TWI455478B - 靈活的低電流多相震盪器 - Google Patents

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Description

靈活的低電流多相震盪器
本發明普遍涉及一種用於產生迴圈信號的電路，更確切地說，涉及一種帶有低電晶體數量的靈活振盪器，可以在很高的頻率下振盪，而且消耗的電流很低，可用於多相作業。
幾乎每種電學子系統中都存在某種形式的波形發生器，用於產生迴圈波形。這種波形產生器通常叫做振盪器。根據應用，振盪器可以用於定期間隔脈衝源或時鐘信號。對振盪器性能的評估，通常取決於它們的穩定性、準確性、頻率可調性、有源電路增益、啟動時間以及功率耗散等等。
一種叫做弛豫振盪器的振盪器是較低頻率的振盪器設計中最常用的裝置。第1A圖表示一個傳統的弛豫振盪器的電路示意圖。如第1A圖所示，弛豫振盪器100包括一個電容器C10、一個開關裝置SW10(例如場效應電晶體)、一個比較器102、一個電流源極I10以及一個單次計時器104。
參考電壓VRef連接到比較器102的一輸入端。電容器C10的第一端連接到比較器102的+輸入端。電容器C10的第二端接地。比較器102的輸出端電連接到單次計時器104的輸入端，計時器的輸出端電耦合到 開關裝置SW10的控制端。開關裝置SW10電連接在電容器C10的第一端和地之間，用於對頻率決定的電容器C10放電。如第1B圖中的電壓隨時間的關係圖所示，電容器上的電壓大致成鋸齒狀，在連續的鋸齒之間，有一個很短的平點101。
對於這些特殊的振盪器，頻率通常由比較器102的速度決定。當電流從源極I10流向電容器C10時，比較器102的(+)輸入端電壓最終達到參考電壓VRef，打開比較器102。這將觸發單次計時器104打開開關SW10，對電容器C10放電，將電壓重新設為0。單次計時器104保持開關SW10處於打開狀態，直到電容器C10完全放電為止，這時的輸出不再振盪。為了保證電容器C10完全放電，在連續的鋸齒之間，會有一段延遲時間101。
對於低頻時，比較器102中的延遲時間相對較短。但是如果開關發生在高頻時，對應每個鋸齒迴圈的延遲時間會變長。而且，例如在5MHz的高頻下，需要1mA之高的開關電流。為電容器C10充電的電流源極耦合到單次計時器104，會隨輸入電壓的增加而增加。例如，在5.0V時，電流源極I10可以傳輸5μA電流，但在2.5V時，它僅能傳輸1μA。從而，在5.0V時，電容器充電5次會比在2.5V時更快。因此，在5.0V時的平坦回應遠小於在2.5V時。在開關頻率為500KHz時的低頻時，單次計時器104從50ns變到70ns可能並不是問題，但在高頻振盪(例如3MHz以上)時，從50ns變到100ns就有很大影響。
由於單次計時器屬性隨電源電壓而變化，因此鋸齒波之間的平點也隨電源電壓變化，而且還隨溫度變化，這是我們所不需要的。因此， 弛豫振盪器僅適用於1MHz及以下的頻率。此外，這些振盪器並不十分適應多相系統。在一個傳統的多相系統中，每個相都需要自己特殊的振盪器和比較器。而且，傳統的比較器價格昂貴，振盪器消耗的電流也很大。高電流消耗在可擕式裝置等應用中並不受歡迎。
正是在上述背景下，我們才提出了本發明。
本發明的目的在於提供一種靈活的低電流多相振盪器，其克服原有技術的弛豫振盪器缺陷，可以在很高的頻率下振盪，而且消耗的電流很低，可用於多相作業。
為了達到上述目的，本發明的技術方案是提供一種振盪器裝置，其特徵在於，包括：一個具有一個參考電流源Iref和一個第一參考電晶體Tref的參考級；所述第一參考電晶體Tref的柵極耦合到一參考電壓Vref上，漏極耦合到參考電流源Iref上；以及含有一個第一和一個最後位相級的兩個或多個位相級，其中每個位相級包括：一個相電晶體，其漏極耦合到一第一電流源，柵極耦合到一節點，源極耦合到第一參考電晶體的源極上；一個第二電流源，其耦合到所述節點上；一個電容器，具有一個耦合到所述節點上的第一端和一個第二端；一個耦合在所述電容器的第一端和第二端之間的開關；以及一個邏輯塊，用於當所述節點處的電壓超過參考電壓Vref時，為後面的位相 級閂鎖開關和關閉開關。
所述每個邏輯塊還包括一個置位-復位閂鎖，以及一個耦合到置位-復位閂鎖的置位輸入端的單次計時器。
所述參考級還包括一個第二參考電晶體Tref’，用於提供負反饋，探測所需電流以及改變供給電流。
所述每個位相級中的開關都是一個場效應電晶體。
所述邏輯塊還包括一個置位-復位閂鎖，並且置位-復位閂鎖的輸出端耦合到所述的開關的柵極上。
所述開關、所述第一參考電晶體和所述相電晶體皆為n-通道MOS電晶體。
所述的開關的源極和第二參考電晶體的源極都接地。
所述開關、所述第一參考電晶體和所述相電晶體為p-通道MOS電晶體。
所述開關的源極和第二參考電晶體的源極都耦合到電壓Vcc上。
所述兩個或多個位相級僅含有第一位相級和最後位相級，因此該裝置為雙相振盪器。
所述兩個或多個位相級僅含有第一位相級、最後位相級以及一個中間位相級，所述的中間位相級在第一位相級的後面，最後位相級的前面，因此該裝置為三相振盪器。
所述兩個或多個位相級僅含有第一位相級、最後位相級、一個第一中間位相級以及一個第二中間位相級，所述的第一中間位相級在第 一位相級的後面，所述的第二中間位相級在該第一中間位相級的後面與最後位相級的前面，因此該裝置為四相振盪器。
所述參考級還包括一個耦合到第一參考電晶體Tref源極的電流控制器，其中電流控制器用於控制在一個負反饋模式中，從相電晶體和第一參考電晶體Tref流出的總電流。
所述電流控制器包括一個第二參考電晶體Tref’，其漏極耦合到第一參考電晶體的源極，柵極耦合到第一參考電晶體的漏極，如果第二參考電晶體Tref’為N-通道裝置的話，該第二參考電晶體的源極就接地，如果第二參考電晶體Tref’為P-通道裝置的話，該第二參考電晶體的源極就接一共同電壓。
所述電流控制器含有一個運算放大器。
所述邏輯塊包括一個輸入端耦合到該位相級之相電晶體的漏極的一反相器；以及一個輸出端耦合到開關柵極、置位元輸入端耦合到該反相器輸出端的置位-復位閂鎖。
所述第一位相級中反相器的輸出端耦合到下一個位相級中的置位-復位閂鎖的復位輸入端，其中最後位相級中的置位-復位閂鎖的復位輸入端耦合到前一個位相級中反相器的輸出端，其中最後位相級中的反相器的輸出端耦合到第一個位相級中的置位-復位閂鎖的復位輸入端。
一種多相振盪器，其特徵在於，包括：多個輸入級和一個參考級，每個輸入級都產生一個電壓，並代表振盪器的一個相，其中多個輸入級作為一個最大值選擇器，用於將每個輸入級產生的電壓與參考級的一個電壓作比較，並從中選取一個最大電壓，其中最大 值選擇器對該被選取的輸入級的選取會使該被選取的輸入級的輸出改變；一個耦合到參考級上的負反饋回路，用於探測振盪器所需電流，並為每個輸入級提供適當的供給電流。
所述的多相振盪器，還包括：一個邏輯單元，按照最大值選擇器選取的輸入級，關閉被選取的輸入級，並啟動下一個輸入級。
所述每個輸入級都含有一個電晶體，參考級含有一個參考電晶體，其中最大值選擇器將每個輸入級的電晶體柵極上的電壓，與參考電晶體柵極上的電壓作比較。
所述參考級還包括：與一第一參考電晶體串聯的一個固定電流源，其中該負反饋回路用於使該第一參考電晶體允許該固定電流源的穩定電流流經該第一參考電晶體。
依據本發明的實施例所述的振盪器可以用於任何轉換系統。基於低壓CMOS過程，預計這種振盪器可以從很低的頻率振盪到50MHz左右。過程越快，頻率振盪也越快。這種振盪器的另一優勢在於，在瞬變時，它們可以根據需要，改變偏壓電流。通過改變系統的複雜度，可以輕鬆改變相的數量。此外，相模中所使用的單次計時器和反相器只占晶片上很小的一部分面積。整個電壓範圍內傳播的頻率，僅從2.5V到5V一小部分。此外，由於不使用傳統的比較器，而且參考級可以根據需要改變電流，因此上述類型的振盪器消耗的電流很低。
100‧‧‧弛豫振盪器
101‧‧‧平點
I10‧‧‧電流源極
VRef、Vref‧‧‧參考電壓
C、C1、C2、C3、C4、C10‧‧‧電容器
102‧‧‧比較器
104‧‧‧單次計時器
200‧‧‧相振盪器
202、212、306、306’、408、510‧‧‧參考級
204‧‧‧位相級
SW、SW1、SW2‧‧‧開關
I1、I1’、I2、I2’、I3、I3’、I4、I4’‧‧‧電流源
J1、J2、J3、J4、J5、J6、J7、J8‧‧‧結
G、G1、Gref、Gref’、G2、G3、G4‧‧‧柵極
D1、Dref、Dref’、D4‧‧‧漏極
T1、T2、T3、T4‧‧‧電晶體
S、Sref、Sref’、S4‧‧‧源極
Iref‧‧‧參考電流源
Iref’‧‧‧第二電流源
Tref、Tref’‧‧‧參考電晶體
210‧‧‧可選振盪器
Is‧‧‧供給電流
300、310‧‧‧兩相振盪器
302、304‧‧‧兩級位相級
303、305‧‧‧邏輯塊
Vcc‧‧‧電壓
N1‧‧‧第一節點
INV1‧‧‧第一反相器
L1‧‧‧第一閂鎖
R‧‧‧復位
N2‧‧‧第二節點
L2‧‧‧第二閂鎖
OAref‧‧‧運算放大器
INV2‧‧‧第二反相器
Rref‧‧‧電阻
300’‧‧‧電路
400、500‧‧‧三相振盪器
402、404、406‧‧‧三位相級
N3‧‧‧第三節點
SW3‧‧‧第三開關
INV3‧‧‧第三反相器
502、504、506、508‧‧‧四位相級
L3‧‧‧第三閂鎖
N4‧‧‧第四節點
SW4‧‧‧第四開關
INV4‧‧‧第四反相器
OS4‧‧‧單次計時器
L4‧‧‧第四閂鎖
第1A圖為一種傳統的弛豫振盪器的電路圖。
第1B圖表示第1A圖所示電路的信號圖形。
第2A圖-第2B圖表示依據本發明的實施例，振盪器及其參考級的工作原理的電路圖。
第3A圖表示依據本發明的一個實施例，一種NMOS兩相振盪器的電路圖。
第3B圖表示依據本發明的一個實施例，一種PMOS兩相振盪器的電路圖。
第3C圖-第3D圖分別表示第3A-3B圖所示裝置類型的電路中N1和N2節點處的信號圖形。
第3E圖表示N1和N2節點組合的信號圖形。
第3F圖表示一種帶有可選參考級的NMOS兩相振盪器的電路圖。
第4A圖表示依據本發明的一個實施例，一種三相振盪器的電路圖。
第4B圖-第4D圖表示振盪頻率為50MHz時，第4A圖的N1、N2和N3節點處的信號圖形。
第4E圖表示振盪頻率高於50MHz時，第4A圖的N1、N2和N3節點處的信號圖形。
第5A圖表示依據本發明的一個實施例，一種四相振盪器的電路圖。
第5B-第5E圖表示振盪頻率高於50MHz時，第5A圖的N1、N2、N3和N4節點處的信號圖形。
第5F圖表示振盪頻率高於50MHz時，第5A圖的N1、N2、N3和N4節點處的信號圖形。
本發明的實施例適用於克服了原有技術的弛豫振盪器缺陷的新振盪器。按照本發明的實施例設計的振盪器，無需使用傳統的比較器。此振盪器通常由一個或多個差分輸入級構成，輸入級可能和少數有源裝置所需的相數一樣多。每個差分級作為一個最大值選擇器級。此處所提及的“最大值選擇器”是指，一種具有多輸入級(在此有時也稱為“位相級”)的電路，該電路可選擇不同輸入級電壓中的最大電壓。通過最大值選擇器選擇一個特定的輸入級，引起所選的輸入級的輸出變化。供給特定輸入級的電流可能會隨振盪器的需要而改變。例如，耦合到參考級上的負反饋回路可用於探測振盪器所需電流，並為每個輸入級提供供給電流，以達到所探測到的電流的需要。
依據本發明的一個實施例，一種振盪器儀器通常包括一個參考級以及含有一個第一位相級和一個最後位相級的兩個或多個位相級。參考級具有一個參考電流源，以及一個第一參考電晶體，並且其柵極耦合到一電壓基準上，漏極耦合到參考電流源上。每個位相級可包括電晶體、第一和第二電流源、電容器、開關以及邏輯塊，這僅作為示例，並不作為局限。電晶體的漏極耦合到第一電流源上，柵極耦合到一節點上，源極耦合到參考級中的參考電晶體的源極上。電容器第一端耦合到節點上，第二端耦合接地。開關耦合在電容器的第一端和第二端之間。第二電流源耦合到節點上。
一般來說，特定位相級的邏輯塊用於閂鎖該位相級的開關，並重定下一個位相級的開關。換言之，當最大值選擇器選擇了一個位相級時，邏輯塊會使所選的位相級停擺，並觸發下一個位相級(相對於振盪器 的下一個相)。每個位相級的邏輯塊可以通過很多不同的方法製備。一個邏輯塊的示例含有一反相器和一置位-復位閂鎖。特定位相級的反相器輸入端耦合到該位相級電晶體的漏極上。特定位相級的反相器輸出端耦合到該位相級閂鎖置位的輸入端上。特定位相級閂鎖的輸出端耦合到該位相級的開關上。特定位相級反相器的輸出端也耦合到隨後的位相級的置位-復位閂鎖的復位輸入端。最後位相級的反相器的輸出端耦合到第一位相級的置位-復位閂鎖的復位輸入端上。
第2A圖表示相振盪器200的輸入級(或位相級)的電路圖。如第2A圖所示，振盪器200包括一個參考級202和一個位相級204。參考級202包括一個參考場效應電晶體Tref，其漏極Dref電耦合到第一參考電流源Iref上，柵極Gref電連接到參考電壓Vref上，源極Sref耦合到第二參考電流源Iref’的輸入端，第二參考電流源Iref’可提供的電流，高達第一參考電流源Iref所提供的電流的兩倍。例如，參考電晶體Tref可以是金屬氧化物半導體(MOS)裝置。例如，第一參考電流源Iref可提供1μA左右的電流，第二參考電流源Iref’可提供2μA左右的電流，參考電壓Vref可提供1.2V左右的電壓。
位相級204也包括一個具有源極S1、柵極G1和漏極D1的電晶體T1。源極S1在第一結J1處，連接到參考電晶體Tref的源極Sref上。柵極G1耦合到第二結J2上，漏極D1連接到電流源I1的輸出端，它所提供的電流與第一參考電流源Iref的電流大致相等。振盪器200還包括一個電容器C，其第一端連接到結J2上，第二端接地。振盪器200還含有一個開關SW，當開關SW的控制電極收到輸入觸發信號時，開關SW允許電流在第 二結J2和地之間流動，為電容器C放電。電流源Iref、I1以及第三電流源I1’的輸入端耦合到第三結J3上。第三電流源I1’的輸出端耦合到結J2上。
振盪器200的工作進程如下：首先假設，觸發信號開啟開關SW，由於柵極G1耦合接地，所以電晶體T1關閉。由於參考電晶體Tref的柵極Gref上所加的是參考電壓Vref，所以電晶體Tref開啟。從第二參考源極Iref’流出的較大的電流拉低了參考電晶體Tref的漏極Dref的電壓，但是從源極流出的較小的電流I1卻拉升了電晶體T1的漏極D1的電壓。
開關SW關閉後，第三電流源I1’中的電流為電容器C充電，當電晶體T1的柵極G1高於參考電壓Vref時，緩慢開啟電晶體T1，同時關閉參考電晶體Tref。電流源Iref’拉低了電晶體T1漏極D1處的電壓，拉升了第一結J1以及參考電晶體Tref的漏極Dref處的電壓。直到開關SW再次開啟時，這種情況才會停止。可以從電晶體T1和Tref的漏極D1和Dref處的電壓獲得數位輸出信號。綜上所述，為了使振盪器在較高頻率下工作，第二電流源Iref’的電流應該相對較高。
可以選擇不使用恒定電流Iref’，電流控制可以通過基於第一參考源極Iref和參考電晶體Tref(也被稱為第一參考電晶體)之間電壓的負反饋，從而控制從電晶體T1到結J1的電流。例如，第2B圖為一種可選振盪器210的電路圖，它是第2A圖所示的振盪器200的一種變形。除了上述第2A圖所示的裝置之外，振盪器210的參考級212含有以第二參考電晶體Tref’(例如MOS電晶體)的形式控制電流，漏極Dref’耦合到第一結J1上，柵極Gref’耦合到第一參考電晶體Tref的漏極Dref上，源極Sref’接地。注意本例如第2B圖所示，參考電晶體Tref’為N-型(或n-通道)裝置。也 可選擇，參考電晶體Tref’為P-型(或p-通道)裝置，在這種情況下，源極Sref’可以耦合到共用電壓Vcc上。第一參考電流源Iref作為一個固定參考電流源。如果J1結處的電壓升高(例如當T1開啟時)，第一參考參考電晶體Tref的漏極Dref和第二參考電晶體Tref’的柵極Gref’被拉高，這將使第二參考電晶體Tref’開啟更大，從而提高了供給電流Is，並拉低了結J1。如果沒有負反饋，結J1處電壓增長，會使第一參考電晶體Tref因其柵極-至-源極電壓(即Vref減去結J1處的電壓)減小而關閉。反之，如果結J1處的電壓降低，會拉低電晶體Tref’的柵極Gref’，從而使結J1恢復上升。如果第二參考電晶體Tref’不能提供足夠的電流，它就會提升電晶體Tref漏極Dref和結J1處的電壓，使第二參考電晶體Tref’開啟更大，直到可以提供足夠的供給電流Is為止。因此，在這種情況下，第一參考電晶體Tref一直開啟，並使Iref提供的電流無論從電晶體T1的哪個輸入端都能通過。正是由於Iref、Tref和Tref’第2B圖所示的電路中才有一個負反饋。由於此負反饋，電路210的供給電流Is會通過改變，適應系統對電流的要求。
第二參考電晶體Tref’作為一個可變電阻器，控制參考電流源Iref的電流，按照負反饋的方式，對穿過結J1的電流變化做出回應。此外，另一種可用於提供負反饋回路的裝置，如運算放大器或可變電阻器，也可作為電流控制，用於調節供給電流Is，以回應結J1處電壓的變化，對穿過結J1的電流提供所需的負反饋控制。
依據本發明的一個實施例，第2A圖和第2B圖所示的兩個或多個類型的位相級，都可以與第2B圖所示的參考試塊結合起來，作為一個多相振盪器。第3A圖表示依據本發明的一個實施例，一種兩相振盪器 300的電路圖，這僅作為示例，並不作為局限。如第3A圖所示，振盪器300包括兩級位相級302、304以及一個參考級306。參考級306類似於上述第2B圖所示的振盪器210的參考級212作為示例，第一位相級302含有一個n-型MOS電晶體T1，其漏極D1耦合到電流源I1上，可通過結J1提供大約1μA的電流，柵極G1耦合到第一節點N1上，源極S1耦合到參考級306的結J7上。第一位相級302也含有一個電容器C1，其第一端I1’通過第一節點N1耦合到第二電流源上，第二端接地。開關SW1可以是一個n-型MOS電晶體，與源極接地的電容器C1並聯，柵極耦合到閂鎖L1的輸出端上。第一位相級302還包括一個含有反相器INV1的邏輯塊303，其輸入端在結J1處耦合到電晶體T1上，輸出端耦合到閂鎖L1的輸入端上。單次計數器OS1可以選擇耦合在反相器INV1和閂鎖L1之間。在這種情況下，反相器INV1的輸出端可以看做是間接地耦合到閂鎖L1上。此處的邏輯塊僅作為示例，可用類似的功能電路模組代替。
第二位相級304具有與第一位相級302類似的裝置。第二位相級304包括一個n-通道MOS電晶體T2，其漏極D2通過結J2耦合到大約1μA的電流源I2上，柵極G2通過第二節點N2耦合到第二電流源I2’上，源極S2耦合到結J7上。第二位相級304還包括一個電容器C2，其電容量與電容器C1相等。電容器C2的第一端耦合到第二節點N2上，第二端接地。開關SW2可以是一個n-通道MOS電晶體，耦合到電容器C2上，並包括一個接地的源極和一個耦合到閂鎖L2的輸出端的柵極。第二位相級304還包括含有反相器INV2的邏輯塊305，輸入端在結J2處耦合到電晶體T2上，輸出端耦合到閂鎖L2的輸入端。單次計時器OS2可以選擇耦合在反相器INV2 和閂鎖L2之間。如果需要，單次計時器OS1、OS2可以提供數位輸出信號。
參考級306可以在類似於上述第2B圖中所示的參考級212那樣的方式下工作。參考級306在有或沒有電流的回饋控制時都能工作。如第3A圖所示，第二參考電晶體Tref’從電晶體T1、T2和Tref中通過結J7，提供電流的負反饋控制。
如第3A圖所示，單次計時器OS1的輸出端S連接到閉鎖L1的置位輸入端以及閉鎖L2的復位輸入端R。同樣地，單次計時器OS2的輸出端也連接到閉鎖L2的置位輸入端S以及閉鎖L1的復位輸入端R。注意，如果沒有使用單次計時器，反相器INV1和INV2的輸出端將直接連接到閉鎖上。
電路300用作最大值選擇器，選擇位相級302、304輸出電壓的最大值。在第3A圖所示的示例中，系統中有三個電壓，即Vref以及節點N1、N2處的電壓(分別寫為Vn1和Vn2)。如第3A圖所示的結構，總會選擇電壓Vn1、Vn2和Vref中的最大值。例如，如果開始時Vref為1.2V，N1和N2為0V。一旦Vn1或Vn2超過Vref時，此結構就會發現並選取最大值。例如，如果Vn2超過了Vref，那麼就會選擇位相級304，並開啟電晶體T2。由於位相級306中的負反饋，參考電晶體Tref仍然保持開啟，下文還將詳細說明。隨著電晶體T2開啟，J1處的電壓被拉低，從而觸發邏輯單元305。
供給電流Is並不是固定的，而是隨系統需要變化的。在第3A圖中，Tref和Tref’用於提供負反饋，為設計的結構提供所需電流。負反饋不僅保證Tref永遠允許參考電流源Iref的值通過，而且根據系統中其他裝置的電流需要進行調節。例如，當選擇位相級304時，第二參考電晶體Tref’ 允許供給電流Is通過Iref加上I2的量。但是，當任一電晶體T1或T2開啟時，必須在這些電晶體開啟之前就先將寄生電容充電。因此，可用電流越多，這些電容的充電速度越快，電晶體開啟得也越快。在這種瞬變時，由於Tref’上的負反饋，供給電流Is將增大。負反饋探測到系統需要電流，就會提供相應的供給電流Is。因此負反饋使振盪器電路效率更高、功能更強，而且速度更快。無論使用了多少個位相級，無論需要多少瞬變電流，負反饋總會確保提供充足的供給電流Is。
第3B圖表示一種可選的兩相振盪器310的電路圖，除了電晶體T1、T2、Tref和Tref'以及開關SW1和SW2為p-通道MOS電晶體之外，其他的元件與振盪器300相同。在本實施例中，電容器C1和C2的第二端、開關SW1和SW2的源極以及第二參考電晶體Tref’的源極並不接地，而是耦合到電壓Vcc上。換言之，與第3A圖中的電路300相比，電路310中Vcc的位置和接地端的位置互換，電流源I1、I1’、I2、I2’和Iref的位置也互換。對於兩相振盪器310而言，每個位元相級的邏輯部分中，反相器位於閂鎖和開關之間，而不是在單次計時器和結(例如J1)之間。
振盪器300和310的振盪速度由電流源I1’、I2’提供的電流量，以及電容器C1、C2的容量來控制。振盪器300和310可用於雙相位變換器。
振盪器300、310可以按以下進程工作：首先開關SW1關閉，開關SW2通過閂鎖L2鎖上。因此電晶體T2關閉。最初，節點N1處的電壓很低，電晶體T1依然關閉。源極的電流I1’為電容器C1充電，從0V充到參考電壓Vref(例如1.2V)。電容器C1充電完畢，達到Vref後，最大值選擇 器會選擇該位相級，電晶體T1開啟。源極的電流I1在J7處提升電壓，使得負反饋回路更大程度地打開第二參考電晶體Tref’，以便補償額外的電流。隨著流經Tref’的電流超過電流源I1提供的電流，電晶體T1漏極D1處的電壓降低，使反相器INV1的輸入也隨之降低。因此反相器INV1的輸出很高，並置位閂鎖L1，復位閂鎖L2，從而開啟開關SW1，關閉開關SW2。
同樣地，當開關SW2關閉(並且開關SW1閂鎖)時，電流源I2’將電容器C2從0V充電到Vref(例如1.2V)。一旦電容器C2的電壓達到Vref，電晶體T2就會開啟。參考電晶體Tref’比源極I1提供的電流多，因此拉低了電晶體T2的漏極D2。INV2的輸入降低，INV2的輸出升高，從而置位閂鎖L2，開啟開關SW2，並重定閂鎖L1。因此，閂鎖L1的輸出降低，開關SW1關閉。
綜上所述，當節點N2處的電壓開啟電晶體T2時，N1處的電壓關閉電晶體T1，反之亦然。因此，振盪器300或310可以在兩種不同相下產生振盪信號。第3C圖-第3D圖表示在第3A圖-圖中所示的電路在33.3MHz工作時，節點N1和N2處的類比信號圖形。如圖所示，鋸齒波形相隔180度。第3E圖表示第3C圖-第3D圖的兩種鋸齒波形混合在一起。注意，由於有兩個輸入級，只要一個輸入級的電容器一開始放電，另一個輸入級的電容器就會開始充電。因此，沒有必要等到電容器完全放電，才開始下一迴圈，第1B圖所示的延遲時間101可忽略。可以選用本發明中的單次計時器，但它僅能提供數位信號。它們不會干預時序電路。
也可選擇用第2A圖所示的電流源Iref’代替第二參考電晶體Tref’，但該實施例不會有負反饋。在另一個可選實施例中，如第3F圖 所示的電路300’，參考級306’的負反饋還包括一個運算放大器OAref和一個電阻Rref。電阻Rref串聯在第二參考電晶體Tref’的源極和地之間。運算放大器OAref的輸出端連接到第二參考電晶體Tref’的柵極上，運算放大器OAref的一個輸入端連接在第二參考電晶體Tref’和電阻Rref之間，其他的輸入端連接到帶有電勢Vx的第一參考電晶體Tref的漏極上。流經第二參考電晶體Tref’的供給電流Is為Is=Vx/Rref。如第3A圖所示的電路300，負反饋探測到振盪器所需電流後，會提供適當的供給電流Is。除此之外，電路300’與第3A圖中的電路300相同。
第3A圖、第3B圖所示的振盪器僅通過增加更多的位相級，就能擴展到任意數量的相。例如，可以通過在第3A圖-第3B圖所示的兩相振盪器電路上增加一個相模來製備一個三相振盪器，這僅作為示例，並不作為局限。第4A圖表示三相振盪器400的電路圖。例如，這種振盪器可以用在三相電壓反相器中。振盪器400含有三位相級402、404、406和一個參考級408。參考級408類似於第2B圖所示的振盪器210中的參考級212，參考級212包括兩個參考電晶體Tref和Tref’。上述第二參考電晶體Tref’用於對第一參考電晶體Tref的電流提供負反饋控制，而不管位相級的電晶體中的電流。
第一和第二位相級402和404，與第3A圖所示的兩相振盪器300的第一和第二位相級302和304類似。第一位相級402包括一個具有漏極D1、柵極G1和源極S1的n-通道MOS電晶體T1。漏極D1通過結J1耦合到大約1μA的電流源I1上。柵極G1耦合到第一節點N1上。源極S1耦合到第二位相級404中的結J5、第三位相級406中的結J6以及參考級408 中的結J7。第一位相級402還包括一個電容器C1，其第一端穿過第一節點N1耦合到第二電流源I1’上，第二端接地。開關SW1是一個MOS電晶體，耦合到電容器C1上，其源極接地，柵極耦合到第一閂鎖L1的一個輸出端。第一位相級402還包括一個第一反相器INV1，其輸入端在結J1處耦合到電流源I1上，輸出端耦合到閂鎖L1的一個輸入端上。單次計時器OS1可以選擇耦合在第一反相器INV1和第一閂鎖L1之間。
第二位相級404包括一個MOS電晶體T2，其漏極D2通過結J2耦合到大約1μA的電流源I2上，柵極G2通過第二節點N2耦合到第二電流源I2’上，源極S2耦合到結J5上。第二位相級404還包括一個電容器C2，其第一端耦合到第二節點N2上，第二端接地。開關SW2可以是一個MOS電晶體，耦合到電容器C2上，含有一個接地的源極以及一個耦合到第二閂鎖L2輸出端的柵極。第二位相級404還包括一個第二反相器INV2，其輸入端在結J2處耦合到電流源I2上，輸出端耦合到第二閂鎖L2的輸入端上。單次計時器OS2可以選擇耦合在第二反相器INV2和第二閂鎖L2之間。
第三位相級406包括一個具有漏極D3、柵極G3和源極S3的MOS電晶體T3。其漏極D3通過結J3耦合到大約1μA的電流源I3上，柵極G3通過第三節點N3耦合到第三電流源I3’上，源極S3耦合到結J6上。第三位相級406還包括一個電容器C3，其電容與電容器C1、C2相等。由於電容器C1、C2、C3的第二電流源I1’、I2’、I3’決定每個電容器上的電壓的增長速度，因此它們的值也決定每個相的週期。對於一個帶有相等相的對稱振盪器來說，電流源和電容器的值應該相等。但是，如果需要不相等的相，那麼這些值也應該相應地變化。電容器C3的第一端耦合到第三節 點N3上，第二端接地。開關SW3可以是一個MOS電晶體，耦合到電容器C3上，含有一個接地的源極以及一個耦合到第三閂鎖L3輸出端的柵極。第三位相級406還包括一個第三反相器INV3，其輸入端在結J3處耦合到電流源I3上，輸出端耦合到第三閂鎖L3的輸入端上。單次計時器OS3可以選擇耦合在第三反相器INV3和第三閂鎖L3之間。
一般來說，參考電流Iref並不一定要等於I1、I2和I3。也沒有必要使I1’=I2’=I3’。但是，如果需要對稱振盪器，那麼第二電流源應該相等I1’=I2’=I3’，電容器的電容也應相等C1=C2=C3。
如第4A圖所示，單次計時器OS1的輸出端連接到閂鎖L1的置位S以及閂鎖L2的復位R。單次計時器OS2的輸出端連接到閂鎖L2的置位S以及閂鎖L3的復位R。單次計時器OS3的輸出端連接到閂鎖L3的置位S以及閂鎖L1的復位R。如果需要的話，單次計時器OS1、OS2、OS3可以提供數位輸出信號。如果沒有使用單次計時器OS1、OS2、OS3，那麼反相器的輸出端可以直接耦合到閂鎖INV1、INV2、INV3上。
參考級408可以在類似於上述第2B圖中所示的方式下工作。參考級408在有或沒有電流的回饋控制時都能工作。如第4A圖所示，第二參考電晶體Tref’從電晶體T1、T2、T3和Tref中通過結J7，提供電流的負反饋控制。
振盪器400的振盪速度由電流源I1’、I2’、I3’提供的電流量，以及電容器C1、C2、C3的容量來控制。振盪器400的工作進程如下：在初始位相級，開關SW1關閉，開關SW2和SW3開啟。由於來自電流源I1’的電流，第一節點N1處的電壓一直升高到Vref，從而開啟電晶體T1， 拉低電晶體T1的漏極D1。置位第一閂鎖L1，復位第二閂鎖L2。因此，開關開啟SW1，開關SW2關閉；開關SW3仍然閂鎖。
同樣地，隨著開關SW2的關閉，電流源I2’的電流使節點N2處的電壓超過Vref時，MOS電晶體T2的漏極D2被拉低。從而置位第二閂鎖L2，並復位第三閂鎖L3。因此，開啟第二開關SW2，並關閉第三開關SW3。當電流源I3’的電流使節點N3處的電壓超過Vref時，電晶體T3的漏極D3被拉低。從而置位閂鎖L3，並復位閂鎖L1。因此，開啟開關SW3，並關閉開關SW1，回到初始狀態。振盪器400的三個相對應節點N1、N2和N3處電壓。對於振盪頻率，應減少電容器C1、C2或C3，並增加電流源I1’、I2’和I3’。
第4B-4D圖表示在第4A圖中所示的電路在節點N1、N2和N3處的類比信號圖形。如圖所示，鋸齒波形相隔120度。第4E圖表示第4B-4D圖的鋸齒波形相互疊加在一起。
可以通過在第4A圖所示的三相振盪器電路上增加一個相模來製備一個四相振盪器。第5A圖表示三相振盪器500的電路圖，含有四位相級502、504、506、508和一個參考級510。參考級510類似於第2B圖所示的振盪器210中的參考級212，參考級212包括兩個參考電晶體Tref和Tref’，它們可以是MOS電晶體。前三個位相級502、504、506的配置方法，與第4A圖的位相級402、404和406的配置方法，除了有少許微小差別之外，大致相同。只是第三參考級506的結J6耦合到第四參考級508的相似結J8上，結J8耦合到參考級中的結J7上。而且，單次計時器OS3的輸出端連接到閂鎖L4的復位R上，閂鎖L1的復位R連接到單次計時器OS4 的輸出端。
第四位相級508包括一個具有漏極D4、柵極G4和源極S4的MOS電晶體T4。其漏極D4通過結J4耦合到大約1μA的電流源I4上，柵極G4通過第四節點N8耦合到電流源I4’上，源極S4耦合到結J8上。第四位相級508還包括一個電容器C4，其電容與電容器C1、C2、C3相等。電容器C4的第一端耦合到第四節點N4上，第二端接地。開關SW4可以是一個MOS電晶體，耦合到電容器C4上，含有一個接地的源極以及一個耦合到第四閂鎖L4輸出端的柵極。第四位相級508還包括一個第四反相器INV4，其輸入端在結J4處耦合到電流源I4上，輸出端耦合到第四閂鎖L4的輸入端上。單次計時器OS4可以選擇耦合在第四反相器INV4和第四閂鎖L4之間。
如第5A圖所示，單次計時器的輸出端OS1的輸出端連接到閂鎖L1的置位S以及閂鎖L2的復位R。單次計時器OS2的輸出端連接到閂鎖L2的置位S以及閂鎖L3的復位R。單次計時器OS3的輸出端連接到閂鎖L3的置位S以及閂鎖L4的復位R。單次計時器OS4的輸出端連接到閂鎖L4的置位S以及閂鎖L1的復位R。振盪器500的振盪速度由電流源I1’、I2’、I3’、I4’的容量和電容器C1、C2、C3和C4的容量控制。
參考級510可以在類似於上述第2B圖中所示的方式下工作。參考級510在有或沒有電流的回饋控制時都能工作。如第5A圖所示，第二參考電晶體Tref’從電晶體T1、T2、T3、T4和Tref中通過結J7，提供電流的負反饋控制。
振盪器500的工作原理與上述振盪器400類似。在初始位相 級，第一開關SW1關閉，開關SW2、SW3和SW4開啟。由於來自供給電流源I1’的電流，第一節點N1處的電壓一直升高到Vref，從而拉低電晶體T1的漏極D1。置位第一閂鎖L1，復位第二閂鎖L2。因此，第一開關開啟SW1，第二開關SW2關閉。
同樣地，由於來自供給電流源I2’的電流，當第二節點N2處的電壓超過參考電壓時，電晶體T2的漏極D2被拉低。置位第二閂鎖L2，復位第三閂鎖L3。因此，第二開關SW2開啟，第三開關SW3關閉。
由於來自供給電流源I3’的電流，當第三節點N3處的電壓超過參考電壓時，電晶體T3的漏極D3被拉低。置位第三閂鎖L3，復位第四閂鎖L4。因此，第三開關SW3開啟，第四開關SW4關閉。
由於來自供給電流源I4’的電流，當第四節點N4處的電壓超過參考電壓時，電晶體T4的漏極D4被拉低。置位第四閂鎖L4，復位第一閂鎖L1。因此，第四開關SW4開啟，第一開關SW1關閉，從而回到初始狀態。
可以在節點N1、N2、N3和N4處看到第四相。為了提高振盪器的頻率，應該降低電容器C1、C2、C3或C4，而增加電流源I1’、I2’、I3’和I4’。如果需要的話，單次計時器OS1、OS2、OS3、OS4可以提供數位輸出信號。如果沒有使用單次計時器OS1、OS2、OS3、OS4，反相器INV1、INV2、INV3、INV4的輸出端可以直接耦合到閂鎖上。
第5B-5E圖表示振盪頻率高於50MHz時，第5A圖的N1、N2、N3和N4節點處的信號圖形。如圖所示，鋸齒波形相隔90度。第5F圖表示第5B圖-第5D圖的鋸齒波形相互迭加在一起。
依據本發明的實施例所述的振盪器可以用於任何轉換系統。基於低壓CMOS過程，預計這種振盪器可以從很低的頻率振盪到50MHz左右。過程越快，頻率振盪也越快。這種振盪器的另一優勢在於，在瞬變時，它們可以根據需要，改變偏壓電流。通過改變系統的複雜度，可以輕鬆改變相的數量。此外，相模中所使用的單次計時器和反相器只占晶片上很小的一部分面積。整個電壓範圍內傳播的頻率，僅從2.5V到5V一小部分。此外，由於不使用傳統的比較器，而且參考級可以根據需要改變電流，因此上述類型的振盪器消耗的電流很低。
雖然以上是本發明首選實施例的完整說明，但可能還有各種備選、優化和同類實例。因此，本發明的範圍不應由上述說明決定，而應由所附的申請專利範圍及其全部相關內容決定。任何可選件(無論首選與否)，都可與其他任何可選件(無論首選與否)組合。在以下申請專利範圍中，除非特別聲明，否則不定冠詞“一個”或“一種”都指下文內容中的一個或多個專案的數量。除非用“意思是”明確指出限定範圍，否則所附的申請專利範圍並不應認為是意義和功能的局限。
儘管本發明的內容已經通過上述優選實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在本領域技術人員閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。
200‧‧‧相振盪器
202‧‧‧參考級
204‧‧‧位相級
SW‧‧‧開關
C‧‧‧電容器
I1、I1’‧‧‧電流源
J1、J2、J3‧‧‧結
G1、Gref‧‧‧柵極
D1、Dref‧‧‧漏極
T1‧‧‧電晶體
S、Sref‧‧‧源極
Iref‧‧‧參考電流源
Iref’‧‧‧第二電流源
Vref‧‧‧參考電壓
Tref‧‧‧參考電晶體

Claims (21)

  1. 一種振盪器裝置，其特徵在於，包括：具有一參考電流源Iref和一第一參考電晶體Tref的一參考級；該第一參考電晶體Tref的柵極耦合到一參考電壓Vref上，漏極耦合到該參考電流源Iref上；以及含有一第一位相級和一最後位相級的兩個或多個位相級，其中每個位相級包括：一相電晶體，其漏極耦合到一第一電流源，柵極耦合到一節點，源極耦合到該第一參考電晶體的源極上；一第二電流源，其耦合到該節點上；一電容器，具有耦合到該節點上的一第一端和一第二端；耦合在該電容器的該第一端和該第二端之間的一開關；以及一邏輯塊，用於當該節點處的電壓超過該參考電壓Vref時，為後面的位相級閂鎖開關和關閉開關。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的振盪器裝置，其中該邏輯塊還包括一置位-復位閂鎖，以及耦合到該置位-復位閂鎖的置位輸入端的一單次計時器。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的振盪器裝置，其中該參考級還包括一第二參考電晶體Tref’，用於提供負反饋，探測所需電流以及改變供給電流。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的振盪器裝置，其中每個位相級中的該開關都是一場效應電晶體。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的振盪器裝置，其中該邏輯塊還包括一置位-復位閂鎖，並且該置位-復位閂鎖的輸出端耦合到該開關的柵極上。
  6. 如申請專利範圍第3項所述的振盪器裝置，其中該開關、該第一參考電晶體和該相電晶體皆為n-通道MOS電晶體。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的振盪器裝置，其中該開關的源極和該第二參考電晶體的源極都接地。
  8. 如申請專利範圍第3項所述的振盪器裝置，其中該開關、該第一參考電晶體和該相電晶體為p-通道MOS電晶體。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的振盪器裝置，其中該開關的源極和該第二參考電晶體的源極都耦合到一共同電壓Vcc上。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的振盪器裝置，其中該兩個或多個位相級僅含有該第一位相級和該最後位相級，因此該振盪器裝置為一雙相振盪器。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的振盪器裝置，其中該兩個或多個位相級僅含有該第一位相級、該最後位相級以及一中間位相級，該中間位相級在該第一位相級的後面，該最後位相級的前面，因此該振盪器裝置為一三相振盪器。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的振盪器裝置，其中該兩個或多個位相級僅含有該第一位相級、該最後位相級、一第一中間位相級以及一第二中間位相級，該第一中間位相級在該第一位相級的後面，該第二中間位相級在該第一中間位相級的後面與該最後位相級的前面，因此該振盪器裝置為一四相振盪器。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的振盪器裝置，其中該參考級還包括耦合到該第一參考電晶體Tref源極的一電流控制器，其中該電流控制器用於控制在一負反饋模式中，從該相電晶體和該第一參考電晶體Tref流出的總電流。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的振盪器裝置，其中該電流控制器包括一第二參考電晶體Tref’，其漏極耦合到該第一參考電晶體的源極，柵極耦合到該第一參考電晶體的漏極，如果該第二參考電晶體Tref’為N-通道裝置的話，該第二參考電晶體的源極就接地，如果該第二參考電晶體Tref’為P-通道裝置的話，該第二參考電晶體的源極就接一共同電壓。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的振盪器裝置，其中該電流控制器含有一運算放大器。
  16. 如申請專利範圍第1項所述的振盪器裝置，其中該邏輯塊包括輸入端耦合到該位相級之該相電晶體的漏極的一反相器；輸出端耦合到該位相級之該開關的柵極；以及一置位 輸入端耦合到該反相器輸出端的一置位-復位閂鎖。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的振盪器裝置，其中該第一位相級中該反相器的輸出端耦合到下一個位相級中的該置位-復位閂鎖的復位輸入端，其中該最後位相級中的該置位-復位閂鎖的復位輸入端耦合到前一個位相級中該反相器的輸出端，其中該最後位相級中的該反相器的輸出端耦合到該第一位相級中的該置位-復位閂鎖的復位輸入端。
  18. 一種多相振盪器，其特徵在於，包括：多個輸入級和一參考級，每個輸入級都產生一電壓，並代表該多相振盪器的一個相，其中該多個輸入級作為一最大值選擇器，用於將每個輸入級產生的該電壓與該參考級的電壓作比較，並從中選取一最大電壓，其中該最大值選擇器對該被選取的輸入級的選取會使該被選取的輸入級的輸出改變；耦合到該參考級上的一負反饋回路，用於探測該多相振盪器所需電流，並為每個輸入級提供適當的供給電流。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的多相振盪器，還包括：一邏輯單元，按照該最大值選擇器選取的輸入級，關閉被選取的輸入級，並啟動下一個輸入級。
  20. 如申請專利範圍第18項所述的多相振盪器，其中每個輸入級都含有一電晶體，該參考級含有一參考電晶體，其中該最大值選擇器將每個輸入級的電晶體柵極上的電壓，與 該參考電晶體柵極上的電壓作比較。
  21. 如申請專利範圍第18項所述的多相振盪器，其中該參考級還包括：與一第一參考電晶體串聯的一固定電流源，其中該負反饋回路用於使該第一參考電晶體允許該固定電流源的穩定電流流經該第一參考電晶體。
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