‧第一隔離部份

140a‧‧‧半導體層圖案

160a‧‧‧透明導電層圖案

170‧‧‧分離部份

172‧‧‧接觸部份

174‧‧‧第二隔離部份

175‧‧‧第三隔離部份

180a、180b、180c‧‧‧單元後電極圖案

第1A圖至第1G圖係為習知技術之一具有複數個串聯單元電池的薄膜型太陽能電池之製造方法之橫截面圖；第2A圖至第2F圖係為本發明之一實施例之薄膜型太陽能電池之製造方法之橫截面圖；以及第3圖係為本發明一實施例之一薄膜型太陽能電池之橫截面圖。

100‧‧‧基板

120a、120b、120c‧‧‧單元前電極圖案

125‧‧‧第一隔離部份

140a‧‧‧半導體層圖案

160a‧‧‧透明導電層圖案

170‧‧‧分離部份

174‧‧‧第二隔離部份

175‧‧‧第三隔離部份

180a、180b、180c‧‧‧單元後電極圖案

Claims (12)

1. 一種薄膜型太陽能電池之製造方法，係包含以下步驟：執行一第一製程，係用以以預設之間隔在一基板上形成複數個單元前電極圖案；執行一第二製程，係用以形成一半導體層圖案於該基板上，其中該半導體層圖案係由一分離部份及一接觸部份形成，其中該分離部份用以將該太陽能電池分割為複數個單元電池，並且該接觸部份用以電連接該等電極圖案；以及執行一第三製程，係用以形成複數個單元後電極圖案，該等單元後電極圖案通過該接觸部份分別與該等單元前電極圖案相連接，並且該等單元後電極圖案透過該分離部份彼此相分離，其中該第一製程包含形成一第一隔離部份於該最外層單元前電極圖案中，用以透過該第一隔離部份隔離該基板之該最外層部份，其中該第一隔離部份與該等單元前電極圖案係同時形成，其中該第二製程包含形成一第二隔離部份於該最外層半導體層圖案中，用以透過該第一隔離部份及該第二隔離部份隔離該基板之該最外層部份，其中該第二隔離部份與該前電極圖案之該第一隔離部份相對應，其中該第二隔離部份與該半導體層圖案係同時形成，其中該第三製程包含形成一第三隔離部份於該最外層後 電極圖案中，用以透過該第一隔離部份、該第二隔離部份、以及該第三隔離部份隔離該基板之該最外層部份，其中該第三隔離部份與該前電極圖案之該第一隔離部份相對應，其中該第三隔離部份與該等單元後電極圖案係同時形成。
2. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中該第一製程包含：形成一前電極層於該基板上；以及形成該前電極層之圖案。
3. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中該第一製程包含透過一絲網印刷法、一噴墨印刷法、一凹版印刷法、或一微接觸印刷法形成該等前電極圖案。
4. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中該第一製程另外包含有一對該等前電極圖案之表面執行的紋理製程。
5. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中該第二製程包含：形成一半導體層於該基板之全部表面上；以及形成該半導體層之圖案。
6. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中該第二製程包含：順次形成一半導體層及一透明導電層於該基板之全部表 面上；以及形成該半導體層及該透明導電層之圖案。
7. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中該第二製程包含形成一PIN結構之半導體層圖案，該PIN結構中順次沉積有一P型半導體層、一本質半導體層、以及一N型半導體層。
8. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中該第三製程包含透過一絲網印刷法、一噴墨印刷法、一凹版印刷法、或一微接觸印刷法形成該後電極圖案。
9. 一種薄膜型太陽能電池之製造方法，係包含以下步驟：形成一前電極層於一基板之全部表面上；透過形成該前電極層之圖案，以預設之間隔形成複數個單元前電極圖案，其中該最外層前電極圖案配設有一第一隔離部份，其中該第一隔離部份與該等單元前電極圖案係同時形成；順次形成一半導體層及一透明導電層於該基板之該全部表面上；形成該半導體層及該透明導電層之圖案，以便形成一分離部份、一接觸部份、以及一第二隔離部份，其中該分離部份用以將該太陽能電池分割為複數個單元電池，該接觸部份用以電連接該等電極圖案，並且該第二隔離部份與該前電極圖案之該第一隔離部份相對應，其中該第二隔離部份與被圖案化之該半 導體層係同時形成；以及形成複數個單元後電極圖案，該等單元後電極圖案配設有一第三隔離部份，該第三隔離部份係與該前電極圖案之該第一隔離部份相對應，並且該等單元後電極圖案通過該接觸部份分別與該等單元前電極圖案相連接，並且該等單元後電極圖案透過該分離部份彼此相分離，其中該第三隔離部份與該等單元後電極圖案係同時形成。
10. 如申請專利範圍第9項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中形成該後單元電極圖案係透過一絲網印刷法、一噴墨印刷法、一凹版印刷法、或一微接觸印刷法執行。
11. 一種薄膜型太陽能電池，係包含有：複數個單元前電極圖案，係以預設之間隔形成於一基板上；一該基板上之半導體層圖案，其中該半導體層圖案配設有一分離部份及一接觸部份，其中該分離部份用以將該太陽能電池分割為複數個單元電池，並且該接觸部份用以電連接該等電極圖案；一該半導體層圖案上之透明導電層圖案，其中該透明導電層圖案形成為與該半導體層圖案具有同樣之圖案；以及複數個單元後電極圖案，該等單元後電極圖案通過該接觸部份分別與該等單元前電極圖案相連接，並且該等單元後電極 圖案透過該分離部份彼此相分離，其中一第一隔離部份形成於該最外層之單元前電極圖案中，其中該第一隔離部份與該等單元前電極圖案係同時形成，其中該半導體層圖案包含有一第二隔離部份，該第二隔離部份形成在一與該前電極圖案之該第一隔離部份相對應之部份，其中之該第二隔離部份透過去除該半導體層形成；並且該後電極圖案包含有一第三隔離部份，該第三隔離部份形成在一與該前電極圖案之該第一隔離部份相對應之部份，其中該第三隔離部份透過去除該後電極形成，其中該第二隔離部份與該半導體層圖案係同時形成，其中該第三隔離部份與該等單元後電極圖案係同時形成。
12. 如申請專利範圍第11項所述之薄膜型太陽能電池，其中該半導體圖案形成為一PIN結構，該PIN結構順次沉積有一P型半導體層、一本質半導體層、以及一N型半導體層。