TWI462323B - 電致發光結構及具有電致發光結構之發光二極體（ｌｅｄ） - Google Patents

電致發光結構及具有電致發光結構之發光二極體（ｌｅｄ） Download PDF

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Description

電致發光結構及具有電致發光結構之發光二極體(LED)
本發明關於一種電致發光(EL)結構，特別是關於一種具有一電致發光結構之發光二極體(LED)。來自一LED之光線利用磷光轉換而部分轉換成一能量低於純LED的顏色，以致產生一混合色或一白色。該磷光轉換法具有的缺點是其無法調變該合成顏色，因為該磷光體具有一固定的發射特徵。
WO 97/48138揭露包括UV發光二極體與UV可激式可見光發光磷光體之可見光發光裝置。在這些LED中，一n＋型氮化鎵之外延緩衝接觸層係位於一單一結晶基板上，在該層上，該LED結構包括下列外延層，其順序配置如下：一n型氮化鎵鋁之下披覆層、一主動區域i之氮化鎵，及p型氮化鎵鋁之上披覆層。一p＋型之氮化鎵接觸層被提供於此LED結構之頂部上，而一例如金/鎳合金之半透光接觸層與一具有一UV可激發磷光體之磷光層位於例如鋁之接觸層金屬化層上之電壓電極被提供於該LED結構任何一側上之表面緩衝/接觸層上。另一層透過一接地電極而提供接地，同時又另一層充當一定址電極。WO 97/48138所提及之典型UV可激發磷光體可用於該LED：紅色：Y2 O2 S：銪綠色：硫化鋅：銅,銀,金藍色：BaMgAl1 0 O1 7 ：銪整體而言，WO97/48138之可見光發光裝置係可調變的，因為該實際發射之顏色係由紅、綠及藍色所組成。然而，為了達到此裝置之可調變性，整體而言，三個UV發光二極體各具備三個不同UV光之其中一可激發磷光體，且該特徵紅、綠及藍色必須分別被處理與控制。
所以，本發明之一目的係提供一種單一電致發光結構，此結構能用於一發射一可調色之LED。另一目的係提供一種利用混合三原色紅、綠及藍，且利用由該LED發射層所發射紫外光或藍光所形成之磷光轉換而取得白色或一可調色光線之方法。
該目的係由一基板層上之一電致發光結構所達成，其中一發射層與一電荷注入及/或傳送層配置在一背面電極，其中該電致發光結構之頂層包含二或多個分離段；該二或多個分離段之至少一者具有一上電極，作為將被個別驅動的前接點，及該二或多個分離段之至少一者具有一磷光摻合層於其表面上，該磷光摻合層可由該發射層所發射光線激發。
根據該較佳實施例，該電致發光結構包含三分離段。
此配置具有一單一背面電極，該電極供該二或多個上電極作為共用背面電極使用。該共用背面電極可連接至接地或配置成一浮動電極。此電致發光結構可配置在一單一晶片上。利用分別驅動該個別段或部的方式，該發射層的對應區域變成主動且發射光線，該光線利用磷光覆蓋範圍，其可轉換成為另一波長的光線。該波長依據該磷光覆蓋範圍所構成的材料而定。當一電流由一上電極流至該背面電極時，由該電流流過的發射層部分將發射光線，該光線係供此區域頂部上該磷光覆蓋範圍的轉換之用。僅有直接或間接介於該被驅動之上電極與該共用背面電極間的主動層發射光線。
該磷光摻合層可由一單一磷光體或一具有二成分之磷光摻合層所組成。
如一實施例，該發射層發射具有~430奈米至~485奈米波長的藍光，且該單一磷光體或二成分磷光摻合層係由下列群組中選出：
a)(Y1-x Gdx )3 (Al1-y Gay )5 O12 ：銫
b)(Sr1-x Cax )2 SiO4 ：銪
c)(Y1-x Gdx )3 (Al1-y Gay )5 O12 ：銫+(Sr1-x-y Cax Bay )2 Si5 N8 ：銪
d)(Y1-x Gdx )3 (Al1-y Gay )5 O12 ：銫+(Sr1-x Cax )S：銪
e)(Lu1-x Yx )3 (Al1-y Gay )5 O12 ：銫+(Sr1-x-y Cax Bay )2 Si5 N8 ：銪
f)(Lu1-x Yx )3 (Al1-y Gay )5 O12 ：銫+(Sr1-x Cax )S：銪
g)(Sr1-x Cax )Si2 N2 O2 ：銪+(Sr1-x-y Cax Bay )2 Si5 N8 ：銪
h)(Sr1-x Cax )Si2 N2 O2 ：銪+(Sr1-x Cax )S：銪
i)(Ba1-x Srx )SiO4 ：銪+(Sr1-x-y Cax Bay )2 Si5 N8 ：銪
j)(Ba1-x Srx )SiO4 ：銪+(Sr1-x Cax )S：銪
k)SrGa2 S4 ：銪+(Sr1-x Cax )S：銪
l)SrGa2 S4 ：銪+(Sr1-x-y Cax Bay )2 Si5 N8 ：銪
其中x＝0.0...1.0。
如另一實施例，該電致發光結構具有一發射層，其發射具有一~370奈米至~420奈米之紫外光，且該單一磷光體或二成分鄰光體摻合層係由下列組群中選出：m)BaMgAl1 0 O1 7 ：銪＋(Sr1 － z Caz )2 SiO4 ：銪n)BaMgAl1 0 O1 7 ：銪＋(Sr1 － z Caz )Si2 N2 O2 ：銪：Eu＋(Sr1 － z － y Caz Bay )2 Si5 N8 ：銪o)BaMgAl1 0 O1 7 ：銪＋(Sr1 － z Caz )Si2 N2 O2 ：銪＋(Sr1 － z Caz )S：銪p)BaMgAl1 0 O1 7 ：銪＋(Ba1 － z Srz )SiO4 ：銪＋(Sr1 － z － y Caz Bay )2 Si5 N8 ：銪q)Sr3 MgSi2 O8 ：銪＋SrGa2 S4 ：銪＋(Sr1 － z － y Caz Bay )2 Si5 N8 ：銪r)Sr3 MgSi2 O8 ：銪＋(Sr1 － z Caz )2 SiO4 ：銪s)Sr3 MgSi2 O8 ：銪＋(Sr1 － z Caz )Si2 N2 O2 ：銪＋(Sr1 － z － y Caz Bay )2 Si5 N8 ：銪t)Sr3 MgSi2 O8 ：銪＋(Sr1 － z Caz )Si2 N2 O2 ：銪＋(Sr1 － z Caz )S：銪u)Sr3 MgSi2 O8 ：銪＋(Ba1 － z Srz )SiO4 ：銪＋(Sr1 － z － y Caz Bay )2 Si5 N8 ：銪v)Sr3 MgSi2 O8 ：銪＋SrGa2 S4 ：銪＋(Sr1 － z － y Caz Bay )2 Si5 N8 ：銪其中z＝0.0...1.0。
該磷光摻合層可利用靜電沉積法直接或間接配置在該發射層頂部上。該不同磷光體的結構性施加能以一種配置該對應磷光摻合層之方式，偏壓該不同段的各段或不施加偏壓來實現。其他沉積方法可為靜電沉積法、陶瓷磷光晶粒用法、懸浮液噴墨法、磷光摻合層與黏著劑混合物或載體聚合物施配法。
該電致發光結構可為電致發光配置的一部分，其另外包含一供所有前接點或各單一前接點所用的電壓或電流源，及一供個別驅動該等前接點用的控制單元。該三成分綠、紅及藍能藉由個別驅動該等前接點加以混合。該混合光可具有紅、綠及藍的不同成分部分，因此可加以調變。為達成高度顏色施與，其他或另外例如像琥珀色的成分亦可被選擇。
一種具有該電致發光結構的發光二極體產生一可調變的可見光，但是這仍能輕易處理，因為僅有一背面電極須被接觸。
該電致發光結構之一優點在於其可配置於一單一晶片上，但是須具有界定的操作條件。
該電致發光結構可用作一光源或一燈具，且具有較低熱放射之優點。
關於利用混合該原色紅、綠及藍及利用該LED發射層所發射紫外光或藍光之磷光轉換，以取得白光或一可調色光的方法，該目的可由下列步驟達成：提供一種具有二或多段之結構表面的電致發光結構，其中一具有不同磷光之摻合層被配置在該二或多段之至少一者上，及個別驅動配置在該二或多段之至少之一上的該等前接點，以便調變該所產生可見光之該等成分部分，即該不同磷光之摻合層。
為達到一高度顏色施與，除三原色紅、綠及藍以外，其他例如像琥珀色的顏色可加以選擇。
圖1係一具有一發射紫外光之發射層1之概略電致發光結構的側視透視圖。該發射層1具備一背面電極2，在圖形中該電極配置在該發光層1的頂部上，但是也可配置在該發射層下方，當作另一層以供覆蓋至少由該三段磷光摻合層P1、P2、P3所覆蓋區域之用。各磷光摻合層P1、P2、P3連接至一對應之上電壓電極3、4或5。當一電壓被施加時，一電流將從該上電極3、4及5之至少一者流至該背面電極2，反之亦然，該電流流經之發射層區域將被致動。這意謂著該主動區域發射光線，在此範例中其係紫外光。
圖2係如圖1所說明之概略EL結構的側視透視圖，但差別在於該發射層6發射藍光。這意謂著該發光層表面的三段之一者不用一種會改變該波長的材料覆蓋，但可以任何透光或完全不透光的材料覆蓋。
圖3係一具有一發射紫外光之層1且包含三段S1、S2及S3於其上表面之概略LED的截面圖。如圖所示，該磷光摻合層P1、P2及P3配置在各段S1、S2及S3的上表面，但也可配置在該等側壁上。在此範例中，該背面電極2連接至一非絕緣層7。層7較佳將該發射層1所發射光線反射，以便增加達到且通過該磷光摻合層的光射線量。供該電致發光結構於其上之基板8可為一氮化鎵銦基板。
圖4係一參考圖3說明之概略LED截面圖，但差別在於該發射層6發射藍光。這意謂著該發射層表面的三段之一不用一種會改變該波長的材料覆蓋，但可以任何透光材料覆蓋。
總之，本發明關於一種具有連接至一背面電極之一單一紫外光或藍光發光層之電致發光結構。該上表面包含三個供三原色紅、綠及藍之分離段。另一單一磷光摻合層或一具有二成分之磷光摻合層被配置在該三段的至少二者。該三段之各段能由一對應之上電極個別驅動。如此，一單一晶片解決方法即被提供用於一具有可調變可見光之LED。
1、6．．．發射層
2．．．背面電極
3、4、5．．．上電壓電極
7．．．非絕緣層
8．．．基板
P1、P2、P3．．．磷光摻合層
S1、S2、S3．．．段
本發明係參考文後附圖詳細加以解釋，其中圖1係一具有一紫外光發射層之概略電致發光結構的側視透視圖；圖2係一具有一藍光發射層之概略電致發光結構的側視透視圖；圖3係一概略紫外光發光LED之截面圖；及圖4係一概略藍光發光LED之截面圖。
1．．．發射層
2．．．背面電極
3、4、5．．．上電壓電極
7．．．非絕緣層
8．．．基板
P1、P2、P3．．．磷光摻合層
S1、S2、S3．．．段

Claims (10)

  1. 一種可調色且位於一基板層(8)上之電致發光結構，具有至少一發射層(1,6)及至少兩個磷光摻合層(P1,P2,P3)，該等磷光摻合層可由該發射層所發射之光線激發，其中：- 一背面電極，其係配置在發射層(1,6)的頂部或連接至鄰接於發射層(1,6)之非絕緣層(7)；- 發射層之表面包含二或多個分離段(S1,S2,S3)；- 該二或多個分離段(S1,S2,S3)之每一者具有一上電極(3,4,5)且作為個別驅動之前接點；- 至少二或多個磷光摻合層(P1,P2,P3)配置在每段(S1,S2,S3)的上表面；及- 該二或多個分離段(S1,S2,S3)之至少一分離段(S1)具有不同於其他磷光摻合層(P2,P3)之磷光摻合層(P1)於具有上電極之表面上。
  2. 如請求項1之電致發光結構，其特徵在於該磷光摻合層由一單一磷光體或一二成分之磷光摻合層組成。
  3. 如請求項2之電致發光結構，其中一發射層發射藍光(~430奈米至~485奈米)，其特徵在於該單一磷光體或一二成分之磷光摻合層係由下列組群中選出：a)(Y1-x Gdx )3 (Al1-y Gay )5 O12 ：Ce b)(Sr1-x Cax )2 SiO4 ：Eu c)(Y1-x Gdx )3 (Al1-y Gay )5 O12 ：Ce+(Sr1-x-y Cax Bay )2 Si5 N8 ：Eu d)(Y1-x Gdx )3 (Al1-y Gay )5 O12 ：Ce+(Sr1-x Cax )S：Eu e)(Lu1-x Yx )3 (Al1-y Gay )5 O12 ：Ce+(Sr1-x-y Cax Bay )2 Si5 N8 ：Eu f)(Lu1-x Yx )3 (Al1-y Gay )5 O12 ：Ce+(Sr1-x Cax )S：Eu g)(Sr1-x Cax )Si2 N2 O2 ：Eu+(Sr1-x-y Cax Bay )2 Si5 N8 ：Eu h)(Sr1-x Cax )Si2 N2 O2 ：Eu+(Sr1-x Cax )S：Eu i)(Ba1-x Srx )SiO4 ：Eu+(Sr1-x-y Cax Bay )2 Si5 N8 ：Eu j)(Ba1-x Srx )SiO4 ：Eu+(Sr1-x Cax )S：Eu k)SrGa2 S4 ：Eu+(Sr1-x Cax )S：Eu l)SrGa2 S4 ：Eu+(Sr1-x-y Cax Bay )2 Si5 N8 ：Eu其中x=0.0...1.0。
  4. 如請求項2之電致發光結構，其具有一發射層發射紫外光(~370奈米至~420奈米)，其特徵在於該單一磷光體或一二成分之磷光摻合層係由下列組群中選出：m)BaMgAl10 O17 ：Eu+(Sr1-z Caz )2 SiO4 ：Eu n)BaMgAl10 O17 ：Eu+(Sr1-z Caz )Si2 N2 O2 ：Eu+(Sr1-z-y Caz Bay )2 Si5 N8 ：Eu o)BaMgAl10 O17 ：Eu+(Sr1-z Caz )Si2 N2 O2 ：Eu+(Sr1-z Caz )S：Eu p)BaMgAl10 O17 ：Eu+(Ba1-z Srz )SiO4 ：Eu+(Sr1-z-y Caz Bay )2 Si5 N8 ：Eu q)Sr3 MgSi2 O8 ：Eu+SrGa2 S4 ：Eu+(Sr1-z-y Caz Bay )2 Si5 N8 ：Eu r)Sr3 MgSi2 O8 ：Eu+(Sr1-z Caz )2 SiO4 ：Eu s)Sr3 MgSi2 O8 ：Eu+(Sr1-z Caz )Si2 N2 O2 ：Eu+(Sr1-z-y Caz Bay )2 Si5 N8 ：Eu t)Sr3 MgSi2 O8 ：Eu+(Sr1-z Caz )Si2 N2 O2 ：Eu+(Sr1-z Caz )S：Eu u)Sr3 MgSi2 O8 ：Eu+(Ba1-z Srz )SiO4 ：Eu+(Sr1-z-y Caz Bay )2 Si5 N8 ：Eu v)Sr3 MgSi2 O8 ：Eu+SrGa2 S4 ：Eu+(Sr1-z-y Caz Bay )2 Si5 N8 ：Eu其中z=0.0...1.0。
  5. 如請求項1至4中任何一項之電致發光結構，其特徵在於 該磷光摻合層利用靜電沉積法、陶瓷磷光晶粒用法、懸浮液噴墨法、磷光摻合層與黏著劑混合物或載體聚合物分散法配置。
  6. 如請求項1至4中任何一項之電致發光結構，其特徵在於其係配置於一單一晶片上。
  7. 一種電致發光配置，包含如請求項1至6中任何一項之電致發光結構、一供該所有前接點或各單一前接點所用之電壓或電流源，及一個別驅動該等前接點之控制單元。
  8. 一種發光二極體，其具有如請求項1至6中任何一項之電致發光結構。
  9. 一種如請求項1至6中任何一項之電致發光結構作為一光源或一燈具之用途。
  10. 一種自一發光二極體獲得白光之方法，其利用混合至少紅、綠及藍色及利用由該LED之發射層(1,6)所發射紫外光或藍光之磷光轉換，其特徵在於如下步驟：提供一具有結構性表面的發射層(1,6)，該結構性表面包含二或多段(S1,S2,S3)，至少二或多個磷光摻合層(P1,P2,P3)配置在每段(S1,S2,S3)的上表面，，其中不同於其他磷光摻合層(P2,P3)之磷光摻合層(P1)被配置於該二或多段(S1,S2,S3)之至少一分離段(S1)上，及將配置在該二或多段之至少一者上之該等前接點個別驅動，以便調變該所產生可見光線之該等成分部分。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006019409A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置並びにそれを用いた照明、ディスプレイ用バックライト及びディスプレイ
DE102006015117A1 (de) * 2006-03-31 2007-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Scheinwerfer, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Scheinwerfers und Lumineszenzdiodenchip
JP4464370B2 (ja) 2006-06-07 2010-05-19 株式会社日立製作所 照明装置及び表示装置
EP2153114B1 (en) 2007-05-24 2014-06-25 Koninklijke Philips N.V. Color-tunable illumination system
CN101680992B (zh) 2007-06-04 2016-10-19 皇家飞利浦电子股份有限公司 颜色可调的照明系统、灯和照明设备
DE102008022542A1 (de) * 2008-05-07 2009-11-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
CN102067338A (zh) * 2008-08-19 2011-05-18 晶能光电（江西）有限公司 用于产生任意颜色的半导体发光器件
KR101154758B1 (ko) * 2008-11-18 2012-06-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지
US8384114B2 (en) 2009-06-27 2013-02-26 Cooledge Lighting Inc. High efficiency LEDs and LED lamps
DE102009037186A1 (de) 2009-08-12 2011-02-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil
US8653539B2 (en) 2010-01-04 2014-02-18 Cooledge Lighting, Inc. Failure mitigation in arrays of light-emitting devices
US9480133B2 (en) 2010-01-04 2016-10-25 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting element repair in array-based lighting devices
KR101372084B1 (ko) 2010-06-29 2014-03-07 쿨레지 라이팅 인크. 항복형 기판을 갖는 전자 장치
DE102012208900A1 (de) * 2012-05-25 2013-11-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente und Vorrichtung zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente
US8877561B2 (en) 2012-06-07 2014-11-04 Cooledge Lighting Inc. Methods of fabricating wafer-level flip chip device packages
KR102083980B1 (ko) 2013-06-25 2020-03-04 삼성디스플레이 주식회사 영상 및 보안 패턴 출력용 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 패널
US10026864B2 (en) * 2016-02-13 2018-07-17 Black Peak LLC Package-less LED assembly and method
CN112117296B (zh) * 2020-10-22 2021-07-13 厦门强力巨彩光电科技有限公司 Led显示面板和led显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020074558A1 (en) * 2000-12-04 2002-06-20 Toshio Hata Nitride type compound semiconductor light emitting element

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2795932B2 (ja) * 1989-11-09 1998-09-10 出光興産株式会社 エレクトロルミネッセンス素子
JP2836186B2 (ja) * 1990-05-15 1998-12-14 ジェイエスアール株式会社 熱可塑性エラストマー組成物
JPH05299175A (ja) * 1992-04-24 1993-11-12 Fuji Xerox Co Ltd Ｅｌ発光素子
JPH08250281A (ja) * 1995-03-08 1996-09-27 Olympus Optical Co Ltd 発光素子及び表示装置
US6091195A (en) * 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
KR100477347B1 (ko) * 1997-03-26 2005-03-22 지구오 시아오 실리케이트계 장잔광성 발광물질 및 그 제조방법
JPH11195489A (ja) * 1997-12-26 1999-07-21 Kansai Shingijutsu Kenkyusho:Kk Ｅｌ−ｐｌ複合素子
JP4514841B2 (ja) * 1998-02-17 2010-07-28 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US6366018B1 (en) * 1998-10-21 2002-04-02 Sarnoff Corporation Apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6384529B2 (en) * 1998-11-18 2002-05-07 Eastman Kodak Company Full color active matrix organic electroluminescent display panel having an integrated shadow mask
US6373188B1 (en) * 1998-12-22 2002-04-16 Honeywell International Inc. Efficient solid-state light emitting device with excited phosphors for producing a visible light output
US6366025B1 (en) * 1999-02-26 2002-04-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display apparatus
WO2001024284A1 (en) * 1999-09-27 2001-04-05 Lumileds Lighting, U.S., Llc A light emitting diode device that produces white light by performing complete phosphor conversion
GB9924515D0 (en) * 1999-10-15 1999-12-15 Cambridge Display Tech Ltd Light-emitting devices
EP1104799A1 (en) * 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
US6357889B1 (en) * 1999-12-01 2002-03-19 General Electric Company Color tunable light source
JP2002324676A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Konica Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子、発光光源、照明装置、表示デバイスおよび発光方法
DE10129068A1 (de) * 2001-06-15 2002-12-19 Bosch Gmbh Robert Verfahren und Vorrichtung zum Steuern und/oder Regeln des Schlupfes einer Kupplung
JP4496684B2 (ja) * 2001-07-30 2010-07-07 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN100439469C (zh) * 2002-08-27 2008-12-03 富士胶片株式会社 有机金属配位化合物、有机el元件及有机el显示器
JP4263453B2 (ja) * 2002-09-25 2009-05-13 パナソニック株式会社 無機酸化物及びこれを用いた発光装置
US7515122B2 (en) * 2004-06-02 2009-04-07 Eastman Kodak Company Color display device with enhanced pixel pattern

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020074558A1 (en) * 2000-12-04 2002-06-20 Toshio Hata Nitride type compound semiconductor light emitting element

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