TWI431812B - 具氧化鋅奈米針之發光二極體及其製造方法 - Google Patents
具氧化鋅奈米針之發光二極體及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI431812B TWI431812B TW100133777A TW100133777A TWI431812B TW I431812 B TWI431812 B TW I431812B TW 100133777 A TW100133777 A TW 100133777A TW 100133777 A TW100133777 A TW 100133777A TW I431812 B TWI431812 B TW I431812B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- zinc oxide
- light
- emitting diode
- zinc
- nanoneedle
- Prior art date
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Description
本發明係關於一種具氧化鋅奈米針之發光二極體及其製造方法,特別是關於一種藉由水溶液法於發光二極體之基板上成長氧化鋅奈米針以增加其光取出效率之發光二極體及其製造方法。
現今,發光二極體(light emitting diode,LED)於各種照明用途上之應用日益普遍,由於發光二極體具有省電及長壽命等優勢,因此其相關技術不斷被研發及改良,其中能提供藍色光源的氮化鎵(GaN)相關半導體材料元件,更是白光照明及全彩顯示器的重要關鍵零組件。
對藍光、綠光或紫外光之氮化鎵發光二極體來說,氮化鎵主動層可提供發光表面。然而,在材料特性上,該氮化鎵主動層雖具有將近100%的內部量子效率(internal quantum efficiency),但由於材料本身(n=2.5)與空氣(n=1)的折射係數(refractive index)差異甚大,造成只有當光線相對於發光表面呈0度至23.6度之夾角時,光線才能穿透該發光表面向外射出,而其餘大部份光線則是反射回氮化鎵層內部及造成熱損耗而已,結果使得光線之穿透率僅約81.6%。亦即,單純由該氮化鎵主動層構成之發光表面的光取出效率有待加強。另一方面,也有在氮化鎵主動層上成長一層非晶結構之氧化鋅薄膜(折射係數n=2),使光線先由氮化鎵主動層進入氧化鋅薄膜,再射進空氣中。但是,此一改良構造之光線穿透率也僅提升至87.8%。
再者,Muthukumar等人在2003年的研究(Muthukumar,S,and etc.,Selective MOCVD Growth of ZnO Nanotips,IEEE Tran. Nanotechnol.,vol.2,2003,pp.50-54)提出一種藉由有機金屬化學氣相沈積法選擇性成長奈米針狀氧化鋅之方法。唯,由有機金屬化學氣相沈積法形成之氧化鋅奈米針成長過於密集,如此高密度的氧化鋅奈米針之排列如同氧化鋅薄膜(ZnO film)一般,使發光二極體射出的光大多仍在奈米針中傳遞及折射,因而無法有效向外射出至空氣中。
再者,Fujii等人在2004年的研究(T. Fujii,and etc.,Increase in the Extraction Efficiency of GaN-based Light-Emitting Diodes via Surface Roughening,Appl. Phys. Lett.,vol.84,2004,pp855-857)提出一種藉由表面粗糙化增加氮化鎵發光二極體之光取出效率之方法,其中利用高功率氟化氪(KrF)雷射對黏著於矽基板上之氮化鎵磊晶片施行基板剝離,形成覆晶式發光二極體,再以化學溼蝕刻法將負型氮化鎵表面粗化,但是其複雜的製程、化學蝕刻及基板剝離的應力皆會降低元件本身的光電特性及壽命。
另外,Zhong等人在2007年的研究(J. Zhong,and etc.,Integrated ZnO Nanotips on GaN Light Emitting Diodes for Enhanced Emission Efficiency,Appl. Phys. Lett. vol.90,2007,pp. 203515-204100)提出一種藉由整合氮化鎵發光二極體上之奈米針狀氧化鋅以增加發光效率之方法,其中利用鎵原子摻雜氧化鋅以得到不規則變化的折射率,因而可得到不同的入射光臨界角。唯,其臨界角的整體增加幅度不大,折射率也無法精準調整,因此會造成射出光分佈不均勻的問題。
此外,本案申請人先前申請之中華民國專利公告第200947749號則揭示一種增加氮化鎵發光二極體之光取出效率之方法,其先提供一氮化鎵磊晶圓;接著,依預定混合比例混合一鋅源溶液及一晶種溶液成為一混合液;並利用該混合液處理該氮化鎵磊晶圓之發光表面,使該發光表面成長直立狀之氧化鋅長晶柱;再藉由控制處理溫度及時間,使該氧化鋅長晶柱形成預定長寬尺寸比例及預定分佈密度;最後,切割該氮化鎵磊晶圓,以形成數個氮化鎵發光二極體單晶片。唯,上述成長出之直立狀氧化鋅長晶柱係呈長柱形,其晶柱之底端至頂端具有實質相同之粗細尺寸,且該些氧化鋅長晶柱亦平均的分佈在該發光表面上,故由此氧化鋅長晶柱構成之折射率漸變層由下到上之折射係數(n)實質上雖然稍小於2,但是其光線穿透率相對於氧化鋅薄膜之光線穿透率的改善幅度仍不大。
故,仍有必要提供一種發光二極體及其製造方法,以解決習用技術所存在的問題。
本發明之主要目的在於提供一種具氧化鋅奈米針之發光二極體及其製造方法,其係藉由水溶液法(aqueous solution deposition,ASD)及特定反應參數條件於發光二極體之基板上成長出氧化鋅奈米針(ZnO nanotips)做為折射率漸變層,該氧化鋅奈米針具有長錐狀針形柱體,能使折射率漸變層之底層與頂層因柱體粗細不同而產生漸變密度(該漸變密度特性並未出現在非晶結構之氧化鋅薄膜或長直立狀之氧化鋅長晶柱層中),該漸變密度特性能使該折射率漸變層之整體折射係數改變成相當於n=1.57,因此可將該折射率漸變層之總穿透率提升至幾乎最佳化之程度(約90.1%),故確實能增加發光二極體之光取出效率。
本發明之次要目的在於提供一種具氧化鋅奈米針之發光二極體及其製造方法,其使用水溶液法成長出的氧化鋅奈米針具有高結晶性及高均勻性,可將發光的吸收損耗降到最低,而適中的氧化鋅能帶寬度及折射率更可將此應用擴展至使用在砷化鎵、磷化銦等發光二極體基板上。此外本法成長之氧化鋅奈米針與氮化鎵基板表面以成核方式成長,兩者之間的鍵結良好,可減少界面光吸收損耗及漏電流,故可相對簡化製程步驟並減少製程對元件及材料的破壞。
本發明之次要目的在於提供一種具氧化鋅奈米針之發光二極體及其製造方法,其使用水溶液法具有操作簡易、低成本、低成長溫度、大面積與選擇性成長等優點,且用以成長氧化鋅奈米針的原料(如硝酸鋅及氨水溶液)對氮化鎵基板皆不具蝕刻性,故可在保持元件光電特性的前提下來增加發光二極體的光取出效率。
為達上述之目的,本發明提供一種具氧化鋅奈米針之發光二極體,其包含:一發光二極體基板;一層氧化鋅緩衝層,濺鍍形成在該發光二極體基板上;以及一層氧化鋅奈米針,係以水溶液法成長在該氧化鋅緩衝層上並經笑氣退火處理,該層氧化鋅奈米針做為該發光二極體之一折射率漸變層。
在本發明之一實施例中,該發光二極體基板係選自藍寶石基板、氮化鎵基板、磷化銦基板、砷化鎵基板、矽基板或玻璃基板。
在本發明之一實施例中,該發光二極體基板係一覆晶(flip chip)式氮化鎵藍光發光二極體之藍寶石基板。
在本發明之一實施例中,該氧化鋅奈米針之長度介於20奈米(nm)至20微米(um)之間。
在本發明之一實施例中,該氧化鋅奈米針之底端的直徑介於20至100 nm之間,及該氧化鋅奈米針之頂端係呈針尖狀。
再者,本發明提供一種具氧化鋅奈米針之發光二極體的製造方法,其包含步驟:在一發光二極體基板上濺鍍(sputtering)形成一層氧化鋅緩衝層;以水溶液法(aqueous solution deposition,ASD)使用一鋅源溶液在該氧化鋅緩衝層上生長一層氧化鋅奈米針;以及使用笑氣對該發光二極體基板上之氧化鋅奈米針進行退火處理,該層氧化鋅奈米針做為該發光二極體之一折射率漸變層。
另外,本發明提供另一種具氧化鋅奈米針之發光二極體的製造方法,其包含步驟:在一發光二極體基板上濺鍍形成一層氧化鋅緩衝層,其中濺鍍時通入氬氣(Ar)及氧氣(O2
),且使用氧化鋅(ZnO)做為一濺鍍源;以水溶液法在該氧化鋅緩衝層上生長一層氧化鋅奈米針,其中該發光二極體基板係在70至75℃之間的溫度下浸入含鋅離子及氨水(NH4
OH)的鋅源溶液中進行氧化鋅奈米針成長2至4小時,該鋅源溶液中之鋅離子及氨水的莫耳比介於1:35至1:70之間;以及使用笑氣(N2
O)對該發光二極體基板上之氧化鋅奈米針進行退火處理,其中退火溫度介於100至400℃之間,及退火時間介於0.5至1.5小時之間,退火處理用以降低氧化鋅奈米針之晶格氧空缺(oxygen vacancy),該層氧化鋅奈米針做為該發光二極體之一折射率漸變層。
在本發明之一實施例中,該鋅源溶液中包含硝酸鋅(Zn(NO3
)2
),以提供鋅離子。
在本發明之一實施例中,在水溶液法的步驟中,混合濃度0.02 M之硝酸鋅水溶液80 mL與15.4 M氨水之水溶液4 mL,以製備該鋅源溶液。
為了讓本發明之上述及其他目的、特徵、優點能更明顯易懂,下文將特舉本發明較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。再者,本發明所提到的方向用語,例如「上」、「下」、「內」、「外」或「側面」等,僅是參考附加圖式的方向。因此,使用的方向用語是用以說明及理解本發明,而非用以限制本發明。
請參照第1圖所示,本發明較佳實施例之具氧化鋅奈米針之發光二極體的製造方法主要包含下列步驟:在一發光二極體基板10上濺鍍形成一層氧化鋅緩衝層20;以水溶液法使用一鋅源溶液在該氧化鋅緩衝層20上生長一層氧化鋅奈米針30;以及使用笑氣對該發光二極體基板10上之氧化鋅奈米針30進行退火處理。本發明將於下文利用第1至7圖逐一詳細說明較佳實施例之上述各步驟的實施細節及其原理。
請參照第1圖所示,本發明較佳實施例之具氧化鋅奈米針之發光二極體的製造方法首先係:在一發光二極體基板10上濺鍍(sputtering)形成一層氧化鋅緩衝層20。在本步驟中,本發明並不限制該發光二極體基板10之種類,但該發光二極體基板10係可選自藍寶石基板、氮化鎵基板、磷化銦基板、砷化鎵基板、矽基板或玻璃基板。在本實施例中,該發光二極體基板10例如選自一覆晶(flip chip)式氮化鎵(GaN)藍光發光二極體之藍寶石基板(發光波長440nm),其中該覆晶式氮化鎵藍光發光二極體例如包含一氮化鎵無摻質緩衝層、一摻矽n-型層(厚度4um)、一氮化銦鎵/氮化鎵(厚度5/9nm)多量子井(MQWs)層以及一摻鎂p-型氮化鎵層(0.2um),且p-型層及n-型層之接點分別使用鈦/金(Ti/Au)接點及鎳/金(Ni/Au)接點。上述疊層結構皆位於該發光二極體基板10之厚度範圍內,因各種LED應用之疊層結構皆不相同,故本發明僅以該發光二極體基板10來簡化代表其LED基板及疊層結構。再者,該發光二極體基板10可以指尚未切割之LED晶圓的基板表面或已切割之LED晶粒的基板表面,在此實施例係使用300x300 um2
的LED晶粒進行實驗。在濺鍍時,將該發光二極體基板10置入一濺鍍腔室中,並通入流量為35 sccm之氬氣(Ar)及35 sccm之氧氣(O2
),使用氧化鋅(99.99% ZnO)做為一濺鍍源,濺鍍功率60瓦,濺鍍時間60秒,工作壓力為2mTorr,在上述條件下進行濺鍍,即可於該發光二極體基板10上濺鍍形成一層氧化鋅緩衝層。
請參照第1圖所示,本發明較佳實施例之具氧化鋅奈米針之發光二極體的製造方法接著係:以水溶液法(aqueous solution deposition,ASD)使用一鋅源溶液在該氧化鋅緩衝層20上生長一層氧化鋅奈米針30。在本步驟中,該發光二極體基板係在70至75℃之間的溫度下浸入一種含鋅離子及氨水(NH4
OH)的鋅源溶液中進行氧化鋅奈米針成長2至4小時,該鋅源溶液中之鋅離子及氨水的莫耳比介於1:35至1:70之間。在本實施例中,本發明之鋅源溶液中使用硝酸鋅(Zn(NO3
)2
)來做為鋅離子之來源,且該鋅源溶液可由混合濃度0.02 M之硝酸鋅水溶液80 mL與15.4 M氨水之水溶液4 mL來預先製備以供使用。在進行水溶液法時,該發光二極體基板10係被浸入上述製備之鋅源溶液中,以在該氧化鋅緩衝層20上成長一層氧化鋅奈米針30,反應溫度控制在70℃,並調變不同成長時間(介於2至4小時之間)以供後續對照比對其光學性能(如第7圖所示)。
請參照第3圖所示,本發明較佳實施例之具氧化鋅奈米針之發光二極體的製造方法最後係:使用笑氣(N2
O)對該發光二極體基板10上之氧化鋅奈米針30進行退火(annealing)處理。在本步驟中,該退火處理之溫度可控制在介於100至400℃之間,及退火時間約介於0.5至1.5小時之間,退火處理用以降低該氧化鋅奈米針30之晶格氧空缺(oxygen vacancy)的缺陷發生率。本發明使用笑氣(N2
O)進行退火之原因在於:笑氣具有較低活化能,故其分解速率大於一氧化氮(NO)或氧氣(O2
),且笑氣可以提供更多具反應活性之氧原子,故其填補晶格氧空缺的能力相對也較高。
在完成濺鍍、水溶液法及笑氣退火處理後,如第1圖所示,本發明由水溶液法成長出之氧化鋅奈米針30之長度(高度)H係介於20奈米(nm)至20微米(um)之間,例如介於400至1500 nm之間。再者,該氧化鋅奈米針30之底端(即與該氧化鋅緩衝層20相接之一端)的直徑介於20至200 nm之間,例如介於100至150 nm之間。另外,該氧化鋅奈米針30之頂端(即相對接近外部大氣之一端)係呈針尖狀,其可以是尖銳或圓鈍之針尖形狀。整體而言,該氧化鋅奈米針30具有長錐狀針形柱體,而這些氧化鋅奈米針30可以共同構成一折射率漸變層,該折射率漸變層在其底層與頂層因柱體粗細不同而使得由下向上產生由密變疏之漸變密度,其中底層之奈米針柱體較粗,分佈較密且氣隙較小,而頂層之奈米針柱體較尖細,分佈較疏且氣隙較大。這些氧化鋅奈米針30之漸變密度特性能使該折射率漸變層之整體折射係數改變成相當於n=1.57,因此有利於提升該折射率漸變層之總穿透率。
請參照第2A及2B圖所示,其揭示本發明較佳實施例以水溶液法成長2小時之氧化鋅奈米針的電子顯微鏡(SEM)之上視與側視圖;相似的,第3A及3B圖與第4A及4B圖則係以水溶液法成長3與4小時之氧化鋅奈米針的電子顯微鏡之上視與側視圖。上述成長溫度皆固定於70℃。基本上,以水溶液法成長2、3或4小時之氧化鋅奈米針皆在該氧化鋅緩衝層上成長出高均勻及密度適中之氧化鋅奈米針,但不同的成長時間可以得到不同密度、長度與直徑的氧化鋅奈米針規格,在水溶液法成長時間2、3、4小時下,得到的長度(高度)分別約為400、1060、1484 nm。
請參照第5圖所示,其揭示本發明較佳實施例在不同退火溫度下的氧化鋅奈米針微光激發光譜(Micro-PL)與波長(nm)之曲線圖,分別有未退火之對照組及在100℃、200℃、300℃、400℃下進行退火之四個實驗組,而水溶液法成長時間皆控制為4小時。如第5圖所示,在波長570 nm附近,未經退火之對照組的曲線上升,這是反映氧化鋅奈米針存在大量氧空缺之缺陷。當以通入含有笑氣之氣體進行退火,可以降低大幅減少氧空缺。特別是,由於笑氣具有較低活化能,故其分解速率大於一氧化氮(NO)及氧氣(O2
),可以提供更多具反應活性之氧原子。此外,在370 nm附近,曲線強度隨著退火溫度提高而跟著上升,表示氧化鋅奈米針的結晶性與發光性隨著溫度上升而有所改善。
請參照第6圖所示,其揭示本發明較佳實施例在不同退火溫度下的氧化鋅奈米針之傅立葉轉換紅外線光譜(FTIR)與波數(cm-1
)之曲線圖,分別有未退火之對照組及在100℃、200℃、300℃、400℃下進行退火之四個實驗組,其中波數3410cm-1
的曲線上升表示有來自氫氧基團的氫鍵(OH-related),波數1300cm-1
的曲線上升表示為奈米針表面的氫氧基團(Zn-OH),最後520cm-1
的曲線上升表示氧化鋅奈米針本身(Zn-O)。隨著退火溫度上升,氧化鋅奈米針本身(Zn-O)之峰值(520cm-1
)上升變多,而氫氧基團的氫鍵(OH-related)與表面氫氧基團(Zn-OH)的峰值(3410cm-1
、1300cm-1
)則會下降。這表示未經處理之對照組具有高濃度的氫氧自由基,然而隨著退火溫度的上升,氫氧自由基漸漸從氧化鋅奈米針中去除,此結果也與第5圖之微光激發光譜偵測結果大致相符。
請參照第7圖所示,其揭示本發明較佳實施例不同氧化鋅奈米針水溶液法成長時間下的電激發光譜(EL-spectra)強度及波長(nm)之曲線圖,水溶液法成長時間分別有2、3、4小時,並且與未生長奈米針(untreated)之發光二極體對照組做比較。發光二極體在20 mA的電流驅動下,以水溶液法成長時間2、3、4小時之具氧化鋅奈米針發光二極體之實驗組元件,比未生長奈米針之發光二極體之對照組元件分別可提升1.32、1.26、1.18倍之光強度。光強度隨成長時間上升而下降之原因在於隨著時間增加,氧化鋅奈米針底部的非晶結構之類膜層(film-like)逐漸變厚,因此導致光被吸收而無法傳送發射出。
如上所述,相較於現有發光二極體之各種結構及製程仍有光線穿透率偏低的問題,第1圖之本發明係藉由水溶液法(aqueous solution deposition,ASD)及特定反應參數條件於該發光二極體基板10的氧化鋅緩衝層20上成長出一層氧化鋅奈米針(ZnO nanotips)30做為折射率漸變層,該氧化鋅奈米針30具有長錐狀針形柱體,能使折射率漸變層之底層與頂層因柱體粗細不同而產生漸變密度(該漸變密度特性並未出現在非晶結構之氧化鋅薄膜或長直立狀之氧化鋅長晶柱層中),該漸變密度特性能使該折射率漸變層之整體折射係數改變成相當於n=1.57,因此可將該折射率漸變層之總穿透率提升至幾乎最佳化之程度(約90.1%),故確實能增加發光二極體之光取出效率。
更詳細來說,根據Fresenel的穿透定理,當光直接由該發光二極體基板10(如氮化鎵基板,n=2.5)射至空氣(n=1)時,光穿透率僅約81.6%,大部份的光將在發光二極體元件中產生反射和熱損耗。當在氮化鎵基板上成長一層非晶結構之氧化鋅薄膜(n=2)時,光由氮化鎵基板進入氧化鋅薄膜再進入空氣,光穿透率也僅提升至87.8%。但是,若將薄膜狀氧化鋅改成奈米針狀,則折射率將因氧化鋅奈米針30的漸變密度,而等效成為1.57,此值與Rayleigh的最佳穿透率公式,n=(n1×n2)1/2,將n1=2.5,n2=1代入,所得到的n=1.58非常接近。將此值代入Fresenel的光穿透率公式中加以計算,得到總光穿透率約為90.1%,近乎提升至最佳化。
再者,本發明使用水溶液法成長出的氧化鋅奈米針30具有高結晶性及高均勻性,可將發光的吸收損耗降到最低,而適中的氧化鋅能帶寬度及折射率更可將此應用擴展至使用在砷化鎵、磷化銦等發光二極體基板上。此外本法成長之氧化鋅奈米針30與該發光二極體基板10(如氮化鎵基板)表面以成核方式成長,兩者之間的鍵結良好,可減少界面光吸收損耗及漏電流,故可相對簡化製程步驟並減少製程對元件及材料的破壞。
另外,本發明使用水溶液法也具有操作簡易、低成本、低成長溫度、大面積與選擇性成長等優點,且用以成長氧化鋅奈米針30的原料(如硝酸鋅及氨水溶液)對該發光二極體基板10(如氮化鎵基板)皆不具蝕刻性,故可在保持發光二極體元件光電特性的前提下來增加發光二極體的光取出效率。
雖然本發明已以較佳實施例揭露,然其並非用以限制本發明,任何熟習此項技藝之人士,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種更動與修飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10...發光二極體基板
20...氧化鋅緩衝層
30...氧化鋅奈米針
H...長度(高度)
第1圖:本發明較佳實施例之具氧化鋅奈米針之發光二極體之剖視示意圖。
第2A及2B圖:本發明較佳實施例以水溶液法成長2小時之氧化鋅奈米針的電子顯微鏡(SEM)之上視與側視圖。
第3A及3B圖:本發明較佳實施例以水溶液法成長3小時之氧化鋅奈米針的電子顯微鏡(SEM)之上視與側視圖。
第4A及4B圖:本發明較佳實施例以水溶液法成長4小時之氧化鋅奈米針的電子顯微鏡(SEM)之上視與側視圖。
第5圖:本發明較佳實施例在不同退火溫度下的氧化鋅奈米針微光激發光譜(Micro-PL)與波長(nm)之曲線圖。
第6圖:本發明較佳實施例在不同退火溫度下的氧化鋅奈米針之傅立葉轉換紅外線光譜(FTIR)與波數(cm-1
)之曲線圖。
第7圖:本發明較佳實施例不同氧化鋅奈米針水溶液法成長時間下的電激發光譜(EL-spectra)強度及波長(nm)之曲線圖。
10...發光二極體基板
20...氧化鋅緩衝層
30...氧化鋅奈米針
H...長度(高度)
Claims (3)
- 一種具氧化鋅奈米針之發光二極體的製造方法,其包含步驟:在一發光二極體基板上濺鍍形成一層氧化鋅緩衝層,其中濺鍍時通入氬氣及氧氣,且使用氧化鋅做為一濺鍍源;以水溶液法在該氧化鋅緩衝層上生長一層氧化鋅奈米針,其中該發光二極體基板係在70至75℃之間的溫度下浸入含鋅離子及氨水的鋅源溶液中進行氧化鋅奈米針成長2至4小時,該鋅源溶液中之鋅離子及氨水的莫耳比介於1:35至1:70之間;以及使用笑氣對該發光二極體基板上之氧化鋅奈米針進行退火處理,其中退火溫度介於100至400℃之間,及退火時間介於0.5至1.5小時之間,其中該層氧化鋅奈米針做為該發光二極體之一折射率漸變層。
- 如申請專利範圍第1項所述之具氧化鋅奈米針之發光二極體的製造方法,其中該鋅源溶液包含硝酸鋅,以提供鋅離子。
- 如申請專利範圍第2項所述之具氧化鋅奈米針之發光二極體的製造方法,其中在水溶液法的步驟中,混合濃度0.02M之硝酸鋅水溶液80mL與15.4M氨水之水溶液4mL,以製備該鋅源溶液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW100133777A TWI431812B (zh) | 2011-09-20 | 2011-09-20 | 具氧化鋅奈米針之發光二極體及其製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW100133777A TWI431812B (zh) | 2011-09-20 | 2011-09-20 | 具氧化鋅奈米針之發光二極體及其製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201314952A TW201314952A (zh) | 2013-04-01 |
TWI431812B true TWI431812B (zh) | 2014-03-21 |
Family
ID=48802644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW100133777A TWI431812B (zh) | 2011-09-20 | 2011-09-20 | 具氧化鋅奈米針之發光二極體及其製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TWI431812B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI605288B (zh) | 2017-01-16 | 2017-11-11 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構與具有此畫素結構的顯示面板 |
-
2011
- 2011-09-20 TW TW100133777A patent/TWI431812B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201314952A (zh) | 2013-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5330040B2 (ja) | 半導体素子、半導体装置、半導体ウェーハ及び半導体結晶の成長方法 | |
TWI385822B (zh) | Iii 族氮化物半導體層之製造方法,及iii 族氮化物半導體發光元件,以及燈 | |
JP5221454B2 (ja) | 光電素子粗化構造及びその製造工程 | |
US7521329B2 (en) | Semiconductor light emitting diode having textured structure and method of manufacturing the same | |
JP5117596B2 (ja) | 半導体発光素子、ウェーハ、および窒化物半導体結晶層の製造方法 | |
CN103718312A (zh) | 用于氮化物半导体发光元件的制造方法、晶圆以及氮化物半导体发光元件 | |
JP2007294972A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
US10727054B2 (en) | Nitride-based semiconductor device and method for preparing the same | |
WO2013153729A1 (ja) | 紫外発光素子およびその製造方法 | |
CN103682025A (zh) | 一种深紫外二极管外延片、芯片及其制备方法 | |
CN101093866A (zh) | 氮化物半导体发光器件的透明电极及其制法 | |
CN105336830A (zh) | 一种双面发光深紫外二极管外延片、芯片的制备方法 | |
CN107275448A (zh) | 一种发光二极管的外延片及制备方法 | |
CN114256394B (zh) | 一种发光二极管及其制备方法 | |
CN113707772B (zh) | 一种降低位错密度的led外延片制作方法 | |
US8461029B2 (en) | Method for fabricating InGaN-based multi-quantum well layers | |
TWI431812B (zh) | 具氧化鋅奈米針之發光二極體及其製造方法 | |
CN102487113B (zh) | 提高发光效率的GaN基LED外延片及其制备与应用 | |
Liu et al. | Improved light extraction efficiency of GaN-based ultraviolet light-emitting diodes by self-assembled MgO nanorod arrays | |
CN109411580B (zh) | 氮化镓基功率器件及其制备方法 | |
CN203659914U (zh) | 一种深紫外二极管外延片和芯片 | |
CN104103727A (zh) | 一种提高量子效率的led芯片及其制备方法 | |
KR20130000262A (ko) | 광효율이 향상된 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
KR20110050212A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
TW201244162A (en) | Light emitting diode and method for making it |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |