TWI445812B - 煉焦爐 - Google Patents

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Description

煉焦爐
本發明關於一種水平建構式煉焦爐(非回復式/熱回復式)，其包括：至少一個煉焦腔室、數個側向配置的垂直下管道與數個底部煙道，該等底部煙道則被水平地配置並且在該煉焦腔室的底部延伸，以直接再加熱該煉焦腔室，其中，一個或更多的加熱元件被配置在該煉焦爐的閒置空間之中，而於該煉焦爐所想要的操作期間，該閒置空間則並未企圖用來填滿固態物質。
水平建構式煉焦爐在該技術領域之中先前技藝係為人所熟知，而且被頻繁地使用。數種煉焦爐的實例被揭示於美國專利US4,111,757、US4,344,820、US6,596,128 B2或德國專利DE691 06 312 T2之中。
從先前的技術領域之中所得知的係：設計來提高焦炭的煉焦速度，並且設計來確保在添加焦炭或搗碎焦炭餅(stamped coal cake)期間的焦炭乾餾(coal carbonasation)之均勻性進給。
該方法必須用於此處係用來改善在該煉焦爐空間之中的氣體路徑。在德國專利DE 10 2005 055483之中，其建議以使空氣進給自動化，而該空氣進給通過該煉焦爐出入口並依據煉焦時間透過一個中央驅動器來加以控制的方式而完成。即使一種良好的控制性從而被達成，但是將燃燒空氣均勻地供幾該煉焦爐空間的深度，而在靠近該煉焦爐出入口太多的區域之中燃燒殆盡(burn－off)沒有多餘地增加的這方面問題則依舊存在。
德國專利DE 10 2005 025955提出一種燃燒空氣的多路進給，該燃燒空氣的多路進給則透過一種分配系統來實現，該分配系統主要係被配置在該煉焦爐之上。透過這個分配系統，燃燒空氣經由許多的開口，從上方通過煉焦爐的頂部被引導到該煉焦爐空間。這種進給燃燒空氣的系統與一種中央式燃燒空氣導引通過在該煉焦爐出入口之中的數個開口的情況相較之下代表一種顯著的改善。然而，仍然存在有：一種進一步改善在該煉焦爐之中的氣體路徑以及降低煉焦時間(從而，增進這種方法的經濟效益)之需求。
這種情況係藉由一種水平建構式煉焦爐(非回復式/熱回復式)而受到解決。這種煉焦爐包括：至少一個煉焦腔室、數個側向配置的垂直下管道與數個底部煙道，該等底部煙道則被水平地配置並且在該煉焦腔室的底部延伸，以直接再加熱該煉焦腔室，其中，一個或更多的加熱元件被配置在該煉焦爐的閒置空間之中，而於該煉焦爐所想要的操作期間，該閒置空間則並未企圖用來填滿固態物質。
該等加熱元件可以具有任何形式，並且理想上被形塑成掛勾式肋部或掛勾式壁部，其等能夠被進一步改良成具有數個開口或一種部分開口的結構。
該等加熱元件主要能夠以任何類型固定在該煉焦腔室之中。理想地，該第三加熱元件係以可脫離的方式被吊掛到適合的托架之內，而這些托架則被裝設在該壁部以及/或該煉焦腔室之中。一方面，其具有當煉焦腔室完成工作時第三加熱元件能夠被輕易地取出的優點存在，而另一方面，其係以膨脹程序被轉換到該煉焦爐的磚結構之內的方式來避免。
該煉焦爐的另一種改良的變化實例係在於：改變該氣體路徑來符合該等加熱元件的定位。因此，當該煉焦腔室由數個加熱元件分割成的區段長度(section－wise)時，至少一個空氣進給器被引導到每一個區段之中以及一個或兩個下管道從每一個區段處被導引出來。
該煉焦爐的另一種改良的變化實例係在於：該煉焦腔室的至少部分內壁部以及/或該等加熱元件的部分表面藉由披覆一種高放射鍍膜(HEB)之方式而被構型成第二加熱表面，而該高放射鍍膜的放射度係等於或大於0.9。
這個HEB較佳地包括下列物質：Cr2 O3 或Fe2 O3 或含有前述兩種物質的混合物，對於Fe2 O3 的部分而言在其混合物之中的總量至少為25%的重量百分比，而對於Cr2 O3 的部分而言在其混合物之中的總量至少為20%的重量百分比。再者，該HEB也能夠包含SiC，其具有至少為20%的重量百分比。
在該煉焦爐的另一種改良的變化實例之中，該HEB也更包含一種或更多種的無機黏著劑。也已經發現到：該HEB的組成應該具有一種特定的晶粒大小，該晶粒大小係小於或等於15微米，其並且理想上係介於2.5微米到10微米的範圍之間。
藉由該HEB，在該煉焦爐的空間之中的輻射情況則被實質地改善，並且從頂部到底部之快速煉焦程序被進一步加速。
該煉焦爐能夠藉由部份地或全部地使用上述任何一種材料成分之HEB來披覆該氣體煙道的壁部，而該等氣體煙道在該煉焦腔室之下方水平地延伸，因此，改善了直接熱傳遞過該煉焦腔室的底部。
本發明同時也揭示一種藉由實施上述煉焦爐產生焦炭的方法，其係利用其中一個實施例。一般而言，一種複數個所描述的煉焦爐接著多多少少以並聯的方式被操作。
依據該方法的一種特別合適的變化例，其揭示出：於該煉焦程序期間在該煉焦腔室之中的溫度理想上平均達到1000℃到1400℃。這種溫度也可以短時間超過。
圖1以剖面圖顯示本發明的煉焦爐。該煉焦爐1包括：一個煉焦爐頂部2、數個煉焦爐壁部3與一個煉焦爐底板4，其等封閉該煉焦爐空間5。該等空氣進給器幹管6係以通往該煉焦爐空間5之虛線來表示。該焦炭充填室(coal charge)7係座落在該煉焦爐底板4之上，而該等氣體煙道8係在該煉焦爐底板4之下延伸。同樣顯示在該剖面之中的是該空氣進給器幹管10，而該空氣進給器幹管10被提供在該煉焦爐基座9之中，該煉焦爐基座9則容許將空氣導引到該氣體煙道8之中。
透過數個垂直式下管道11(其在該等煉焦爐壁部3中中，係從該煉焦爐空間5延伸到在該煉焦爐底板4下方之該等氣體煙道8)，在焦炭乾餾期間所產生的氣體則能夠被排放。
該煉焦爐空間5的內表面被提供有一種HEB，而該HEB等量包括：Cr3 O3 、Fe2 O3 與SiC。該等內壁部的HEB(其從而變成第二加熱表面)並未於本文之中進一步顯示。再者，該等加熱元件12(第三加熱表面)以垂直與彼此平行的方式被裝設在該煉焦爐空間5之內，總的說來該煉焦爐空間5充滿在該焦炭充填室7之上的剖面的閒置空間，並且也被被披覆這種HEB。該等加熱元件12被裝設到該等支承元件13，而在顯示於本文的這個實例之中的該等支承元件13具有一種壁部形狀與數個頂部錨狀物。在此處所顯示的實例之中，一種小型、環狀間隙14係在該煉焦爐空間5的數個內壁部表面、該焦炭充填室7與該等加熱元件12的外邊緣之間，以容許在該煉焦爐空間5之內的一種水平對流，以及防止由於結構零件膨脹作用不同而造成對材料的破壞。
圖2係顯示本發明煉焦爐1的另一個剖面圖。圖1的參考符號以相同的方式來使用。所能夠清楚地看到的是：透過該等加熱元件12將該煉焦爐空間5分隔成6個區段，而該空氣進給器幹管6被導引到每一個區段之中，並且其中，氣體透過數個開口15與氣體煙道8以及該等下管道11而能夠再度離開該煉焦爐空間5。將燃燒空氣引入該等煉焦爐區段之內(而該等煉焦爐區段靠近該煉焦爐出入口16)透過該空氣進給器幹管6來完成，而該空氣進給器幹管6則被適當地提供在該煉焦爐出入口16之中。該等加熱元件12被裝設到該等支承元件13，而該等支承元件13為了這個目的所以被提供在該煉焦爐頂部2與該煉焦爐壁部3之中。
在一個剖面圖之中，圖3表示一種用於加熱元件12的特殊懸吊裝置，其顯示靠近該煉焦爐出入口16之煉焦爐1的剖面。吊在該煉焦爐空間5之中的加熱元件12與該焦炭充填室7隔開一個間隙14。該加熱元件12透過一個或是數個在該煉焦爐頂部2之中的數個支承元件(holding element)而被固定。這個支承元件主要包括：一個頂部平板17、一個拉桿(pull bar)18、與一個底部平板19。該拉桿18插過一個頂部開口20，並且由該頂部平板17來支承，而該頂部平板17則同時完全地封閉該頂部開口20。再者，該拉桿18從該頂部被導引到該底部通過該加熱元件12以及/或內建到該加熱元件12之中。該加熱元件12的主要重量抵靠在該支承元件的底部平板19之上，而該底部平板19則被固定到該拉桿18的底端處。
藉由將該煉焦爐1分成數個區段(該區段具有區段長度的氣體路徑)以及藉由透過該等加熱元件12的均勻輻射，而企圖降低煉焦時間以及減少在靠近該煉焦爐出入口16的區域之中的產品損失。
1．．．煉焦爐
2．．．煉焦爐頂部
3．．．煉焦爐壁部
4．．．煉焦爐底板
5．．．煉焦爐空間
6．．．空氣進給器幹管
7．．．焦炭充填室
8．．．氣體煙道
9．．．煉焦爐基座
10．．．空氣進給器幹管
11．．．下管道
12．．．加熱元件
13．．．支承元件
14．．．間隙
15．．．開口
16．．．煉焦爐出入口
17．．．頂部平板
18．．．拉桿
19．．．底部平板
20．．．頂部開口
圖1係顯示本發明的煉焦爐的一個剖面圖；圖2係顯示本發明煉焦爐的另一個剖面圖；以及圖3係表示一種用於加熱元件的特殊懸吊裝置，其顯示靠近該煉焦爐出入口之煉焦爐的剖面。
1．．．煉焦爐
2．．．煉焦爐頂部
5．．．煉焦爐空間
6．．．空氣進給器幹管
7．．．焦炭充填室
8．．．氣體煙道
9．．．煉焦爐基座
10．．．空氣進給器幹管
11．．．下管道
12．．．加熱元件
13．．．支承元件
15．．．開口
16．．．煉焦爐出入口

Claims (12)

  1. 一種水平建構式煉焦爐(非回復式/熱回復式)，其包括：至少一個煉焦腔室、數個側向配置的垂直下管道與數個底部煙道，該等底部煙道則被水平地配置並且在該煉焦腔室的底部延伸，以直接再加熱該煉焦腔室；其特徵為：一個或更多的加熱元件被配置在該煉焦爐的閒置空間之中，而於該煉焦爐所想要的操作期間，該閒置空間則並未企圖用來填滿固態物質。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之煉焦爐，其特徵為：該等加熱元件具有任意的形狀，而且理想上被塑形成掛勾式肋部或掛勾式壁部；以及該等第三加熱元件可以具有數個開口或一種部分開口的結構。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之煉焦爐，其特徵為：該等第三加熱元件能夠以可脫離的方式懸掛到數個支承件，利用這些支承件被裝設在該煉焦腔室的壁部以及/或頂部。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之煉焦爐，其特徵為：利用一個由該等加熱元件分割的煉焦腔室之區段長度，至少一個空氣進給器幹管引導到每一個區段之中以及一個或兩個下管道從每一個區段處被導引出來。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之煉焦爐，其特徵為：該煉焦腔室的至少部分內壁部以及/或該等加熱元件的部分表面藉由披覆一種高放射鍍膜(HEB)之方式而被構型成第二加熱表面，而該高放射鍍膜的放射度係等於或大於0.9。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之煉焦爐，其特徵為：該HEB由物質：Cr2 O3 或Fe2 O3 的物質或含有前述兩種物質的混合物所構成，Fe2 O3 的總量在該混合物之中至少為25%的重量百分比，而Cr2 O3 在該混合物之中的總量至少為20%的重量百分比。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之煉焦爐，其特徵為：該HEB更包含SiC，而該SiC具有至少為20%的重量百分比。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之煉焦爐，其特徵為：該HEB更包含一種或更多種的無機黏著劑。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之煉焦爐，其特徵為：該HEB的組成的晶粒大小係小於或等於15微米，其並且理想上係介於2.5微米到10微米的範圍之間。
  10. 如申請專利範圍第5項所述之煉焦爐， 其特徵為：在該煉焦腔室之下方水平地延伸的該等氣體煙道之壁部係部份地或全部地使用根據申請專利範圍第5項至第9項中任一項之煉焦爐之HEB來披覆。
  11. 一種生產焦炭之方法，該方法包括使用一或多個根據申請專利範圍第1項至第10項中任一項之煉焦爐的步驟。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其特徵為：焦炭乾餾作用係在一種平均煉焦爐空間1000℃到1400℃的溫度下被完成。
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