TWI431907B - 停滯時間之控制方法以及具有自調停滯時間之控制器 - Google Patents

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Description

停滯時間之控制方法以及具有自調停滯時間之控制器
本發明係相關於一種開關式電源供應器,尤指一種具有自調(adaptive)停滯時間(dead time)的電源供應器。
電源供應器對電器提供適當的電能,一般講究的是實用性、轉換效率與產品體積。在諸多架構中,LLC架構可以執行零電壓切換(zero-voltage switching),能夠降低切換損失(switching loss)。同時,相較於其他架構,LLC架構在一個開關週期(switch cycle)中,可以對負載端提供兩次電流供電,所以可以具有比較好的輸出電壓穩壓效果。LLC架構的另一個優點是有較小的EMI問題,因為從供電端所汲取的電流,其高頻諧波(harmonic frequency)的部分能量都非常的小。因此,目前已經開始被市場上所採用。
第1圖為習知一LLC架構以及一LLC控制器。橋式整流器12連接到市電的兩AC端,於供電電源線IN產生供電電壓VIN ,其值可能介於100到260伏特。高端功率開關(high-side power switch)14連接在供電電源線IN與連接端VS之間,低端功率開關(low-side power switch)16連接在連接端VS與接地電源線之間。兩個電感18、20以及電容22串接在連接端VS與接地電源線之間,構成了一LC震盪電路。每一震盪週期中,電感耦合的電感24、26就交替的對輸出負載28供電。
LLC控制器30控制高端功率開關14以及低端功率開關16。自舉電路具有二極體32以及自舉電容34,以使昇壓電源線VB的電壓VB 大致維持在比連接端VS的電壓VS 高出電壓VDD ,其中電壓VDD 為操作電源線VDD上的電壓。高端驅動電路36產生電壓信號VHSG ,驅動高端功率開關14;低端驅動電路38產生電壓信號VLSG ,驅動低端功率開關16。震盪控制電路40控制高端功率開關14以及低端功率開關16的時序。因為電壓VS 可能高達100伏特,所以震盪控制電路40透過準位平移器(level shifter)42來控制高端驅動電路36。
第2圖提供一信號時序圖,由上而下,分別顯示電壓VS 、電壓信號VHSG 、以及電壓信號VLSG 。在拉高時段TH 中,電壓信號VHSG 為邏輯上的1,電壓信號VLSG 為邏輯上的0,高端功率開關14以及低端功率開關16分別為短路與開路,電壓VS 會大約等於供電電壓VIN 。在拉低時段TL 中,高端功率開關14以及低端功率開關16分別為開路與短路,電壓VS 會大約等於接地線電壓的0V。停滯時間TFD 位於拉高時段TH 之後,拉低時段TL 之前。停滯時間TRD 位於拉低時段TL 之後,拉高時段TH 之前。要達到無損失切換(lossless switching)的零電壓切換,停滯時間TFD 與TRD 就必須適當地加以控制。
在第1圖中,LLC控制器30具有斜率偵測器(slope detector)42,其透過電容44來偵測電壓VS 的變化,並提供相對信號給予震盪控制電路40,以決定停滯時間TFD 與TRD 的時間長度。
本發明之一實施例揭露一種停滯時間(dead time)之控制方法,適用於一電源供應器。該電源供應器包含有一高端功率開關,耦接於一高電源線以及一連接端之間;一低端功率開關(low-side power switch),耦接於該連接端以及一接地電源線之間。該控制方法包含有:以一高端驅動電路驅動該高端功率開關,該高端驅動電路由連接於該昇壓電源線與該連接端之間,該昇壓電源線與該連接端之間的電壓差大約為一定值;提供一分壓器,一第一分壓電阻以及一第二分壓電阻,該第一分壓電阻具有一端耦接至一串接端,另一端耦接至該昇壓電源線或該連接端,該第二分壓電阻耦接於該接地電源線與該串接端之間,該分壓器於該串接點提供一偵測電壓;關閉該低端功率開關,以使該連接端之電壓上升;於該連接端之電壓上升時,比較該偵測電壓以及一參考電壓;以及,當該偵測電壓高於該參考電壓時,開啟該高端功率開關。
本發明之一實施例揭露一種具有自調(adaptive)停滯時間(dead time)之控制器。該控制器包含有一高端驅動電路、一低端驅動電路、一分壓器、以及一第一比較器。該高端驅動電路受一昇壓電源線以及一連接端供電,用以驅動一高端功率開關。該低端驅動電路,受一操作電源線以及一接地電源線供電,用以驅動一低端功率開關。該分壓器包含有一第一分壓電阻以及一第二分壓電阻。該第一分壓電阻具有一端耦接至一串接端,另一端耦接至該昇壓電源線或該連接端。該第二分壓電阻耦接於該接地電源線與該串接端之間。該分壓器於該串接端提供一偵測電壓。該第一比較器,於該低端功率開關關閉時,比較該偵測電壓以及一第一參考電壓。當該偵測電壓高過該第一參考電壓時,該第一比較器觸發該高端驅動電路開啟該高端功率開關。
第3圖顯示依據本發明所實施的LLC控制器60,其具有高端驅動電路36、低端驅動電路38、準位平移器42、震盪控制電路62、以及停滯時間決定器(dead-time controller)64。LLC控制器60可以取代第1圖中的LLC控制器30,來控制LCC架構。第3圖之LLC控制器60與第1圖之LLC控制器30之間,具有相同之符號的元件為具有相同或是類似功能之元件,為業界具有普通技術之人士可推知,不再累述。
停滯時間控制器64有分壓器(voltage divider)66、取樣電路67、以及比較器68與70。分壓器66有分壓電阻72、74以及76,經由串接端DH與DL,串接於連接端VS與接地電源線之間。串接端DH與DL分別提供偵測電壓VDH 以及VDL 。從電路可知,連接端VS的電壓VS 大於偵測電壓VDH ,偵測電壓VDH 大於偵測電壓VDL 。電壓VS 、偵測電壓VDH 、以及偵測電壓VDL 之間的比例關係,大約固定。
第4圖顯示第3圖之LLC控制器60使用於第1圖之LLC架構時,電壓VS 、電壓信號VHSG 、電壓信號VLSG 以及取樣信號SSH 的時序圖。請同時參考第3圖以及第4圖。
取樣電路67在高端驅動電路36開啟高端功率開關14時,會收到取樣信號SSH ,對串接端DL上的偵測電壓VDL 進行取樣,用以更新參考電壓VTOP 。如第4圖所示,當高端功率開關14時,連接端VS的電壓VS 幾乎等於供電電源線IN的供電電壓VIN ,所以,參考電壓VTOP 實質上對應到供電電壓VIN
在低端驅動電路38一開始關閉低端功率開關16時,就開始進入停滯時間TRD 。此時,震盪電路中的電感會對連接端VS開始充電,抬高電壓VS 、偵測電壓VDH 以及VDL 。如果偵測電壓VDH 高過參考電壓VTOP ,也就意味著連接端VS的電壓VS 已經高過參考電壓VTOP 所對應的參考電壓VTOP1 了,電壓VS 差不多很接近供電電壓VIN ,可以執行零電壓切換。此時,比較器68提供觸發信號SH ,透過震盪控制電路62以及準位平移器42,使高端驅動電路36開啟高端功率開關14。舉例來說,分壓電阻76與74的電阻值比例可以大約是9:1。如此,參考電壓VTOP1 大約會是供電電壓VIN 的90%。
類似的,在高端驅動電路36一開始關閉高端功率開關14時,就開始進入停滯時間TFD 。此時,震盪電路中的電感會對連接端VS開始放電,拉低電壓VS 、偵測電壓VDH 以及VDL 。如果偵測電壓VDH 低於參考電壓VBTM ,則可以認定此時連接端VS的電壓VS 已經低於參考電壓VBTM 所對應的參考電壓VBTM1 了,可以執行零電壓切換。此時,比較器70提供觸發信號SL ,透過震盪控制電路62,使低端驅動電路38開啟低端功率開關16。在一實施例中,參考電壓VBTM1 是接近0V的一個值,譬如0.5V。
如上所述,停滯時間控制器64可以自動的在電壓VS 很接近供電電壓VIN 時,才使高端功率開關14開啟;或是在電壓VS 很接近0V時,才使低端功率開關16開啟。因此,停滯時間TFD 與TRD 可以對於負載的不同,而自調至適切長度,達到零電壓切換。
在一實施例中,震盪控制電路62提供一最小停滯時間控制(minimum dead-time control),使停滯時間TFD 與TRD 至少不短於一預設值。
第5圖顯示第4圖中的取樣電路67,其操作於原理可由此業界具有普通技術人士所了解,不再累述。
第6圖顯示實施本發明的另一停滯時間控制器80,可以取代第3圖中的停滯時間決定器64。第7圖由上而下,依序顯示電壓VB 、電壓VS 、電壓信號VHSG 、電壓信號VLSG 以及取樣信號SSH 的時序圖,用以解釋第6圖之操作。
與第3圖中的停滯時間決定器64不同的,停滯時間控制器80中的分壓器66連接於昇壓電源線VB與接地電源線之間。因此,在此實施例中,串接端DH與DL上的偵測電壓VDH 以及VDL 大致上固定地對應到昇壓電源線VB的電壓VB 。雖然比較器68比較的是參考電壓VTOP 與偵測電壓VDH ,但是等同比較了當下電壓VB 以及第7圖中的參考電壓VTOP2 。比較器68在電壓VB 高過參考電壓VTOP2 時,觸發使高端驅動電路36開啟高端功率開關14。類似的,比較器70在電壓VB 高過第7圖中的參考電壓VBTM2 時,觸發使低端驅動電路38開啟低端功率開關16。如此,也可以達到零電壓切換。
在先前所介紹的實施例中,分壓器66的高壓輸入端不是連接到昇壓電源線VB,就是連接端VS,而這兩端都是屬於對高端驅動電路36供電的電源端。然而,只要分壓器66的高壓輸入端則連接到一選取端,而此選取端的電壓會隨電壓VB 或是電壓VS 變動的,都可以作為本發明之實施例。第8圖顯示了可使用於一實施例中的分壓器66以及準位平移器42。準位平移器42可以將屬於低電壓的電壓信號VHD ,透過NMOS電晶體82以及由PMOS電晶體構成的一電流鏡,轉換成電流信號IHD ,傳送至高端驅動電路36。分壓器66的高電壓輸入端連接到NMOS電晶體82的汲端(drain)。
從電路分析可得知,NMOS電晶體82的汲端電壓,會隨著電壓VB 而變動,大約會是VB -VTHP ,其中VTHP 為PMOS電晶體的臨界電壓(threshold voltage)。
在第8圖中,NMOS電晶體82必須是一耐高壓元件,至少必須耐受達200伏特以上的電壓。所以,以積體電路實現時,其汲端將會佔用了相當大的矽面積(silicon area)。分壓器66中的分壓電阻72、74以及76可以用高阻抗多晶矽(high-resistant poly-silicon)形成於NMOS電晶體82汲端(也就是一耐高壓端)所佔用之面積上。如此,分壓電阻72、74以及76與NMOS電晶體82大致享用同一矽面積,可以節省成本。
以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。
12...橋式整流器
14...高端功率開關
16...低端功率開關
18、20...電感
22...電容
24、26...電感
28...輸出負載
30...LLC控制器
32...二極體
34...自舉電容
36...高端驅動電路
38...低端驅動電路
40...震盪控制電路
42...準位平移器
44...電容
60...LLC控制器
62...震盪控制電路
64...停滯時間決定器
66...分壓器
67...取樣電路
68、70...比較器
72、74、76...分壓電阻
80...停滯時間控制器
82...NMOS電晶體
DH、DL...串接端
IHD ...電流信號
IN...供電電源線
SH ...觸發信號
SL ...觸發信號
SSH ...取樣信號
TFD ...停滯時間
TH ...拉高時段
TL ...拉低時段
TRD ...停滯時間
VB ...電壓
VB...昇壓電源線
VBTM ...參考電壓
VBTM1 ...參考電壓
VBTM2 ...參考電壓
VDD ...電壓
VDD...操作電源線
VDH 、VDL ...偵測電壓
VHD ...電壓信號
VHSG ...電壓信號
VIN ...供電電壓
VLSG ...電壓信號
VS...連接端
VS ...電壓
VTOP ...參考電壓
VTOP1 ...參考電壓
VTOP2 ...參考電壓
第1圖為習知一LLC架構以及一LLC控制器。
第2圖提供一信號時序圖,由上而下,分別顯示電壓VS 、電壓信號VHSG 、以及電壓信號VLSG
第3圖顯示依據本發明所實施的一LLC控制器。
第4圖顯示使用第3圖之LLC控制器6O時,電壓VS 、電壓信號VHSG 、電壓信號VLSG 以及取樣信號SSH 的時序圖。
第5圖顯示第4圖中的取樣電路。
第6圖顯示實施本發明的另一停滯時間控制器。
第7圖由上而下,依序顯示電壓VB 、電壓VS 、電壓信號VHSG 、電壓信號VLSG 以及取樣信號SSH 的時序圖,用以解釋第6圖之操作。
第8圖顯示了可使用於一實施例中的分壓器66以及準位平移器42。
30...LLC控制器
32...二極體
36...高端驅動電路
38...低端驅動電路
42...準位平移器
62...震盪控制電路
64...停滯時間決定器
66...分壓器
67...取樣電路
68、70...比較器
72、74、76...分壓電阻體
DH、DL...串接端
SH ...觸發信號
SL ...觸發信號
SSH ...取樣信號
VB...昇壓電源線
VBTM ...參考電壓
VDD...操作電源線
VS...連接端
VTOP ...參考電壓

Claims (8)

  1. 一種停滯時間(dead time)之控制方法,適用於一電源供應器,該電源供應器包含有一高端功率開關(high-side power switch),耦接於一高電源線以及一連接端之間,一低端功率開關(low-side power switch),耦接於該連接端以及一接地電源線之間,該控制方法包含有:以一高端驅動電路驅動該高端功率開關,該高端驅動電路由連接於該昇壓電源線與該連接端之間,該昇壓電源線與該連接端之間的電壓差大約為一定值;提供一分壓器,一第一分壓電阻以及一第二分壓電阻,該第一分壓電阻具有一端耦接至一串接端,另一端耦接至該昇壓電源線或該連接端,該第二分壓電阻耦接於該接地電源線與該串接端之間,該分壓器於該串接點提供一偵測電壓;關閉該低端功率開關,以使該連接端之電壓上升;於該連接端之電壓上升時,比較該偵測電壓以及一參考電壓;以及當該偵測電壓高於該參考電壓時,開啟該高端功率開關。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之控制方法,另包含有:關閉該高端功率開關,以使該連接端之電壓下降;比較該偵測電壓以及一第二參考電壓;以及當該偵測電壓高於該第二參考電壓時,開啟該低端功率開關。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之控制方法,另包含有:當該高端功率開關開啟時,更新該參考電壓。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之控制方法,其中,該偵測電壓為一第一偵測電壓,該控制方法另包含有:提供一第二偵測電壓,低於該第一偵測電壓;以及當該第一功率開關開啟時,以該第二偵測電壓更新該參考電壓。
  5. 一種具有自調(adaptive)停滯時間(dead time)之控制器,包含有:一高端驅動電路,受一昇壓電源線以及一連接端供電,用以驅動一高端功率開關;一低端驅動電路,受一操作電源線以及一接地電源線供電,用以驅動一低端功率開關;一分壓器,包含有一第一分壓電阻以及一第二分壓電阻,該第一分壓電阻具有一端耦接至一串接端,另一端耦接至該昇壓電源線或該連接端,該第二分壓電阻耦接於該接地電源線與該串接端之間,該分壓器於該串接端提供一偵測電壓;以及一第一比較器,於該低端功率開關關閉時,比較該偵測電壓以及一第一參考電壓;其中,當該偵測電壓高過該第一參考電壓時,該第一比較器觸發該高端驅動電路開啟該高端功率開關。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之控制電路,另包含有:一第二比較器,比較該偵測電壓以及一第二參考電壓;其中,當該偵測電壓低過該第二參考電壓時,該第二比較器觸發該低端驅動電路開啟該低端功率開關。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之控制電路,其中,該偵測電壓為一第一偵測電壓,該分壓器另包含有一第三分壓電阻,耦接於該第二分壓電阻以及該接地電源線之間,提供一第二偵測電壓,該控制電路另包含有:一取樣電路,當該第一功率開關開啟時,以該第二偵測電壓更新該參考電壓。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之控制電路,另包含有:一準位平移器,耦接至該高端驅動電路,具有一耐高壓元件,具有一耐高壓端,可耐受200伏特之電壓;其中,該第一分壓電阻連接至該耐高壓端。
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