TWI456585B - 記憶體裝置及其負位元線信號產生裝置 - Google Patents
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- 一種負位元線信號產生裝置，包括：一電容，耦接於一負推動端點與一位元線間，該電容在耦接至位元線的端點上產生一負位元線信號；一放電通道，耦接在一參考電壓以及該負推動端點間，依據一電壓推動致能信號以導通或斷開；以及一電壓產生器，依據該電壓推動致能信號以決定是否提供一電壓至該負推動端點；其中，當該電壓產生器提供該電壓至該負推動端點時，該放電通道被斷開，該電容在耦接至位元線的端點上對應產生該負位元線信號。
- 如申請專利範圍第1項所述之負位元線信號產生裝置，其中該電壓產生器包括一能帶隙電壓產生電路。
- 如申請專利範圍第1項所述之負位元線信號產生裝置，其中該電壓產生器包括：一第一開關，其一端接收一操作電壓，其另一端提供一電流控制信號，該第一開關依據一啟動信號而導通或斷開；一充電電流源，耦接該第一開關，並依據該電流控制信號來調整所產生的一充電電流；一第二開關，其一端耦接該充電電流源以接收該充電電流，其另一端產生一端點電壓，受控於該啟動信號的反向信號而導通或斷開；一降壓元件，耦接該第二開關，接收並針對該端點電壓進行降壓以產生一回授電壓；以及一放電電流源，串接在該第一開關提供該電流控制信號的端點以及該參考電壓間，受控於該回授電壓以調整所產生的一放電電流，並進以調整該電流控制信號。
- 如申請專利範圍第3項所述之負位元線信號產生裝置，其中該第一開關為一第一電晶體，具有控制端、第一端以及第二端，其控制端接收該啟動信號，其第一端接至該操作電壓，其第二端產生該電流控制信號。
- 如申請專利範圍第3項所述之負位元線信號產生裝置，其中該充電電流源包括：一第二電晶體，具有控制端、第一端以及第二端，其控制端接收該電流控制信號的反向信號，其第一端接至該操作電壓，其第二端產生該充電電流。
- 如申請專利範圍第3項所述之負位元線信號產生裝置，其中該第二開關為一第三電晶體，具有控制端、第一端以及第二端，其控制端接收該啟動信號的反向信號，其第一端接至該充電電流源，其第二端產生該端點電壓。
- 如申請專利範圍第3項所述之負位元線信號產生裝置，其中該降壓元件包括：一第四電晶體，具有控制端、第一端以及第二端，其控制端接收該操作電壓，其第一端接收該端點電壓，其第二端產生該回授電壓。
- 如申請專利範圍第3項所述之負位元線信號產生裝置，其中該降壓元件包括：一二極體，其陰極產生該回授電壓，其陽極接收該端點電壓。
- 如申請專利範圍第3項所述之負位元線信號產生裝置，其中該放電電流源為一第五電晶體，具有控制端、第一端以及第二端，其控制端接收該回授電壓，其第一端耦接至該第一開關，其第二端耦接至該參考電壓。
- 如申請專利範圍第1項所述之負位元線信號產生裝置，其中更包括：一穩壓電容，串接在該位元線以及該參考電壓間。
- 如申請專利範圍第1項所述之負位元線信號產生裝置，其中更包括：一反向器，其輸入端接收該電壓推動致能信號；以及一穩壓電容，串接在該反向器的輸出端以及該位元線間。
- 一種負位元線信號產生裝置，包括：一第一電容，耦接於一負推動端點與一位元線間，該電容在耦接至該位元線的端點上產生該負位元線信號；一放電通道，耦接至該負推動端點，依據一電壓推動致能信號以決定是否提供一參考電壓至該負推動端點；一第二電容；一電壓產生器，耦接至該第二電容，依據一操作電壓生一輸出電壓，並依據該電壓推動致能信號以決定是否提供該輸出電壓對該第二電容進行充電；以及一開關，串接在該電壓產生器與該第二電容的耦接點與該位元線間，依據該電壓推動致能信號以導通或斷開該第二電容與該第一電容間的連接關係。
- 如申請專利範圍第12項所述之負位元線信號產生裝置，其中該電壓產生器包括：一第一電晶體，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端接收一操作電壓，其控制端接收該電壓推動致能信號；一傳輸閘，其一端耦接至該第一電晶體的第二端，依據該電壓推動致能信號以導通或斷開；以及一第三電容，耦接在該操作電壓以及該傳輸閘未耦接該第一電晶體的端點。
- 如申請專利範圍第13項所述之負位元線信號產生裝置，其中該第一電晶體與該傳輸閘的導通或斷開的狀態相同。
- 如申請專利範圍第12項所述之負位元線信號產生裝置，其中該放電通道包括：N個緩衝器，串接在該負推動端點以及該電壓推動致能信號間，該些緩衝器傳送該電壓推動致能信號的反向信號至該負推動端點，其中N為正整數。
- 如申請專利範圍第12項所述之負位元線信號產生裝置，其中該第二電容為一第二電晶體，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端與第二端共同耦接至該電壓產生器，其控制端接收該電壓推動致能信號的反向信號。
- 如申請專利範圍第12項所述之負位元線信號產生裝置，其中該開關包括：一第三電晶體，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接至該第二電容，其第二端耦接至該位元線，其控制端接收該電壓推動致能信號。
- 一種記憶體裝置，具有多數條位元線，包括：多數個負位元線信號產生裝置，該些負位元線信號產生裝置耦接至該些位元線，各該負位元線信號產生裝置包括：一電容，耦接於一負推動端點與各該位元線間，該電容在耦接至位元線的端點上該產生該負位元線信號；一放電通道，耦接在一參考電壓以及該負推動端點，依據一電壓推動致能信號以導通或斷開；一電壓產生器，依據該電壓推動致能信號以決定是否提供一電壓至該負推動端點；其中，當該電壓產生器提供該電壓至該負推動端點時，該放電通道被斷開，該電容在耦接至位元線的端點上對應產生該負位元線信號。
- 一種記憶體裝置，具有多數個位元線，包括：多數個負位元線信號產生裝置，該些負位元線信號產生裝置耦接至該些位元線，各該負位元線信號產生裝置包括：一第一電容，耦接於一負推動端點與各該位元線間，該電容在耦接至該位元線的端點上該產生該負位元線信號；一放電通道，耦接至該負推動端點，依據一電壓推動致能信號以決定是否提供一參考電壓至該負推動端點；一第二電容；一電壓產生器，耦接至該第二電容，依據該電壓推動致能信號以決定是否提供一電壓對該第二電容進行充電；一開關，串接在該電壓產生器與該第二電容的耦接點與該位元線間，依據該電壓推動致能信號以導通或斷開該第二電容與該第一電容間的連接關係。
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| TW100142910A TWI456585B (zh) | 2011-11-23 | 2011-11-23 | 記憶體裝置及其負位元線信號產生裝置 |
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| TW201322274A TW201322274A (zh) | 2013-06-01 |
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2011
- 2011-11-23 TW TW100142910A patent/TWI456585B/zh active
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