TWI443512B - 區塊管理方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置 - Google Patents

區塊管理方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置 Download PDF

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Description

區塊管理方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置
本發明是有關於一種區塊管理方法，且特別是有關於一種用於管理可複寫式非揮發性記憶體之實體區塊的區塊管理方法及使用此方法的記憶體控制器與記憶體儲存裝置。
數位相機、手機與MP3在這幾年來的成長十分迅速，使得消費者對儲存媒體的需求也急速增加。由於可複寫式非揮發性記憶體(rewritable non-volatile memory)具有資料非揮發性、省電、體積小、無機械結構、讀寫速度快等特性，最適於可攜式電子產品，例如筆記型電腦。固態硬碟就是一種以快閃記憶體作為儲存媒體的儲存裝置。因此，近年快閃記憶體產業成為電子產業中相當熱門的一環。
可複寫式非揮發性記憶體模組具有多個實體區塊(physical block)，且每一實體區塊具有多個實體頁面(physical page)，其中在實體區塊中寫入資料時必須依據實體頁面的順序依序地寫入資料。此外，已被寫入資料之實體頁面並需先被抹除後才能再次用於寫入資料。特別是，實體區塊為抹除之最小單位，並且實體頁面為程式化(亦稱寫入)的最小單元。
因此，當可複寫式非揮發性記憶體儲存裝置(以下稱為記憶體儲存裝置)被製造完成而進行第一次格式化(亦稱為開卡)時，記憶體儲存裝置的記憶體控制器會對可複寫式非揮發性記憶體模組的所有實體區塊進行磁碟掃瞄以識別好的實體區塊，將此些好的實體區塊優先分組至資料區與閒置區並且將剩餘的實體區塊分組至取代區。
資料區的實體區塊是用以儲存主機系統所儲存之資料，而閒置區的實體區塊是用以輪替資料區中的實體區塊。因此，在閒置區中的實體區塊為空或可使用的區塊，即無記錄資料或標記為已沒用的無效資料。也就是說，資料區與閒置區的實體區塊的實體頁面是以輪替方式來映射邏輯區塊的邏輯頁面，以儲存主機系統所寫入的資料。例如，當主機系統欲將資料寫入至儲存裝置之某一邏輯區塊的某一邏輯頁面時，記憶體控制器會從閒置區中提取實體區塊作為替換實體區塊，將此資料寫入至所提取之替換實體區塊的實體頁面中，並且記錄此邏輯頁面的資料被儲存於此實體頁面中。此外，在資料區中原先映射此邏輯頁面的實體頁面會被標記為無效。
取代區的實體區塊是用以在記憶體儲存裝置運作過程中取代發生損壞的實體區塊。更詳細來說，在一個實體區塊經過多次抹除(例如，10000次)後，此實體區塊可能會損壞而無法再被程式化。因此，當資料區中有實體區塊損壞時，記憶體控制器會嘗試從取代區中提取可用實體區塊來取代壞實體區塊。特別是，倘若取代區無可用實體區塊可取代壞實體區塊時，則此儲存裝置將會被宣告無法再被用來儲存資料，即進入寫入保護模式。
然而，事實上，當取代區無可用實體區塊可取代壞實體區塊時，資料區與閒置區中仍存許多未損壞的實體區塊，可用以儲存資料。因此，如果可繼續利用此些未損壞的實體區塊來儲存資料，將可有效地延長記憶體儲存裝置的壽命。
本發明提供一種區塊管理方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置，其能夠有效地使用未損壞的實體區塊。
本發明範例實施例提出一種區塊管理方法，用於一可複寫式非揮發性記憶體模組，其中此可複寫式非揮發性記憶體模組具有多個實體區塊。本區塊管理方法包括將此些實體區塊邏輯地至少分組為資料區、閒置區與取代區，其中資料區的實體區塊包括一個或多個壞實體區塊。本區塊管理方法亦包括配置多個邏輯區塊，以映射屬於資料區的實體區塊，其中每一邏輯區塊獨立地映射資料區的實體區塊的其中之一。本區塊管理方法更包括將此些邏輯區塊之中映射壞實體區塊的邏輯區塊標記為屬於壞邏輯位址。
在本發明之一實施例中，上述之將邏輯區塊之中映射壞實體區塊的壞邏輯區塊標記為屬於壞邏輯位址的步驟包括：在區塊映射表中記錄邏輯區塊與屬於資料區的實體區塊之間的多個映射；在區塊映射表中為每一邏輯區塊對應地配置一識別標記；以及在區塊映射表中將對應屬於壞邏輯位址的邏輯區塊的識別標記分別地記錄成損壞狀態。
在本發明之一實施例中，上述之區塊管理方法更包括：從主機系統接收第一寫入指令與對應第一寫入指令的第一寫入資料，其中第一寫入資料是屬於第一邏輯區塊並且在區塊映射表中第一邏輯區塊目前映射資料區的實體區塊之中的第一實體區塊並且，上述本區塊管理方法還包括判斷對應第一邏輯區塊的識別標記是否被記錄為損壞狀態；以及當對應第一邏輯區塊的識別標記被記錄為損壞狀態時，將錯誤訊息傳送給主機系統以回應此第一寫入指令。
在本發明之一實施例中，上述之區塊管理方法更包括：當對應第一邏輯區塊的識別標記非被記錄為損壞狀態時，從閒置區中提取第二實體區塊，並且下達第一程式化指令以將第一寫入資料寫入至第二實體區塊。
在本發明之一實施例中，上述之區塊管理方法更包括判斷第一寫入資料是否正常地被寫入至第二實體區塊中；以及當第一寫入資料無法正常地被寫入至第二實體區塊中時，判斷取代區的實體區塊之中是否存有可用實體區塊。上述本區塊管理方法還包括，當取代區的實體區塊之中無存有可用實體區塊時，在區塊映射表中將第一邏輯區塊重新映射至第二實體區塊，在區塊映射表中將對應第一邏輯區塊的識別標記記錄成損壞狀態並且將第一實體區塊關聯至閒置區。
本發明範例實施例提出一種區塊管理方法，用於可複寫式非揮發性記憶體模組，其中可複寫式非揮發性記憶體模組具有多個實體區塊。本區塊管理方法包括將此些實體區塊邏輯地至少分組為資料區、閒置區與取代區；並且配置多個邏輯區塊，以映射資料區的實體區塊，其中每一邏輯區塊獨立地映射資料區的實體區塊的其中之一。本區塊管理方法也包括從主機系統接收第一寫入指令與對應第一寫入指令的第一寫入資料，其中第一寫入資料是屬於第一邏輯區塊並且第一邏輯區塊映射資料區的實體區塊之中的第一實體區塊。本區塊管理方法還包括從閒置區中提取第二實體區塊，下達第一程式化指令以將第一寫入資料寫入至第二實體區塊中並且判斷第一寫入資料是否正常地被寫入至第二實體區塊中。本區塊管理方法更包括，當第一寫入資料無法正常地被寫入至第二實體區塊中時，判斷取代區中是否存有可用實體區塊；以及當取代區中無存有可用實體區塊時，將第一邏輯區塊重新映射至第二實體區塊，將第一邏輯區塊標記為屬於壞邏輯位址並且將第一實體區塊關聯至閒置區。
在本發明之一實施例中，上述之區塊管理方法更包括，當取代區中存有可用實體區塊時，下達第二程式化指令以將第一寫入資料寫入至可用實體區塊中。
在本發明之一實施例中，上述之區塊管理方法更包括：在區塊映射表中記錄邏輯區塊與屬於資料區的實體區塊之間的多個映射；以及在區塊映射表中為每一邏輯區塊對應地配置一識別標記。此外，上述之將第一邏輯區塊標記為屬於壞邏輯位址的步驟包括：在區塊映射表中將對應第一邏輯區塊的識別標記記錄成損壞狀態。
本發明範例實施例提出一種記憶體控制器，用於控制可複寫式非揮發性記憶體模組，其中此可複寫式非揮發性記憶體模組具有多個實體區塊。本記憶體控制器包括主機介面、記憶體介面與記憶體管理電路。主機介面用以耦接至主機系統。記憶體介面用以耦接至可複寫式非揮發性記憶體模組。記憶體管理電路耦接至主機介面與記憶體介面，並且用以將此些實體區塊邏輯地至少分組為資料區、閒置區與取代區，其中資料區的實體區塊包括一個或多個壞實體區塊。此外，記憶體管理電路更用以配置多個邏輯區塊，以映射屬於資料區的實體區塊，其中每一邏輯區塊獨立地映射資料區的實體區塊的其中之一。再者，記憶體管理電路更用以將邏輯區塊之中映射壞實體區塊的邏輯區塊標記為屬於壞邏輯位址。
在本發明之一實施例中，上述之記憶體管理電路在區塊映射表中記錄邏輯區塊與屬於資料區的實體區塊之間的映射。此外，記憶體管理電路在區塊映射表中為每一邏輯區塊對應地配置識別標記。再者，記憶體管理電路在區塊映射表中將對應屬於壞邏輯位址的邏輯區塊的識別標記分別地記錄成損壞狀態。
在本發明之一實施例中，上述之記憶體管理電路透過主機介面從主機系統接收第一寫入指令與對應第一寫入指令的第一寫入資料，其中第一寫入資料是屬於第一邏輯區塊並且在區塊映射表中第一邏輯區塊目前映射資料區的實體區塊之中的第一實體區塊。再者，記憶體管理電路判斷對應第一邏輯區塊的識別標記是否被記錄為損壞狀態。當對應第一邏輯區塊的識別標記被記錄為損壞狀態時，記憶體管理電路將錯誤訊息傳送給主機系統以回應此第一寫入指令。
在本發明之一實施例中，當對應第一邏輯區塊的識別標記非被記錄為損壞狀態時，記憶體管理電路從閒置區的實體區塊中提取第二實體區塊，並且下達第一程式化指令以將第一寫入資料寫入至第二實體區塊。
在本發明之一實施例中，上述之記憶體管理電路判斷第一寫入資料是否正常地被寫入至第二實體區塊中。當第一寫入資料無法正常地被寫入至第二實體區塊中時，記憶體管理電路判斷取代區的實體區塊之中是否存有可用實體區塊。當取代區的實體區塊之中無存有可用實體區塊時，記憶體管理電路在區塊映射表中將第一邏輯區塊重新映射至第二實體區塊，在區塊映射表中將對應第一邏輯區塊的識別標記記錄成損壞狀態並且將第一實體區塊關聯至閒置區。
本發明範例實施例提出一種記憶體控制器，用於控制可複寫式非揮發性記憶體模組，其中此可複寫式非揮發性記憶體模組具有多個實體區塊。本記憶體控制器包括主機介面、記憶體介面與記憶體管理電路。主機介面用以耦接至主機系統。記憶體介面用以耦接至可複寫式非揮發性記憶體模組。記憶體管理電路耦接至主機介面與記憶體介面，並且用以將此些實體區塊邏輯地至少分組為資料區、閒置區與取代區。此外，記憶體管理電路更用以配置多個邏輯區塊，以映射資料區的實體區塊，其中每一邏輯區塊獨立地映射資料區的實體區塊的其中之一。另外，記憶體管理電路透過主機介面從主機系統接收第一寫入指令與對應第一寫入指令的第一寫入資料，其中第一寫入資料是屬於第一邏輯區塊並且第一邏輯區塊映射資料區的實體區塊之中的第一實體區塊。並且，記憶體管理電路更用以從閒置區的實體區塊中提取第二實體區塊，下達第一程式化指令以將第一寫入資料寫入至第二實體區塊中並且判斷第一寫入資料是否正常地被寫入至第二實體區塊中。當第一寫入資料無法正常地被寫入至第二實體區塊中時，記憶體管理電路判斷取代區的實體區塊之中是否存有可用實體區塊。當取代區的實體區塊之中無存有可用實體區塊時，其中記憶體管理電路將第一邏輯區塊重新映射至第二實體區塊，將第一邏輯區塊標記為屬於壞邏輯位址並且將第一實體區塊關聯至閒置區。
在本發明之一實施例中，當取代區的實體區塊之中存有可用實體區塊時，記憶體管理電路下達第二程式化指令以將第一寫入資料寫入至可用實體區塊中。
在本發明之一實施例中，上述之記憶體管理電路在區塊映射表中記錄邏輯區塊與屬於資料區的實體區塊之間的映射，在區塊映射表中為每一邏輯區塊對應地配置一識別標記，並且在區塊映射表中將對應第一邏輯區塊的識別標記記錄成損壞狀態，以將第一邏輯區塊標記為屬於壞邏輯位址。
本發明範例實施例提出一種記憶體儲存裝置，其包括具有多個實體區塊的可複寫式非揮發性記憶體模組、用以耦接至主機系統的連接器與記憶體控制器。記憶體控制器耦接至可複寫式非揮發性記憶體模組與連接器，並且用以將實體區塊邏輯地至少分組為資料區、閒置區與取代區，其中資料區的實體區塊包括一個或多個壞實體區塊。此外，記憶體控制器更用以配置多個邏輯區塊，以映射屬於資料區的實體區塊，其中每一邏輯區塊獨立地映射資料區的實體區塊的其中之一。再者，記憶體控制器更用以將邏輯區塊之中映射壞實體區塊的邏輯區塊標記為屬於壞邏輯位址。
在本發明之一實施例中，上述之記憶體控制器在區塊映射表中記錄邏輯區塊與屬於資料區的實體區塊之間的映射。此外，記憶體控制器在區塊映射表中為每一邏輯區塊對應地配置識別標記。再者，記憶體控制器在區塊映射表中將對應屬於壞邏輯位址的邏輯區塊的識別標記分別地記錄成損壞狀態。
在本發明之一實施例中，上述之記憶體控制器透過連接器從主機系統接收第一寫入指令與對應第一寫入指令的第一寫入資料，其中第一寫入資料是屬於第一邏輯區塊並且在區塊映射表中第一邏輯區塊目前映射資料區的實體區塊之中的第一實體區塊。再者，記憶體控制器判斷對應第一邏輯區塊的識別標記是否被記錄為損壞狀態。當對應第一邏輯區塊的識別標記被記錄為損壞狀態時，記憶體控制器將錯誤訊息傳送給主機系統以回應此第一寫入指令。
在本發明之一實施例中，當對應第一邏輯區塊的識別標記非被記錄為損壞狀態時，記憶體控制器從閒置區的實體區塊中提取第二實體區塊，並且下達第一程式化指令以將第一寫入資料寫入至第二實體區塊。
在本發明之一實施例中，上述之記憶體控制器判斷第一寫入資料是否正常地被寫入至第二實體區塊中。當第一寫入資料無法正常地被寫入至第二實體區塊中時，記憶體控制器判斷取代區的實體區塊之中是否存有可用實體區塊。當取代區的實體區塊之中無存有可用實體區塊時，記憶體控制器在區塊映射表中將第一邏輯區塊重新映射至第二實體區塊，在區塊映射表中將對應第一邏輯區塊的識別標記記錄成損壞狀態並且將第一實體區塊關聯至閒置區。
本發明範例實施例提出一種記憶體儲存裝置，其包括具有多個實體區塊的可複寫式非揮發性記憶體模組、用以耦接至主機系統的連接器與記憶體控制器。記憶體控制器耦接至可複寫式非揮發性記憶體模組與連接器，並且用以將實體區塊邏輯地至少分組為資料區、閒置區與取代區。此外，記憶體控制器更用以配置多個邏輯區塊，以映射資料區的實體區塊，其中每一邏輯區塊獨立地映射資料區的實體區塊的其中之一。另外，記憶體控制器透過連接器從主機系統接收第一寫入指令與對應第一寫入指令的第一寫入資料，其中第一寫入資料是屬於第一邏輯區塊並且第一邏輯區塊映射資料區的實體區塊之中的第一實體區塊。另外，記憶體控制器更用以從閒置區中提取第二實體區塊，下達第一程式化指令以將第一寫入資料寫入至第二實體區塊中並且判斷第一寫入資料是否正常地被寫入至第二實體區塊中。當第一寫入資料無法正常地被寫入至第二實體區塊中時，記憶體控制器判斷取代區的實體區塊之中是否存有可用實體區塊。當取代區的實體區塊之中無存有可用實體區塊時，記憶體控制器將第一邏輯區塊重新映射至第二實體區塊，將第一邏輯區塊標記為屬於壞邏輯位址並且將第一實體區塊關聯至閒置區。
在本發明之一實施例中，當取代區的實體區塊之中存有可用實體區塊時，記憶體控制器下達第二程式化指令以將第一寫入資料寫入至可用實體區塊中。
在本發明之一實施例中，上述之記憶體控制器在區塊映射表中記錄邏輯區塊與屬於資料區的實體區塊之間的映射，在區塊映射表中為每一邏輯區塊對應地配置一識別標記，並且在區塊映射表中將對應第一邏輯區塊的識別標記記錄成損壞狀態，以將第一邏輯區塊標記為屬於壞邏輯位址。
基於上述，本發明範例實施例的區塊管理方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置能夠有效地利用未損壞的實體區塊，以使得壞實體區塊過多個可複寫式非揮發性記憶體模組亦可繼續被用來儲存資料並且延長記憶體儲存裝置的壽命。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
 [第一範例實施例]
一般而言，記憶體儲存裝置(亦稱，記憶體儲存系統)包括可複寫式非揮發性記憶體模組與控制器(亦稱，控制電路)。通常記憶體儲存裝置是與主機系統一起使用，以使主機系統可將資料寫入至記憶體儲存裝置或從記憶體儲存裝置中讀取資料。
圖1A是根據本發明第一範例實施例所繪示的主機系統與記憶體儲存裝置。
請參照圖1A，主機系統1000一般包括電腦1100與輸入/輸出(input/output,I/O)裝置1106。電腦1100包括微處理器1102、隨機存取記憶體(random access memory,RAM)1104、系統匯流排1108與資料傳輸介面1110。輸入/輸出裝置1106包括如圖1B的滑鼠1202、鍵盤1204、顯示器1206與印表機1208。必須瞭解的是，圖1B所示的裝置非限制輸入/輸出裝置1106，輸入/輸出裝置1106可更包括其他裝置。
在本發明實施例中，記憶體儲存裝置100是透過資料傳輸介面1110與主機系統1000的其他元件耦接。藉由微處理器1102、隨機存取記憶體1104與輸入/輸出裝置1106的運作可將資料寫入至記憶體儲存裝置100或從記憶體儲存裝置100中讀取資料。例如，記憶體儲存裝置100可以是如圖1B所示的隨身碟1212、記憶卡1214或固態硬碟(Solid State Drive,SSD)1216等的可複寫式非揮發性記憶體儲存裝置。
一般而言，主機系統1000可實質地為可與記憶體儲存裝置100配合以儲存資料的任意系統。雖然在本範例實施例中，主機系統1000是以電腦系統來作說明，然而，在本發明另一範例實施例中主機系統1000可以是數位相機、攝影機、通信裝置、音訊播放器或視訊播放器等系統。例如，在主機系統為數位相機(攝影機)1310時，可複寫式非揮發性記憶體儲存裝置則為其所使用的SD卡1312、MMC卡1314、記憶棒(memory stick)1316、CF卡1318或嵌入式儲存裝置1320(如圖1C所示)。嵌入式儲存裝置1320包括嵌入式多媒體卡(Embedded MMC,eMMC)。值得一提的是，嵌入式多媒體卡是直接耦接於主機系統的基板上。
圖2是繪示圖1A所示的記憶體儲存裝置的概要方塊圖。
請參照圖2，記憶體儲存裝置100包括連接器102、記憶體控制器104與可複寫式非揮發性記憶體模組106。
在本範例實施例中，連接器102是相容於序列先進附件(Serial Advanced Technology Attachment,SATA)標準。然而，必須瞭解的是，本發明不限於此，連接器102亦可以是符合電氣和電子工程師協會(Institute of Electrical and Electronic Engineers,IEEE)1394標準、平行先進附件(Parallel Advanced Technology Attachment，PATA)標準、高速周邊零件連接介面(Peripheral Component Interconnect Express,PCI Express)標準、通用序列匯流排(Universal Serial Bus,USB)標準、安全數位(Secure Digital,SD)介面標準、記憶棒(Memory Stick,MS)介面標準、多媒體儲存卡(Multi Media Card,MMC)介面標準、小型快閃(Compact Flash,CF)介面標準、整合式驅動電子介面(Integrated Device Electronics,IDE)標準或其他適合的標準。
記憶體控制器104用以執行以硬體型式或韌體型式實作的多個邏輯閘或控制指令，並且根據主機系統1000的指令在可複寫式非揮發性記憶體模組106中進行資料的寫入、讀取、抹除與合併等運作。
可複寫式非揮發性記憶體模組106是耦接至記憶體控制器104，並且具有多個實體區塊以儲存主機系統1000所寫入之資料。在本範例實施例中，每一實體區塊分別具有複數個實體頁面，其中屬於同一個實體區塊之實體頁面可被獨立地寫入且被同時地抹除。例如，每一實體區塊是由128個實體頁面所組成，並且每一實體頁面的容量為4千位元組(Kilobyte,KB)。然而，必須瞭解的是，本發明不限於此，每一實體區塊是可由64個實體頁面、256個實體頁面或其他任意個實體頁面所組成。
更詳細來說，實體區塊為抹除之最小單位。亦即，每一實體區塊含有最小數目之一併被抹除之記憶胞。實體頁面為程式化的最小單元。即，實體頁面為寫入資料的最小單元。然而，必須瞭解的是，在本發明另一範例實施例中，寫入資料的最小單位亦可以是實體扇區或其他大小。每一實體頁面通常包括資料位元區與冗餘位元區。資料位元區用以儲存使用者的資料，而冗餘位元區用以儲存系統的資料(例如，錯誤檢查與校正碼)。
在本範例實施例中，可複寫式非揮發性記憶體模組106為多階記憶胞(Multi Level Cell,MLC)NAND快閃記憶體模組。然而，本發明不限於此，可複寫式非揮發性記憶體模組106亦可是單階記憶胞(Single Level Cell,SLC)NAND快閃記憶體模組、其他快閃記憶體模組或其他具有相同特性的記憶體模組。
圖3是根據本發明第一範例實施例所繪示之記憶體控制器的概要方塊圖。
請參照圖3，記憶體控制器104包括記憶體管理電路202、主機介面204與記憶體介面206。
記憶體管理電路202用以控制記憶體控制器104的整體運作。具體來說，記憶體管理電路202具有多個控制指令，並且在記憶體儲存裝置100運作時，此些控制指令會被執行以根據本範例實施例的區塊管理方法來管理可複寫式非揮發性記憶體模組106中的實體區塊。
在本範例實施例中，記憶體管理電路202的控制指令是以韌體型式來實作。例如，記憶體管理電路202具有微處理器單元(未繪示)與唯讀記憶體(未繪示)，並且此些控制指令是被燒錄至此唯讀記憶體中。當記憶體儲存裝置100運作時，此些控制指令會由微處理器單元來執行以進行資料的寫入、讀取與抹除等運作。
在本發明另一範例實施例中，記憶體管理電路202的控制指令亦可以程式碼型式儲存於可複寫式非揮發性記憶體模組106的特定區域(例如，記憶體模組中專用於存放系統資料的系統區)中。此外，記憶體管理電路202具有微處理器單元(未繪示)、唯讀記憶體(未繪示)及隨機存取記憶體(未繪示)。特別是，此唯讀記憶體具有驅動碼段，並且當記憶體控制器104被致能時，微處理器單元會先執行此驅動碼段來將儲存於可複寫式非揮發性記憶體模組106中之控制指令載入至記憶體管理電路202的隨機存取記憶體中。之後，微處理器單元會運轉此些控制指令以進行資料的寫入、讀取與抹除等運作。此外，在本發明另一範例實施例中，記憶體管理電路202的控制指令亦可以一硬體型式來實作。
主機介面204是耦接至記憶體管理電路202並且用以接收與識別主機系統1000所傳送的指令與資料。也就是說，主機系統1000所傳送的指令與資料會透過主機介面204來傳送至記憶體管理電路202。在本範例實施例中，主機介面204是相容於SATA標準。然而，必須瞭解的是本發明不限於此，主機介面204亦可以是相容於PATA標準、IEEE 1394標準、PCI Express標準、USB標準、SD標準、MS標準、MMC標準、CF標準、IDE標準或其他適合的資料傳輸標準。
記憶體介面206是耦接至記憶體管理電路202並且用以存取可複寫式非揮發性記憶體模組106。也就是說，欲寫入至可複寫式非揮發性記憶體模組106的資料會經由記憶體介面206轉換為可複寫式非揮發性記憶體模組106所能接受的格式。
在本發明一範例實施例中，記憶體控制器104還包括緩衝記憶體252。緩衝記憶體252是耦接至記憶體管理電路202並且用以暫存來自於主機系統1000的資料與指令或來自於可複寫式非揮發性記憶體模組106的資料。
在本發明一範例實施例中，記憶體控制器104還包括電源管理電路254。電源管理電路254是耦接至記憶體管理電路202並且用以控制記憶體儲存裝置100的電源。
在本發明一範例實施例中，記憶體控制器104還包括錯誤檢查與校正電路256。錯誤檢查與校正電路256是耦接至記憶體管理電路202並且用以執行錯誤檢查與校正程序以確保資料的正確性。具體來說，當記憶體管理電路202從主機系統1000中接收到寫入指令時，錯誤檢查與校正電路256會為對應此寫入指令的資料產生對應的錯誤檢查與校正碼(Error Checking and Correcting Code,ECC Code)，並且記憶體管理電路202會將對應此寫入指令的資料與對應的錯誤檢查與校正碼寫入至可複寫式非揮發性記憶體模組106中。之後，當記憶體管理電路202從可複寫式非揮發性記憶體模組106中讀取資料時會同時讀取此資料對應的錯誤檢查與校正碼，並且錯誤檢查與校正電路256會依據此錯誤檢查與校正碼對所讀取的資料執行錯誤檢查與校正程序。
圖4A與圖4B是根據本發明範例實施例所繪示管理可複寫式非揮發性記憶體模組之實體區塊的示意圖。
請參照圖4A，可複寫式非揮發性記憶體模組106具有實體區塊410(0)~410(N)，並且記憶體控制器104的記憶體管理電路202會將實體區塊410(0)~410(N)邏輯地分組為(或指派至)資料區(data area)502、閒置區(free area)504、系統區(system area)506與取代區(replacement area)508。
邏輯上屬於資料區502與閒置區504的實體區塊是用以儲存來自於主機系統1000的資料。具體來說，資料區502的實體區塊(亦稱為資料實體區塊)是被視為已儲存資料的實體區塊，而閒置區504的實體區塊(亦稱為閒置實體區塊)是用以寫入新資料的實體區塊。例如，當從主機系統1000接收到寫入指令與欲寫入之資料時，記憶體管理電路202會從閒置區504中提取實體區塊，並且將資料寫入至所提取的實體區塊中。再例如，當對某一邏輯區塊執行資料合併程序時，記憶體管理電路202會從閒置區504中提取實體區塊作為對應此邏輯區塊的新資料實體區塊來寫入資料，並且替換原先映射此邏輯區塊的資料實體區塊。
在本範例實施例中，記憶體管理電路202是以每一實體區塊為單位來對資料區502與閒置區504的實體區塊進行管理。然而，本發明不限於此，在另一範例實施例中，記憶體管理電路202亦可將資料區502與閒置區504的實體區塊分組為多個實體單元，並且以實體單元為單位來進行管理。例如，每一實體單元可由同一記憶體子模組或不同記憶體子模組中的至少一個實體區塊所組成。
邏輯上屬於系統區506的實體區塊是用以記錄系統資料。例如，系統資料包括關於可複寫式非揮發性記憶體模組的製造商與型號、可複寫式非揮發性記憶體模組的實體區塊數、每一實體區塊的實體頁面數等。
邏輯上屬於取代區508中的實體區塊是用於壞實體區塊取代程序，以取代損壞的實體區塊。具體來說，在記憶體儲存裝置100運作期間，倘若資料區502或閒置區504的實體區塊損壞時，記憶體管理電路202會從取代區508中提取正常的實體區塊來更換損壞的實體區塊。基於上述，在記憶體儲存裝置100的運作中，資料區502、閒置區504、系統區506與取代區508的實體區塊會動態地變動。例如，用以輪替儲存資料的實體區塊會變動地屬於資料區502或閒置區504。
值得一提的是，在記憶體儲存裝置100被製造完成而進行第一次被初始化(亦稱為開卡)時，記憶體管理電路202會對可複寫式非揮發性記憶體模組106的所有實體區塊410(0)~410(N)進行磁碟掃瞄以識別好實體區塊，將此些好實體區塊分組為資料區502、閒置區504與系統區506並且將剩餘好的實體區塊分組至取代區508，其中資料區502、閒置區504與系統區506之實體區塊的數量是固定的。具體來說，可複寫式非揮發性記憶體模組106在製造過程中，可能會產生具缺陷的實體區塊(以下稱為壞實體區塊)，因此，記憶體管理電路202會先識別出可用的實體區塊。此外，記憶體儲存裝置100會被配置具有固定數目之實體區塊的資料區502、閒置區504與系統區506。特別是，在本範例實施例中，記憶體管理電路202會判斷在開卡程序中被分組至取代區508中好實體區塊的數量是否小於一預定數目。例如，此預定數目會被設定為10，但本發明不以此為限。倘若被分組至取代區508中好實體區塊的數量小於預定數目時，記憶體管理電路202會將部分壞實體區塊分組至資料區502並且將部分好實體區塊從資料區502移至取代區508，以使得取代區508中好實體區塊的數量等於預定數目。也就是說，在開卡程序中，至少會將預定數目之好實體區塊分組至取代區508，並且倘若好實體區塊的數目不足時，部分壞實體區塊會被分組至資料區502。為了方便說明，在第一範例實施例中，假設在開卡過程中，被分組至資料區502的實體區塊410(P)為壞實體區塊。
請參照圖4B，記憶體管理電路202會配置邏輯區塊610(0)~610(H)以映射資料區502的實體區塊，其中每一邏輯區塊具有多個邏輯頁面並且此些邏輯頁面是依序地映射對應之資料實體區塊的實體頁面。例如，在記憶體儲存裝置100被格式化時，邏輯區塊610(0)~610(H)會初始地映射資料區502的實體區塊410(0)~410(F-1)。
在本發明範例實施例中，記憶體管理電路202會維護區塊映射表(例如，邏輯區塊-實體區塊映射表(logical block-physical block mapping table))以記錄邏輯區塊610(0)~610(H)與資料區502的實體區塊之間的映射。此外，由於主機系統1000是以邏輯存取位址(例如，扇區(Sector))為單位來存取資料，當主機系統1000存取資料時記憶體管理電路202會將對應記憶體儲存裝置100的邏輯存取位址710(0)~710(K)轉換成對應的邏輯頁面。例如，當主機系統1000欲存取某一邏輯存取位址時，記憶體管理電路202會將主機系統1000所存取的邏輯存取位址轉換為以對應的邏輯區塊與邏輯頁面所構成的多維位址，並且透過區塊映射表於對應的實體頁面中存取資料。
圖5~圖7是根據一範例實施例所繪示的使用子實體區塊來寫入更新資料的範例。
請同時參照圖5~圖7，例如，在邏輯區塊610(0)是映射至實體區塊410(0)的映射狀態下，當記憶體控制器104從主機系統1000中接收到寫入指令而欲寫入資料至屬於邏輯區塊610(0)的邏輯頁面時，記憶體控制器104會依據邏輯區塊-實體區塊映射表識別邏輯區塊610(0)目前是映射至實體區塊410(0)並且從閒置區504中提取實體區塊410(F)來輪替實體區塊410(0)。然而，當新資料寫入至實體區塊410(F)的同時，記憶體控制器104不會立刻將實體區塊410(0)中的所有有效資料搬移至實體區塊410(F)而抹除實體區塊410(0)。具體來說，記憶體控制器104會從實體區塊410(0)中讀取欲寫入實體頁面之前的有效資料(即，實體區塊410(0)的第0實體頁面與第1實體頁面中的資料)。之後，記憶體控制器104會將實體區塊410(0)中欲寫入實體頁面之前的有效資料寫入至實體區塊410(F)的第0實體頁面與第1實體頁面中(如圖5所示)，並且將新資料寫入至實體區塊410(F)的第2~4個實體頁面中(如圖6所示)。此時，記憶體控制器104即完成寫入的運作。因為實體區塊410(0)中的有效資料有可能在下個操作(例如，寫入指令)中變成無效，因此立刻將實體區塊410(0)中的有效資料搬移至實體區塊410(F)可能會造成無謂的搬移。此外，資料必須依序地寫入至實體區塊內的實體頁面，因此，記憶體控制器104僅會先搬移欲寫入實體頁面之前的有效資料(即，儲存在實體區塊410(0)的第0實體頁面與第0實體頁面中資料)，並且暫不搬移其餘有效資料(即，儲存在實體區塊410(0)的第5~K實體頁面中資料)。
在本範例實施例中，暫時地維持此等暫態關係的運作稱為開啟(open)母子區塊，並且原實體區塊(例如，上述實體區塊410(0))稱為母實體區塊而用以替換母實體區塊的實體區塊(例如，上述與實體區塊410(F))稱為子實體區塊。
之後，當需要將實體區塊410(0)與實體區塊410(F)的資料合併(merge)時，記憶體控制器104會將實體區塊410(0)與實體區塊410(F)的資料整併至一個實體區塊，由此提升實體區塊的使用效率。在此，合併母子區塊的運作稱為資料合併程序或關閉(close)母子區塊。例如，如圖7所示，當進行關閉母子區塊時，記憶體控制器104會從實體區塊410(0)中讀取剩餘的有效資料(即，實體區塊410(0)的第5～K實體頁面中的資料)，之後，記憶體控制器104會將實體區塊410(0)中剩餘的有效資料寫入至實體區塊410(F)的第5實體頁面～第K實體頁面中，然後記憶體控制器104會對實體區塊410(0)執行抹除操作並記憶體控制器104會將抹除後之實體區塊410(0)關聯至閒置區504並且將實體區塊410(F)關聯至資料區502。也就是說，記憶體控制器104會在邏輯區塊-實體區塊映射表中將邏輯區塊610(0)重新映射至實體區塊410(F)。此外，在本範例實施例中，記憶體控制器104會建立閒置區實體區塊表(未繪示)來記錄目前被關聯至閒置區504的實體區塊。值得一提的是，閒置區504中實體區塊的數目是有限的，基此，在記憶體儲存裝置100運作期間，已開啟之母子區塊組的數目亦會受到限制。因此，當記憶體儲存裝置100接收到來自於主機系統1000的寫入指令時，倘若已開啟母子區塊組的數目達到上限時，記憶體控制器104需關閉至少一組目前已開啟之母子區塊組後才可執行此寫入指令。
圖8是根據本發明第一範例實施所繪示的區塊映射表的範例。
請參照圖8，區塊映射表800包括邏輯區塊位址欄位、實體區塊位址欄位、識別標記欄位。
邏輯區塊位址欄位用以記錄提供給主機系統1000存取之邏輯區塊，並且實體區塊位址欄位用以記錄每一邏輯區塊所映射的實體區塊。
識別標記欄位用以記錄每一邏輯區塊為好邏輯位址或壞邏輯位址。具體來說，如上所述，在好實體區塊不足的情況下，一個或多個壞實體區塊會被分組至資料區502，因此，部分邏輯區塊會映射至壞實體區塊。在本範例實施例中，當對應一個邏輯區塊的識別標記被記錄成表示”非損壞狀態”的’0’時表示此邏輯區塊為好邏輯位址；並且當對應一個邏輯區塊的識別標記被記錄成表示”損壞狀態”的’1’時表示此邏輯區塊為壞邏輯位址。必須瞭解的是，本發明不限於此，其他符號亦可被用於區別好邏輯位址與壞邏輯位址。例如，在本範例實施例中，資料區502中的壞實體區塊410(P)在格式化過程中被映射至邏輯區塊610(K)。基此，記憶體管理電路202會將對應邏輯區塊610(K)的識別標記記錄成’1’。
在完成上述初始化與格式化之後，記憶體儲存裝置100即可根據主機系統1000的指令來存取資料。
值得一提的是，在本範例實施例中，當記憶體管理電路202透過主機介面204從主機系統1000接收到寫入指令與對應此寫入指令的寫入資料時，記憶體管理電路202會識別對應此寫入指令的邏輯區塊並且判斷對應此邏輯區塊的識別標記是否被記錄成損壞狀態。倘若對應此邏輯區塊的識別標記被記錄成損壞狀態時，記憶體管理電路202會將指示寫入失敗的錯誤訊息傳送給主機系統1000以回應此寫入指令，而不進行寫入運作。基此，主機系統1000會根據此錯誤訊息將此邏輯位址標記為壞軌區，而不再使用此邏輯位址來存取資料。
例如，在完成上述初始化與格式化之後，當主機系統1000傳送指示將資料儲存於邏輯區塊610(K)的寫入指令給記憶體儲存裝置100時，記憶體管理電路202會根據對應邏輯區塊610(K)的識別標記傳送錯誤訊息給主機系統1000，而不進行寫入運作。也就是說，在本範例實施例中，邏輯區塊610(K)與實體區塊410(P)之間的映射將會被固定而不會再被做任何更動。
圖9是根據第一範例實施例之區塊管理方法所繪示之分組實體區塊與配置邏輯區塊的的流程圖。
請參照圖9，在步驟S901中，實體區塊會被邏輯地至少分組為資料區、閒置區與取代區。例如，如上所述，記憶體控制器104的記憶體管理電路202會識別可複寫式非揮發性記憶體模組106中的好實體區塊並且將好實體區塊分組至資料區502、閒置區504、系統區506與取代區508中。
之後，在步驟S903中，取代區508中好實體區塊的數目會被判斷是否小於預定數目。
倘若取代區508中好實體區塊的數目小於預定數目時，在步驟S905中，一個或多個壞實體區塊會被分組至資料區502並且資料區502中一個或多個好實體區塊會被重新分組至取代區508，以使得取代區508中好實體區塊的數目等於預定數目。
之後，在步驟S907中，多個邏輯區塊會被配置，以映射屬於資料區504的實體區塊。並且，在步驟S909中，邏輯區塊之中映射壞實體區塊的邏輯區塊會被標記為屬於壞邏輯位址。具體來說，在步驟S907與步驟S909中，記憶體管理電路202會在區塊映射表500中將每一邏輯區塊獨立地映射至資料區的實體區塊的其中之一並且將對應映射壞實體區塊之邏輯區塊的識別標記記錄成損壞狀態(如圖8所示)。
圖10是根據第一範例實施例的區塊管理方法所繪示執行來自於主機系統之寫入指令的流程圖。
請參照圖10，在步驟S1001中，來自於主機系統1000的寫入指令(以下稱為第一寫入指令)與對應第一寫入指令的寫入資料(以下稱為第一寫入資料)會被接收。在此，假設第一寫入資料是欲被儲存至一個邏輯區塊(即，第一寫入資料是屬於此邏輯區塊(以下稱為第一邏輯區塊))並且第一邏輯區塊目前是映射於資料區502中的一個實體區塊(以下稱為第一實體區塊)。
之後，在步驟S1003中，對應第一邏輯區塊的識別標記會被判斷是否被記錄為損壞狀態。
倘若對應第一邏輯區塊的識別標記被記錄為損壞狀態時，在步驟S1005中，錯誤訊息會被傳送給主機系統1000以回應第一寫入指令。也就是說，記憶體管理電路202不會對可複寫式非揮發性記憶體模組106下達程式化指令，並且直接將指示寫入失敗的錯誤訊息傳送給主機系統1000。
倘若對應第一邏輯區塊的識別標記未被記錄為損壞狀態時，在步驟S1007中，一個實體區塊(以下稱為第二實體區塊)會從閒置區504中被提取，並且在步驟S1009中，第一程式化指令會被下達以將第一寫入資料寫入至第二實體區塊中。也就是說，記憶體管理電路202會對可複寫式非揮發性記憶體模組106下達程式化指令，以將主機系統1000欲儲存之資料寫入至從閒置區504中所提取的第二實體區塊中。
此外，在本發明另一範例實施例中，倘若屬於第一邏輯區塊的有效資料皆已被寫入至第二實體區塊(例如，如圖7所示)時，記憶體管理電路202更會在第一程式化指令成功地被完成之後，在區塊映射表500中將第一邏輯區塊重新映射至第二實體區塊並且將原始映射第一邏輯區塊之第一實體區塊關聯至閒置區504。
基於上述，在第一範例實施例中，倘若在開卡程序中識別出記憶體儲存裝置100存有過多壞實體區塊時，根據本範例實施例之區塊管理方法，記憶體儲存裝置100中其他好實體區塊仍可被有效地利用來儲存資料。
[第二範例實施例]
第一範例實施例是揭露在開卡過程中固定地將部分邏輯區塊標記為壞邏輯位址的區塊管理方法。也就是說，壞邏輯地址是在開卡過程中被標記，由此使得其他好實體區塊仍可繼續被使用來儲存資料。然而，如上所述，在記憶體儲存裝置運作期間，好實體區塊亦可能會因多次的抹除而損壞。在第二範例實施例中，記憶體管理電路是根據實體區塊的使用狀態來將逐步將邏輯區塊標記為壞邏輯位址，由此有效地延長記憶體儲存裝置的壽命。以下將使用第一範例實施例的圖1A、2、3的硬體架構來描述第二範例實施例。
在本範例實施例中，記憶體控制器104的記憶體管理電路202亦會如圖4A、4B、5～7所示來管理實體區塊及寫入資料並且亦會建立與維護的區塊映射表。
圖11是根據第二範例實施例所繪示之開卡時所建立之區塊映射表的範例。
請參照圖11，在本範例實施例中，在初始化(即，開卡程序)與格式化過程中，記憶體管理電路202會在區塊映射表800中將資料區502的實體區塊410(0)~410(F-1)分別地映射至邏輯區塊610(0)~610(H)，並且將對應每一邏輯區塊的識別標記記錄成指示”未損壞狀態”的’0’。在本範例實施例中，記憶體管理電路202不會將壞實體區塊分組至資料區502。
在本範例實施例中，當主機系統1000傳送寫入指令而欲將寫入資料儲存至一個邏輯區塊時，記憶體管理電路202會而下達程式化指令以將寫入資料寫入至從閒置區504中提取的實體區塊中。特別是，當寫入資料無法正常地被寫入至所提取之實體區塊並且取代區508中無存有可取代壞實體區塊之可用實體區塊時，記憶體管理電路202會將此邏輯區塊重新映射至所提取之實體區塊，將第一邏輯區塊標記為屬於壞邏輯位址，將原始映射此邏輯區塊之實體區塊關聯至閒置區504並且將指示寫入失敗的錯誤訊息傳送給主機系統1000。之後，只要主機系統1000欲將寫入資料儲存至此邏輯區塊時，記憶體管理電路202都會將錯誤訊息傳送給主機系統1000。
圖12是根據本發明第二範例實施例所繪示之區塊映射表的另一範例。
請參照圖12，在此假設主機系統1000所欲儲存之寫入資料是屬於邏輯區塊610(1)，實體區塊410(F)被提取作為子實體區塊來寫入此寫入資料，實體區塊410(F)發生程式化錯誤而被判定已損壞並且取代區508已無可用實體區塊。此時，記憶體管理電路202會在區塊映射表800中將邏輯區塊610(1)重新映射至實體區塊410(F)，將對應邏輯區塊610(1)的識別標記記錄成損壞狀態，將原始映射邏輯區塊610(1)的實體區塊410(1)關聯至閒置區504並且傳送指示寫入失敗的錯誤訊息給主機系統1000。特別是，後續當主機系統1000欲寫入資料至標記為損壞狀態之邏輯區塊時，記憶體管理電路202會直接將錯誤訊息傳送給主機系統1000，而不對可複寫式非揮發性記憶體模組106進行寫入運作。
更詳細來說，由於實體區塊410(F)已損壞並且取代區508已無可用實體區塊，因此，記憶體管理電路202透過將原始映射邏輯區塊之好實體區塊與從閒置區504中所提取之壞實體區塊交換並且將此邏輯區塊標記為屬於壞邏輯位址，可使閒置區504仍有足夠實體區塊來執行對其他好邏輯位址的寫入運作。基此，記憶體儲存裝置100仍可繼續儲存資料，直到所有邏輯區塊皆被標記為屬於壞邏輯位址為止。
圖13是根據第二範例實施例的區塊管理方法所繪示之分組實體區塊與配置邏輯區塊的流程圖。
請參照圖13，在步驟S1301中，實體區塊會被邏輯地至少分組為資料區、閒置區與取代區。例如，如上所述，記憶體控制器104的記憶體管理電路202會識別可複寫式非揮發性記憶體模組106中的好實體區塊並且將好實體區塊分組至資料區502、閒置區504、系統區506與取代區508中。
之後，在步驟S1303中，多個邏輯區塊會被配置，以映射屬於資料區504的實體區塊。具體來說，在步驟S1303中，記憶體管理電路202會在區塊映射表500中將每一邏輯區塊獨立地映射至資料區的實體區塊的其中之一並且將每一邏輯區塊的識別標記記錄成非損壞狀態(如圖11所示)。
圖14是根據第二範例實施例的區塊管理方法所繪示之執行來自於主機系統之寫入指令的流程圖。
請參照圖14，在步驟S1401中，來自於主機系統1000的寫入指令(以下稱為第一寫入指令)與對應第一寫入指令的寫入資料(以下稱為第一寫入資料)會被接收。在此，假設第一寫入資料是欲被儲存至一個邏輯區塊(即，第一寫入資料是屬於此邏輯區塊(以下稱為第一邏輯區塊))並且第一邏輯區塊目前是映射於資料區502中的一個實體區塊(以下稱為第一實體區塊)。
之後，在步驟S1403中，對應第一邏輯區塊的識別標記會被判斷是否被記錄為損壞狀態。
倘若對應第一邏輯區塊的識別標記被記錄為損壞狀態時，在步驟S1405中，錯誤訊息會被傳送給主機系統1000。也就是說，記憶體管理電路202不會對可複寫式非揮發性記憶體模組106下達程式化指令，而直接將指示寫入失敗的錯誤訊息傳送給主機系統1000。
倘若對應第一邏輯區塊的識別標記未被記錄為損壞狀態時，在步驟S1407中，一個實體區塊(以下稱為第二實體區塊)會從閒置區504中被提取，並且在步驟S1409中，程式化指令(以下稱為第一程式化指令)會被下達以將第一寫入資料寫入至第二實體區塊中。也就是說，記憶體管理電路202會對可複寫式非揮發性記憶體模組106下達程式化指令，以將主機系統1000欲儲存之資料寫入至從閒置區504中所提取的第二實體區塊中。
之後，在步驟S1411中，第一寫入資料會被判斷是否正常地被寫入至第二實體區塊中。
倘若第一寫入資料無法正常地被寫入至第二實體區塊中時，在步驟S1413中，取代區的實體區塊之中會被判斷是否存有可用實體區塊。
倘若取代區的實體區塊之中無存有可用實體區塊時，在步驟S1415中，第一邏輯區塊會被重新映射至第二實體區塊，第一邏輯區塊會被標記為屬於壞邏輯位址(即，第一邏輯區塊的識別標記會被標記為損壞狀態)，第一實體區塊會被關聯至閒置區並且錯誤訊息會被傳送至主機系統1000。
倘若取代區的實體區塊之中存有可用實體區塊時，在步驟S1417中，程式化指令(以下稱為第二程式化指令)會被下達以將第一寫入資料寫入至此可用實體區塊中。
基於上述，在第二範例實施例中，倘若在記憶體儲存裝置運作期間有實體區塊損壞且取代區508無可用實體區塊時，根據上述區塊管理方法記憶體儲存裝置100中其他好實體區塊仍可被有效地使用，以供主機系統1000進行存取。
值得一提的是，在上述第一範例實施例中壞邏輯位址是在開卡期間被標記並且在上述第二範例實施例中，壞邏輯位址是在記憶體儲存裝置運作期間逐步被標記。然而，在本發明另一範例實施例中，壞邏輯位址可在開卡期間被標記並且在記憶體儲存裝置運作期間亦會逐步被標記。例如，記憶體管理電路202可執行圖9所示的步驟來執行初始化(即，開卡程序)並且根據圖14的步驟來寫入資料。
綜上所述，當在開卡程序中發現可複寫式非揮發性記憶體模組中損壞實體區塊過多時，本發明範例實施例的區塊管理方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置會將損壞實體區塊分組至資料區並且將其對應之邏輯區塊標記為壞邏輯位址，由此開卡程序仍可被正常完成而有效地使用此可複寫式非揮發性記憶體模組中的好實體區塊。此外，在記憶體儲存裝置運作期間發生實體區塊損壞且取代區無可用實體區塊時，本發明範例實施例的區塊管理方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置會將損壞實體區塊映射至邏輯區塊並且將此邏輯區塊標記為壞邏輯位址，由此使其他好實體區塊仍可繼續被使用並且延長記憶體儲存裝置的壽命。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1000．．．主機系統
1100．．．電腦
1102．．．微處理器
1104．．．隨機存取記憶體
1106．．．輸入/輸出裝置
1108．．．系統匯流排
1110．．．資料傳輸介面
1202．．．滑鼠
1204．．．鍵盤
1206．．．顯示器
1208．．．印表機
1212．．．隨身碟
1214．．．記憶卡
1216．．．固態硬碟
1310．．．數位相機
1312．．．SD卡
1314．．．MMC卡
1316．．．記憶棒
1318．．．CF卡
1320．．．嵌入式儲存裝置
100．．．記憶體儲存裝置
102．．．連接器
104．．．記憶體控制器
106．．．可複寫式非揮發性記憶體模組
202．．．記憶體管理電路
204．．．主機介面
206．．．記憶體介面
252．．．緩衝記憶體
254．．．電源管理電路
256．．．錯誤檢查與校正電路
502．．．資料區
504．．．閒置區
506．．．系統區
508．．．取代區
410(0)~410(N)．．．實體區塊
610(0)~610(H)．．．邏輯區塊
710(0)~710(K)．．．邏輯存取位址
800．．．區塊映射表
S901、S903、S905、S907、S909．．．分組實體區塊與配置邏輯區塊的步驟
S1001、S1003、S1005、S1007、S1009．．．執行來自於主機系統之寫入指令的步驟
S1301、S1303．．．分組實體區塊與配置邏輯區塊的步驟
S1401、S1403、S1405、S1407、S1409、S1411、S1413、S1415．．．執行來自於主機系統之寫入指令的步驟
圖1A是根據本發明第一範例實施例繪示主機系統與記憶體儲存裝置。
圖1B是根據本發明第一範例實施例所繪示的電腦、輸入/輸出裝置與記憶體儲存裝置的示意圖。
圖1C是根據本發明另一範例實施例所繪示的主機系統與記憶體儲存裝置的示意圖。
圖2是繪示圖1A所示的記憶體儲存裝置的概要方塊圖。
圖3是根據本發明第一範例實施例所繪示之記憶體控制器的概要方塊圖。
圖4A與圖4B是根據本發明第一範例實施例所繪示管理可複寫式非揮發性記憶體模組之實體區塊的示意圖。
圖5~圖7是根據本發明第一範例實施例所繪示的寫入資料至可複寫式非揮發性記憶體模組的範例。
圖8是根據本發明第一範例實施所繪示的區塊映射表的範例。
圖9是根據第一範例實施例之區塊管理方法所繪示之分組實體區塊與配置邏輯區塊的流程圖。
圖10是根據第一範例實施例的區塊管理方法所繪示之執行來自於主機系統之寫入指令的流程圖。
圖11是根據第二範例實施例所繪示之開卡時所建立之區塊映射表的範例。
圖12是根據本發明第二範例實施例所繪示之區塊映射表的另一範例。
圖13是根據第二範例實施例的區塊管理方法所繪示之分組實體區塊與配置邏輯區塊的流程圖。
圖14是根據第二範例實施例的區塊管理方法所繪示之執行來自於主機系統之寫入指令的流程圖。
S901、S903、S905、S907、S909．．．分組實體區塊與配置邏輯區塊的步驟

Claims (24)

  1. 一種區塊管理方法，用於一可複寫式非揮發性記憶體模組，其中該可複寫式非揮發性記憶體模組具有多個實體區塊，該區塊管理方法包括：將該些實體區塊邏輯地至少分組為一資料區、一閒置區與一取代區，其中該資料區的該些實體區塊包括一個或多個壞實體區塊；配置多個邏輯區塊，以映射屬於該資料區的該些實體區塊，其中每一該些邏輯區塊獨立地映射該資料區的該些實體區塊的其中之一；以及將該些邏輯區塊之中映射該一個或多個壞實體區塊的一個或多個邏輯區塊標記為屬於一壞邏輯位址。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之區塊管理方法，其中將該些邏輯區塊之中映射該一個或多個壞實體區塊的該一個或多個邏輯區塊標記為屬於該壞邏輯位址的步驟包括：在一區塊映射表中記錄該些邏輯區塊與屬於該資料區的該些實體區塊之間的多個映射；在該區塊映射表中為每一該些邏輯區塊對應地配置一識別標記；以及在該區塊映射表中將該些識別標記之中對應屬於該壞邏輯位址的該一個或多個邏輯區塊的一個或多個識別標記分別地記錄成一損壞狀態。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之區塊管理方法，更包括：從一主機系統接收一第一寫入指令與對應該第一寫入指令的一第一寫入資料，其中該第一寫入資料是屬於該些邏輯區塊之中的一第一邏輯區塊並且在該區塊映射表中該第一邏輯區塊目前映射該資料區的該些實體區塊之中的一第一實體區塊；判斷該些識別標記之中對應該第一邏輯區塊的一識別標記是否被記錄為該損壞狀態；以及當對應該第一邏輯區塊的該識別標記被記錄為該損壞狀態時，將一錯誤訊息傳送給該主機系統以回應該第一寫入指令。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之區塊管理方法，更包括：當對應該第一邏輯區塊的該識別標記非被記錄為該損壞狀態時，從該閒置區的該些實體區塊中提取一第二實體區塊，並且下達一第一程式化指令以將該第一寫入資料寫入至該第二實體區塊。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之區塊管理方法，更包括：判斷該第一寫入資料是否正常地被寫入至該第二實體區塊中；當該第一寫入資料無法正常地被寫入至該第二實體區塊中時，判斷該取代區的該些實體區塊之中是否存有一可用實體區塊；以及當該取代區的該些實體區塊之中無存有該可用實體區塊時，在該區塊映射表中將該第一邏輯區塊重新映射至該第二實體區塊，在該區塊映射表中將對應該第一邏輯區塊的該識別標記記錄成該損壞狀態並且將該第一實體區塊關聯至該閒置區。
  6. 一種區塊管理方法，用於一可複寫式非揮發性記憶體模組，其中該可複寫式非揮發性記憶體模組具有多個實體區塊，該區塊管理方法包括：將該些實體區塊邏輯地至少分組為一資料區、一閒置區與一取代區；配置多個邏輯區塊，以映射該資料區的該些實體區塊，其中每一該些邏輯區塊獨立地映射該資料區的該些實體區塊的其中之一；從一主機系統接收一第一寫入指令與對應該第一寫入指令的一第一寫入資料，其中該第一寫入資料是屬於該些邏輯區塊之中的一第一邏輯區塊並且該第一邏輯區塊映射該資料區的該些實體區塊之中的一第一實體區塊；從該閒置區的該些實體區塊中提取一第二實體區塊，下達一第一程式化指令以將該第一寫入資料寫入至該第二實體區塊中並且判斷該第一寫入資料是否正常地被寫入至該第二實體區塊中；當該第一寫入資料無法正常地被寫入至該第二實體區塊中時，判斷該取代區的該些實體區塊之中是否存有一可用實體區塊；以及當該取代區的該些實體區塊之中無存有該可用實體區塊時，將該第一邏輯區塊重新映射至該第二實體區塊，將該第一邏輯區塊標記為屬於一壞邏輯位址並且將該第一實體區塊關聯至該閒置區。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之區塊管理方法，更包括：當該取代區的該些實體區塊之中存有該可用實體區塊時，下達一第二程式化指令以將該第一寫入資料寫入至該可用實體區塊中。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之區塊管理方法，更包括：在一區塊映射表中記錄該些邏輯區塊與屬於該資料區的該些實體區塊之間的多個映射；以及在該區塊映射表中為每一該些邏輯區塊對應地配置一識別標記，其中將該第一邏輯區塊標記為屬於該壞邏輯位址的步驟包括：在該區塊映射表中將該些識別標記之中對應該第一邏輯區塊的一識別標記記錄成一損壞狀態。
  9. 一種記憶體控制器，用於控制一可複寫式非揮發性記憶體模組，其中該可複寫式非揮發性記憶體模組具有多個實體區塊，該記憶體控制器包括：一主機介面，用以耦接至一主機系統；一記憶體介面，用以耦接至該可複寫式非揮發性記憶體模組；以及一記憶體管理電路，耦接至該主機介面與該記憶體介面，並且用以將該些實體區塊邏輯地至少分組為一資料區、一閒置區與一取代區，其中該資料區的該些實體區塊包括一個或多個壞實體區塊，其中該記憶體管理電路更用以配置多個邏輯區塊，以映射屬於該資料區的該些實體區塊，其中每一該些邏輯區塊獨立地映射該資料區的該些實體區塊的其中之一，其中該記憶體管理電路更用以將該些邏輯區塊之中映射該一個或多個壞實體區塊的一個或多個邏輯區塊標記為屬於一壞邏輯位址。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之記憶體控制器，其中該記憶體管理電路在一區塊映射表中記錄該些邏輯區塊與屬於該資料區的該些實體區塊之間的多個映射，其中該記憶體管理電路在該區塊映射表中為每一該些邏輯區塊對應地配置一識別標記，其中該記憶體管理電路在該區塊映射表中將該些識別標記之中對應屬於該壞邏輯位址的該一個或多個邏輯區塊的一個或多個識別標記分別地記錄成一損壞狀態。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之記憶體控制器，其中該記憶體管理電路透過該主機介面從該主機系統接收一第一寫入指令與對應該第一寫入指令的一第一寫入資料，其中該第一寫入資料是屬於該些邏輯區塊之中的一第一邏輯區塊並且在該區塊映射表中該第一邏輯區塊目前映射該資料區的該些實體區塊之中的一第一實體區塊，其中該記憶體管理電路判斷該些識別標記之中對應該第一邏輯區塊的一識別標記是否被記錄為該損壞狀態，其中當對應該第一邏輯區塊的該識別標記被記錄為該損壞狀態時，該記憶體管理電路將一錯誤訊息傳送給該主機系統以回應該第一寫入指令。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之記憶體控制器，其中當對應該第一邏輯區塊的該識別標記非被記錄為該損壞狀態時，該記憶體管理電路從該閒置區的該些實體區塊中提取一第二實體區塊，並且下達一第一程式化指令以將該第一寫入資料寫入至該第二實體區塊。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之記憶體控制器，其中該記憶體管理電路判斷該第一寫入資料是否正常地被寫入至該第二實體區塊中，其中當該第一寫入資料無法正常地被寫入至該第二實體區塊中時，該記憶體管理電路判斷該取代區的該些實體區塊之中是否存有一可用實體區塊，其中當該取代區的該些實體區塊之中無存有該可用實體區塊時，該記憶體管理電路在該區塊映射表中將該第一邏輯區塊重新映射至該第二實體區塊，在該區塊映射表中將對應該第一邏輯區塊的該識別標記記錄成該損壞狀態並且將該第一實體區塊關聯至該閒置區。
  14. 一種記憶體控制器，用於控制一可複寫式非揮發性記憶體模組，其中該可複寫式非揮發性記憶體模組具有多個實體區塊，該記憶體控制器包括：一主機介面，用以耦接至一主機系統；一記憶體介面，用以耦接至該可複寫式非揮發性記憶體模組；以及一記憶體管理電路，耦接至該主機介面與該記憶體介面，並且用以將該些實體區塊邏輯地至少分組為一資料區、一閒置區與一取代區；其中該記憶體管理電路更用以配置多個邏輯區塊，以映射該資料區的該些實體區塊，其中每一該些邏輯區塊獨立地映射該資料區的該些實體區塊的其中之一，其中該記憶體管理電路透過該主機介面從該主機系統接收一第一寫入指令與對應該第一寫入指令的一第一寫入資料，其中該第一寫入資料是屬於該些邏輯區塊之中的一第一邏輯區塊並且該第一邏輯區塊映射該資料區的該些實體區塊之中的一第一實體區塊，其中該記憶體管理電路更用以從該閒置區的該些實體區塊中提取一第二實體區塊，下達一第一程式化指令以將該第一寫入資料寫入至該第二實體區塊中並且判斷該第一寫入資料是否正常地被寫入至該第二實體區塊中；其中當該第一寫入資料無法正常地被寫入至該第二實體區塊中時，該記憶體管理電路判斷該取代區的該些實體區塊之中是否存有一可用實體區塊，其中當該取代區的該些實體區塊之中無存有該可用實體區塊時，該記憶體管理電路將該第一邏輯區塊重新映射至該第二實體區塊，將該第一邏輯區塊標記為屬於一壞邏輯位址並且將該第一實體區塊關聯至該閒置區。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之記憶體控制器，其中當該取代區的該些實體區塊之中存有該可用實體區塊時，該記憶體管理電路下達一第二程式化指令以將該第一寫入資料寫入至該可用實體區塊中。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之記憶體控制器，其中該記憶體管理電路在一區塊映射表中記錄該些邏輯區塊與屬於該資料區的該些實體區塊之間的多個映射，其中該記憶體管理電路在該區塊映射表中為每一該些邏輯區塊對應地配置一識別標記，其中該記憶體管理電路在該區塊映射表中將該些識別標記之中對應該第一邏輯區塊的一識別標記記錄成一損壞狀態，以將該第一邏輯區塊標記為屬於該壞邏輯位址。
  17. 一種記憶體儲存裝置，包括：一可複寫式非揮發性記憶體模組，具有多個實體區塊；一連接器，用以耦接至一主機系統；一記憶體控制器，耦接至該可複寫式非揮發性記憶體模組與該連接器，並且用以將該些實體區塊邏輯地至少分組為一資料區、一閒置區與一取代區，其中該資料區的該些實體區塊包括一個或多個壞實體區塊，其中該記憶體控制器更用以配置多個邏輯區塊，以映射屬於該資料區的該些實體區塊，其中每一該些邏輯區塊獨立地映射該資料區的該些實體區塊的其中之一，其中該記憶體控制器更用以將該些邏輯區塊之中映射該一個或多個壞實體區塊的一個或多個邏輯區塊標記為屬於一壞邏輯位址。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制器在一區塊映射表中記錄該些邏輯區塊與屬於該資料區的該些實體區塊之間的多個映射，其中該記憶體控制器在該區塊映射表中為每一該些邏輯區塊對應地配置一識別標記，其中該記憶體控制器在該區塊映射表中將該些識別標記之中對應屬於該壞邏輯位址的該一個或多個邏輯區塊的一個或多個識別標記分別地記錄成一損壞狀態。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制器透過該連接器從該主機系統接收一第一寫入指令與對應該第一寫入指令的一第一寫入資料，其中該第一寫入資料是屬於該些邏輯區塊之中的一第一邏輯區塊並且在該區塊映射表中該第一邏輯區塊目前映射該資料區的該些實體區塊之中的一第一實體區塊，其中該記憶體控制器判斷該些識別標記之中對應該第一邏輯區塊的一識別標記是否被記錄為該損壞狀態，其中當對應該第一邏輯區塊的該識別標記被記錄為該損壞狀態時，該記憶體控制器將一錯誤訊息傳送給該主機系統以回應該第一寫入指令。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之記憶體儲存裝置，其中當對應該第一邏輯區塊的該識別標記非被記錄為該損壞狀態時，該記憶體控制器從該閒置區的該些實體區塊中提取一第二實體區塊，並且下達一第一程式化指令以將該第一寫入資料寫入至該第二實體區塊。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制器判斷該第一寫入資料是否正常地被寫入至該第二實體區塊中，其中當該第一寫入資料無法正常地被寫入至該第二實體區塊中時，該記憶體控制器判斷該取代區的該些實體區塊之中是否存有一可用實體區塊，其中當該取代區的該些實體區塊之中無存有該可用實體區塊時，該記憶體控制器在該區塊映射表中將該第一邏輯區塊重新映射至該第二實體區塊，在該區塊映射表中將對應該第一邏輯區塊的該識別標記記錄成該損壞狀態並且將該第一實體區塊關聯至該閒置區。
  22. 一種記憶體儲存裝置，包括：一可複寫式非揮發性記憶體模組，具有多個實體區塊；一連接器，用以耦接至一主機系統；一記憶體控制器，耦接至該可複寫式非揮發性記憶體模組與該連接器，並且用以將該些實體區塊邏輯地至少分組為一資料區、一閒置區與一取代區；其中該記憶體控制器更用以配置多個邏輯區塊，以映射該資料區的該些實體區塊，其中每一該些邏輯區塊獨立地映射該資料區的該些實體區塊的其中之一，其中該記憶體控制器透過該連接器從該主機系統接收一第一寫入指令與對應該第一寫入指令的一第一寫入資料，其中該第一寫入資料是屬於該些邏輯區塊之中的一第一邏輯區塊並且該第一邏輯區塊映射該資料區的該些實體區塊之中的一第一實體區塊，其中該記憶體控制器更用以從該閒置區的該些實體區塊中提取一第二實體區塊，下達一第一程式化指令以將該第一寫入資料寫入至該第二實體區塊中並且判斷該第一寫入資料是否正常地被寫入至該第二實體區塊中；其中當該第一寫入資料無法正常地被寫入至該第二實體區塊中時，該記憶體控制器判斷該取代區的該些實體區塊之中是否存有一可用實體區塊，其中當該取代區的該些實體區塊之中無存有該可用實體區塊時，該記憶體控制器將該第一邏輯區塊重新映射至該第二實體區塊，將該第一邏輯區塊標記為屬於一壞邏輯位址並且將該第一實體區塊關聯至該閒置區。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之記憶體儲存裝置，其中當該取代區的該些實體區塊之中存有該可用實體區塊時，該記憶體控制器下達一第二程式化指令以將該第一寫入資料寫入至該可用實體區塊中。
  24. 如申請專利範圍第22項所述之記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制器在一區塊映射表中記錄該些邏輯區塊與屬於該資料區的該些實體區塊之間的多個映射，其中該記憶體控制器在該區塊映射表中為每一該些邏輯區塊對應地配置一識別標記，其中該記憶體控制器在該區塊映射表中將該些識別標記之中對應該第一邏輯區塊的一識別標記記錄成一損壞狀態，以將該第一邏輯區塊標記為屬於該壞邏輯位址。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI637264B (zh) * 2016-05-20 2018-10-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置之資料頁對齊方法及其查找表的製作方法
TWI802279B (zh) * 2022-02-18 2023-05-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置以及非揮發式記憶體控制方法
US11775386B2 (en) 2022-02-18 2023-10-03 Silicon Motion, Inc. Data storage device and control method for non-volatile memory
US11922044B2 (en) 2022-02-18 2024-03-05 Silicon Motion, Inc. Data storage device and control method for non-volatile memory

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013175622A1 (ja) * 2012-05-25 2013-11-28 富士通株式会社 情報処理装置、情報処理プログラム、およびアクセス制御方法
US10417091B2 (en) * 2013-03-25 2019-09-17 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Memory device having error correction logic
US9727249B1 (en) * 2014-02-06 2017-08-08 SK Hynix Inc. Selection of an open block in solid state storage systems with multiple open blocks
TWI537816B (zh) 2014-10-13 2016-06-11 慧榮科技股份有限公司 非揮發性儲存裝置與控制器進行的控制方法
JP6358219B2 (ja) * 2015-10-02 2018-07-18 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 記憶域管理プログラム及び電子機器
TWI573033B (zh) * 2016-01-14 2017-03-01 群聯電子股份有限公司 資料搜尋方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元
CN106527969B (zh) * 2016-09-21 2017-09-19 中国科学院地质与地球物理研究所 一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法
US11373729B2 (en) * 2020-06-16 2022-06-28 Micron Technology, Inc. Grown bad block management in a memory sub-system
TWI741779B (zh) * 2020-09-04 2021-10-01 群聯電子股份有限公司 資料整併方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元
CN117785070B (zh) * 2024-02-23 2024-05-24 杭州海康威视数字技术股份有限公司 数据存储控制方法及装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050204187A1 (en) * 2004-03-11 2005-09-15 Lee Charles C. System and method for managing blocks in flash memory
US6985992B1 (en) * 2002-10-28 2006-01-10 Sandisk Corporation Wear-leveling in non-volatile storage systems
US20080082736A1 (en) * 2004-03-11 2008-04-03 Chow David Q Managing bad blocks in various flash memory cells for electronic data flash card
US20100115175A9 (en) * 2006-12-18 2010-05-06 Zhiqing Zhuang Method of managing a large array of non-volatile memories
US8732388B2 (en) * 2008-09-16 2014-05-20 Micron Technology, Inc. Embedded mapping information for memory devices
KR101028929B1 (ko) * 2008-12-31 2011-04-12 성균관대학교산학협력단 실시간 시스템을 위한 로그 블록 연관성 분산 방법 및 이를수행하는 플래시 메모리 장치
TWI405209B (zh) * 2009-04-01 2013-08-11 Phison Electronics Corp 資料管理方法及使用此方法的快閃儲存系統與控制器
TWI404071B (zh) * 2009-06-23 2013-08-01 Phison Electronics Corp 能識別快閃記憶體中錯誤資料的控制電路及儲存系統與方法
TWI386802B (zh) * 2009-07-03 2013-02-21 Phison Electronics Corp 用於快閃記憶體的資料寫入方法及其控制電路與儲存系統
TWI426528B (zh) * 2009-09-30 2014-02-11 Phison Electronics Corp 用於快閃記憶體的區塊管理方法、控制器與儲存系統
TWI423024B (zh) * 2009-11-23 2014-01-11 Phison Electronics Corp 用於快閃記憶體的資料儲存方法及其控制器與儲存系統
TWI450099B (zh) * 2009-12-10 2014-08-21 Phison Electronics Corp 模擬可覆寫光碟裝置的儲存系統、控制器、電腦系統及方法
CN102109965B (zh) 2009-12-23 2015-11-25 群联电子股份有限公司 闪存储存系统、闪存控制器、电脑系统及模拟方法
TWI425355B (zh) * 2010-03-17 2014-02-01 Phison Electronics Corp 資料存取方法、記憶體控制器與儲存系統
TWI459393B (zh) * 2011-01-19 2014-11-01 Phison Electronics Corp 用於非揮發性記憶體的資料寫入方法、控制器與儲存裝置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI637264B (zh) * 2016-05-20 2018-10-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置之資料頁對齊方法及其查找表的製作方法
TWI802279B (zh) * 2022-02-18 2023-05-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置以及非揮發式記憶體控制方法
US11775386B2 (en) 2022-02-18 2023-10-03 Silicon Motion, Inc. Data storage device and control method for non-volatile memory
US11922044B2 (en) 2022-02-18 2024-03-05 Silicon Motion, Inc. Data storage device and control method for non-volatile memory
US12008258B2 (en) 2022-02-18 2024-06-11 Silicon Motion, Inc. Data storage device and control method for non-volatile memory

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