TWI455344B - 發光裝置 - Google Patents

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TWI455344B
TWI455344B TW096102124A TW96102124A TWI455344B TW I455344 B TWI455344 B TW I455344B TW 096102124 A TW096102124 A TW 096102124A TW 96102124 A TW96102124 A TW 96102124A TW I455344 B TWI455344 B TW I455344B
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Wolfgang Busselt
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Description

發光裝置
本發明關於一種具有一高效率與一餘弦光分佈的發光裝置，其包含一固態光源與一用於光轉換之元件。
已知包含一電致發光光源(LED)與一光轉換磷光體層(通常為一磷光體粉末層或一多晶磷光體層)之磷光體轉換電致發光裝置(pcLED)。於此類pcLED中，該LED會發射一主要輻射，其中至少一部分係由配置於該LED上之一磷光體層(轉換元件)吸收，並且係以較長波之次要輻射來重新發射。此方法亦表示成色彩或光轉換。取決於應用，該主要輻射係完全轉換成次要輻射，或就一部分轉換而言，不同色彩之光，例如白色光可藉由混合主要與次要輻射產生。儘管該次要輻射於該主動材料中係無方向性輻射，且因此在一粉末層之情況下基本上具有一來自該轉換元件的餘弦角度分佈，然而該非轉換主要輻射仍具有一平均輻射方向，其係由該固態光源之該層結構加以界定，且(依規則)會明顯脫離一發光層之方向。藉由疊置主要與次要輻射所產生之混合光因此不具任何與該觀視角度餘弦相關的強度分佈(朗伯光分佈)，且產生之混合色彩會與輻射角度成函數關係地明顯改變。使用者所需之光分佈係一朗伯分佈型樣，其係因強度在前向方向上最大的事實而顯得特出。
US 6,653,765揭示一光源，其具有一會發射藍色或紫外線光譜範圍(主要輻射)的組件(例如，一LED)，以及用以將該主要輻射至少部分轉換成次要輻射的一磷光體材料層，與用以對該光源產生一朗伯光分佈型樣的一光散射材料層。光散射粒子作為光散射材料，該等粒子較佳地係配置於發光組件與磷光體材料之間，然後還必須僅適合該主要輻射之波長以成為最佳散射粒子大小。該等光散射粒子之粒子大小應介於該波長的1/10與高達該波長的10倍之間。藉由一等於該波長之粒子大小(例如，就紫外線主要輻射而言粒子大小為0.3 μm)可獲得一最佳散射行為。
該磷光體材料係配置於US 6,653,765中所揭示的光源中，如此用以產生一均勻色點之全部的主要輻射(100%)便會照射在該磷光體層上。於一項具體實施例中，該LED完全係由該磷光體層加以裹住，於其他具體實施例中，反射器係用以將該主要輻射完全偏轉至該磷光體材料上。該等磷光體層係利用該等一般濕式化學方法由一懸浮液來加以製造，或製造成一具有支持基質材料的粉末層。此等層具有一高度本質散射能力。於該磷光體材料中的反向散射效果與無輻射(再)吸收程序會負面影響該揭示之光源的效率(發光效率)。
因此，本發明之一目的係提供具有一朗伯光分佈之一發光裝置，其之特徵在於一改善的發光效率。
達成本發明之目的係藉由一種發光裝置，其包含一固態光源、至少一轉換元件與一光散射元件，其中該固態光源係提供以發射一主要輻射之一第一部分進入該光散射元件與一主要輻射之一第二部分進入該轉換元件，以便至少部分轉換成至少一次要輻射，該光散射元件係提供以由該主要輻射之該第一部分、該次要輻射與尚未於該轉換元件中轉換的該主要輻射之該第二部分之部分產生具有一朗伯光分佈之一混合輻射，且該主要輻射之該第一部分會在沒有通過該轉換元件之情況下離開該光發射裝置。結果，至少就該主要輻射之該第一部分而言避免因該轉換元件中之無輻射吸收所致之光損失，原因係其在進入該光散射元件之前或在離開該光散射元件之後皆無通過該轉換元件。因此，相較於最先進發光裝置，根據本發明，一種發光裝置於同一色點處具有增高的效率。一或多個非有機及/或有機LED或雷射二極體可用作一固態光源。獨立項陳述亦包含會將該主要輻射之該第二部分完全轉換成次要輻射的發光裝置之具體實施例。
於一項具體實施例中，該轉換元件包含一陶瓷材料，其具有大於晶體連接之理論固態密度之97%的一密度。由於小的本質散射效果，此一轉換元件會垂直於該主要輻射之該第二部分的平均傳播方向發射該次要輻射之一較高部分。此使得該主要輻射之該第一部分與該次要輻射產生較佳的可混合性。此外，該小的散射效果會縮短主要與次要輻射進入該轉換元件的光學路徑之平均長度。因此，於該轉換元件中該無輻射再吸收之部分便額外地減少，且(結果)該發光裝置之效率便進一步地提升。
於一進一步具體實施例中，該轉換元件在該主要輻射之該第二部分的平均輻射方向上具有一至少30 μm之厚度。藉由此等厚的轉換元件，吸收強度可獲得一夠大變異，以便調整所要的該混合光之色點。
於一進一步具體實施例中，以該混合光之輻射方向來觀視，該固態光源具有一發光表面，其係大於或等於轉換元件的面向該固態光源之表面。以此方式，就全部主要輻射而言，可增加該主要輻射之該第一部分之部分。於此具體實施例中，至少橫向離開該固態光源之全部主要輻射沒有通過該轉換元件。此處，表示成「橫向離開」之光會離開該固態光源而穿透基本上配置成垂直於該主要輻射之平均傳播方向的表面。就該全部主要輻射而言，該主要輻射之該第一部分之部分愈大，透過無輻射再吸收而損失的主要輻射愈少，且該發光配置因此愈有效率。
於一進一步具體實施例中，該轉換元件具有至少一開口，該主要輻射可透過該開口而在無通過該轉換元件之情況下通過。就該全部主要輻射而言，該主要輻射之該第一部分之部分的所需增加進一步會增加該發光裝置的效率。透過該等開口而通過之該主要輻射之部分的平均傳播方向係至少非常類似於該次要輻射之平均傳播方向並可能成為用以產生一朗伯光分佈型樣的一較便宜光散射元件。此處，不應將該等開口理解成該轉換元件之部分。
於一進一步具體實施例中，該轉換元件係光學耦合至該固態光源，以便減少於該等邊界表面處的背向反射。
於一進一步具體實施例中，該光散射元件圍住該固態光源與該轉換元件。因此，促使產生一朗伯光分佈型樣。
於一進一步具體實施例中，該發光裝置進一步包含一透鏡，其圍住該固態光源、該轉換元件與該光散射元件。該透鏡能產生一所需之偏轉或能使該混合光聚焦。
於一進一步具體實施例中，調整該混合光之色點係經由未經轉換之主要輻射之一部分，其係利用該光散射元件之該等散射屬性而可調整，該主要輻射係散射回該轉換元件以便轉換成次要輻射。由於經適切調適之散射屬性(例如，為一產生相依反應)、該等轉換元件之些微變化吸收屬性或該主要輻射之些微變化波長，故而該色點可精細地加以調整。或者，發光裝置因此亦可在運用該等相同固態光源與轉換元件的同時利用針對不同需求所調適之色點來製造。
於一項具體實施例中，可達成調適該光散射元件在於該光散射元件包含能夠產生具有一朗伯光分佈之一混合輻射的相同或不同大小的反射及/或折射粒子、材料與濃度。
於一進一步具體實施例中，該等粒子包含來自用以吸收主要及/或次要輻射之顏料群組的材料。該等顏料可專門吸收該主要與次要輻射，或於另一具體實施例中，接著會在吸收之後以一不同的波長將其重新發射。藉由此等顏料，又更可依目的來調適該發光裝置之相關色溫。
本發明之此等與其他方面可參考以下所述的具體實施例予以說明而更加瞭解。
圖1示意性顯示根據本發明之一發光裝置之一項具體實施例，其具有一載體1、一基板2與一提供於該基板2上以便輻射主要輻射511與512的固態光源3，以及一配置於該主要輻射之光線路徑中以便至少部分吸收該主要輻射之該第二部分512並輻射次要輻射521與522的轉換元件4。該固態光源3與該轉換元件4係由一光散射元件6所圍住，以便產生具有一朗伯分佈型樣的混合光5。該混合光5具有一相關色溫，其係與該主要與該次要輻射有關。術語「色溫」係僅限於黑體輻射器可應用。該相關色溫表示黑體發射器之溫度，其之感應色彩極類似該混合光5的光譜。
一典型固態光源3包含施加於一基板2上之具有至少一有機或非有機電致發光層的一電致發光層結構，其係配置於二電極之間。此處，該主要輻射係透過一透明電極而發射(頂發射器)至背離該基板之側上，同時面向該基板2之電極及/或該電極2係反射的。該發光裝置亦可包含用以發出相同及/或不同主要輻射的數個電致發光光源，例如，LED的一二維配置。於其他具體實施例中，可能耦合至光引導及/或光分佈元件的一或多個雷射二極體亦可用作固態光源。
由該固態光源3所發射之主要輻射主要會垂直該固態光源3中的發光層而分散，此處表示成該主要輻射之該第二部分512(參見圖1)。由於該固態光源內該等層之不同折射率及該等邊界表面處全部反射的伴隨效果，除了該主要輻射之該第二部分512之外，該主要輻射之一第一部分511會與該平均輻射方向5成一大角度從該固態光源3橫向離開而不會照射在該轉換元件4之上。由於該光散射元件6與該混合光之結果朗伯分佈，以大觀視角度(介於該觀視方向與該平均傳播方向5之間的角度)橫向離開之主要輻射不會於該混合光中導致主要輻射的一增加部分。一可比較效果亦可利用一圍住該固態光源之轉換元件來獲得。然而，此處該全部主要輻射，還有該未經轉換之輻射，必須通過該轉換元件。於該轉換元件中該主要輻射之一部分的無輻射吸收損失會導致此類光源之效率的降低。根據本發明之發光裝置與此類pcLED相比具有一較高的效率，因為調整一所需之色溫必須的該部分之至少一部分(第一部分511)不具有任何吸收損失。就該混合光之主要輻射的一特定必要部分而言，該發光裝置之效率會隨著該全部未經轉換之主要輻射之該主要輻射之該第一部分511的該部分而提升(其取決於該轉換元件之結構，其對於該主要輻射之該第二部分512的吸收強度可能小於100%，使得未經轉換之主要輻射亦通過該轉換元件)。
該轉換元件4係經配置以於該主要輻射之該第二部分512的光線路徑中至少部分吸收該主要輻射之一第二部分512，進而將所吸收之主要輻射轉換成次要輻射521與522。於該轉換元件中該主動材料之選擇會決定該次要輻射之光譜。來自藍色主要輻射與黃色次要輻射之不同色彩光(例如，白色光)可在運用適當主要與次要輻射時產生。於其他具體實施例中，藉由適當轉換材料與不同色彩次要輻射(例如，藍色、黃色、綠色及/或紅色次要輻射)亦可轉換紫外線主要輻射。就其他應用而言，亦可獲得主要與次要輻射之不同結合。
於一項具體實施例中，該轉換元件4可包含一基本上為光轉換磷光體材料的壓縮陶瓷材料或一尺寸上穩定的基質材料，例如，PMMA或其他可摻雜粒子並嵌入光轉換粒子的材料。於另一具體實施例中，該轉換元件4包含一陶瓷材料，其具有一大於該理論固態密度之97%的密度。由於該小的本質散射效果，此一轉換元件4會垂直於該主要輻射之該第二部分512的平均傳播方向發射該次要輻射之一較大部分521。此使得該主要輻射之該第一部分511與該橫向離開之次要輻射521具有較佳的可混合性。此外，該小的散射效果會縮短該轉換元件4中該主要輻射之該第二部分521的平均光學路徑長度直到離開該轉換元件。因此，於該轉換元件中該主要輻射之該第二部分512之該無輻射再吸收的部分便減少，且(結果)該發光裝置之效率便進一步地提升。該散射效果係利用特殊燒結方法(例如，藉由在還原條件下以1700至1750℃燒結該陶瓷材料持續2至8小時)來獲得，其使得材料具有一大於該理論密度之96%的密度且不具有多孔性，並藉由以1750℃在氬氣壓力(0.500 kbar至2 kbar)下燒結該材料持續10小時，以便移除殘餘的多孔性。於此類用於光轉換之陶瓷中，在與壓縮磷光體粉末之陶瓷相比較時，該次要輻射包含一顯然較高的次要輻射部分521，其會從該轉換元件(因此從該轉換元件之表面，其之層一般而言基本上係與該主要輻射之該第二部分512之傳播方向成直角)橫向離開。
於圖1中所顯示之具體實施例中，該光散射元件6圍住該固態光源3與該轉換元件4。於其他具體實施例中，以該混合光5之傳播方向來觀視，該光散射元件6亦可於該轉換元件4之上配置成(例如)一平坦形式，只要該發光裝置之一適當反射器配置能造成該全部主要輻射511與512以及該次要輻射521與522會通過該光散射元件進而產生該混合光5之一朗伯光分佈型樣的事實。
圖2與圖3顯示圖1之發光裝置的尺寸，此處為求較為清楚起見在不具有該光散射元件6之情況下顯示於交會A－B之平面的一側視圖(圖2)與一平面圖(圖3)。該固態光源3具有1 mm×1 mm之表面並畫上紋線以求得一較佳的表示，然而在該平面圖中由於其係配置於該轉換元件4之下，因而於該平面圖中無法直接觀視。該轉換元件4於該固態光源3上會垂直於光5之平均傳播方向而在該等X1與X3方向上分別突出0.08 mm，並在該等X2與X4方向上分別突出0.15 mm。
儘管此突出，然而該固態光源3仍會發射主要輻射之一明顯第一部分511，其藉由於小與大觀視角度間偏移該相關色溫而在沒有使用一光散射元件之情況下於該相關色溫之觀視角度相依測量中可由數千克耳文感知，如同圖4中所顯示。圖4中該等曲線代表圖3中表示成X1至X4之四方向上的角度相依測量。其中，0°之觀視角度對應該發光裝置的一垂直平面圖。該藍色或黃色光譜範圍中的輻射係用作主要與次要輻射。於該平面圖中，在4700克耳文範圍中之一色溫下產生白色混合光，而該白色光之色溫於大的觀視角度時係高達8000克耳文並因此包含藍色主要輻射的一高部分。
於該材料之給出成分中，該轉換元件4之厚度應於該主要與該次要輻射間調適成所需之比率。此處，若在輻射5之方向上觀視，該轉換元件4具有一至少30 μm的厚度則有利。
於此情況下，該轉換元件4可直接施加至該固態光源3上或利用透明材料光學耦合至該固態光源3。針對將該轉換元件4光學耦合至該固態光源3，例如，可在該轉換元件4與該固態光源3間使用就主要輻射而言具有介於1.4與3.0之折射率的撓性或硬質材料之黏著層，例如，交聯鉑的可交聯二組件矽橡膠，或於高溫時可連接該固態光源3與該轉換元件4的玻璃材料亦然。此外，若該轉換元件4係緊密接觸該固態光源3則尤為有利。
於圖5中，顯示如圖1所顯示之根據本發明之一發光裝置的光分佈型樣，在具有圖2與圖3中所指明之尺寸的情況下係於波長為470 nm時與該主要輻射之發射角度成函數關係。此處，該光散射元件6會以600 μm之平均厚度裹住該固態光源3與該轉換元件4。此處應將該厚度細節理解為沿著主要與次要輻射之光學路徑的厚度。圖5中以「L」標明之實曲線代表一理想的朗伯光分佈。該光散射元件包含一矽基質材料(折射率n＝1.45)，其中嵌入具有0.2 μm之平均直徑與0.05%之體積濃度的散射粒子。就相對應粒子測得該等測量曲線，其僅折射率為n＝1.6高至2.6而有所不同。圖5中所測得之光分佈型樣幾乎與折射率無關；因此，所有測量點皆以相同符號加以表示。若考慮通過該光散射元件6後該光散射元件6對該主要輻射之光分佈的影響，則會發現該等不同粒子大小極為不同。鑑於低於約500 nm直徑之粒子以類似於一朗伯分佈方式使該傳輸光經由所有角度分佈，使得僅會在使用一光學上極厚之層(傳輸能力小)時較大的粒子才實質上改變該傳輸光的角度分佈。例如，若該等嵌入粒子在與圖4相同之濃度下具有1.0 μm的平均直徑，則該光分佈在具有470 nm之波長的主要輻射下會明顯與一朗伯分佈相異。此結果基本上係與該等粒子之折射率無關。在平均粒子直徑介於0.2 μm與0.5 μm之間時，所獲得之光分佈型樣係極接近一理想朗伯分佈。從1.8至2.0之該等粒子之折射率的最佳結果係於平均粒子直徑為0.2 μm時獲得。大於或等於2.1之該等粒子之折射率的最佳結果係於平均粒子直徑為0.3 μm與0.4 μm時獲得。從1.9至2.3之該等粒子之折射率的最佳結果係於平均粒子直徑為0.5 μm時獲得。該光分佈型樣在平均粒子直徑為0.05 μm與更小時會明顯脫離一朗伯分佈。關於折射率之數字係就對基質材料(於所指明範例中為具有n＝1.45的矽)的折射率差異而論理解。針對其他基質材料，該等粒子的有利折射率係應據此加以調適。此外，若考慮以百分率表示之粒子濃度VT 及以微米表示之光散射元件6的厚度D，則該光散射元件6之粒子濃度與厚度VT * D的有利乘積係介於0.1與3之間，又更加有利地介於0.2與1之間。例如，可運用ZrO2 或TiO2 以作為光散射粒子。然而，熟悉本技術人士已知還有其他材料之光散射粒子。以相同的平均粒子直徑，光散射屬性與一光散射元件6之波長間的函數關係可因該等粒子直徑的改變而受影響。該分佈通常對應於一對數常態分佈，其具有該分佈之一寬度σ。例如，就ZrO2 粒子(n＝2.2)而言，在具有矽之體積濃度為0.05%以及該粒子直徑之分佈寬度σ介於0.06與0.3的情況下，得到該等粒子的反射行為(散射行為)僅稍微與該波長有關，然而除此之外該反射行為仍受該粒子大小的影響。
具體實施例：
在根據圖1所選擇之發光裝置的一幾何中，於450 nm具有最大發射之藍色發光LED與施加於該固態光源上之YAG：Ce陶瓷材料係用作一固態光源，以便由具有該理論固態密度之98%之一密度的一陶瓷材料產生黃色次要輻射。該陶瓷圓盤具有一厚度為250 μm。該陶瓷圓盤之原料係利用1.5 kg之Al2 O3 研磨球於異丙醇中研磨40 g之Y2 O3 、32 g之Al2 O3 與3.44 g之CeO2 12小時，隨後並於一CO環境中以1300℃燃燒該乾燥粉末來製造。所獲得之YAG：Ce係利用一具有瑪瑙研磨杯之行星球磨機於乙醇中進行去聚結，隨後並於石膏模中利用注漿法製造陶瓷綠色主體(直徑100 mm，高度2 mm)。乾燥後，該等綠色主體係於一CO環境中於石墨圓盤上以1700℃燃燒持續二小時。隨後，該YAG陶瓷材料係鋸切成290 μm，並經表面研磨與拋光。該陶瓷材料之密度係該理論密度的98%。需要之陶瓷圓盤隨後係利用一雷射切出並加以清理。該陶瓷材料之傳輸於600 nm之波長時係80%。於該陶瓷圓盤與該LED之間具有一矽膠薄層，其具有小於10 μm厚度之公司Gelest Inc PP2－D200之Gelest膠D200，以便使該陶瓷圓盤光學耦合至該固態光源。接著，安裝一球形透鏡，其之間隙6係以包括嵌入之光散射粒子的矽膠來填充。於此具體實施例中，此填充之間隙6代表該光散射元件6。嵌入該矽膠包含ZrO2 之粒子具有0.25 μm的平均粒子直徑。該光分佈顯示92%符合一理想朗伯分佈型樣，且因此極妥善地對應於一朗伯分佈。
於另一具體實施例中，彩色顏料亦可用作散射粒子以便進一步修改該相關色溫。無機材料尤適合當作材料，其之折射率於此處係於所需之範圍中。此類材料係(例如)作為藍色發光顏料之CoO－Al2 O3 與群青、作為綠色發光顏料之TiO2 －CoO－NiO－ZrO2 、CeO－Cr2 O3 －TiO2 －Al2 O3 、TiO2 －ZnO－CoO－NiO以及作為紅色發光顏料之Fe2 O3 、CdS－CdSe、TaON。
於其他具體實施例中，可運用該光散射元件6中在散射期間反射回該轉換元件上之迄今仍未經轉換之主要輻射的部分，以便進一步調適該混合光5之相關色溫。
於圖6中所顯示之一進一步具體實施例中，以該混合光5之輻射方向觀視，該固態光源3具有一發光表面31，其係大於或等於該轉換元件4之表面41，其面向該固態光源3。以此方式，可增加該全部主要輻射之該主要輻射511之該第一部分的該部分。於此具體實施例中，從該固態光源3橫向離開之至少該全部主要輻射不會通過該轉換元件4。若該轉換元件4之表面41係小於該發光表面31(如同圖6中所顯示)，則除了該橫向離開之主要輻射511外，平行於該平均輻射方向5而離開之主要輻射的一部分亦不會通過該轉換元件4。因此，不會通過該轉換元件之該主要輻射的該部分便進一步增加。
於圖7中所顯示之一進一步具體實施例中，該轉換元件4具有至少一開口8，該主要輻射可透過該開口8而在不通過該轉換元件4之情況下通過。該全部主要輻射之該主要輻射之該第一部分511之部分的必要增加會進一步提升該發光裝置的效率。透過該等開口8而通過之該主要輻射511之部分的平均傳播方向係至少非常類似於該次要輻射之平均傳播方向並可能成為用以產生一朗伯分佈的一較便宜且精密的光散射元件6。此處不應將該等開口8理解為該轉換元件之部分。該等開口可以一氣體(例如，空氣)或以其他透明且非散射材料(例如，矽)來填充。
參考該等圖式與該說明來解釋之具體實施例僅代表能夠有效發射具有一朗伯分佈之混合光之根據本發明之一發光裝置的範例，且不應視為將本發明侷限於此等範例。熟悉本技術人士亦可構想替代性具體實施例，其亦屬於隨附申請專利範圍之保護性範疇內。附屬項之編碼並不意味著該等請求項之其他組合無法代表本發明之較佳具體實施例。此外，於該等說明與申請專利範圍中使用不定冠詞「一」或「一個」並不排除複數個配置、單元或元件。
1．．．載體
2．．．基板/電極
3．．．固態光源
4．．．轉換元件
5．．．混合光
6．．．光散射元件
7．．．透鏡
8．．．開口
31．．．發光表面
41．．．表面
511．．．主要輻射
512．．．主要輻射
521．．．次要輻射
522．．．次要輻射
在圖式中：圖1顯示根據本發明之一發光裝置之一項具體實施例的側視圖，圖2顯示在不具有一光散射元件之情況下，於交會A－B之平面上，具有典型尺寸之根據圖1的一發光裝置，圖3係在不具有一光散射元件之情況下，於交會A－B之平面上，圖2之一發光裝置的一平面圖，圖4顯示圖3之一發光裝置之白色混合光之一相關色溫與不同觀視方向之觀視角度成函數關係，圖5顯示圖1中所顯示，根據本發明之發光裝置之具體實施例的一光分佈型樣，圖6顯示具有一透鏡之依據本發明之一發光裝置的一進一步具體實施例，以及圖7顯示根據本發明之一發光裝置的一進一步具體實施例。
1．．．載體
2．．．基板/電極
3．．．固態光源
4．．．轉換元件
5．．．混合光
6．．．光散射元件
511．．．主要輻射
512．．．主要輻射
521．．．次要輻射
522．．．次要輻射

Claims (12)

  1. 一種發光裝置，其包含一固態光源(3)、至少一轉換元件(4)與一光散射元件(6)，其中該固態光源(3)係提供以發射一主要輻射之一第一部分(511)進入該光散射元件(6)與一主要輻射之一第二部分(512)進入該轉換元件(4)，以便至少部分轉換成至少一次要輻射(521、522)，該光散射元件(6)係提供以由該主要輻射之該第一部分(511)、該次要輻射(521、522)與尚未於該轉換元件(4)中轉換的該主要輻射之該第二部分(512)之一部分產生具有一朗伯光分佈之一混合輻射(5)，以及該主要輻射之該第一部分(511)會在沒有通過該轉換元件(4)之情況下離開該發光裝置。
  2. 如請求項1之發光裝置，其特徵在於該轉換元件(4)包含一陶瓷材料，其具有大於晶體連接之理論固態密度之97%的一密度。
  3. 如請求項1或2之發光裝置，其特徵在於該轉換元件(4)在該主要輻射之該第二部分(512)的平均輻射方向上具有至少30μm之一厚度。
  4. 如請求項1或2之發光裝置，其特徵在於以該混合光(5)之輻射方向觀視，該固態光源(3)具有一發光表面(31)，其係大於或等於該轉換元件(4)之表面(41)，其面向該固態光源(3)。
  5. 如請求項1或2之發光裝置，其特徵在於該轉換元件(4)具 有至少一開口(8)，透過其該主要輻射可在不通過該轉換元件(4)之情況下通過。
  6. 如請求項1或2之發光裝置，其特徵在於該轉換元件(4)係光學耦合至該固態光源(3)。
  7. 如請求項1或2之發光裝置，其特徵在於該光散射元件(6)圍住該固態光源(3)與該轉換元件(4)。
  8. 如請求項1或2之發光裝置，其進一步包含一透鏡(7)，其圍住該固態光源(3)、該轉換元件(4)與該光散射元件(6)。
  9. 如請求項1或2之發光裝置，其特徵在於經由未經轉換之主要輻射(511)之一部分來調整該混合光(5)之色點，其係利用該光散射元件(6)之散射屬性而可調整，該主要輻射係散射回該轉換元件(4)以便轉換成次要輻射(521、522)。
  10. 如請求項1或2之發光裝置，其特徵在於該光散射元件(6)包含能夠產生具有一朗伯光分佈之一混合輻射(5)的相同或不同大小之反射及/或折射粒子、材料與濃度。
  11. 如請求項10之發光裝置，其特徵在於該等粒子包含來自用以吸收主要及/或次要輻射之顏料群組的材料。
  12. 如請求項10之發光裝置，其特徵在於該等粒子包含來自用以吸收主要及/或次要輻射且隨後以一不同波長重新發射之顏料群組的材料。
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Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080029720A1 (en) 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
RU2451366C2 (ru) * 2006-12-05 2012-05-20 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Осветительное устройство, в частности, с люминесцентной керамикой
US7999283B2 (en) * 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
US11114594B2 (en) * 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
US7859000B2 (en) 2008-04-10 2010-12-28 Cree, Inc. LEDs using single crystalline phosphor and methods of fabricating same
US9287469B2 (en) * 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
CN102113119A (zh) 2008-05-29 2011-06-29 克利公司 具有近场混合的光源
EP2294634B1 (en) 2008-07-01 2020-08-05 Lumileds Holding B.V. Wavelength converted light emitting diode with reduced emission of unconverted light
ES2667009T3 (es) 2008-07-22 2018-05-09 Philips Lighting Holding B.V. Un elemento óptico para un dispositivo de emisión de luz y un método de fabricación del mismo
US7973327B2 (en) * 2008-09-02 2011-07-05 Bridgelux, Inc. Phosphor-converted LED
US8721098B2 (en) 2009-05-19 2014-05-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light scattering and conversion plate for LEDs
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
US8431423B2 (en) * 2009-07-16 2013-04-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Reflective substrate for LEDS
JP5368913B2 (ja) * 2009-09-02 2013-12-18 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
WO2011033394A1 (en) * 2009-09-16 2011-03-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitter with predefined angular color point distribution
EP2333854B1 (en) * 2009-12-09 2018-02-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
DE102010021011A1 (de) * 2010-05-21 2011-11-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung einer Abdeckschicht
US8354784B2 (en) 2010-09-28 2013-01-15 Intematix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
US8614539B2 (en) 2010-10-05 2013-12-24 Intematix Corporation Wavelength conversion component with scattering particles
US8610341B2 (en) 2010-10-05 2013-12-17 Intematix Corporation Wavelength conversion component
US8604678B2 (en) 2010-10-05 2013-12-10 Intematix Corporation Wavelength conversion component with a diffusing layer
US9546765B2 (en) 2010-10-05 2017-01-17 Intematix Corporation Diffuser component having scattering particles
JP6069205B2 (ja) * 2010-10-05 2017-02-01 インテマティックス・コーポレーションＩｎｔｅｍａｔｉｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ フォトルミネッセンス波長変換を備える発光装置及び波長変換コンポーネント
US8957585B2 (en) 2010-10-05 2015-02-17 Intermatix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
DE102010050832A1 (de) * 2010-11-09 2012-05-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzkonversionselement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauteil mit Lumineszenzkonversionselement
DE102011010118A1 (de) * 2011-02-02 2012-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Keramisches Konversionselement, Halbleiterchip mit einem keramischen Konversionselement und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements
US9048396B2 (en) * 2012-06-11 2015-06-02 Cree, Inc. LED package with encapsulant having planar surfaces
RU2457393C1 (ru) * 2011-02-17 2012-07-27 Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным конвертером
EP2744870B1 (en) 2011-08-16 2017-11-22 Nitto Denko Corporation Phosphor compositions and methods of making the same
JP5830340B2 (ja) * 2011-10-11 2015-12-09 オリンパス株式会社 光源装置
TWI614452B (zh) * 2011-10-13 2018-02-11 英特曼帝克司公司 用於固態發光裝置和燈的光致發光波長轉換構件
KR101251815B1 (ko) * 2011-11-07 2013-04-09 엘지이노텍 주식회사 광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치
CN102437276A (zh) * 2011-11-25 2012-05-02 四川新力光源有限公司 一种led器件及其制作方法
US20130258637A1 (en) * 2012-03-31 2013-10-03 Michael Dongxue Wang Wavelength-converting structure for a light source
TWI518948B (zh) * 2012-06-08 2016-01-21 Unity Opto Technology Co Ltd To enhance the luminous angle of the small size of the LED package to improve the structure
WO2014030100A1 (en) * 2012-08-24 2014-02-27 Koninklijke Philips N.V. A lighting device
DE102012222475A1 (de) * 2012-12-06 2014-06-12 Osram Gmbh Leuchtdiode aufweisend mehrere leuchtstoffbereiche
US20140185269A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Intermatix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components
CN105121951A (zh) 2013-03-15 2015-12-02 英特曼帝克司公司 光致发光波长转换组件
RU2569312C2 (ru) * 2013-04-05 2015-11-20 Сергей Александрович Панин Светодиодный источник света (варианты)
JP2016062899A (ja) * 2014-09-12 2016-04-25 株式会社東芝 半導体発光装置
KR101621820B1 (ko) 2014-12-29 2016-05-17 삼성전자 주식회사 광원, 광원을 포함하는 백라이트 유닛 및 액정 표시 장치
JP6666925B2 (ja) * 2015-03-09 2020-03-18 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 色点可変発光装置
US20170025589A1 (en) * 2015-07-22 2017-01-26 Epistar Corporation Light emitting structure and method for manufacturing the same
US20170331016A1 (en) * 2016-05-13 2017-11-16 Maxim Tchoul A lighting device having an optical lens formed on composite encapsulant comprising nanoparticles covering a light-emitting diode (led)
US11081628B2 (en) * 2016-09-01 2021-08-03 Lumileds Llc White-appearing semiconductor light-emitting devices having a temperature sensitive low-index particle layer
KR20180090002A (ko) * 2017-02-02 2018-08-10 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
US11205743B2 (en) * 2018-12-21 2021-12-21 Lumileds Llc High luminance light emitting device and method for creating a high luminance light emitting device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6653765B1 (en) * 2000-04-17 2003-11-25 General Electric Company Uniform angular light distribution from LEDs
US20040218390A1 (en) * 2003-01-24 2004-11-04 Digital Optics International Corporation High-density illumination system
US20050051777A1 (en) * 2003-09-08 2005-03-10 Hill Steven E. Solid state white light emitter and display using same
US20050194603A1 (en) * 2001-07-23 2005-09-08 Slater David B.Jr. Light emitting diodes including barrier layers/sublayers and manufacturing methods therefor
US20050269582A1 (en) * 2004-06-03 2005-12-08 Lumileds Lighting, U.S., Llc Luminescent ceramic for a light emitting device

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5001609A (en) * 1988-10-05 1991-03-19 Hewlett-Packard Company Nonimaging light source
JP2002141559A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Sanken Electric Co Ltd 発光半導体チップ組立体及び発光半導体リードフレーム
TW511303B (en) 2001-08-21 2002-11-21 Wen-Jr He A light mixing layer and method
JP2003078165A (ja) 2001-08-31 2003-03-14 Japan Fine Ceramics Center 発光素子
US7186005B2 (en) * 2001-10-18 2007-03-06 Ilight Technologies, Inc. Color-changing illumination device
JP2004210921A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Nichia Chem Ind Ltd オキシ窒化物蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いた発光装置
US7554258B2 (en) * 2002-10-22 2009-06-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body
JP2004221163A (ja) * 2003-01-10 2004-08-05 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびその形成方法、並びにその発光装置を用いた面状発光装置
US7497581B2 (en) * 2004-03-30 2009-03-03 Goldeneye, Inc. Light recycling illumination systems with wavelength conversion
JP3983793B2 (ja) * 2004-04-19 2007-09-26 松下電器産業株式会社 Ｌｅｄ照明光源の製造方法およびｌｅｄ照明光源
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US20070023762A1 (en) * 2005-07-29 2007-02-01 Luxo Asa And Oec Ag White light emitting LED-powered lamp
DE102006020529A1 (de) * 2005-08-30 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6653765B1 (en) * 2000-04-17 2003-11-25 General Electric Company Uniform angular light distribution from LEDs
US20050194603A1 (en) * 2001-07-23 2005-09-08 Slater David B.Jr. Light emitting diodes including barrier layers/sublayers and manufacturing methods therefor
US20040218390A1 (en) * 2003-01-24 2004-11-04 Digital Optics International Corporation High-density illumination system
US20050051777A1 (en) * 2003-09-08 2005-03-10 Hill Steven E. Solid state white light emitter and display using same
US20050269582A1 (en) * 2004-06-03 2005-12-08 Lumileds Lighting, U.S., Llc Luminescent ceramic for a light emitting device

Also Published As

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