TWI443858B - Light emitting diodes - Google Patents

Description

發光二極體

本發明係有關於一種發光二極體，尤指一種具支撐層之發光二極體。

按，發光二極體(Light Emitting Diode, LED)是由半導體材料所製成之發光元件，元件具有兩個電極端子，在端子間施加電壓，通入極小的電流，經由電子電洞之結合可將剩餘能量以光的形式激發釋出，此即發光二極體之基本發光原理。發光二極體不同於一般白熾燈泡，發光二極體係屬冷發光，具有耗電量低、元件壽命長、無須暖燈時間及反應速度快等優點，再加上其體積小、耐震動、適合量產，容易配合應用上的需求製成極小或陣列式的元件，目前發光二極體已普遍使用於資訊、通訊及消費性電子產品的指示器與顯示裝置上，成為日常生活中不可或缺的重要元件。發光二極體依發光波長分為可見光發光二極體(波長450~680nm)與不可見光發光二極體(波長850~1550nm)兩大類。若以其使用的磊晶層材料可進一步分為二元化合物(如GaAs、GaSb、GaN等)、三元化合物(如AlxGal-xAs、AlxGal-xP、Inl-xGaxAs等)、四元化合物(如Al InGaP、InAlGaAs、AlxGal-xAsyPl-y等)及GaN系化合物四大類。以亮度區分，發光二極體可分為高亮度發光二極體及一般亮度發光二極體兩大類。不過由於發光二極體具有指向性，各廠商衡量標準也不一，直接衡量發光二極體光度並無法正確區分出高亮度發光二極體及一般亮度發光二極體。再加上發光二極體發光亮度、發光效率與磊晶層材料直接相關，因此以使用磊晶層材料種類作為區分高亮度發光二極體的標準，高亮度發光二極體是指以四元化合物及GaN系化合物所製成的發光二極體，一般亮度發光二極體是指以GaN系以外二元化合物及三元化合物所製成的發光二極體。

本發明之目的之一，係在於提供一種發光二極體，利用支撐層支撐發光二極體，減少該發光二極體所產生之應力問題。

本發明之目的之一，係在於提供一種發光二極體，於基板上形成複數溝渠，以便於形成支撐層，使該支撐層容易附著於基板。

為了達到上述之目的，本發明係提供一種發光二極體，該發光二極體包含一第一半導體層、一發光層、一第二半導體層、一第一電極、一第二電極、一基板及一支撐層，該第一半導體層包含一第一區域及一第二區域，該發光層設於該第一半導體層之該第一區域，該第二半導體層設於該發光層，該第一電極設於該第一半導體層之該第二區域，該第二電極設於該第二半導體層，該基板利用一第一金屬凸塊及一第二金屬凸塊分別與該第一電極及該第二電極接合，該支撐層形成於該基板與該發光層之間，並包覆該發光層、該第一電極、該第二半導體層、該第二電極、該第一金屬凸塊及該第二金屬凸塊。而該基板更具有複數凸狀結構，於該基板形成複數溝渠，使該支撐層容易形成於該基板。

茲為使　貴審查委員對本發明之結構特徵及所達成之功效有更進一步之瞭解與認識，謹佐以較佳之實施例及配合詳細之說明，說明如後：請參閱第一圖，係本發明之一較佳實施例之結構示意圖。如圖所示，本實施例提供一種發光二極體，該發光二極體1包含一第一半導體層10、一發光層12、一第二半導體層14、一第一電極16、一第二電極18、一基板19及一支撐層15。該第一半導體層10包含一第一區域101及一第二區域103，該發光層12設於該第一半導體層10之該第一區域101，該第二半導體層14設於該發光層12，該第一電極16設於該第一半導體層10之該第二區域103，該第二電極18設於該第二半導體層14，該基板19利用一第一金屬凸塊17a及一第二金屬凸塊17b分別與該第一電極16及該第二電極18 接合，該支撐層15設於該發光層12與該基板19之間，並包覆該發光層12、該第一電極16、該第二半導體層14、該第二電極18、該第一金屬凸塊17a及該第二金屬凸塊17b。該支撐層15之材料為有機材料。該支撐層15可支撐該發光二極體1，減少該發光二極體1所產生之應力問題。

請參閱第二圖，係本發明之另一較佳實施例之結構示意圖。如圖所示，本實施例提供一種發光二極體，本實施例之發光二極體1與第一圖之發光二極體不同在於，該基板19具有複數凸狀結構191，並於該基板形成複數溝渠193，該些凸狀結構191可為複數光子晶體結構，如此結構有助於該支撐層15之形成，因該支撐層15為液相，該些溝渠193增加液流，使該支撐層15易附著於該基板19上。

請一併參閱第三圖，係本發明之另一較佳實施例之基板示意圖。如圖所示，承第二圖之實施例，該基板之該些凸狀結構191於該基板19形成該些溝渠193，每一溝渠193之寬度皆相同，該凸狀結構191可為條狀或塊狀，而該凸狀結構191之高度大於10nm。請一併參閱第四圖，係本發明之另一較佳實施例之基板示意圖。如圖所示，第三圖之實施例揭露該基板19之該些溝渠193之寬度皆相同，而本實施例之該基板19之該些溝渠193的寬度並不相同，而本實施例之該些溝渠193的寬度包含兩種寬度，分別為寬度a及寬度b，該些溝渠193呈週期性排列，即表示該些溝渠193之寬度排列為寬度a及寬度b交錯排列，本實施例之該些溝渠193的寬度包含兩種寬度為多種實施例之一種，該些溝渠193的寬度可包含至少一種寬度以上。

請參閱第五圖，係本發明之另一較佳實施例之結構示意圖。如圖所示，承第一圖之實施例，本實施例所提供之發光二極體1與第一圖之實施例所提供之發光二極體不同在於，該支撐層15包含複數奈米粒子151，該些奈米粒子151可能為複數螢光粒子，以轉換該發光二極體1所產生之光波長。本實施例所揭露之包含該些奈米粒子151之該支撐層15可應用於第二圖之實施例，於此不再贅述。

請參閱第六圖，係本發明之另一較佳實施例之結構示意圖。如圖所示， 承第一圖之實施例，本實施例所提供之發光二極體1與第一圖之實施例所提供之發光二極體不同在於，該基板19上更設有一反射層13，以反射該發光二極體1所發出之光，提升該發光二極體1之發光效率。而該反射層13可為一金屬層或一介電層。而本實施例所揭露之該反射層13可應用於第二圖及第五圖之實施例，於此不再贅述。

請一併參閱第七A圖，係本發明之另一較佳實施例之反射層示意圖。如圖所示，承第六圖之實施例，第六圖之實施例所揭露之該反射層13可為單一的金屬層或單一的介電層，而本實施例之該反射層13包含一金屬層131及至少一介電層133，該金屬層131具有至少一凹槽1311，該介電層133設於該凹槽1311內。請一併參閱第七B圖係本發明之另一較佳實施例之反射層示意圖。如圖所示，承第六圖之實施例，第六圖之實施例所揭露之該反射層13可為單一的金屬層或單一的介電層，而本實施例之該反射層13包含一金屬層131及一介電層133。

請參閱第八圖，係本發明之另一較佳實施例之結構示意圖。如圖所示，承第一圖之實施例，本實施例所提供之發光二極體1與第一圖之實施例所提供之發光二極體不同在於，該第一半導體層10設有一第一抗反射結構105，以增加該發光二極體1之出光方向。而本實施例所揭露之該第一抗反射結構105可應用於第二圖、第五圖及第六圖之實施例，於此不再贅述。

請參閱第九圖，係本發明之另一較佳實施例之結構示意圖。如圖所示，承第一圖之實施例，本實施例所提供之發光二極體1與第一圖之實施例所提供之發光二極體不同在於，該第一半導體層10設有一週期性結構107，該週期性結構107係如光子晶體結構，以提升該發光二極體1之發光效率。而本實施例所揭露之該週期性結構107可應用於第二圖、第五圖及第六圖之實施例，於此不再贅述。

請參閱第十圖，係本發明之另一較佳實施例之結構示意圖。如圖所示，承第八圖及第九圖之實施例，本實施例係結合第八圖及第九圖之實施例，該第一半導體層10設有一週期性結構107，該週期性結構107係如光子晶 體結構，並於設有該週期性結構107之該第一半導體層設有一10第一抗反射結構105，以提升該發光二極體之發光效率。而本實施例所揭露之具該週期性結構107及該第一抗反射結105之該第一半導體層10可應用於第二圖、第五圖及第六圖之實施例，於此不再贅述。

請參閱第十一圖，係本發明之另一較佳實施例之結構示意圖。如圖所示，承第一圖之實施例，第一圖知實施例所提供之發光二極體與本實施例所提供之發光二極體1不同在於，該第二半導體層14設有該第二電極18之一面設有一第二抗反射結構141，該第二抗反射結構141位於該第二半導體層14及該第二電極18之間，以增加該發光二極體1之出光方向，進而提升該發光二極體1之發光效率。而本實施例所揭露之該第二抗反射結構141可應用於第二圖、第五圖及第六圖之實施例，於此不再贅述。

請參閱第十二圖，係本發明之另一較佳實施例之結構示意圖。如圖所示，承第八圖及第十一圖之實施例，本實施例提供一種發光二極體1，其結合第八圖之實施例及第十一圖之實施例，於該第一半導體層10設有一第一抗反射結構105，於該第二半導體層14設有該第二電極18之一面設有一第二抗反射結構141，該第二抗反射結構141位於該第二半導體層14與該第二電極16之間，以增加該發光二極體1之出光方向，進而提升該發光二極體1之發光效率。而本實施例所揭露之該第一抗反射結構105及該第二抗反射結構141可應用於第二圖、第五圖及第六圖之實施例，於此不再贅述。

請參閱第十三圖，係本發明之另一較佳實施例之結構示意圖。如圖所示，承第九圖及第十一圖之實施例，本實施例提供一種發光二極體1，其結合第九圖之實施例及第十一圖之實施例，於該第一半導體層10設有一週期性結構107，該週期性結構107可為一光子晶體結構。於該第二半導體層14設有該第二電極18之一面設有一第二抗反射結構141，該第二抗反射結構141位於該第二半導體層14與該第二電極18之間，以增加該發光二極體1之出光方向，進而提升該發光二極體1之發光效率。而本實施例所揭露之該週期性結構107及該第二抗反射結構141可應用於第二圖、第五圖 及第六圖之實施例，於此不再贅述。

請參閱第十四圖，係本發明之另一較佳實施例之結構示意圖。如圖所示，承第十圖及第十一圖之實施例，本實施例提供一種發光二極體1，其結合第十圖之實施例及第十一圖之實施例，於該第一半導體層10設有一週期性結構107，該週期性結構107可為一光子晶體結構。於設有該週期性結構107之該第一半導體層10設有一第一抗反射結構105。於該第二半導體層14設有該第二電極18之一面設有一第二抗反射結構141，該第二抗反射結構141位於該第二半導體層14與該第二電極18之間，以增加該發光二極體1之出光方向，進而提升該發光二極體1之發光效率。而本實施例所揭露之該週期性結構107、該第一抗反射結構105及該第二抗反射結構141可應用於第二圖、第五圖及第六圖之實施例，於此不再贅述。

請參閱第十五圖，係本發明之另一較佳實施例之結構示意圖。如圖所示，承第一圖之實施例，本實施例所提供之發光二極體1與第一圖之實施例之發光二極體不同在於，該第二半導體層14與該第二電極18間設有一接觸層11，該接觸層11可為單一的透明導電層。而本實施例所揭露之該接觸層11可應用於除了第一圖之實施例之外之其他圖式之實施例，於此不再贅述。

請一併參閱第十六圖，係本發明之另一較佳實施例之接觸層示意圖。如圖所示，承第十五圖之實施例，第十五圖之實施例揭露該接觸層11為單一的透明導電層，而本實施例之該接觸層11包含一透明導電層111及一介電層113，該介電層113為一反射層，可反射該發光二極體1所產生之光，以提升該發光二極體1之發光效率。請一併參閱第十七圖，係本發明之另一較佳實施例之接觸層示意圖。如圖所示，本實施例所提供之該接觸層11為一金屬導電層115。請一併參閱第十八A圖，係本發明之另一較佳實施例之接觸層示意圖。如圖所示，承第十七圖之實施例，該接觸層11為該金屬導電層115，該金屬導電層115又包含一第一金屬導電層115a及至少一第二金屬導電層115b，該第一金屬導電層115a具有至少一凹槽1151a，該第 二金屬導電層115b設於該凹槽1151a內。請一併參閱第十八B圖，係本發明之另一較佳實施例之接觸層示意圖。如圖所示，承第十七圖之實施例，該接觸層11為該金屬導電層115，該金屬導電層115具有至少一凹槽1151，該介電層113設於該凹槽1151內，其中該介電層113為一反射層。

請參閱第十九圖，係本發明之另一較佳實施例之結構示意圖。如圖所示，承第十七圖之實施例，該接觸層11為該金屬導電層，為了使為該金屬導電層之該接觸層11更容易附著於該第二半導體層14，該接觸層11與該第二半導體層14間設有一黏著層117。於該接觸層11與該第二半導體層14間設有該黏著層117之技術亦可用於第十八圖之實施例，於此不再贅述。

請參閱第二十圖，係本發明之另一較佳實施例之結構示意圖。如圖所示，承第六圖之實施例，本實施例係於該第一半導體層10設置一螢光粉層2，以轉換該發光二極體1之光波長。而該螢光粉層2可設於該第一抗反射層(如第八圖、第十圖、第十二圖或第十四圖)，或者可設於具有該第一週期結構之該第一半導體層(如第九圖或第十三圖)。

由上述可知，本發明之發光二極體利用該支撐層支撐，以減少該發光二極體所產生之應力問題。另該基板更具有複數凸狀結構，並於該基板形成複數溝渠，以便該支撐層容易形成及附著於該基板上。更具有增加該發光二極體之出光方向之結構，以提升該發光二極體之發光效率。該發光二極體更具有該反射層，以反射該發光二極體所產生之光，亦更提升該發光二極體之發光效率。

綜上所述，本發明係實為一具有新穎性、進步性及可供產業利用者，應符合我國專利法所規定之專利申請要件無疑，爰依法提出發明專利申請，祈　鈞局早日賜准利，至感為禱。

惟以上所述者，僅為本發明之一較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍，舉凡依本發明申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾，均應包括於本發明之申請專利範圍內。

1‧‧‧發光二極體

10‧‧‧第一半導體層

101‧‧‧第一區域

103‧‧‧第二區域

105‧‧‧第一抗反射結構

107‧‧‧週期性結構

11‧‧‧接觸層

111‧‧‧透明導電層

113‧‧‧介電層

115‧‧‧金屬導電層

115a‧‧‧第一金屬導電層

115b‧‧‧第二金屬導電層

1151‧‧‧凹槽

1151a‧‧‧凹槽

117‧‧‧黏著層

12‧‧‧發光層

13‧‧‧反射層

131‧‧‧金屬層

1311‧‧‧凹槽

133‧‧‧介電層

14‧‧‧第二半導體層

141‧‧‧第二抗反射結構

15‧‧‧支撐層

151‧‧‧奈米粒子

16‧‧‧第一電極

17a‧‧‧第一金屬凸塊

17b‧‧‧第二金屬凸塊

18‧‧‧第二電極

19‧‧‧基板

191‧‧‧凸狀結構

193‧‧‧溝渠

2‧‧‧螢光粉層

第一圖：本發明之一較佳實施例之結構示意圖；第二圖：本發明之另一較佳實施例之結構示意圖；第三圖：本發明之另一較佳實施例之基板示意圖；第四圖：本發明之另一較佳實施例之基板示意圖；第五圖：本發明之另一較佳實施例之結構示意圖；第六圖：本發明之另一較佳實施例之結構示意圖；第七A圖：本發明之另一較佳實施例之反射層示意圖；第七B圖：本發明之另一較佳實施例之反射層示意圖；第八圖：本發明之另一較佳實施例之結構示意圖；第九圖：本發明之另一較佳實施例之結構示意圖；第十圖：本發明之另一較佳實施例之結構示意圖；第十一圖：本發明之另一較佳實施例之結構示意圖；第十二圖：本發明之另一較佳實施例之結構示意圖；第十三圖：本發明之另一較佳實施例之結構示意圖；第十四圖：本發明之另一較佳實施例之結構示意圖；第十五圖：本發明之另一較佳實施例之結構示意圖；第十六圖：本發明之另一較佳實施例之接觸層示意圖；第十七圖：本發明之另一較佳實施例之接觸層示意圖；第十八A圖：本發明之另一較佳實施例之接觸層示意圖；第十八B圖：本發明之另一較佳實施例之接觸層示意圖；第十九圖：本發明之另一較佳實施例之結構示意圖；以及第二十圖：本發明之另一較佳實施例之結構示意圖。

1‧‧‧發光二極體

10‧‧‧第一半導體層

101‧‧‧第一區域

103‧‧‧第二區域

12‧‧‧發光層

14‧‧‧第二半導體層

15‧‧‧支撐層

16‧‧‧第一電極

17a‧‧‧第一金屬凸塊

17b‧‧‧第二金屬凸塊

18‧‧‧第二電極

19‧‧‧基板

Claims (49)

1. 一種發光二極體，係包含：一第一半導體層，包含一第一區域及一第二區域；一發光層，設於該第一半導體層之該第一區域；一第二半導體層，設於該發光層；一第一電極，設於該第一半導體層之該第二區域；一第二電極，設於該第二半導體層；以及一基板，利用一第一金屬凸塊及一第二金屬凸塊分別與該第一電極及該第二電極接合，並具有複數凸狀結構，於該基板形成複數溝渠，該基板更設有一反射層，該反射層包含：一金屬層，包含至少一凹槽；以及至少一介電層，設於該金屬層之該凹槽。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該些凸狀結構為複數光子晶體結構。
3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該些凸狀結構分別為條狀或塊狀。
4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該些凸狀結構之高度大於10nm。
5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該些溝渠之寬度包含至少一種寬度，並呈週期性排列。
6. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該反射層為一金屬層。
7. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該反射層為一介電層。
8. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該反射層包含一金屬層及一介電層。
9. 一種發光二極體，係包含：一第一半導體層，包含一第一區域及一第二區域；一螢光粉層，設於該第一半導體層；一發光層，設於該第一半導體層之該第一區域；一第二半導體層，設於該發光層；一第一電極，設於該第一半導體層之該第二區域；一第二電極，設於該第二半導體層；以及一基板，利用一第一金屬凸塊及一第二金屬凸塊分別與該第一電極及該第二電極接合，並具有複數凸狀結構，於該基板形成複數溝渠。
10. 一種發光二極體，係包含：一第一半導體層，包含一第一區域及一第二區域，該第一半導體層設有一週期性結構；一螢光粉層，設於該週期性結構之該第一半導體層一發光層，設於該第一半導體層之該第一區域；一第二半導體層，設於該發光層；一第一電極，設於該第一半導體層之該第二區域；一第二電極，設於該第二半導體層；以及一基板，利用一第一金屬凸塊及一第二金屬凸塊分別與該第一電極及該第二電極接合，並具有複數凸狀結構，於該基板形成複數溝渠。
11. 一種發光二極體，係包含：一第一半導體層，包含一第一區域及一第二區域，該第一半導體層設有一週期性結構與一第一抗反射結構；一發光層，設於該第一半導體層之該第一區域；一第二半導體層，設於該發光層； 一第一電極，設於該第一半導體層之該第二區域；一第二電極，設於該第二半導體層；以及一基板，利用一第一金屬凸塊及一第二金屬凸塊分別與該第一電極及該第二電極接合，並具有複數凸狀結構，於該基板形成複數溝渠。
12. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體，更包含：一螢光粉層，設於該第一抗反射結構。
13. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體，其中該第二半導體層設有該第二電極之一面設有一第二抗反射結構。
14. 一種發光二極體，係包含：一第一半導體層，包含一第一區域及一第二區域，該第一半導體層設有一第一抗反射結構；一發光層，設於該第一半導體層之該第一區域；一第二半導體層，設於該發光層；一第一電極，設於該第一半導體層之該第二區域；一第二電極，設於該第二半導體層；以及一基板，利用一第一金屬凸塊及一第二金屬凸塊分別與該第一電極及該第二電極接合，並具有複數凸狀結構，於該基板形成複數溝渠。
15. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體，更包含：一螢光粉層，設於該第一抗反射結構。
16. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體，其中該第二半導體層設有該第二電極之一面設有一第二抗反射結構。
17. 一種發光二極體，係包含：一第一半導體層，包含一第一區域及一第二區域；一發光層，設於該第一半導體層之該第一區域； 一第二半導體層，設於該發光層；一第一電極，設於該第一半導體層之該第二區域；一第二電極，設於該第二半導體層；以及一基板，利用一第一金屬凸塊及一第二金屬凸塊分別與該第一電極及該第二電極接合，並具有複數凸狀結構，於該基板形成複數溝渠；其中該第二半導體層設有該第二電極之一面設有一第二抗反射結構。
18. 一種發光二極體，係包含：一第一半導體層，包含一第一區域及一第二區域；一發光層，設於該第一半導體層之該第一區域；一第二半導體層，設於該發光層；一第一電極，設於該第一半導體層之該第二區域；一第二電極，設於該第二半導體層；以及一基板，利用一第一金屬凸塊及一第二金屬凸塊分別與該第一電極及該第二電極接合，並具有複數凸狀結構，於該基板形成複數溝渠；其中，該第二半導體層與該第二電極之間更設有一接觸層。
19. 如申請專利範圍第18項所述之發光二極體，其中該接觸層為一透明導電層。
20. 如申請專利範圍第18項所述之發光二極體，其中該接觸層包含一透明導電層及一介電層。
21. 如申請專利範圍第18項所述之發光二極體，其中該接觸層包含：一金屬導電層，具有至少一凹槽；以及至少一介電層，設於該凹槽。
22. 如申請專利範圍第20或21項所述之發光二極體，其中該介電層 為一反射層。
23. 如申請專利範圍第21項所述之發光二極體，其中該接觸層與該第二半導體層間更設有一黏著層。
24. 如申請專利範圍第18項所述之發光二極體，其中該接觸層為一金屬導電層。
25. 如申請專利範圍第24項所述之發光二極體，其中該接觸層與該第二半導體層間更設有一黏著層。
26. 如申請專利範圍第24或25項所述之發光二極體，其中該金屬導電層包含：一第一金屬導電層，具有至少一凹槽；以及至少一第二金屬導電層，設於該凹槽。
27. 一種發光二極體，係包含：一第一半導體層，包含一第一區域及一第二區域；一發光層，設於該第一半導體層之該第一區域；一第二半導體層，設於該發光層；一第一電極，設於該第一半導體層之該第二區域；一第二電極，設於該第二半導體層；一基板，分別利用一第一金屬凸塊及一第二金屬凸塊與該第一電極及該第二電極接合；以及一支撐層，設於該發光層與該基板之間，並包覆該發光層、該第一電極、該第二半導體層、該第二電極、該第一金屬凸塊及該第二金屬凸塊，該支撐層之材料為有機材料，並包含複數奈米粒子。
28. 如申請專利範圍第27項所述之發光二極體，其中該基板更設有一反射層。
29. 如申請專利範圍第28項所述之發光二極體，其中該反射層為一 金屬層。
30. 如申請專利範圍第28項所述之發光二極體，其中該反射層為一介電層。
31. 如申請專利範圍第28項所述之發光二極體，其中該反射層包含一金屬層及一介電層。
32. 如申請專利範圍第28項所述之發光二極體，其中該反射層包含：一金屬層，包含至少一凹槽；以及至少一介電層，設於該金屬層之該凹槽。
33. 如申請專利範圍第27項所述之發光二極體，更包含：一螢光粉層，設於該第一半導體層。
34. 如申請專利範圍第27項所述之發光二極體，其中該第一半導體層設有一第一抗反射結構。
35. 如申請專利範圍第34項所述之發光二極體，更包含：一螢光粉層，設於該第一抗反射結構。
36. 如申請專利範圍第27項所述之發光二極體，其中該第一半導體層設有一週期性結構。
37. 如申請專利範圍第36項所述之發光二極體，更包含：一螢光粉層，設於該週期性結構之該第一半導體層。
38. 如申請專利範圍第36項所述之發光二極體，其中設有該週期性結構之該第一半導體層設有一第一抗反射結構。
39. 如申請專利範圍第38項所述之發光二極體，更包含：一螢光粉層，設於該第一抗反射結構。
40. 如申請專利範圍第27、34、36或38項所述之發光二極體，其中該第二半導體層設有該第二電極之一面設有一第二抗反射結構。
41. 如申請專利範圍第27項所述之發光二極體，其中該第二半導體層與該第二電極之間更設有一接觸層。
42. 如申請專利範圍第41項所述之發光二極體，其中該接觸層為一透明導電層。
43. 如申請專利範圍第41項所述之發光二極體，其中該接觸層包含一透明導電層及一介電層。
44. 如申請專利範圍第41項所述之發光二極體，其中該接觸層包含：一金屬導電層，具有至少一凹槽；以及至少一介電層，設於該凹槽。
45. 如申請專利範圍第43或44項所述之發光二極體，其中該介電層為一反射層。
46. 如申請專利範圍第44項所述之發光二極體，其中該接觸層與該第二半導體層間更設有一黏著層。
47. 如申請專利範圍第41項所述之發光二極體，其中該接觸層為一金屬導電層。
48. 如申請專利範圍第47項所述之發光二極體，其中該接觸層與該第二半導體層間更設有一黏著層。
49. 如申請專利範圍第47或48項所述之發光二極體，其中該金屬導電層包含：一第一金屬導電層，具有至少一凹槽；以及至少一第二金屬導電層，設於該凹槽。