CN102109965B - 闪存储存系统、闪存控制器、电脑系统及模拟方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种闪存储存系统、闪存控制器、电脑系统及模拟方法，该闪存储存系统包括具有多个实体区块的闪存芯片、用于连接至主机系统的连接器以及电性连接至闪存芯片与连接器的控制器。在此，控制器配置多个逻辑区块并且将逻辑区块映射至部分的实体区块。此外，控制器识别来自于主机系统的至少一可重写光盘指令并且依据所接收的可重写光盘指令将来自于主机系统的一数据写入至此些逻辑区块所映射的实体区块中。基于此，本发明闪存储存系统能够模拟成可重写光盘装置。

Description

闪存储存系统、闪存控制器、电脑系统及模拟方法

技术领域

本发明涉及一种闪存储存系统、闪存控制器、电脑系统及模拟方法，尤其涉及一种能够模拟可重写光盘装置(RewritableDiscDevice)的闪存储存系统、闪存控制器、配置该闪存储存系统的电脑系统以及可重写光盘的模拟方法。

背景技术

可重写数字多功能光驱是一种光盘储存装置。由于数字多功能光盘具有大容量的特性，因此数字多功能光盘已逐渐取代传统光盘(CompactDisc，CD)用作储存高画质视频数据、高音质音频数据与大容量数据。数字多功能光盘(DigitalVersatileDisc)必须通过数字多功能光驱的激光读写头来进行读写。然而，由于数字多功能光驱2002的体积大且耗电(如图1A所示，图1A是现有的可重写光驱与优盘的示意图)，因此，小型电脑(例如，上网本(netbook))往往没有配置数字多功能光驱，造成使用者相当不便。此外，数字多功能光驱是使用机械式的激光读写头来读取储存在数字多功能光盘2004上的数据或者烧录数据至数字多功能光盘中，因此数字多功能光驱2002的存取速度较慢。再者，由于数字多功能光盘2004的体积较大，使得使用者不方便随身携带。

闪存(FlashMemory)具有数据非挥发性、省电、体积小与无机械结构等特性，因此，若能以闪存为储存媒体的优盘2006来取代数字多功能光驱2002，将可克服上述问题。

美国专利第7111121号公开一种使用闪存的通用序列总线(UniversalSerialBus，USB)储存装置，其能够模拟CD-ROM装置以防止储存在该USB储存装置中的数据被误删。然而，使用者无法在以该USB储存装置所模拟的CD-ROM装置中重写数据，因此无法满足重写数据的需求。

发明内容

本发明提供一种闪存储存系统，其能够模拟为可重写光盘装置。

本发明提供一种闪存控制器，其能够将闪存芯片模拟为可重写储存媒体。

本发明提供一种电脑系统，其能够依据可重写光盘指令存取闪存储存装置。

本发明提供一种模拟方法，其能够将闪存装置模拟为可重写光盘装置。

本发明提供一种闪存储存系统，其包括具有多个实体区块的闪存芯片、用于连接至主机系统的连接器以及电性连接至此闪存芯片与此连接器的控制器。在此，控制器配置多个逻辑区块并且将逻辑区块映射至部分的实体区块。此外，控制器识别来自于主机系统的至少一可重写光盘指令，依据所接收的可重写光盘指令将来自于主机系统的一数据写入至这些逻辑区块之中的至少一部分逻辑区块所映射的实体区块中。

在本发明一实施例中，上述的闪存储存系统还包括一读卡装置与一可插拔记忆卡，其中此可插拔记忆卡插入至读卡装置中。上述控制器配置在读卡装置中。该可插拔记忆卡包括一闪存控制器且此闪存控制器与闪存芯片是配置在此可插拔记忆卡中。上述控制器向主机系统宣告此读卡装置为一可重写光盘装置。

本发明提供一种闪存储存系统，其包括具有多个实体区块的闪存芯片、用于连接至主机系统的连接器以及电性连接至此闪存芯片与此连接器的控制器。在此，控制器配置多个逻辑区块并且将这些逻辑区块映射至部分的实体区块。此外，这些实体区块的其中之一储存至少一可重写光盘装置的管理信息，闪存储存系统通过配置控制器与至少一可重写光盘装置的管理信息，使闪存储存系统电性连接至主机系统时，主机系统识别至少一部分这些逻辑区块为一可重写光盘装置的一可重写储存媒体。

本发明提供一种闪存控制器，用于管理一闪存芯片的多个实体区块。本闪存控制器包括微处理器单元、闪存接口单元、主机接口单元与存储器管理单元。闪存接口单元电性连接至微处理器单元，并且用于电性连接至闪存芯片。主机接口单元电性连接至微处理器单元，并且用于电性连接至主机系统。存储器管理单元电性连接至微处理器单元，并且用于配置多个逻辑区块及将这些逻辑区块映射至部分的实体区块。在此，存储器管理单元识别来自于主机系统的至少一可重写光盘指令，并且依据所接收的可重写光盘指令将来自于主机系统的数据写入至这些逻辑区块之中的至少一部分逻辑区块所映射的实体区块中。

本发明提供一种电脑系统，其包括中央处理单元、主存储器与嵌入式闪存储存装置。嵌入式闪存储存装置电性连接至中央处理单元，并且包括具有多个实体单元的闪存芯片与电性连接至此闪存芯片的控制器。在此，控制器配置多个逻辑区块并且将这些逻辑区块映射至部分的实体区块。此外，控制器识别来自于中央处理单元的至少一可重写光盘指令，并且依据所接收的可重写光盘指令将一数据写入至这些逻辑区块之中的至少一部分逻辑区块所映射的实体区块中。

本发明提供一种电脑系统，其包括中央处理单元、主存储器、读卡装置与可插拔记忆卡。读卡装置电性连接至中央处理单元，并且包括一读卡装置控制器，其中此读卡装置控制器向中央处理单元宣告此读卡装置为一可重写光盘装置。可插拔记忆卡是被插入至读卡装置中。可插拔记忆卡包括具有多个实体单元的闪存芯片与电性连接至此闪存芯片的闪存控制器。在此，读卡装置控制器配置多个逻辑区块并且将这些逻辑区块映射至部分的实体区块。此外，读卡装置控制器识别来自于中央处理单元的至少一可重写光盘指令，并且依据所接收的可重写光盘指令将一数据写入至这些逻辑区块之中的至少一部分逻辑区块所映射的实体区块中。

本发明提供一种闪存储存系统，其包括读卡装置与可插拔记忆卡。读卡装置包括一读卡装置控制器，并且读卡装置控制器向一主机系统宣告此读卡装置为一可重写光盘装置。可插拔记忆卡是插入至此读卡装置中，其中此可插拔记忆卡包括具有多个实体区块的闪存芯片和电性连接至此闪存芯片的记忆卡控制器。记忆卡控制器配置多个逻辑区块并且将这些逻辑区块映射至部分的实体区块。此外，读卡装置控制器识别来自于主机系统的至少一可重写光盘指令并且依据可重写光盘指令将来自于主机系统的数据写入至逻辑区块之中的至少一部分逻辑区块所映射的实体区块中。

本发明提供一种模拟方法，用于将一闪存储存装置模拟成一可重写光盘装置，其中此闪存储存装置具有一闪存芯片，且闪存芯片具有多个实体区块。本模拟方法包括配置多个逻辑区块并且将这些逻辑区块映射至部分的实体区块，其中这些逻辑区块具有多个逻辑地址，这些实体区块具有多个实体地址，且逻辑地址与实体地址间具有一映射关系。此外，本模拟方法也包括在这些实体区块的其中之一中储存至少一可重写光盘装置的管理信息以及依据此至少一可重写光盘装置的管理信息回应一主机系统对闪存储存装置的存取。再者，本模拟方法还包括使用一转换参数来计算主机系统所下达的至少一可重写光盘指令的一写入指令所对应的一写入逻辑地址与一写入数据量，其中此写入逻辑地址为所述逻辑地址的其中之一。

基于上述，本发明范例实施例所提供的闪存储存系统与模拟方法能够将闪存芯片模拟为可重写光盘。

为让本发明上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1A是现有的可重写光驱与优盘的示意图。

图1B是本发明第一范例实施例的主机系统与闪存储存装置的方块图。

图1C是本发明范例实施例的电脑、输入/输出装置与闪存储存装置的示意图。

图2是本发明一范例实施例的闪存芯片的方块图。

图3是本发明一范例实施例的逻辑区块的配置示意图。

图4是本发明一范例实施例的可重写数字多功能光盘模拟方法的流程图。

图5是本发明第二范例实施例的闪存储存系统的方块图。

主要附图标记说明：

1000：主机系统；1100：电脑；

1102：中央处理单元；1104：主存储器；

1106：输入/输出装置；1108：系统总线；

1110：数据传输接口；1112：主磁盘驱动器；

1122：作业系统；1124：烧录程序；

100：闪存储存装置；102：连接器；

104：闪存控制器；106：闪存芯片；

202：微处理器单元；204：存储器管理单元；

206：主机接口单元；208：闪存接口单元；

252：缓冲存储器；254：电源管理单元；

256：错误校正单元；1202：鼠标；

1204：键盘；1206：显示器；

1208：打印机；1212：优盘；

1214：记忆卡；1216：固态硬盘；

1218：嵌入式储存装置；2002：数字多功能光驱；

2004：数字多功能光盘；2006：优盘；

LBA(0)～LBA(L)：逻辑区块；PBA(0)～PBA(N)：实体区块；

302：系统区；304：储存区；

304a：数据区；304b：备用区；

306：取代区；360：第一逻辑单元；

380：第二逻辑单元；

S401、S403、S405、S407、S409：模拟数字多功能光盘的步骤；

500：闪存储存系统；502：读卡装置；

504：可插拔记忆卡；512：连接器；

514：读卡装置控制器；516：记忆卡连接接口单元；

522：记忆卡控制器；524：闪存芯片。

具体实施方式

一般而言，闪存储存装置(亦称，闪存储存系统)包括闪存芯片与控制器(亦称，控制电路)。通常闪存储存装置会与主机系统一起使用，以使主机系统可将数据写入闪存储存装置或从闪存储存装置中读取数据。另外，也有闪存储存装置是包括嵌入式闪存与可执行于主机系统上作为该嵌入式闪存的控制器的软件。

图1B是本发明第一范例实施例的主机系统与闪存储存装置的方块图。

请参照图1B，主机系统1000包括电脑1100与输入/输出(input/output，I/O)装置1106。

电脑1100包括中央处理单元1102、主存储器1104、系统总线1108、数据传输接口1110与主磁盘驱动器1112。在此，电脑1100可为台式电脑、笔记本电脑等。

中央处理单元1102用于解释指令与执行主要运算。主存储器1104用于暂存数据与程序。系统总线1108用于连接主机系统1000的元件。数据传输接口1110用于连接相关周边装置。主磁盘驱动器1112用于安装作业系统1122与烧录程序1124。作业系统1122用于管理主机系统1000的硬件与软件。例如，在本范例实施例中，作业系统1122为视窗作业系统，但本发明不限于此。烧录程序1124用于提供使用者一使用者接口以对闪存储存装置100进行数据的烧录或抹除。

图1C是本发明范例实施例的电脑、输入/输出装置与闪存储存装置的示意图。输入/输出装置1106包括如图1C所示的鼠标1202、键盘1204、显示器1206与打印机1208。必须了解的是，图1C所示的装置非限制输入/输出装置1106，输入/输出装置1106可还包括其他装置。

在本发明实施例中，闪存储存装置100通过数据传输接口1110与主机系统1000的其他元件电性连接。通过中央处理单元1102、主存储器1104、输入/输出装置1106与主磁盘驱动器1112的协同运作，主机系统1000可将数据写入闪存储存装置100或从闪存储存装置100中读取数据。例如，闪存储存装置100可以是如图1C所示的优盘1212、记忆卡1214、固态硬盘(SolidStateDrive，SSD)1216或嵌入式储存装置1218。值得一提的是，当闪存储存装置100以嵌入式方式实施时，嵌入式闪存储存装置100(即，嵌入式储存装置1218)是直接嵌入在主机系统1000的主机板(图中未示出)上。

闪存储存装置100包括连接器102、闪存控制器104与闪存芯片106。

连接器102电性连接至闪存控制器104并且用于电性连接至主机系统1000。在本范例实施例中，连接器102为通用序列总线(UniversalSerialBus，USB)连接器。然而，必须了解的是本发明不限于此，连接器102也可以是并行高级技术附件(ParallelAdvancedTechnologyAttachment，PATA)连接器、串行高级技术附件(SerialAdvancedTechnologyAttachment，SATA)连接器、电气和电子工程师协会(InstituteofElectricalandElectronicEngineers，IEEE)1394连接器、高速周边零件连接接口(PeripheralComponentInterconnectExpress，PCIExpress)连接器、安全数字(securedigital，SD)接口连接器、记忆棒(MemoryStick，MS)接口连接器、多媒体储存卡(MultiMediaCard，MMC)接口连接器、小型快闪(CompactFlash，CF)接口连接器、集成电路设备(IntegratedDeviceElectronics，IDE)接口连接器或其他适合的连接器。

闪存控制器104可以执行硬件型式或韧体型式的多个逻辑门或控制指令，并且根据主机系统1000的指令在闪存芯片106中进行数据的写入、读取与抹除等运作。闪存控制器104包括微处理器单元202、存储器管理单元204、主机接口单元206、闪存接口单元208。

微处理器单元202为闪存控制器104的主控单元，用于与存储器管理单元204、主机接口单元206与闪存接口单元208等协同合作以进行闪存储存装置100的各种运作。

存储器管理单元204电性连接至微处理器单元202，用于执行根据本范例实施例的数据写入机制与区块管理机制。特别是，存储器管理单元204向主机系统1000宣告闪存储存装置100为可重写数字多功能光盘装置，建立可重写数字多功能光盘装置的管理信息，并且依据这些管理信息回应主机系统1000对闪存储存装置100的存取。

例如，存储器管理单元204向主机系统1000宣告闪存储存装置100为符合DVD+RW规格的光盘装置、符合DVD-RW规格的光盘装置、符合DVD-RAM规格的光盘装置或符合Blu-RayDisc(BD)规格的光盘装置。之后，存储器管理单元204会识别来自于主机系统1000的可重写数字多功能光盘指令并且依据所接收的可重写数字多功能光盘指令来操作闪存芯片106。例如，存储器管理单元204会依据可重写数字多功能光盘指令将来自于主机系统1000的数据烧录至闪存芯片106中。也就是说，当主机系统1000的使用者通过数字多功能光盘装置的烧录程序1124来操作闪存储存装置100时，存储器管理单元204会识别这些烧录命令并且依据这些烧录命令在闪存芯片106中进行数据的写入、读取与抹除等运作。存储器管理单元204的运作将在以下配合图式作详细说明。

在本范例实施例中，存储器管理单元204是以一韧体型式实作在闪存控制器104中。例如，将包括多个控制指令的存储器管理单元204烧录至一程序存储器(例如，只读存储器(ReadOnlyMemory，ROM))中并且将此程序存储器嵌入在闪存控制器104中，当闪存储存装置100运作时，存储器管理单元204的多个控制指令会由微处理器单元202来执行以完成根据本发明实施例的烧录机制(例如，数据的读取、写入与抹除)与闪存管理机制。

在本发明另一范例实施例中，存储器管理单元204的控制指令也可以程序码型式储存于闪存芯片106的特定区域(例如，闪存芯片中专用于存放系统数据的系统区)中。同样的，当闪存储存装置100运作时，存储器管理单元204的多个控制指令会由微处理器单元202来执行。此外，在本发明另一范例实施例中，存储器管理单元204也可以一硬件型式实作在闪存控制器104中。

主机接口单元206电性连接至微处理器单元202并且用于接收与识别主机系统1000所传送的指令与数据。也就是说，主机系统1000所传送的指令与数据会通过主机接口单元206传送至微处理器单元202。在本范例实施例中，主机接口单元206对应连接器102为USB接口。然而，必须了解的是本发明不限于此，主机接口单元206也可以是PATA接口、SATA接口、IEEE1394接口、PCIExpress接口、SD接口、MS接口、MMC接口、CF接口、IDE接口或其他适合的数据传输接口。

闪存接口单元208电性连接至微处理器单元202并且用于存取闪存芯片106。也就是说，欲写入至闪存芯片106的数据会经由闪存接口单元208转换为闪存芯片106所能接受的格式。

此外，在本发明一范例实施例中，闪存控制器104还包括缓冲存储器252、电源管理单元254与错误校正单元256。

缓冲存储器252是电性连接至微处理器单元202并且用于暂存来自于主机系统1000的数据与指令或来自于闪存芯片106的数据。

电源管理单元254电性连接至微处理器单元202并且用于控制闪存储存装置100的电源。

错误校正单元256电性连接至微处理器单元202并且用于执行一错误校正程序以确保数据的正确性。具体来说，当存储器管理单元204从主机系统1000中接收到主机写入指令时，错误校正单元256会为对应此主机写入指令的写入数据产生对应的错误检查与校正码(ErrorCheckingandCorrectingCode，ECCCode)，并且存储器管理单元204会将此写入数据与对应的错误校正码写入至闪存芯片106中。之后，当存储器管理单元204从闪存芯片106中读取数据时会同时读取此数据对应的错误校正码，并且错误校正单元256会依据此错误校正码对所读取的数据执行错误校正程序。

闪存芯片106电性连接至闪存控制器104并且用于储存数据。闪存芯片106具有多个实体区块。在闪存的设计中，实体区块为抹除的最小单位。亦即，每一实体区块含有最小数目的一并被抹除的记忆胞。每一实体区块具有多个实体地址。在本范例实施例中，实体地址为实体页面，但本发明不限于此。实体页面为程序化的最小单元。换言之，实体页面为写入数据或读取数据的最小单元。每一实体页面通常包括使用者数据区与冗余区。使用者数据区用于储存使用者的数据，而冗余区用于储存系统的数据(例如，错误检查与校正码)。在本范例实施例中，闪存芯片106为多层记忆胞(MultiLevelCell，MLC)NAND闪存芯片。然而，本发明不限于此，闪存芯片106也可是单层记忆胞(SingleLevelCell，SLC)NAND闪存芯片。

图2是本发明一范例实施例的闪存芯片的方块图。

请参照图2，闪存芯片106具有实体区块PBA(0)～PBA(N)。实体区块为抹除的最小单位。亦即，每一实体区块含有最小数目的一并被抹除的记忆胞。每一实体区块具有128个实体地址(即，实体页面)。然而，必须了解的，本发明不限于每一实体区块具有128个实体地址，在本发明另一范例实施例中，实体区块的实体地址数也可以是64、256或其他适当数目。

存储器管理单元204会将实体区块PBA(0)～PBA(N)逻辑地分组为系统区(systemarea)302、储存区(storagearea)304与取代区(replacementarea)306。

逻辑上属于系统区302的实体区块PBA(0)～PBA(S)用于记录系统数据，此系统数据包括关于闪存芯片的制造商与型号、每一实体区块的实体地址数等。

逻辑上属于储存区304的实体区块PBA(S+1)～～PBA(A)用于储存主机系统1000所写入的数据。也就是说，闪存储存装置100会使用分组为储存区304的实体区块来实际地储存主机系统1000所写入的数据。更详细来说，储存区304的实体区块PBA(S+1)～PBA(A)还分组为数据区304a与备用区304b，其中数据区304a的实体区块PBA(S+1)～PBA(D)是已被写满数据的实体区块，而备用区304b的实体区块PBA(D+1)～PBA(A)是未被使用来储存数据的实体区块。具体来说，当存储器管理单元204从备用区304b提取实体区块并且将所提取的实体区块写满数据时，所提取的实体区块会被关联至数据区304a，并且当关联至数据区304a的实体区块被执行抹除运作之后，已抹除的实体区块会被关联至备用区304b。

逻辑上属于取代区306中的实体区块PBA(A+1)～PBA(N)替代实体区块。例如，闪存芯片106在出厂时会预留4％的实体区块作为更换使用。也就是说，当系统区302与储存区304中的实体区块损毁时，预留在取代区306中的实体区块可用于取代损坏的实体区块(即，坏实体区块(badblock))。因此，倘若取代区306中仍存有可用的实体区块且发生实体区块损毁时，存储器管理单元204会从取代区306中提取可用的实体区块来更换损毁的实体区块。倘若取代区306中无可用的实体区块且发生实体区块损毁时，则闪存储存装置100将会被宣告为写入保护(writeprotect)，而无法再写入数据。

必须了解的是，在闪存储存装置100的运作中，实体区块PBA(0)～PBA(N)被分组为系统区302、数据区304a、备用区304b与取代区306的映射关系会动态地变动。也就是说，当存储器管理单元204将数据写入至原本属于备用区304b的实体区块(例如，实体区块PBA(D+2))后，此实体区块会被关联至数据区304a。或者，当数据区304a(或备用区304b)中的实体区块损坏而被取代区306的实体区块取代时，则原本取代区306的实体区块会被关联至数据区304a(或备用区304b)。

由于闪存储存装置100轮替地使用储存区304的实体区块来储存主机系统1000欲写入的数据，因此存储器管理单元204会提供逻辑区块LBA(0)～LBA(L)以供主机系统1000存取数据。具体来说，每一逻辑区块包括多个逻辑地址，并且每一逻辑地址映射至实体区块的实体地址。基于此，主机系统1000的作业系统1122仅需依据逻辑地址来存取数据，而存储器管理单元204会在所映射的实体地址中实际地读取或写入数据。在本范例实施例中，存储器管理单元204会将逻辑区块LBA(0)～LBA(L)映射至储存区304的实体区块，并且通过维护逻辑区块-实体区块映射表(logicalblock-physicalblockmappingtable)来记录逻辑区块与实体区块之间的映射关系。在本范例实施例中，主机系统1000所写入的数据会被写入至属于储存区304的实体区块中，而主机系统1000无法存取系统区302与取代区306的实体区块。

图3是本发明一范例实施例的逻辑区块的配置示意图。

请参照图3，存储器管理单元204会将逻辑区块LBA(0)～LBA(L)划分为包括逻辑区块LBA(0)～LBA(G)的第一逻辑单元360以及包括逻辑区块LBA(G+1)～LBA(L)的第二逻辑单元380。

在本范例实施例中，存储器管理单元204会将第一逻辑单元360配置为可重写数字多功能光盘装置(例如，DVD+RW的光盘装置、DVD-RW的光盘装置、DVD-RAM的光盘装置或BD光盘装置)，并且将第二逻辑单元380配置为大容量磁盘装置(例如，以文件配置表32(FileAllocationTable32，FAT32)格式化的大容量磁盘装置或以NTFS格式化的大容量磁盘装置)。

特别是，在本范例实施例中，当闪存储存装置100与主机系统1000电性连接时，主机系统1000的中央处理单元1102会识别出闪存储存装置100是由可重写数字多功能光盘装置与大容量磁盘装置所组成。

具体来说，当主机系统1000的中央处理单元1102请求闪存储存装置100回应装置特征时，存储器管理单元204会向主机系统1000宣告闪存储存装置100为大容量储存类别并且闪存储存装置100具有第一逻辑单元360与第二逻辑单元380。之后，当中央处理单元1102请求闪存储存装置100回应第一逻辑单元360的装置特征(例如，中央处理单元1102以0×12指令询问第一逻辑单元360的装置特征)时，存储器管理单元204会向主机系统1000宣告第一逻辑单元360的装置特征为可重写数字多功能光盘装置(例如，存储器管理单元204以0×05信息回应主机系统1000)，并且当中央处理单元1102请求闪存储存装置100回应第二逻辑单元380的装置特征时，存储器管理单元204会向主机系统1000宣告第二逻辑单元380的装置特征为大容量磁盘装置(例如，存储器管理单元204以0×00信息回应主机系统1000)。基于此，当主机系统1000欲将数据烧录至闪存储存装置100的可重写数字多功能光盘装置(即，第一逻辑单元360)时，存储器管理单元204会依据来自于主机系统1000的可重写数字多功能光盘指令将来自于主机系统1000的数据写入至第一逻辑单元360的逻辑区块LBA(0)～LBA(G)所映射的实体区块中。此外，当主机系统1000欲将数据储存至闪存储存装置100的大容量磁盘装置(即，第二逻辑单元380)时，存储器管理单元204会依据来自于主机系统1000的磁盘指令将来自于主机系统1000的数据写入至第二逻辑单元380的逻辑区块LBA(G+1)～LBA(L)所映射的实体区块中。

值得一提的是，在本范例实施例中，尽管存储器管理单元204是将逻辑区块LBA(0)～LBA(L)划分成配置为可重写数字多功能光盘格式的第一逻辑单元360以及配置为磁盘格式的第二逻辑单元380，但本发明不限于此。例如，在本发明另一范例实施例中，第二逻辑单元380也可被配置为只读光盘(CompactDisc-ReadOnlyMemory，CD-ROM)装置。或者，在本发明另一范例实施例中，第二逻辑单元380也可被配置为另一可重写数字多功能光盘装置，并且存储器管理单元204会向主机系统1000宣告第二逻辑单元380的装置特征为可重写数字多功能光盘装置(例如，DVD+RW的光盘装置、DVD-RW的光盘装置、DVD-RAM的光盘装置或BD光盘装置)，并依据可重写数字多功能光盘指令来在第二逻辑单元380中存取数据。此外，在本发明另一范例实施例中，存储器管理单元204也可将所有逻辑区块LBA(0)～LBA(L)配置为可重写数字多功能光盘装置，或者将逻辑区块LBA(0)～LBA(L)划分成更多逻辑单元，并分别地配置为可重写数字多功能光盘装置、磁盘装置或只读光盘装置。

在此，闪存控制器104的存储器管理单元204根据一般运作方式执行来自于主机系统1000磁盘指令，以对第二逻辑单元380来进行数据的写入、读取与抹除等动作的运作。此外，当闪存储存装置100接收到对第一逻辑单元360所下达的可重写数字多功能光盘指令时，存储器管理单元204会对应的回复适当的信息以将第一逻辑单元360模拟成可重写数字多功能光盘。以下将详细描述存储器管理单元204的运作机制。

在本发明一范例实施例中，当主机系统1000的中央处理单元1102传送一储存媒体特征询问指令(例如，可重写数字多功能光盘指令中的0×46指令)给闪存储存装置100以确认第一逻辑单元360的储存媒体特征时，存储器管理单元204会向主机系统1000传送一单层可重写数字多功能光盘信息。基于此，中央处理单元1102会识别第一逻辑单元360的储存媒体为单层可重写数字多功能光盘。值得一提的是，在本发明另一范例实施例中，存储器管理单元204也可根据第一逻辑单元360的容量来传送对应的储存媒体特征。例如，在第一逻辑单元360的容量小于或等于4.7GB的例子中，存储器管理单元204会向主机系统1000传送一单层可重写数字多功能光盘信息。而在第一逻辑单元360的容量大于或等于8.5GB的例子中，存储器管理单元204会向主机系统1000传送一双层可重写数字多功能光盘信息。

在本发明一范例实施例中，当主机系统1000的中央处理单元1102传送一容量询问指令(例如，可重写数字多功能光盘指令中的0×25指令)给闪存储存装置100以确认第一逻辑单元360的容量时，存储器管理单元204会根据第一逻辑单元360的容量将一容量值回应给主机系统1000。例如，倘若全部的容量为15GB时，存储器管理单元204可向主机系统1000宣告第一逻辑单元360的容量为15GB。值得一提的是，在本发明另一范例实施例中，存储器管理单元204也可在全部的容量可支援的情况下根据可重写数字多功能光盘的设计规范来回应主机系统1000。例如，在全部的容量为15GB且存储器管理单元204宣告第一逻辑单元360的储存媒体特征为单层可重写数字多功能光盘的例子中，存储器管理单元204可向主机系统1000宣告第一逻辑单元360的容量为4.7GB。此外，在全部的容量为15GB且存储器管理单元204宣告第一逻辑单元360的储存媒体特征为双层可重写数字多功能光盘的例子中，存储器管理单元204可向主机系统1000宣告第一逻辑单元360的容量为8.5GB。

在本发明一范例实施例中，存储器管理单元204会建立一可重写数字多功能光盘空白旗标。在此，可重写数字多功能光盘空白旗标为其中一种可重写数字多功能光盘装置的管理信息，其用于记录第一逻辑单元360的储存状态。例如，在闪存储存装置100刚出厂未被写入过任何数据的状态下，可重写数字多功能光盘空白旗标会被标记为“空白状态”。并且，当闪存储存装置100的第一逻辑单元360已被写入数据的状态下，可重写数字多功能光盘空白旗标会被标记为“非空白状态”。例如，在本范例实施例的可重写数字多功能光盘空白旗标中“0”表示“空白状态”，且“1”表示“非空白状态”。详细来说，欲对可重写数字多功能光盘的同一个储存地址重新烧录数据时，必须先对整个可重写数字多功能光盘进行抹除。因此，主机系统1000会使用一清空指令(例如，可重写数字多功能光盘指令中的0×A1指令)将第一逻辑单元360清为空白。然而，在闪存芯片106中，数据的抹除是以实体区块为单位，因此当数据欲被写入至实体区块时此实体区块才需被抹除。在此，当中央处理单元1102传送清空指令给闪存储存装置100时，存储器管理单元204会将可重写数字多功能光盘空白旗标标记为“空白状态”，并回复主机系统1000已完成清空指令。值得一提是，由于存储器管理单元204不会实际地抹除第一逻辑单元360所映射的实体区块，因此闪存储存装置100执行清空指令的速度会远快于一般可重写数字多功能光盘装置。

此外，当中央处理单元1102传送一格式化指令(例如，可重写数字多功能光盘指令中的0×04指令)或一关闭数据段指令(例如，可重写数字多功能光盘指令中的0×5B指令)给闪存储存装置100时，存储器管理单元204会将可重写数字多功能光盘空白旗标标记为“非空白状态”。

特别是，当中央处理单元1102传送一读取指令(例如，可重写数字多功能光盘指令中的0×28指令)给闪存储存装置100以读取烧录于第一逻辑单元360中的数据时，存储器管理单元204会判断可重写数字多功能光盘空白旗标是否为“空白状态”。当可重写数字多功能光盘空白旗标为“空白状态”时，存储器管理单元204会直接地传送空值(例如，″NULL″值)给主机系统1000。当可重写数字多功能光盘空白旗标标记为“非空白状态”时，存储器管理单元204依据此读取指令所指示的逻辑地址从第一逻辑单元360所映射的实体区块中读取数据给主机系统1000。

例如，在本范例实施例中，存储器管理单元204将可重写数字多功能光盘空白旗标储存在系统区302中的实体区块中。然而，必须了解的是，本发明不限于此，在本发明另一范例实施例中，其他非挥发性存储器(例如，在闪存控制器104中额外配置的非挥发性存储器)也可用来储存可重写数字多功能光盘空白旗标。

在本发明一范例实施例中，存储器管理单元204会建立一已写入空间大小参数。在此，已写入空间大小参数为其中一种可重写数字多功能光盘装置的管理信息，其用于记录第一逻辑单元360的一已写入空间大小。详细来说，在可重写数字多功能光盘装置中，数据依次地被烧录在可重写数字多功能光盘的储存地址中。因此，主机系统1000会使用一下一个可写入地址查询指令(例如，可重写数字多功能光盘指令中的0×52指令)来询问第一逻辑单元360的下一个可写入地址。在此，当中央处理单元1102传送写入指令(例如，可重写数字多功能光盘指令中的0×2A指令)给闪存储存装置100以烧录数据至第一逻辑单元360时，存储器管理单元204会依据欲写入的逻辑地址所对应的逻辑区块在此逻辑区块所映射的实体区块中写入数据，并且依据所写入的数据的数据量来更新已写入空间大小参数。此外，当中央处理单元1102传送格式化指令或清空指令给闪存储存装置100时，存储器管理单元204会初始化已写入空间大小参数(例如，将已写入空间大小参数重置为零)。特别是，当中央处理单元1102传送下一个可写入地址查询指令给闪存储存装置100时，存储器管理单元204会依据已写入空间大小参数来回复主机系统1000下一个可写入地址。

值得一提的是，当一般可重写数字多功能光盘装置在可重写数字多功能光盘上执行关闭数据段指令时，可重写数字多功能光盘的储存地址上会产生一段关闭数据段(closesection)，并且后续欲烧录的数据必须从该关闭数据段之后开始烧录。基于此因素，在本范例实施例中，当中央处理单元1102传送关闭数据段指令给闪存储存装置100时，虽然主机系统1000未写入数据但存储器管理单元204仍会依据关闭数据段的大小来更新已写入空间大小参数。

类似地，例如，在本范例实施例中，存储器管理单元204将已写入空间大小参数储存在系统区302的实体区块中。然而，必须了解的是，本发明不限于此，在本发明另一范例实施例中，其他非挥发性存储器(例如，在闪存控制器104中额外配置的非挥发性存储器)也可用来储存已写入空间大小参数。

在本发明一范例实施例中，当主机系统1000的中央处理单元1102传送读取或写入指令给闪存储存装置100以从第一逻辑单元360中读取数据或将数据烧录至第一逻辑单元360时，存储器管理单元204会使用一转换参数来计算读取指令或写入指令所指示的一逻辑地址与一数据量。详细来说，在数字多功能光盘系统中一个逻辑读写单位为2048字节，而在闪存储存系统中一个逻辑读写单位为512字节。基于此，转换参数会被设定为4(＝2048/512)。例如，当中央处理单元1102欲从定址为″512″的逻辑地址开始读取数据量为512单位的数据时，存储器管理单元204会计算定址为“2048”的逻辑地址所映射的实体地址开始读取数据量为2048单位的数据。

在本发明一范例实施例中，当主机系统1000的中央处理单元1102传送一纠错数据查询指令给闪存储存装置100时，存储器管理单元204会回应一不支援信息给主机系统1000。详细来说，数字多功能光盘系统使用其所适合的纠错演算法来确保储存于数字多功能光盘上的数据的正确性。在本范例实施例中，数字多功能光盘系统所对应的纠错演算法无法适用于闪存系统。因此，错误校正单元256使用闪存芯片106所适用的错误校正码来确保数据的正确性。基于上述原因，当中央处理单元1102欲从第一逻辑单元360中读取纠错数据时，存储器管理单元204会回应一不支援信息以拒绝来自于主机系统1000的纠错数据查询指令。

在数字多功能光盘系统，主机系统1000可使用分秒帧读取指令(例如，可重写数字多功能光盘指令中的0×B9指令)以分钟、秒及帧为参数来读取数据。在本发明一范例实施例中，当主机系统1000的中央处理单元1102传送一分秒帧读取指令给闪存储存装置100时，存储器管理单元204会依据方程式(1)计算此分秒帧读取指令所指示的逻辑地址：

LBA＝((M×60+S-2)×75+F)×4(1)

其中LBA表示在闪存中此分秒帧读取指令所对应的逻辑地址，M表示此分秒帧读取指令的一分参数，S表示此分秒帧读取指令的一秒参数，并且F表示此分秒帧读取指令的一帧参数。也就是说，1分的数据是以18000(＝60×75×4)个512字节的实体地址来储存，1秒的数据是以300(＝75×4)个512字节的实体地址来储存，并且1帧的数据是以4个512字节的实体地址来储存。

在数字多功能光盘系统，主机系统1000会使用退出光盘指令来退出置于可重写数字多功能光盘装置中的可重写数字多功能光盘。特别是，在数字多功能光盘系统中，当可重写数字多功能光盘被烧录完成后，由于数字多功能光盘的储存信息已被改变，因此主机系统1000会要求退出数字多功能光盘，并在此数字多功能光盘被再次推入后重新读取此数字多功能光盘的储存信息。然而，在闪存储存系统中，储存信息(例如，逻辑区块-实体区块映射表等)都暂存于缓冲存储器252中。因此，无需对闪存储存装置100进行拔插动作，存储器管理单元204仍可获取关于第一逻辑单元360的最新信息。在本发明一范例实施例中，当主机系统1000的中央处理单元1102传送一退出光盘指令给闪存储存装置100时，存储器管理单元204会回应一已接收信息给主机系统1000，但无进行任何动作。之后，当中央处理单元1102询问第一逻辑单元360时，存储器管理单元204会直接地回应一已备妥信息给主机系统1000。

在本发明一范例实施例中，存储器管理单元204会设定一写入保护旗标以记录第一逻辑单元360是处于“防写状态”或“非防写状态”中。具体来说，使用者可通过一应用程序来使用制造商指令(VendorCommand)以设定第一逻辑单元360的写入保护旗标。例如，当使用者不希望烧录于第一逻辑单元360中的数据被误删时，使用者可通过安装于主机系统1000的应用程序传送制造商指令来要求存储器管理单元204将写入保护旗标设定为″防写状态″。

特别是，在本发明另一范例实施例中，在更改写入保护旗标时，此应用程序会要求使用者输入验证密码，并且将所输入的验证密码与设定数据会传送给存储器管理单元204。之后，存储器管理单元204会将使用者所输入的验证密码与制造商密码进行比对。其中，仅在当使用者所输入的验证密码与制造商密码相同时，存储器管理单元204才会依据使用者的需求更改写入保护旗标。在此，存储器管理单元204将写入保护旗标与制造商密码储存于系统区302中。然而，必须了解的是，本发明不限于此，在本发明另一范例实施例中，其他非挥发性存储器(例如，在闪存控制器104中额外配置的非挥发性存储器)也可用来储存写入保护旗标与制造商密码。

在本发明一范例实施例中，当主机系统1000的中央处理单元1102传送清空指令、格式化指令或关闭数据段指令给闪存储存装置100时，存储器管理单元204判断写入保护旗标是否为“防写状态”，并且其中当写入保护旗标为“防写状态”时，存储器管理单元204会回应一错误信息给主机系统1000或者不执行任何动作。例如，此错误信息可以是“具有写入保护(即，值为0×27的ASC码与值为0×07的SenseKey码)”、“媒体不存在了(即，值为0×3A的ASC码与值为0×02的SenseKey码)”、“媒体在更动中(即，值为0×28的ASC码与值为0×06的SenseKey码)”、“命令不被支援(即，值为0×20的ASC码与值为0×05的SenseKey码)”、“命令参数错误(即，值为0×24的ASC码与值为0×05的SenseKey码)”、“数据写入错误(即，值为0×03的ASC码与值为0×03的SenseKey码)”或“数据写入错误(即，值为0×11的ASC码与值为0×03的SenseKey码)”。

在写入保护旗标为“防写状态”的情况下，除了以上述错误信息来回应主机系统1000外，在本发明另一范例实施例中，存储器管理单元204也可直接更改储存媒体特征来防止主机系统1000下达任何写入或清除指令。例如，当主机系统1000的中央处理单元1102传送储存媒体特征询问指令给闪存储存装置100时，存储器管理单元204会判断写入保护旗标是否为“防写状态”。并且，当写入保护旗标为“防写状态”时，存储器管理单元204会回应一单层只读数字多功能光盘信息或一双层只读数字多功能光盘信息给主机系统1000，由此告知主机系统1000第一逻辑单元360的储存媒体特征为只读数字多功能光盘。

图4是本发明一范例实施例的可重写数字多功能光盘模拟方法的流程图。

请参照图4，步骤S401是存储器管理单元204配置多个逻辑区块(例如，逻辑区块LBA(0)～LBA(L))并且将这些逻辑区块映射至闪存芯片106的部分实体区块。

接着，在步骤S403中存储器管理单元204会将部分的逻辑区块划分为逻辑单元(例如，第一逻辑单元360)，并且在步骤S405中存储器管理单元204会将此逻辑单元配置为一可重写数字多功能储存媒体。

然后，在步骤S407中存储器管理单元204向主机系统1000宣告此逻辑单元的装置特征为一可重写数字多功能光盘装置，并且在步骤S409中存储器管理单元204识别来自于主机系统1000的可重写数字多功能光盘指令并且依据所接收的可重写数字多功能光盘指令将来自于主机系统1000的一数据烧录至逻辑区块所映射的实体区块中。存储器管理单元204识别可重写数字多功能光盘指令的机制已描述如前，在此不重复描述。

图5是本发明第二范例实施例的闪存储存系统的方块图。

请参照图5，闪存储存系统500包括读卡装置502与可插拔记忆卡504。

读卡装置502包括连接器512、读卡装置控制器514与记忆卡连接接口单元516。

连接器512用于电性连接至主机系统1000。在本范例实施例中，连接器512为USB连接器。然而，必须了解的是本发明不限于此，连接器512也可以是PATA连接器、SATA连接器、IEEE1394连接器、PCIExpress连接器、IDE连接器或其他适合的连接器。在本范例实施例中，读卡装置502通过连接器512以可分离方式电性连接至主机系统1000。然而，本发明不限于此，在本发明另一范例实施例中，读卡装置502也可固定地配置在主机系统1000中。

读卡装置控制器514电性连接至连接器512，并且用于控制读卡装置502的运作。特别是，在本范例实施例中，读卡装置控制器514会向主机系统1000宣告读卡装置502为可重写数字多功能光盘装置。例如，读卡装置控制器514向主机系统1000宣告读卡装置502为符合DVD+RW规格的光盘装置、符合DVD-RW规格的光盘装置、符合DVD-RAM规格的光盘装置或符合BD规格的光盘装置。并且，读卡装置控制器514会识别来自于主机系统1000的可重写数字多功能光盘指令并且依据所接收的可重写数字多功能光盘指令来操作可插拔记忆卡504。回应来自于主机系统1000的可重写数字多功能光盘指令的机制已描述如上，在此不重复描述。

记忆卡连接接口单元516电性连接至读卡装置控制器514并且用于电性连接可插拔记忆卡504。

可插拔记忆卡504以可分离方式插入至读卡装置502中。可插拔记忆卡504包括记忆卡控制器522与闪存芯片524。

记忆卡控制器522用于配置逻辑区块，并且将逻辑区块映射至实体区块，以使得主机系统1000能够通过读卡装置502存取可插拔记忆卡504的闪存芯片524。

具体来说，读卡装置控制器514向主机系统1000宣告可插拔记忆卡504的储存媒体特征为可重写数字多功能光盘，并且识别来自于主机系统1000的可重写数字多功能光盘指令，并且记忆卡控制器522会执行闪存芯片524区块管理机制并且根据读卡装置控制器514的指示操作闪存芯片524。

在本范例实施例中，闪存芯片524相同于闪存芯片106，在此不重复说明闪存芯片524的结构与功能。

综上所述，本发明范例实施例的闪存储存装置能够模拟可重写数字多功能光盘装置，并且依据可重写数字多功能光盘指令执行数据的写入、读取与抹除等运作。由于闪存储存系统的读写速度远快于一般可重写数字多功能光盘系统，基于此，以闪存储存装置所模拟的可重写数字多功能光盘装置的存取速度会远快于一般可重写数字多功能光盘装置。此外，以闪存储存装置所模拟的可重写数字多功能光盘装置不需配置机械式的激光读写头，因此可有效地缩小光盘装置的尺寸。基于此，可使得以闪存储存装置所模拟的可重写数字多功能光盘装置可配置于以小体积为需求的上网本中。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (28)

1.一种闪存储存系统，包括：

一闪存芯片，具有多个实体区块；

一连接器，用于连接至一主机系统；以及

一控制器，电性连接至该闪存芯片与该连接器，

其中该控制器配置多个逻辑区块并且将所述多个逻辑区块映射至部分的所述多个实体区块，

其中该控制器识别来自于该主机系统的至少一可重写光盘指令，并且依据该至少一可重写光盘指令将来自于该主机系统的一数据写入所述多个逻辑区块中的至少一部分逻辑区块所映射的实体区块中，

其中该控制器建立至少一可重写光盘装置的管理信息，并且将该至少一可重写光盘装置的管理信息储存在所述多个实体区块的其中之一中，

其中该至少一可重写光盘装置的管理信息包括一储存状态信息，并且该储存状态信息用于记录该至少一部分逻辑区块的储存状态，当该控制器从该主机系统中接收到一清空指令时，该控制器将该储存状态信息标记为一空白状态。

2.根据权利要求1所述的闪存储存系统，其中该至少一可重写光盘装置的管理信息包括一已写入空间大小参数，并且该已写入空间大小参数用于记录该至少一部分逻辑区块的一已写入空间大小。

3.一种闪存储存系统，包括：

一闪存芯片，具有多个实体区块；

一连接器，用于电性连接至一主机系统；以及

一控制器，电性连接至该闪存芯片与该连接器，

其中该控制器配置多个逻辑区块并且将所述多个逻辑区块映射至部分的所述多个实体区块，

其中所述多个实体区块的其中之一储存至少一可重写光盘装置的管理信息，该闪存储存系统通过配置该控制器与该至少一可重写光盘装置的管理信息，使该闪存储存系统电性连接至该主机系统时，该主机系统识别至少一部分所述多个逻辑区块为一可重写光盘装置的一可重写储存媒体，

其中该至少一可重写光盘装置的管理信息包括一储存状态信息，并且该储存状态信息用于记录该至少一部分逻辑区块的储存状态，当该控制器从该主机系统中接收到一清空指令时，该控制器将该储存状态信息标记为一空白状态。

4.根据权利要求3所述的闪存储存系统，其中当该控制器从该主机系统中接收到一储存媒体特征询问指令时，该控制器将一单层可重写数字多功能光盘信息或一双层可重写数字多功能光盘信息回应给该主机系统。

5.根据权利要求3所述的闪存储存系统，其中当该控制器从该主机系统中接收到一容量询问指令时，该控制器将一容量值回应给该主机系统，

其中该容量值小于或等于该闪存芯片的一容量。

6.根据权利要求3所述的闪存储存系统，其中当该控制器从该主机系统中接收到一格式化指令或一关闭数据段指令时，该控制器将该储存状态信息标记为一非空白状态。

7.根据权利要求3所述的闪存储存系统，其中当该控制器从该主机系统中接收到一读取指令时，该控制器判断该储存状态信息是否为该空白状态，

其中当该储存状态信息为该空白状态时，该控制器回应一空值给该主机系统。

8.根据权利要求3所述的闪存储存系统，其中该至少一可重写光盘装置的管理信息包括一已写入空间大小参数以记录该至少一部分逻辑区块的一已写入空间大小。

9.根据权利要求8所述的闪存储存系统，其中当该控制器从该主机系统中接收到一格式化指令或该清空指令时，该控制器初始化该已写入空间大小参数。

10.根据权利要求8所述的闪存储存系统，其中在该控制器从该主机系统中接收到一写入指令并且将数据写入至该至少一部分逻辑区块所映射的实体区块中后，该控制器更新该已写入空间大小参数。

11.根据权利要求8所述的闪存储存系统，其中当该控制器从该主机系统中接收到一下一个可写入地址查询指令时，该控制器依据该已写入空间大小参数回应一下一个可写入地址给该主机系统。

12.根据权利要求3所述的闪存储存系统，其中当该控制器从该主机系统中接收到一读取指令或一写入指令时，该控制器使用一转换参数来计算该读取指令或该写入指令所指示的一逻辑地址与一数据量。

13.根据权利要求3所述的闪存储存系统，其中当该控制器从该主机系统中接收到一纠错数据查询指令时，该控制器回应一不支援信息给该主机系统。

14.根据权利要求3所述的闪存储存系统，其中当该控制器从该主机系统中接收到一分秒帧读取指令时，该控制器依据下列方程式计算该分秒帧读取指令所对应的一逻辑地址，

LBA＝((M×60+S-2)×75+F)×4

其中LBA表示在该闪存芯片中该分秒帧读取指令所对应的该逻辑地址，M表示该分秒帧读取指令的一分参数，S表示该分秒帧读取指令的一秒参数，并且F表示该分秒帧读取指令的一帧参数。

15.根据权利要求3所述的闪存储存系统，其中当该控制器从该主机系统中接收到一退出光盘指令时，该控制器回应一已接收信息或一已备妥信息给该主机系统。

16.根据权利要求3所述的闪存储存系统，其中该主机系统识别另一部分的所述多个逻辑区块为一磁盘装置的一可重写储存媒体、一只读光盘装置的一只读储存媒体或一可重写光盘装置的一可重写储存媒体。

17.根据权利要求3所述的闪存储存系统，其中该控制器根据一指令来设定一写入保护信息，并且将该写入保护信息写入至所述多个实体区块的其中之一，其中该写入保护信息用于记录该至少一部分逻辑区块是否处于一防写状态或一非防写状态。

18.根据权利要求17所述的闪存储存系统，其中当该控制器从该主机系统中接收到该清空指令、一格式化指令或一关闭数据段指令时，该控制器判断该写入保护信息是否为该防写状态，

其中当该写入保护信息为该防写状态时，该控制器回应一错误信息给该主机系统。

19.根据权利要求17所述的闪存储存系统，其中当该控制器从该主机系统中接收到一储存媒体特征询问指令时，该控制器判断该写入保护信息是否为该防写状态，

其中当该写入保护信息为该防写状态时，该控制器将一单层只读数字多功能光盘信息或一双层只读数字多功能光盘信息回应给该主机系统。

20.一种闪存控制器，用于管理一闪存芯片的多个实体区块，该闪存控制器包括：

一微处理器单元；

一闪存接口单元，电性连接至该微处理器单元，用于电性连接至该闪存芯片；

一主机接口单元，电性连接至该微处理器单元，用于电性连接至一主机系统；以及

一存储器管理单元，电性连接至该微处理器单元，

其中该存储器管理单元配置多个逻辑区块并且将所述多个逻辑区块映射至部分的所述多个实体区块，

其中该存储器管理单元识别来自于该主机系统的至少一可重写光盘指令，并且依据该至少一可重写光盘指令将来自于该主机系统的一数据写入至所述多个逻辑区块之中的至少一部分逻辑区块所映射的实体区块中，

其中该存储器管理单元建立至少一可重写光盘装置的管理信息，并且将该至少一可重写光盘装置的管理信息储存在所述多个实体区块的其中之一中，

其中该至少一可重写光盘装置的管理信息包括一储存状态信息，并且该储存状态信息用于记录该至少一部分逻辑区块的储存状态，当该该存储器管理单元从该主机系统接收到一清空指令时，该存储器管理单元将该储存状态信息标记为一空白状态。

21.根据权利要求20所述的闪存控制器，其中该至少一可重写光盘装置的管理信息包括一已写入空间大小参数，并且该已写入空间大小参数用于记录该至少一部分逻辑区块的一已写入空间大小。

22.一种电脑系统，包括：

一中央处理单元；

一主存储器，电性连接至该中央处理单元；以及

一嵌入式闪存储存装置，电性连接至该中央处理单元，该嵌入式闪存储存装置包括：一闪存芯片，具有多个实体区块；以及，一控制器，电性连接至该闪存芯片，

其中该控制器配置多个逻辑区块并且将所述多个逻辑区块映射至部分的所述多个实体区块，

其中该控制器识别来自于该中央处理单元的至少一可重写光盘指令，并且依据该至少一可重写光盘指令将一数据写入至所述多个逻辑区块之中的至少一部分逻辑区块所映射的实体区块中，

其中该控制器建立至少一可重写光盘装置的管理信息，并且将该至少一可重写光盘装置的管理信息储存在所述多个实体区块的其中之一中，

其中该至少一可重写光盘装置的管理信息包括一储存状态信息，并且该储存状态信息用于记录该至少一部分逻辑区块的储存状态，当该控制器从该中央处理单元接收到一清空指令时，该控制器将该储存状态信息标记为一空白状态。

23.根据权利要求22所述的电脑系统，其中该至少一可重写光盘装置的管理信息包括一已写入空间大小参数，并且该已写入空间大小参数用于记录该至少一部分逻辑区块的一已写入空间大小。

24.一种电脑系统，包括：

一中央处理单元；

一主存储器，电性连接至该中央处理单元；

一读卡装置，电性连接至该中央处理单元，其中该读卡装置包括一读卡装置控制器，并且该读卡装置控制器向该中央处理单元宣告该读卡装置为一可重写光盘装置；以及

一可插拔记忆卡，插入至该读卡装置中，其中该可插拔记忆卡包括：一闪存芯片，具有多个实体区块；以及，一记忆卡控制器，电性连接至该闪存芯片，

其中该记忆卡控制器配置多个逻辑区块，并且将所述多个逻辑区块映射至部分的所述多个实体区块，

其中该读卡装置控制器识别来自于该中央处理单元的至少一可重写光盘指令，并且依据该至少一可重写光盘指令将一数据写入至所述多个逻辑区块之中的至少一部分逻辑区块所映射的实体区块中，

其中该记忆卡控制器建立至少一可重写光盘装置的管理信息，并且将该至少一可重写光盘装置的管理信息储存在所述多个实体区块的其中之一中，

其中该至少一可重写光盘装置的管理信息包括一储存状态信息，并且该储存状态信息用于记录该至少一部分逻辑区块的储存状态，当该记忆卡控制器从该中央处理单元接收到一清空指令时，该记忆卡控制器将该储存状态信息标记为一空白状态。

25.一种闪存储存系统，包括：

一读卡装置，包括一读卡装置控制器，并且该读卡装置控制器向一主机系统宣告该读卡装置为一可重写光盘装置；以及

一可插拔记忆卡，插入至该读卡装置中，其中该可插拔记忆卡包括：一闪存芯片，具有多个实体区块；以及，一记忆卡控制器，电性连接至该闪存芯片，

其中该记忆卡控制器配置多个逻辑区块，并且将所述多个逻辑区块映射至部分的所述多个实体区块，

其中该读卡装置控制器识别来自于该主机系统的至少一可重写光盘指令，并且依据该至少一可重写光盘指令将来自于该主机系统的一数据写入至所述多个逻辑区块之中的至少一部分逻辑区块所映射的实体区块中，

其中该读卡装置控制器建立至少一可重写光盘装置的管理信息，并且将该至少一可重写光盘装置的管理信息储存在所述多个实体区块的其中之一中，

其中该至少一可重写光盘装置的管理信息包括一储存状态信息，并且该储存状态信息用于记录该至少一部分逻辑区块的储存状态，当该读卡装置控制器从该主机系统接收到一清空指令时，该读卡装置控制器将该储存状态信息标记为一空白状态。

26.一种模拟方法，用于将一闪存储存装置模拟成一可重写光盘装置，其中该闪存储存装置具有一闪存芯片，该闪存芯片具有多个实体区块，该模拟方法包括：

配置多个逻辑区块并且将所述多个逻辑区块映射至部分的所述多个实体区块，其中所述多个逻辑区块具有多个逻辑地址，且所述多个实体区块具有多个实体地址，所述逻辑地址与所述实体地址间具有一映射关系；

在所述多个实体区块的其中之一中储存至少一可重写光盘装置的管理信息；

依据该至少一可重写光盘装置的管理信息回应一主机系统对该闪存储存装置的存取；以及

使用一转换参数来计算该主机系统所下达的至少一可重写光盘指令的一写入指令所对应的一写入逻辑地址与一写入数据量，其中该写入逻辑地址为所述逻辑地址的其中之一，

其中该至少一可重写光盘装置的管理信息包括一储存状态信息，并且该储存状态信息用于记录至少一部分逻辑区块的储存状态，当该闪存储存装置从该主机系统接收到一清空指令时，该储存状态信息被标记为一空白状态。

27.根据权利要求26所述的模拟方法，其中当依据该至少一可重写光盘指令写入数据至所述多个实体区块之中的其中之一且发生一写入错误时，将该数据写入至所述多个实体区块之中的另一实体区块。

28.根据权利要求26所述的模拟方法，其中该至少一可重写光盘装置的管理信息包括一已写入空间大小参数，并且该已写入空间大小参数用于记录该至少一部分逻辑区块的一已写入空间大小。