TWI441357B - 發光二極體 - Google Patents

Description

發光二極體

本發明涉及一種發光二極體，特別係一種增強側向發光的發光二極體。

發光二極體產業係近幾年最受矚目的產業之一，發展至今，發光二極體產品已具有節能、省電、高效率、反應時間快、壽命週期時間長、且不含汞、具有環保效益等優點，因此被認為係新世代綠色節能照明的最佳光源。現有的發光二極體封裝方法，其在發光時均係中間發光強度較強，側面發光強度較弱。然而，在某些應用場合，需要發光二極體在側面具有比較強的發光強度，而現有的發光二極體則不能滿足該應用場合的需求。

有鑒於此，有必要提供一種可增強側面的發光強度的發光二極體。

一種發光二極體，其包括導電板、發光晶片、封裝體以及基底，導電板包括彼此絕緣的第一導電板及第二導電板，發光晶片電連接至第一導電板及第二導電板，其中，發光晶片相對基底傾斜地設置而使發光晶片的出光面朝向發光二極體的一側，發光晶片的出光面發出的光線透射封裝體而從發光二極體的該側射出。

由於該發光晶片的出光面發出的光線透射封裝體而從發光二極體 的晶片發光面面向的側面射出，即光線從發光二極體的側面發出，所以發光二極體的側向發光光強得到增強。

10、11‧‧‧發光二極體

20‧‧‧基板

30‧‧‧導電板組

301‧‧‧第一導電板

302‧‧‧第二導電板

303‧‧‧第三導電板

31‧‧‧開口

40‧‧‧晶片

50‧‧‧導線

60‧‧‧封裝體

70‧‧‧導電模組

80‧‧‧基底

圖1係本發明的發光二極體的製造過程的一個步驟。

圖2係本發明的發光二極體的製造過程的另一步驟。

圖3係本發明的第一實施例的發光二極體的剖視圖。

圖4係本發明的第一實施例的發光二極體的配光曲線。

圖5係本發明的第二實施例的發光二極體的剖視圖。

請參閱圖1-3，示出了本發明的第一實施例的發光二極體10及其製造過程的其中兩個步驟。發光二極體10包括一基板20、一導電板組30、兩片發光晶片40、一封裝體60、一基底80、兩個導電模組70以及連通導電板組30和導電模組70的復數導線50。

基板20為一軟性基板20，其可通過加工成彎折狀。導電板組30覆蓋在基板20上，並分別在距離基板20左右邊界約基板20的四分之一總長度處留有開口31。開口31把導電板組30從左到右分成第一導電板301、第二導電板302以及第三導電板303。導電板組30由具有高反射率的軟性導電材料製造而成，其可把照射到其表面的大部分光線反射出去。兩片晶片40分別設置在開口31上，左右兩晶片40的位置關於基板20的中心軸對稱。晶片40的兩個電極分別搭載到開口31的兩邊。即左面的晶片40的兩個電極分別搭載在第一導電板301和第二導電板302上，右面的晶片40的兩個電極分別搭載在第二導電板302以及第三導電板303上。左右兩晶片40搭載 在第二導電板302上的電極為異性。兩晶片40的端部分別通過搭載在第一導電板301、第二導電板302以及第三導電板303的相應端部上，形成一串聯結構。當第一導電板301和第三導電板303接上不同極性的電源時，兩片晶片40均對外發光。由於導電板組30具有高反射率，故晶片40發出的光線可由導電板30發射以增強其光強度。

由於基板20和導電板組30均為軟性材料，故其可通過加工成如圖2所示之形狀。以下所述之第一導電板301、第二導電板302、第三導電板303之彎折均以基板20為基礎，與基板20一同彎折。該基板20的中部區域在靠近二開口31的位置處整體向上彎折而形成一拱橋結構，其中第一導電板301及第三導電板303的遠離第二導電板302的端部均保持在原來的水平位置，第一導電板301及第三導電板303的靠近第二導電板302的端部傾斜向上彎折，第二導電板302的相對兩端傾斜向下彎折，第二導電板302的中部則處於高於並與第一導電板301及第三導電板303的遠離第二導電板302的端部平行的水平位置。兩片晶片40分別設在拱橋斜邊處且左右對稱。

基底80為一中間凸起的絕緣結構。從圖3中的剖視圖顯示，基底80總體呈一長方體狀，其上表面有一梯形狀凸起。基底80兩側由導電模組70包覆。導電模組70由彎折成三段的導電材料構成。左側的導電模組70呈一“匚”型包覆基底80長方形部分的左邊界以及上下邊界的一部分。其中，導電模組70上段的端部插進基底80的梯形體與長方體的交接面，使得導電模組70能更好地與基底80結合。導電模組70下段的長度可以與上段的長度相等。右側的導 電模組70包覆基底80的長方形部分的右邊界以及上下邊界的一部分，其與左側的導電模組70的形狀以及其與基底80的結合方式一致。左右兩側的導電模組70沒有電連接，即二者的上下兩段的長度均控制在使上段能插入基底80的梯形體與長方體的交接面，而又不會插入過深，避免左右兩導電模組70的接觸。組合後的基底80與導電模組70整體成一軸對稱形狀。基板20設置在基底80的中間凸起部上。由於基底80的中間凸起部分形狀剛好為基板20中間凸起之形狀，即當基板20覆蓋在基底80上時，基底80的中間凸起剛好能填滿基板20的中間拱起的部分。這時，基板20兩邊的兩個水平的折邊分別設置在左右兩個導電模組70上。第一導電板301以導線50與左側的導電模組70連接成第一電極(圖未標)，第三導電板303以另一導線50與右側的導電模組70連接成第二電極(圖未標)，當第一電極與第二電極接上不同極性的電源時，兩晶片40對外發光。封裝體60覆蓋導電板組30、晶片40、導線50以及基板20外露的表面，封裝體60可根據需要做成不同的形狀以及摻雜不同的螢光粉(圖未示)。在本實施例中，整個發光二極體10大致呈一長方體型。

請再參閱圖4，示出了本發明的第一實施例的發光二極體10的配光曲線。從圖中可以看出，本發明的發光二極體10的側向發光得到增強，可以適用於對側向發光要求較強的場合。

請再參閱圖5，示出了本發明的第二實施例的發光二極體11的剖視圖。本實施例的發光二極體11與第一實施例的發光二極體10的形狀及結構大致相同，二者的不同之處在於，本實施例的發光二極體11不包括導電模組70以及導線50。發光二極體11的第一導電 板301和第三導電板303分別向左右兩邊延長，並圍繞基底80的側邊和底邊彎折，包覆基板20側面的外露部分以及基底80的兩側邊界和下邊界的一部分。這時，第一導電板301和第三導電板303的一部分外露在封裝體60外。外露的第一導電板301和第三導電板303可作為發光二極體11的電極。當異性兩種電源分別連接第一導電板301和第三導電板303時，晶片40對外發光。由於本實施例的發光二極體11的發光部件與第一實施例的發光二極體10相同，故本實施例的發光二極體11的配光曲線可參閱圖4中所示，同樣能得到增強側向發光的技術效果。

可以想像地，該基板20的中部區域在靠近二開口31的位置處也可以整體向下彎折而形成一向下凹陷一梯形形狀結構，基底80也隨著變化成中部位置向下凹陷的形狀。此種情況均能使兩片晶片40的發光面傾斜，並分別向發光二極體10的一側發光，同樣能達到增強側向發光的技術效果。當然，該發光二極體10也可以只包含一片晶片40、第一導電板301以及第二導電板302。即只存在一片晶片40，且該晶片40具有如第一實施例裏的其中一片晶片40一樣的安裝方式，即發光面斜向發光二極體10的一個側面。而第一導電板301和第二導電板302彎折成如第一實施例中的形狀。其中，第二導電板302可延長至完全覆蓋基板20。也即係說，只要通過基底20以及導電板組30的彎折傾斜導致晶片40的發光面面向發光二極體10的一個側面，均能解決本發明要解決的技術問題。

20‧‧‧基板

30‧‧‧導電板組

40‧‧‧晶片

50‧‧‧導線

60‧‧‧封裝體

70‧‧‧導電模組

80‧‧‧基底

Claims (4)

1. 一種發光二極體，其包括一基底、貼設在該基底上表面的柔性基板、相互間隔地設置在基板外表面的第一導電板、第二導電板、第三導電板以及二發光晶片，該基底的上表面中部形成朝外凸設的凸起，該凸起的相對兩側具有背向設置的二傾斜面，該基板覆蓋基底的整個上表面，且該基板的中部向外凸設形成收容基底中部的凸起的拱橋結構，該第二導電板設置在所述基板的拱橋結構的頂部，該第一導電板及第三導電板分別設置在基板拱橋結構的相對兩側，該二發光晶片分別設置在基底拱橋結構的相對側且背向設置的斜面上，其中之一發光晶片分別與所述第一導電板及第二導電板電性連接，其中之另一發光晶片分別與所述第三導電板及第二導電板電性連接，該二發光晶片的出光面發出的光線從發光二極體的相對兩側射出以增強其相對側的發光強度。
2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體，其中：該第一導電板、第二導電板以及第三導電板均由反射率高的材料製成。
3. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體，其中：所述第二導電板自所述基板的拱橋結構的頂部沿其相對兩側的斜面分別向下傾斜延伸，所述第一導電板朝向拱橋結構的一端自所述拱橋結構的一側表面傾斜向上延伸且與拱橋結構該側表面的第二導電板之間間隔形成一開口，所述第三導電板朝向拱橋結構的一端自所述拱橋結構的另外一側表面傾斜向上延伸且與拱橋結構的該另外一側表面的第二導電板的一端之間間隔形成另一開口。
4. 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體，其中，所述其中之一發光晶片的兩個電極搭載在所述第一導電板及第二導電板之間的開口上，且與所 述第一導電板及第二導電板分別電性連接，所述其中之另一發光晶片的兩個電極搭載在所述第三導電板與第二導電板之間的所述另一開口上，且分別與所述第三導電板及第二導電板電性連接。