TWI433523B - A communication device for reducing the coupling current of a double layer metal - Google Patents

Description

降低雙層金屬耦合電流的通訊裝置

本發明是有關於一種通訊裝置，特別是指一種降低雙層金屬耦合電流的通訊裝置。

參閱圖1，一種可攜式通訊裝置9，例如：行動電話或筆記型電腦，包括一上殼體91及一可相對上殼體91對摺掀合之下殼體92，上殼體91設有顯示幕，在下殼體92表面設有按鍵等元件，而在下殼體92的內部則設有一供佈局電路之電路板(圖未示)及一設在電路板之靠近下殼體92的樞接端下方之隱藏式天線93。

而隨著可攜式通訊裝置9輕薄短小且大螢幕的需求，使用鋁鎂合金這一類的材質取代較厚的塑膠材質做為殼體結構也更為普遍，也因為是金屬材質，所以就衍生出不少的通訊方面的問題。

參閱圖2，由於可攜式通訊裝置9的上殼體91及下殼體92採用金屬材質的設計，但是上殼體91及下殼體92一旦閉合，兩層金屬結構將造成電流耦合的現象，使得天線93的通訊效果受到一定程度的影響，例如：極為靠近(0.15mm)的二金屬層類似於電容結構，將會耦合出不必要的電流，並造成天線93的增益衰減。

因此，本發明之目的，即在提供一種降低兩層金屬結構造成的電流耦合現象並設法保持基本的機構強度的降低雙層金屬耦合電流的通訊裝置。

於是，本發明降低雙層金屬耦合電流的通訊裝置包含一具有通訊功能之天線、一第一殼體及一第二殼體。

該第一殼體包括一第一金屬層及一第一非金屬層，該第一金屬層具有多數個凹設的第一間隙，該第一非金屬層係填充該等第一間隙。

該第二殼體包括一第二金屬層及一第二非金屬層，該第二金屬層具有多數個凹設的第二間隙，該第二非金屬層係填充該等第二間隙，藉此，於該第一殼體及該第二殼體疊合時降低干擾耦合電流的形成以避免影響該天線之通訊功能。

本發明降低雙層金屬耦合電流的通訊裝置之功效在於，藉由在第一、第二金屬層設置多數個凹設的第一、第二間隙以降低兩層金屬結構造成的電流耦合現象，並以第一、第二非金屬層填充該等第一、第二間隙，也能保持通訊裝置的機構強度。

有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之多個較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。在本發明被詳細描述之前，要注意的是，在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。

參閱圖3與圖4，本發明之較佳實施例中，通訊裝置100是一摺疊式電子產品，例如：行動電話或筆記型電腦，包含一具有通訊功能之天線3、一第一殼體1及一第二殼體2，第一殼體1及第二殼體2之間呈掀開狀態(如圖3)，及閉合狀態(如圖4)時，第一殼體1及第二殼體2鄰近天線3。

參閱圖4，第一殼體1包括一第一金屬層11及一第一非金屬層12；第一金屬11層是例如鋁鎂合金材質，表面形成有多數個凹設的第一間隙111，且第一非金屬層12是例如陶瓷或塑膠材質，係填充並補平該等第一間隙111。

同樣的，第二殼體2包括一第二金屬層21及一第二非金屬層22；第二金屬層22是例如鋁鎂合金材質，表面形成有多數個凹設的第二間隙211，且第二非金屬層22是例如陶瓷或塑膠材質，係填充並補平該等第二間隙211。

詳細而言，在第一殼體1及第二殼體2之間具有一接合空隙110，各第一間隙111的凹面及各第二間隙211的凹面沿著接合空隙110是非對稱地交錯設置；第一金屬層11之第一間隙111及第二金屬層21之第二間隙211的凹面是概呈內凹之凸形，且第一非金屬層12是補平第一金屬層11之第一間隙111，及第二非金屬層22是補平第二金屬層21之第二間隙211。

本發明的原理即在於：藉由凹設的第一間隙111及凹設的第二間隙211形成的齒狀結構，破壞原本的雙金屬層平行的類電容結構，因此於第一殼體1及第二殼體2疊合時，就可降低干擾耦合電流的形成，避免影響天線3之通訊功能。

須注意的是，因為第一殼體1及第二殼體2內部安裝有顯示螢幕及鍵盤等元件，第一殼體1及第二殼體2的側面的結構強度也就較為薄弱，這也是為何以第一非金屬層12及第二非金屬層22來增加結構強度的原因。

如表1所示，比較有間隙(間隙高度3mm)及無間隙(兩金屬殼體彼此靠近的距離0.15mm)的天線輻射效率，可觀察到有間隙比無間隙的天線輻射效益提升約3dB。

以下分別介紹的各種可能型態，需說明的是，其他規則或不規則型的類鋸齒狀亦可，由於種類繁多，在此不再一一列舉。

參閱圖5，第一殼體1’的各第一間隙111’的凹面及第二殼體2’的各第二間隙211’的凹面概呈內凹之弧形。

參閱圖6，第一殼體1”的各第一間隙111”的凹面及第二殼體2”的各第二間隙211”的凹面概呈內凹之三角形。

參閱圖7，第一殼體1”’的各第一間隙111”’的凹面及第二殼體2”’的各第二間隙211”’的凹面概呈內凹之梯形。

參閱圖8，是採用如圖4的殼體結構及無採用如圖4的殼體結構的天線電壓駐波比(VSWR)數據曲線，由圖中可知，本發明有間隙結構的通訊裝置100在頻帶範圍824Hz至894Hz以及1710Hz至1970Hz的輻射效益比沒有間隙的輻射效益更佳。

參閱圖9及圖10，於操作頻率為849MHz的無間隙的的天線輻射場型圖(如圖9)，與相同操作頻率但是有間隙設計的天線輻射場型圖比較結果(如圖10)，有間隙設計的天線輻射場型圖更為飽滿，因此具有較佳的輻射效益。

參閱圖11及圖12，於操作頻率為1910MHz的無間隙的的天線輻射場型圖(如圖11)，與相同操作頻率但是有間隙設計的天線輻射場型圖比較結果(如圖12)，有間隙設計的天線輻射場型圖更為飽滿，因此具有較佳的輻射效益。

綜上所述，本發明降低雙層金屬耦合電流的通訊裝置100之功效在於，藉由在第一金屬層11、第二金屬層21設置多數個凹設的第一間隙111、第二間隙211以降低兩層金屬結構造成的電流耦合現象，並以第一非金屬層12、第二非金屬層22填充該等第一間隙111、第二間隙211，也就能保持通訊裝置100的機構強度，故確實能達成本發明之目的。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

[習知]

9．．．可攜式通訊裝置

91．．．上殼體

92．．．下殼體

93．．．天線

[本創作]

100．．．通訊裝置

1、1’、1”、1”’．．．第一殼體

11．．．第一金屬層

110．．．接合空隙

111、111’、111”、111”’．．．第一間隙

12．．．第一非金屬層

2、2’、2”、2”’．．．第二殼體

21．．．第二金屬層

211、211’、211”、211”’．．．第二間隙

22．．．第二非金屬層

3．．．天線

圖1是一示意圖，說明現有可攜式通訊裝置在掀開狀態；

圖2是一示意圖，說明現有可攜式通訊裝置在閉合狀態；

圖3是一示意圖，說明本發明之較佳實施例的通訊裝置在掀開狀態；

圖4是一示意圖，說明本發明之較佳實施例的通訊裝置在閉合狀態；

圖5是一示意圖，說明各第一間隙的凹面及各第二間隙的凹面概呈內凹之弧形；

圖6是是一示意圖，說明各第一間隙的凹面及各第二間隙的凹面概呈內凹之三角形；

圖7是是一示意圖，說明各第一間隙的凹面及各第二間隙的凹面概呈內凹之梯形；

圖8是一曲線圖，說明採用如圖4的殼體結構的天線電壓駐波比數據量測結果；

圖9是一場型圖，說明於操作頻率為849MHz的無間隙的的天線輻射場型；

圖10是一場型圖，說明於操作頻率為849MHz的有間隙的的天線輻射場型；

圖11是一場型圖，說明於操作頻率為1910MHz的無間隙的的天線輻射場型；及

圖12是一場型圖，說明於操作頻率為1910MHz的有間隙的的天線輻射場型。

1．．．第一殼體

11．．．第一金屬層

110．．．接合空隙

111．．．第一間隙

12．．．第一非金屬層

2．．．第二殼體

21．．．第二金屬層

211．．．第二間隙

22．．．第二非金屬層

3．．．天線

Claims (5)

1. 一種降低雙層金屬耦合電流的通訊裝置，包含：一天線，具有通訊功能；一第一殼體，鄰近該天線，包括一第一金屬層及一第一非金屬層，該第一金屬層具有多數個凹設的第一間隙，該第一非金屬層係填充該等第一間隙；及一第二殼體，鄰近該天線，包括一第二金屬層及一第二非金屬層，該第二金屬層具有多數個凹設的第二間隙，該第二非金屬層係填充該等第二間隙，藉此，於該第一殼體及該第二殼體疊合時降低耦合電流的形成以避免影響該天線之通訊功能。
2. 依據申請專利範圍第1項所述之降低雙層金屬耦合電流的通訊裝置，其中，各該第一間隙的凹面及各該第二間隙的凹面是非對稱地交錯設置。
3. 依據申請專利範圍第2項所述之降低雙層金屬耦合電流的通訊裝置，其中，各該第一間隙及各該第二間隙的凹面是概呈內凹之凸形、弧形、三角形、梯形或不規則型。
4. 依據申請專利範圍第1、2或3項所述之降低雙層金屬耦合電流的通訊裝置，其中，該第一非金屬層及該第二非金屬層分別是補平該第一金屬層之第一間隙及該第二金屬層之第二間隙。
5. 依據申請專利範圍第1、2或3項所述之降低雙層金屬耦合電流的通訊裝置，其中，該第一非金屬層是塑膠材質或陶瓷材質，及該第二非金屬層是塑膠材質或陶瓷材質。