TWI435495B - 無線射頻辨識晶片及具有改良範圍之天線 - Google Patents

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Description

無線射頻辨識晶片及具有改良範圍之天線
本發明係有關射頻識別(Radio Frequency IDentification；簡稱RFID)晶片及天線技術之領域。更具體而言，本發明係有關一種RFID晶片以及具有與相關聯的射頻詢問/讀取裝置間之較佳通訊範圍之天線。
典型的RFID晶片及天線通常都被置入諸如於2000年11月28日頒發的美國專利6,154,137中示出及說明之識別標籤中，本發明特此引用該專利之揭示以供參照。一般而言，識別標籤具有被安裝在諸如於2000年4月16日頒發的美國專利6,373,708 B1中揭示的聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate；PET)基板等的薄基板上或被封裝在該薄基板中之天線及RFID晶片，本發明特此引用該專利之揭示以供參照。該天線通常是小型環形天線或雙極天線，且必須被以歐姆接觸之方式連接到該RFID晶片。一般的環形天線是以數種習知方式中之任一方式形成的多圈平面歐姆導體。一種此類的技術是在諸如前文所述PET基板等的適當基板上之銀膠(silver paste)印刷。用來形成環形天線的另一種習知技術是由RCD Technology Corporation(位於Bethlehem,Pennsylvania)實施的在基板上之銅沈積。係由其中包括識別標籤的實體尺寸限制的特定應用之要求決定線圈的尺寸(線圈的直徑及厚度)及匝數。天線的功能為：提供RFID晶片與諸如主機中央處理單元(CPU)或使用者讀取站等的外部詢問/讀取裝置間之資訊的電磁傳輸；以及可進行自外部裝置至該RFID晶片的感應電力傳輸，以便供電給該RFID晶片內之主動電路元件。
目前已知有多種類型的可自市場購得之RFID晶片，每一種RFID晶片具有RFID積體電路一般採用之一些標準內部機能性組件。此類標準組件包括一射頻及類比部分、一CPU、一唯讀記憶體(ROM)、以及一電氣可抹除可程式唯讀記憶體(EEPROM)(請參閱“1999 IEEE international Solid－State Circuits Conference publication 0－7803－5129－0/99”之圖9.1.1：RFID應答器(transponder)IC方塊圖)。該RFID晶片被一外部裝置詢問時，經由天線而接收電力，並使用諸如ISO 14443通訊協定或ISO 15693通訊協定等的標準通訊協定與該外部裝置通訊。在一物體上安裝一識別標籤之前，先將用來識別將被依附的該物體之資訊寫到被置入該RFID晶片的該唯讀記憶體(ROM)中一旦該資訊被寫入該ROM一次之後，任何詢問裝置即無法覆寫該資訊，或以其他方式改變該資訊。該RFID晶片可被一外部詢問/讀取裝置詢問，且只能將該資訊供應給該外部裝置，亦即，該外部裝置無法改變該ROM中儲存的資訊。
具有RFID晶片及天線的前文所述類型之識別標籤非常適用於物體追蹤，且目前被用於多種此類的應用。對該技術的更多之應用在理論上是可行的，但是實際的實施以往卻受限於尺寸及成本的限制。改良的半導體批次處理技術最近對這些限制的解決方式為：現在可在遠低於將要被依附的個別物體的成本之成本下，製造極小的RFID晶片及天線。例如，Hitachi,Ltd.(位於Tokyo,Japan)於2004年推出mu系列的RFID晶片及天線，其晶片尺寸為0.4毫米×0.4毫米，且其成本比當時市場上的RFID晶片之售價至少低三分之一。其他的半導體製造商也以其具有競爭力的產品應戰。
第1圖是一先前技術的識別標籤(10)之一上平視圖，該識別標籤(10)具有一RFID晶片(12)以及一獨立的分立式天線(14)，這兩個元件都被安裝在一基板(15)上。RFID晶片(12)是包含可工作的RFID裝置所需的一般電路之一積體電路，且係一被獨立製造的裝置。通常係使用熟悉此項技術者習知的批次處理技術以製造這些積體電路裝置。一般而言，係在大尺寸的半導體晶圓上建構具有基本裝置設計的多個晶片，然後分離個別的晶片，且將個別的晶片與其他分立式組件結合。
在第1圖所示之識別標籤(10)中，另一分立式組件是天線(14)，該天線(14)可讓RFID晶片(12)電路與一外部詢問裝置通訊，且亦可將能量以電磁方式傳輸到RFID晶片(12)，以便對該RFID晶片內含的電子電路供電。因為射頻天線的有效工作範圍是線圈面積的直接函數，所以天線(14)理想上是包含比RFID晶片(12)的面積大許多的面積之多匝線圈，以便儘量提供所能達到的最大之有效工作範圍。天線(14)通常是一獨立形成且隨後被黏著到基板(15)的分立式線圈、或在形成線圈期間被直接沈積在基板(15)上之一金屬層。
通常先製造形式為獨立組件之RFID晶片(12)及天線(14)，然後將組件(12)及(14)安裝到基板(15)，並將天線(14)在電氣上連接到RFID晶片(12)，而建構第1圖所示之識別標籤(10)。為達到此一目的，係以兩個歐姆接觸的連接墊(16)、(17)製造RFID晶片(12)，且天線(14)的自由端(18)、(19)被接合到連接墊(16)、(17)。
雖然建構識別標籤(10)的製程似乎是簡單且直接的，但是在實作上，該製程實際上是相當難以在高度可重複的精確度下執行。此種困難主要是由於：RFID晶片上的連接墊之小尺寸；在該製程的接合步驟之前將天線(14)的自由端(18)、(19)準確地定位在連接墊(16)、(17)之上的要求；以及必須在該等天線末端與該等連接墊之間作出準確的機械及歐姆接觸接合之額外要求。估計第1圖所示類型的識別標籤之製造成本為：RFID晶片(12)佔了三分之一；天線(14)佔了三分之一；以及組裝佔了三分之一。當RFID晶片的實體尺寸縮減時，組裝正確工作的識別標籤之困難度及組裝成本都相應地增加。
第2圖示在此項技術中之一種為了消除組裝具有獨立的RFID晶片及天線組件的識別標籤之困難度而在最近提出之方法。如該圖所示，係以在一基板(25)上以整合方式形成的RFID晶片(22)及天線(24)製造一識別標籤(20)。因為係在晶片的製程期間，連同RFID晶片(22)而一起形成天線(24)，所以在RFID晶片(22)與天線(24)的自由端之間自動地作出歐姆接觸連接。此種“晶片線圈”(“coil－on－a－chip”)方法消除了高成本的接合步驟及與該接合步驟相關聯的困難度。
雖然該“晶片線圈”解決方案的確消除了與識別標籤組裝製程中之分立式組件接合相關聯的問題，但是卻造成了對根據該技術而製造的識別標籤的有效工作範圍之嚴重限制。因為係使用積體電路批次處理技術製造此種“晶片線圈”識別標籤，所以天線的尺寸極度受限於所製造的晶粒之尺寸。例如，可自市場上購得的“晶片線圈”識別標籤的公佈工作範圍限於3.0毫米的最大距離。雖然此種識別標籤可能適用於某些專門應用，但是此種短工作範圍不適用於目前對識別標籤所設想的大部分應用。
2001年7月31日頒發的美國專利6,268,796“Radio Frequency Identification Transponder Having Integrated Antenna”中揭示了一種對延伸“晶片線圈”識別標籤的工作範圍之嘗試，本發明特此引用該專利之揭示以供參照。根據該參考專利的揭示，係在一晶片上形成一天線，且該晶片被安裝在RFID晶片之上或之下。該天線具有合而構成一螺旋形線圈的一些線圈匝，而該螺旋形線圈的軸係平行於該RFID晶片的主體平面。為了增加天線線圈的電感值，且因而增加識別標籤的工作範圍，在該天線晶片上形成一高磁導率層。雖然此種結構的確增加了“晶片線圈”識別標籤的工作範圍，但是該結構需要數個額外的製程步驟，因而提高了製造成本，且有可能影響到良率，且只提供面積較小的天線。
因此，現有的“晶片線圈”RFID標籤仍然具有與相關聯的詢問/讀取裝置間之有限的有效工作範圍之嚴重缺點。
本發明包含一種用來提供具有比類似尺寸的習知識別標籤更大的工作範圍的“晶片線圈”RFID標籤之方法及系統。
自裝置的觀點而論，本發明包含一RFID標籤，該RFID標籤包含：一基板；以及以整合方式形成於該基板上之一RFID晶片/天線組合。該RFID晶片具有實質上平行於該基板的平面之一主體平面。
該天線包含：一線圈，該線圈具有複數層的導電匝，用以界定一中央開孔，該中央開孔包圍一旋轉軸，該旋轉軸被配置成與該RFID晶片的該主體平面成一銳角；以及被定位在該線圈的該中央開孔內之一導磁材料核心。在該較佳實施例中，該線圈具有至少兩層的實質上為螺旋形之結構，且該銳角大致為九十度，而且該核心具有一環形。
自製程之觀點而論，本發明包含一種準備RFID標籤之方法，該方法包含下列步驟：(a)提供一基板；(b)在該基板上同時形成一RFID積體電路及一天線線圈，係以一多匝多層線圈之方式形成該線圈，該多匝多層線圈具有一中央開孔，該中央開孔具有一旋轉軸，該旋轉軸以與該RFID積體電路的主體平面成一銳角之方式而延伸；以及(c)提供被定位在該線圈的該中央開孔內之一導磁材料核心。
係同時執行該(b)形成步驟及(c)提供步驟。該(b)形成步驟最好是包含下列步驟：形成具有一旋轉軸之該線圈，該旋轉軸係以與該RFID積體電路的該主體平面大致成九十度之一角度而延伸。係以一環形之方式形成該核心。
本發明具有“晶片線圈”識別標籤的所有優點，但提供了比習知裝置大許多的工作範圍。估計該較大的工作範圍比習知的“晶片線圈”識別標籤大十倍。
若要對本發明的本質及優點有更完整的了解，請配合各附圖而參閱下文中之詳細說明。
現在請參閱各圖式，第3圖是本發明的較佳實施例之一上平視圖，且第4圖是沿著第3圖的4－4線截取的一斷面圖，圖中示出多個線圈匝及多個線圈層、以及較佳實施例的天線之導磁層。如這些圖所示，一RFID標籤(30)包含一RFID晶片(32)以及一多層多匝天線線圈(34)，該線圈(34)具有一位於中央的以具有較高導磁率的材料製造之薄膜核心(36)。一基板(37)承載所有的RFID晶片(32)、線圈(34)、及核心(36)。RFID晶片(32)具有被定義為平行於基板(37)的主支承表面的平面之一主體平面。多層多匝天線線圈(34)具有一中央旋轉軸(38)，該旋轉軸(38)之方向被安排成與RFID晶片(32)的該主體平面之間呈現最好是90度角之一銳角。
如第4圖所示，係將薄膜核心(36)形成為一環形，該環形係在線圈(34)的該等層及匝內之區域中自基板(37)的上表面向上延伸到線圈(34)之上表面。可利用具有較高導磁率特性的一些習知材料中之任一材料形成薄膜核心(36)。一種此類材料是由81%的鎳及19%的鐵組成之鎳－鐵合金。熟悉此項技術者亦可想到其他適用的材料。核心(36)之目的是增加線圈(34)的Q值(Q factor)，且因而增加識別標籤(30)的工作範圍。
由於提供了線圈(34)的多層及多匝，且由於使線圈(34)的空間方向沿著線圈(34)的旋轉軸被配置成與RFID晶片(32)的主體平面呈現一銳角(圖中示為實質上是九十度的角)之一方向，因而也改善了識別標籤(30)的工作範圍。
係使用製造“晶片線圈”識別標籤的習知技術製造識別標籤(30)。因此，係使用習知的沈積、掩蔽、摻雜、及蝕刻技術而同時製造數層的RFID晶片(32)、多層多匝線圈(34)、以及核心(36)。
根據本發明的揭示而製造之識別標籤具有主要為“晶片線圈”識別標籤所擁有的優點，不需要涉及天線線圈及RFID晶片的接合步驟，且具有大量批次處理的成本效益，同時又提供了估計比習知“晶片線圈”識別標籤大十倍的較大之工作範圍。
雖然已參照一特定的較佳實施例而說明了本發明，但是可在不脫離本發明的精神下，採用各種修改、替代結構、以及等效方式。例如，雖然係將線圈(34)示出及說明為具有兩層多匝的一線圈，但是我們可想到亦可易於視需要而實施具有三層或更多層的多匝線圈。此外，如前文所述，可以所述的特定材料以外之其他材料製造核心(36)。因此，不應將前文之說明詮釋為對本發明的限制，本發明只受最後申請專利範圍的界定。
10,20．．．識別標籤
12,22,32．．．：射頻識別晶片
14．．．天線
15,25,37．．．基板
16,17．．．連接墊
30．．．射頻識別標籤
32．．．射頻識別積體電路晶片
18,19．．．自由端
34．．．線圈
36．．．核心
38．．．旋轉軸
第1圖是具有一RFID晶片以及一獨立的天線的一先前技術的識別標籤之一平視圖；第2圖是具有一RFID晶片以及一以整合方式形成的天線的一先前技術的識別標籤之一平視圖；第3圖是具有一RFID晶片以及根據本發明的被整體形成的一天線的一識別標籤之一示意圖；以及第4圖是沿著第3圖的4－4線截取的一斷面圖，圖中示出該多層多匝天線線圈。
30．．．射頻識別標籤
32．．．射頻識別積體電路晶片
34．．．線圈
36．．．核心
37．．．基板
38．．．旋轉軸

Claims (8)

  1. 一種射頻識別(RFID)標籤，包含：一基板，其具有一上表面；以及以整合方式形成於該基板的該上表面上之一RFID晶片/天線組合，該天線包含：一線圈，該線圈具有複數層的導電匝，用以界定一中央開孔，該中央開孔包圍一旋轉軸，該旋轉軸被配置成與該基板成一角度，每一層具有複數個導電匝；以及被定位在該線圈的該中央開孔內且從該基板之該上表面延伸遠離至該中央開孔朝向該線圈之該複數層的最上層之一導磁材料核心。
  2. 如申請專利範圍第1項之RFID標籤，其中該角度實質上為九十度。
  3. 如申請專利範圍第1項之RFID標籤，其中該線圈具有至少兩層的本質上為螺旋形之一結構。
  4. 如申請專利範圍第1項之RFID標籤，其中該核心具有一中空內部的環形。
  5. 一種製備RFID標籤之方法，該方法包含下列步驟：(a)提供一具有一上表面的基板；(b)在該基板上同時形成一RFID積體電路及一天線線圈，係以一多匝多層線圈之方式形成該線圈，該多匝多層線圈具有一中央開孔，該中央開孔具有一旋轉軸，該 旋轉軸對該基板成一角度，每一層具有複數個導電匝；以及(c)提供被定位在該線圈的該中央開孔內且從該基板之該上表面延伸遠離至該中央開孔朝向該線圈之該複數層的最上層之一導磁材料核心。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中係同時執行該(b)形成步驟及(c)提供步驟。
  7. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該(b)形成步驟包含下列步驟：形成具有一旋轉軸之該線圈，該旋轉軸對該基板之該上表面實質上成九十度之一角度。
  8. 如申請專利範圍第5項之方法，其中係以一具有中空內部的環形之方式形成該核心。
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