TWI430236B - 有機發光二極體顯示裝置及其有機發光二極體畫素電路 - Google Patents

Description

有機發光二極體顯示裝置及其有機發光二極體畫素電路

本發明是一種有關於有機發光二極體的顯示技術，且特別是有關於一種有機發光二極體顯示裝置及其有機發光二極體畫素電路。

有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode,OLED)面板是以有機發光二極體來作為發光元件。而有機發光二極體乃是一種由電流來進行驅動的元件，其發光亮度會隨著通過有機發光二極體的電流而改變。因此，如何精準地控制通過有機發光二極體的電流遂成為有機電激發光面板發展中的重要課題。

請參照圖1，其為習知之有機發光二極體顯示裝置的示意圖。此有機發光二極體顯示裝置100包括有掃描驅動電路110、資料驅動電路120、電源電壓供應電路130與顯示面板140。而顯示面板140又包括有多條掃描線(如標示142所示)、多條資料線(如標示144所示)、導線146與多個畫素(如標示148所示)。每一畫素148是由電晶體148-1、電晶體148-2、電容148-3與有機發光二極體148-4所組成。其中，電晶體148-1與148-2皆以N型電晶體來實現，例如是皆以N型薄膜電晶體(N-type Thin-Film Transistor,N-type TFT)來實現。而圖中所示之OVSS係為參考用的電源電壓，例如是接地電位。一般來說，電晶體148-1在這樣的畫素電路架構是稱為開關電晶體，而電晶體148-2在這樣的畫素電路架構則是稱為驅動電晶體。

在圖1所示之架構中，每一畫素148中的電晶體148-2皆透過導線146接收電源電壓供應電路130所提供之電源電壓OVDD，且每一畫素148中之有機發光二極體148-4的陰極皆耦接參考用的電源電壓OVSS。而資料線144所傳送之顯示資料的電壓將會與電源電壓OVDD與OVSS之電位差共同影響通過有機發光二極體148-4的電流大小，藉此控制有機發光二極體148-4的亮度。

然而，由於上述這些畫素148中的電晶體皆會因為製程上的差異而有不同的臨界電壓(Threshold Voltage)變異，也會因為長時間操作導致臨界電壓飄移而造成不同的臨界電壓變異，使得通過各有機發光二極體148-4的電流大小不一致而造成這些畫素148的亮度不一致，進而導致顯示畫面的亮度出現不均勻的現象。

此外，隨著有機發光二極體148-4的老化，使得有機發光二極體148-4的內阻上升，進一步使得有機發光二極體148-4的跨壓上升。而有機發光二極體148-4之跨壓的上升，將迫使電晶體148-2(即驅動電晶體)的汲極-源極電壓(即V_DS )變小。而由於通過電晶體148-2的電流大小是與電晶體148-2的V_DS 電壓成正比，因此在電晶體148-2的V_DS 電壓變小的情況下，通過電晶體148-2的電流也會變小，進一步使得有機發光二極體148-4的亮度變低。如此一來，由於有機發光二極體148-4的老化現象會降低有機發光二極體148-4的亮度，導致顯示畫面出現了亮度不均勻的現象。這些亮度不均勻現像即所謂的烙痕(Image Sticking)現象。

藉由上述可知，畫素148所示的這種有機發光二極體畫素電路會因為電晶體的臨界電壓變異而導致顯示畫面出現亮度不均勻的現象，也會因為有機發光二極體的老化而導致顯示畫面出現亮度不均勻的現象。

本發明的目的就是在提供一種有機發光二極體畫素電路，其可改善因電晶體的臨界電壓變異與有機發光二極體的老化而導致顯示畫面的亮度不均勻現象。

本發明的另一目的就是在提供一種採用上述有機發光二極體畫素電路之有機發光二極體顯示裝置。

本發明提出一種有機發光二極體畫素電路，其包括有第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、電容與有機發光二極體。所述之第一電晶體具有第一閘極、第一源/汲極與第二源/汲極，且第一源/汲極適用於接收顯示資料。所述之電容具有第一端與第二端，且第一端耦接第二源/汲極。所述之第二電晶體具有第二閘極、第三源/汲極與第四源/汲極，且第二閘極耦接電容之第二端。所述之第三電晶體具有第三閘極、第五源/汲極與第六源/汲極，且第五源/汲極耦接第二閘極，而第六源/汲極耦接第三源/汲極。所述之第四電晶體具有第四閘極、第七源/汲極與第八源/汲極，且第七源/汲極耦接第二源/汲極，而第八源/汲極耦接第三源/汲極。所述之第五電晶體具有第五閘極、第九源/汲極與第十源/汲極，且第九源/汲極耦接第一電源電壓，而第十源/汲極耦接第三源/汲極。所述之有機發光二極體之陽極與陰極分別耦接第四源/汲極與第二電源電壓。其中，第二電源電壓小於第一電源電壓。

依照上述有機發光二極體畫素電路之一較佳實施例所述，在預充電期間中，第一電晶體、第三電晶體與第五電晶體各自依據其閘極訊號而呈現導通，而第四電晶體則依據其閘極訊號而呈現關閉；在寫入期間中，第一電晶體與第三電晶體各自依據其閘極訊號而呈現導通，而第四電晶體與第五電晶體則各自依據其閘極訊號而呈現關閉；在發光期間中，第一電晶體與第三電晶體各自依據其閘極訊號而呈現關閉，而第四電晶體與第五電晶體則各自依據其閘極訊號而呈現導通。其中，寫入期間在預充電期間之後，而發光期間在寫入期間之後。

本發明還提出一種有機發光二極體顯示裝置，其包括有顯示面板、資料驅動電路與掃描驅動電路。所述之顯示面板具有一種畫素電路，而此畫素電路又包括有第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、電容與有機發光二極體。所述之第一電晶體具有第一閘極、第一源/汲極與第二源/汲極，且第一源/汲極適用於接收顯示資料。所述之電容具有第一端與第二端，且第一端耦接第二源/汲極。所述之第二電晶體具有第二閘極、第三源/汲極與第四源/汲極，且第二閘極耦接電容之第二端。所述之第三電晶體具有第三閘極、第五源/汲極與第六源/汲極，且第五源/汲極耦接第二閘極，而第六源/汲極耦接第三源/汲極。所述之第四電晶體具有第四閘極、第七源/汲極與第八源/汲極，且第七源/汲極耦接第二源/汲極，而第八源/汲極耦接第三源/汲極。所述之第五電晶體具有第五閘極、第九源/汲極與第十源/汲極，且第九源/汲極耦接第一電源電壓，而第十源/汲極耦接第三源/汲極。所述之有機發光二極體的陽極與陰極分別耦接第四源/汲極與第二電源電壓。其中，第二電源電壓小於第一電源電壓。所述之資料驅動電路用以提供顯示資料。至於所述之掃描驅動電路，其耦接第一閘極、第三閘極、第四閘極與第五閘極，用以在預充電期間中控制第一電晶體、第三電晶體與第五電晶體導通，並控制第四電晶體關閉，且用以在寫入期間中控制第一電晶體與第三電晶體導通，並控制第四電晶體與第五電晶體關閉，亦用以在發光期間中控制第一電晶體與第三電晶體關閉，並控制第四電晶體與第五電晶體導通。其中，寫入期間在預充電期間之後，而發光期間在寫入期間之後。

本發明乃是採用五個電晶體、一個電容與一個有機發光二極體來製作有機發光二極體畫素電路。透過上述這些構件的特殊耦接關係以及各電晶體的特定導通時序所產生的電路特性，會使得通過有機發光二極體的電流大小與驅動電晶體的臨界電壓無關，且通過有機發光二極體的電流大小會與有機發光二極體本身的跨壓成正比。因此，有機發光二極體的亮度與驅動電晶體的臨界電壓無關，因而能使得各畫素的亮度一致。此外，即便有機發光二極體老化而使得有機發光二極體的跨壓上升，通過有機發光二極體的電流大小也會隨著跨壓的上升程度而提高。換句話說，通過有機發光二極體的電流大小會隨著有機發光二極體的老化程度而提高。因此，每個畫素因有機發光二極體老化而出現亮度降低的現象便可以藉由上述電流大小的提高而得到補償，進而能改善因有機發光二極體老化所造成的烙痕現象。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

第一實施例：

請參照圖2，其繪示依照本發明一實施例之有機發光二極體畫素電路。此有機發光二極體畫素電路200是由電晶體202、電晶體204、電容206、電晶體208、電晶體210(即驅動電晶體)、有機發光二極體212與電晶體214所組成。在此例中，上述之五個電晶體皆以一N型電晶體來實現，例如是皆以一個N型薄膜電晶體來實現。

圖2所示之OVDD係為電源電壓供應電路(未繪示)所提供的電源電壓。而圖中所示之OVSS，其為參考用的電源電壓，例如是接地電位。理所當然地，電源電壓OVDD大於電源電壓OVSS。此外，電晶體202的其中一源/汲極適用於接收顯示資料V_DATA 。而電晶體202與204的閘極皆用以接收掃描訊號G_n ，其中n為自然數，而G_n 表示第n條掃描線所傳送的掃描訊號。電晶體208的閘極用以接收致能訊號EM。至於電晶體214的閘極則用以接收掃描訊號G_n 的反相訊號XG_n 。

圖3繪示圖2之顯示資料V_DATA 、致能訊號EM、掃描訊號G_n 及其反相訊號XG_n 的訊號時序。請依照說明之需要而參照圖3與圖2。在預充電期間P中，掃描訊號G_n 為高準位(High)，掃描訊號G_n 之反相訊號XG_n 為低準位(Low)，而致能訊號EM為高準位。由於掃描訊號G_n 與致能訊號EM皆為高準位，因此電晶體202、204與208皆為導通(Turn on)。而由於掃描訊號G_n 之反相訊號XG_n 為低準位，因此電晶體214為關閉(Turn off)。此時的電路狀態可由圖4來表示。圖4繪示圖2之有機發光二極體畫素電路於預充電期間P時的電路狀態。請參照圖4，此時接點G的電壓大小與電容206的跨壓大小可分別由下列式(1)與式(2)來表示：

V _G =OVDD 　……(1)

C _ST =OVDD -V _DATA 　……(2)

其中，V_G 表示為接點G的電壓大小，也就是電晶體210的閘極電壓大小，而C_ST 則表示為電容206的跨壓大小。

請再參照圖3。接著，在寫入期間W中，掃描訊號G_n 仍保持在高準位，掃描訊號G_n 之反相訊號XG_n 也保持在低準位，而致能訊號EM則轉變為低準位。因此，有機發光二極體畫素電路200會由圖4所示的電路狀態轉變為圖5所示的電路狀態。圖5繪示圖2之有機發光二極體畫素電路於寫入期間W時的電路狀態。請依照說明之需要而參照圖5與圖3。此時，由於掃描訊號G_n 為高準位，因此電晶體202與204皆為導通。而由於致能訊號EM與掃描訊號G_n 之反相訊號XG_n 皆為低準位，因此電晶體208與214皆為關閉。此時接點G的電壓大小與電容206的跨壓大小可分別由下列式(3)與式(4)來表示：

V _G =V _{S 0} +V _th 　……(3)

C _ST =V _{S 0} +V _th -V _DATA 　……(4)

其中，V_S0 表示為接點S於此時的電壓大小，也就是電晶體210之源極於此時的電壓大小，而V_th 則表示為電晶體210的臨界電壓。

請再參照圖3。接下來，在發光期間E中，掃描訊號G_n 轉變為低準位，掃描訊號G_n 之反相訊號XG_n 轉變為高準位，而致能訊號EM亦轉變為高準位。因此，有機發光二極體畫素電路200會由圖5所示的電路狀態轉變為圖6所示的電路狀態。圖6繪示圖2之有機發光二極體畫素電路於發光期間E時的電路狀態。請依照說明之需要而參照圖6與圖3。此時，由於掃描訊號G_n 為低準位，因此電晶體202與204皆為關閉。而由於致能訊號EM與掃描訊號G_n 之反相訊號XG_n 皆為高準位，因此電晶體208與214皆為導通。此時電晶體210的閘極-源極電壓(即V_GS 電壓)大小可由下列式(5)來表示：

V _GS =OVDD +V _{S 0} +V _th -V _DATA -V _S 　……(5)

其中，V_S 表示為接點S於此時的電壓大小，也就是電晶體210之源極於此時的電壓大小。V_th 則表示為電晶體210的臨界電壓。而將上列式(5)再進一步整理，便可得到下列式(6)：

V _GS =OVDD +V _th -V _DATA -ΔV _S 　……(6)

其中，ΔV _S =V _S -V _{S 0} 。

由於通過有機發光二極體212的電流大小可由下列式(7)來表示：

其中，I_OLED 表示為通過有機發光二極體212的電流大小，K表示為一常數，V_GS 表示為電晶體210的閘極-源極電壓，而V_th 表示為電晶體210的臨界電壓。因此，將上列式(6)代入上列式(7)中，便可得到下列式(8)：

而將上列式(8)再進一步整理，便可得到下列式(9)：

由式(9)可知，I_OLED 的大小與電晶體210的臨界電壓V_th 無關。換句話說，I_OLED 的大小並不受電晶體210之臨界電壓變異的影響。因此，各畫素的亮度得以一致。此外，由上列式(6)的說明可知ΔV _S =V _S -V _{S 0} ，而其中V _{S 0} =OVSS +V _{th _ OLED} ，V_{th_OLED} 為有機發光二極體212的臨界電壓。因此，根據這二個等式再將上列式(9)再進一步整理，便可得到下列式(10)：

由式(10)可知，I_OLED 的大小乃是與V_{th_OLED} 的大小成正比。換句話說，無論有機發光二極體212的老化使得有機發光二極體212的跨壓上升了多少，通過有機發光二極體212的電流大小都會隨著跨壓的上升程度而提高。因此，每個畫素因有機發光二極體老化而出現亮度降低的現象便可以藉由上述電流大小的提高而得到補償，進而改善因有機發光二極體老化所造成的烙痕現象。

第二實施例：

藉由第一實施例之教示，本領域具有通常知識者應當知道，即使有機發光二極體畫素電路200中之電晶體214改成以一P型電晶體來實現，例如是以一個P型薄膜電晶體來實現，亦可實現本發明，一如圖7所示。

圖7繪示依照本發明另一實施例之有機發光二極體畫素電路。在圖7所示之有機發光二極體畫素電路700中，電晶體214已改成以一P型電晶體來實現，且電晶體214的閘極亦耦接掃描訊號G_n 。而在圖7的其餘標示中，與圖2中之標示相同者表示為相同之構件或訊號。將電晶體214改成以一P型電晶體來實現的好處，是有機發光二極體畫素電路700不需要使用到掃描訊號G_n 之反相訊號XG_n ，使得反相訊號XG_n 可予以省略，且有機發光二極體畫素電路700仍可依照圖3所示之掃描訊號G_n 、致能訊號EM與顯示資料V_OLED 的訊號時序來進行操作。

第三實施例：

藉由第一實施例之教示，本領域具有通常知識者應當知道，即使有機發光二極體畫素電路200中之電晶體202與204皆改成以一P型電晶體來實現，例如是皆以一個P型薄膜電晶體來實現，亦可實現本發明，一如圖8所示。

圖8繪示依照本發明另一實施例之有機發光二極體畫素電路。在圖8所示之有機發光二極體畫素電路800中，電晶體202與204皆已改成以一P型電晶體來實現，且電晶體202與204的閘極亦皆耦接掃描訊號G_n 之反相訊號XG_n 。而在圖8的其餘標示中，與圖2中之標示相同者表示為相同之構件或訊號。將電晶體202與204皆改成以一P型電晶體來實現的好處，是有機發光二極體畫素電路800不需要使用到掃描訊號G_n ，使得掃描訊號G_n 可予以省略，且有機發光二極體畫素電路800仍可依照圖3所示之掃描訊號G_n 的反相訊號XG_n 、致能訊號EM與顯示資料V_OLED 的訊號時序來進行操作。以另一觀點來看，有機發光二極體畫素電路800中的電晶體202、204與214就是將所述的反相訊號XG_n 當作一般的掃描訊號來使用。

藉由第一實施例至第三實施例的教示，可以歸納出這些實施例中之電晶體202、204、208與214之導通時序的規則。也就是說，無論電晶體202、204、208與214是以N型電晶體還是以P型電晶體來實現，這四個電晶體的導通時序都必須符合這樣的規則。此規則說明如下：在預充電期間P中，電晶體202、204與208各自依據其閘極訊號而呈現導通，而電晶體214則依據其閘極訊號而呈現關閉；在寫入期間W中，電晶體202與204各自依據其閘極訊號而呈現導通，而電晶體208與212則各自依據其閘極訊號而呈現關閉；在發光期間E中，電晶體202與204各自依據其閘極訊號而呈現關閉，而電晶體208與214則各自依據其閘極訊號而呈現導通。其中，寫入期間W在預充電期間P之後，而發光期間E在寫入期間W之後。

第四實施例：

藉由第一實施例至第三實施例之教示，本發明還提出一種採用上述有機發光二極體畫素電路之有機發光二極體顯示裝置，一如圖9所示。圖9為依照本發明一實施例之有機發光二極體顯示裝置的示意圖。此有機發光二極體顯示裝置900包括有掃描驅動電路910、資料驅動電路920、電源電壓供應電路930與顯示面板940。而顯示面板940又包括有多條EM訊號線(如標示942-1所示)、多條掃描線(如標示942-2所示)、多條反相訊號線(如標示942-3所示)、多條資料線(如標示944所示)、導線946與多個畫素(如標示948所示)。

在此例中，每一畫素948皆採用圖2之有機發光二極體畫素電路200所示的電路架構，因此在每一畫素948中，與圖2中之標示相同者表示為相同之構件或訊號。值得注意的是，在此例中，參考用的電源電壓OVSS係為接地電位。而如圖9所示，每一畫素948中的電晶體皆是以N型電晶體來實現，例如是皆以N型薄膜電晶體來實現。此外，關於掃描驅動電路910的部份，標示EM_n 表示為第n列畫素948所需之致能訊號。而G_n 表示為第n列畫素948所需之掃描訊號。至於XG_n ，其表示為第n列畫素948所需之掃描訊號G_n 的反相訊號。其中，n為自然數。以上所述構件的詳細連接關係已在圖9中展示，在此便不再贅述。

上述之資料驅動電路920用以提供各畫素948所需之顯示資料。至於上述之掃描驅動電路910，其可依照圖3所示的訊號時序來驅動每一列畫素948。請同時參照圖9與圖3，以顯示面板940中所描繪的第n列畫素948為例，掃描驅動電路910在預充電期間P中，會使掃描訊號G_n 與致能訊號EM_n 皆為高準位，並使掃描訊號G_n 之反相訊號XG_n 為低準位。而掃描驅動電路910在寫入期間W中，會使掃描訊號G_n 為高準位，並使掃描訊號G_n 之反相訊號XG_n 與致能訊號EM_n 皆為低準位。此外，掃描驅動電路910在發光期間E中，會使掃描訊號G_n 為低準位，並使掃描訊號G_n 之反相訊號XG_n 與致能訊號EM_n 皆為高準位。

由於顯示面板940採用圖2之有機發光二極體畫素電路200所示的電路架構，因此各畫素948的亮度得以一致，且每個畫素948因有機發光二極體老化而出現亮度降低的現象可以得到補償，進而改善因有機發光二極體老化所造成的烙痕現象。

第五實施例：

藉由第四實施例之教示，本領域具有通常知識者應當知道前述顯示面板940中的每一畫素948皆可改為採用圖7之有機發光二極體畫素電路700所示的電路架構。如此一來，有機發光二極體顯示裝置900便可省略所有的反相訊號線(如標示942-3所示)，且掃描驅動電路910也不需要具備可輸出掃描訊號之反相訊號的功能。

第六實施例：

藉由第四實施例之教示，本領域具有通常知識者應當知道前述顯示面板940中的每一畫素948皆可改為採用圖8之有機發光二極體畫素電路800所示的電路架構。如此一來，有機發光二極體顯示裝置900便可省略所有的掃描線(如標示942-2所示)，且掃描驅動電路910也不需要具備可輸出掃描訊號的功能。

藉由第四實施例至第六實施例之教示，可以歸納出這些實施例中之掃描驅動電路910導通各畫素948之電晶體202、204、208與214的規則。也就是說，無論電晶體202、204、208與214是以N型電晶體還是以P型電晶體來實現，這四個電晶體的導通時序都必須符合這樣的規則。以顯示面板940中所描繪的第n列畫素948為例：掃描驅動電路910用以在預充電期間P中控制此列每一畫素948之電晶體202、204與208導通，並控制此列每一畫素948之電晶體214關閉。掃描驅動電路910還用以在寫入期間W中控制此列每一畫素948之電晶體202與204導通，並控制此列每一畫素948之電晶體208與214關閉。此外，掃描驅動電路910亦用以在發光期間E中控制此列每一畫素948之電晶體202與204關閉，並控制此列每一畫素948之電晶體208與214導通。其中，寫入期間W在預充電期間P之後，而發光期間E在寫入期間W之後。

綜上所述，本發明乃是採用五個電晶體、一個電容與一個有機發光二極體來製作有機發光二極體畫素電路。透過上述這些構件的特殊耦接關係以及各電晶體的特定導通時序所產生的電路特性，會使得通過有機發光二極體的電流大小與驅動電晶體的臨界電壓無關，且通過有機發光二極體的電流大小會與有機發光二極體本身的跨壓成正比。因此，有機發光二極體的亮度與驅動電晶體的臨界電壓無關，因而能使得各畫素的亮度一致。此外，即便有機發光二極體老化而使得有機發光二極體的跨壓上升，通過有機發光二極體的電流大小也會隨著跨壓的上升程度而提高。換句話說，通過有機發光二極體的電流大小會隨著有機發光二極體的老化程度而提高。因此，每個畫素因有機發光二極體老化而出現亮度降低的現象便可以藉由上述電流大小的提高而得到補償，進而能改善因有機發光二極體老化所造成的烙痕現象。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100、900．．．有機發光二極體顯示裝置

110、910．．．掃描驅動電路

120、920．．．資料驅動電路

130、930．．．電源電壓供應電路

140、940．．．顯示面板

142、942-2．．．掃描線

144、944．．．資料線

146、946．．．導線

148、948．．．畫素

148-1、148-2．．．電晶體

148-3．．．電容

148-4．．．有機發光二極體

200、700、800．．．有機發光二極體畫素電路

202、204、208、210、214．．．電晶體

206．．．電容

212．．．有機發光二極體

942-1．．．EM訊號線

942-3．．．反相訊號線

E．．．發光期間

EM．．．致能訊號

G_n ．．．掃描訊號

OVDD．．．電源電壓

OVSS．．．參考用的電源電壓

P．．．預充電期間

V_DATA ．．．顯示資料

W．．．寫入期間

XG_n ．．．掃描訊號G_n 的反相訊號

圖1為習知之有機發光二極體顯示裝置的示意圖。

圖2繪示依照本發明一實施例之有機發光二極體畫素電路。

圖3繪示圖2之顯示資料、致能訊號、掃描訊號及其反相訊號的訊號時序。

圖4繪示圖2之有機發光二極體畫素電路於預充電期間時的電路狀態。

圖5繪示圖2之有機發光二極體畫素電路於寫入期間時的電路狀態。

圖6繪示圖2之有機發光二極體畫素電路於發光期間時的電路狀態。

圖7繪示依照本發明另一實施例之有機發光二極體畫素電路。

圖8繪示依照本發明另一實施例之有機發光二極體畫素電路。

圖9為依照本發明一實施例之有機發光二極體顯示裝置的示意圖。

200．．．有機發光二極體畫素電路

202、204、208、210、214．．．電晶體

206．．．電容

212．．．有機發光二極體

EM．．．致能訊號

G_n ．．．掃描訊號

OVDD．．．電源電壓

OVSS．．．參考用的電源電壓

V_DATA ．．．顯示資料

XG_n ．．．掃描訊號G_n 的反相訊號

Claims (11)

1. 一種有機發光二極體畫素電路，包括：一第一電晶體，具有一第一閘極、一第一源/汲極與一第二源/汲極，該第一源/汲極適用於接收一顯示資料；一電容，具有一第一端與一第二端，該第一端耦接該第二源/汲極；一第二電晶體，具有一第二閘極、一第三源/汲極與一第四源/汲極，該第二閘極耦接該電容之該第二端；一第三電晶體，具有一第三閘極、一第五源/汲極與一第六源/汲極，該第五源/汲極耦接該第二閘極，該第六源/汲極耦接該第三源/汲極；一第四電晶體，具有一第四閘極、一第七源/汲極與一第八源/汲極，該第七源/汲極耦接該電容之該第二端，該第八源/汲極耦接該第三源/汲極；一第五電晶體，具有一第五閘極、一第九源/汲極與一第十源/汲極，該第九源/汲極耦接一第一電源電壓，該第十源/汲極耦接該第三源/汲極；以及一有機發光二極體，其陽極與陰極分別耦接該第四源/汲極與一第二電源電壓，該第二電源電壓小於該第一電源電壓。
2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體畫素電路，其中在一預充電期間中，該第一電晶體、該第三電晶體與該第五電晶體各自依據其閘極訊號而呈現導通，而該第四電晶體則依據其閘極訊號而呈現關閉，在一寫入期間中，該第一電晶體與該第三電晶體各自依據其閘極訊號而呈現導通，而該第四電晶體與該第五電晶體則各自依據其閘極訊號而呈現關閉，在一發光期間中，該第一電晶體與該第三電晶體各自依據其閘極訊號而呈現關閉，而該第四電晶體與該第五電晶體則各自依據其閘極訊號而呈現導通，其中該寫入期間在該預充電期間之後，而該發光期間在該寫入期間之後。
3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體畫素電路，其中該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第四電晶體與該第五電晶體皆以一N型電晶體來實現，且該第一閘極與該第三閘極皆耦接一掃描訊號，該第四閘極耦接該掃描訊號之反相訊號，而該第五閘極耦接一致能訊號，其中在該預充電期間中，該掃描訊號與該致能訊號皆為高準位，而該掃描訊號之反相訊號為低準位，在該寫入期間中，該掃描訊號為高準位，而該掃描訊號之反相訊號與該致能訊號皆為低準位，在該發光期間中，該掃描訊號為低準位，而該掃描訊號之反相訊號與該致能訊號皆為高準位。
4. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體畫素電路，其中該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體與該第五電晶體皆以一N型電晶體來實現，而該第四電晶體則以一P型電晶體來實現，且該第一閘極、該第三閘極與該第四閘極皆耦接一掃描訊號，而該第五閘極耦接一致能訊號，其中在該預充電期間中，該掃描訊號與該致能訊號皆為高準位，在該寫入期間中，該掃描訊號為高準位，而該致能訊號為低準位，在該發光期間中，該掃描訊號為低準位，而該致能訊號為高準位。
5. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體畫素電路，其中該第二電晶體、該第四電晶體與該第五電晶體皆以一N型電晶體來實現，而該第一電晶體與該第三電晶體則皆以一P型電晶體來實現，且該第一閘極、該第三閘極與該第四閘極皆耦接一掃描訊號，而該第五閘極耦接一致能訊號，其中在該預充電期間中，該掃描訊號為低準位，而該致能訊號為高準位，在該寫入期間中，該掃描訊號與該致能訊號皆為低準位，在該發光期間中，該掃描訊號與該致能訊號皆為高準位。
6. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體畫素電路，其中該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第四電晶體與該第五電晶體皆以一薄膜電晶體來實現。
7. 一種有機發光二極體顯示裝置，包括：一顯示面板，具有一畫素電路，該畫素電路包括：一第一電晶體，具有一第一閘極、一第一源/汲極與一第二源/汲極，該第一源/汲極適用於接收一顯示資料；一電容，具有一第一端與一第二端，該第一端耦接該第二源/汲極；一第二電晶體，具有一第二閘極、一第三源/汲極與一第四源/汲極，該第二閘極耦接該電容之該第二端；一第三電晶體，具有一第三閘極、一第五源/汲極與一第六源/汲極，該第五源/汲極耦接該第二閘極，該第六源/汲極耦接該第三源/汲極；一第四電晶體，具有一第四閘極、一第七源/汲極與一第八源/汲極，該第七源/汲極耦接該電容之該第二端，該第八源/汲極耦接該第三源/汲極；一第五電晶體，具有一第五閘極、一第九源/汲極與一第十源/汲極，該第九源/汲極耦接一第一電源電壓，該第十源/汲極耦接該第三源/汲極；以及一有機發光二極體，其陽極與陰極分別耦接該第四源/汲極與一第二電源電壓，該第二電源電壓小於該第一電源電壓；一資料驅動電路，用以提供該顯示資料；以及一掃描驅動電路，耦接該第一閘極、該第三閘極、該第四閘極與該第五閘極，用以在一預充電期間中控制該第一電晶體、該第三電晶體與該第五電晶體導通，並控制該第四電晶體關閉，且用以在一寫入期間中控制該第一電晶體與該第三電晶體導通，並控制該第四電晶體與該第五電晶體關閉，亦用以在一發光期間中控制該第一電晶體與該第三電晶體關閉，並控制該第四電晶體與該第五電晶體導通，其中該寫入期間在該預充電期間之後，而該發光期間在該寫入期間之後。
8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第四電晶體與該第五電晶體皆以一N型電晶體來實現，且該掃描驅動電路提供一掃描訊號至該第一閘極與該第三閘極，並分別提供該掃描訊號之反相訊號與一致能訊號至該第四閘極與該第五閘極，其中在該預充電期間中，該掃描訊號與該致能訊號皆為高準位，而該掃描訊號之反相訊號為低準位，在該寫入期間中，該掃描訊號為高準位，而該掃描訊號之反相訊號與該致能訊號皆為低準位，在該發光期間中，該掃描訊號為低準位，而該掃描訊號之反相訊號與該致能訊號皆為高準位。
9. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體與該第五電晶體皆以一N型電晶體來實現，而該第四電晶體則以一P型電晶體來實現，且該掃描驅動電路提供一掃描訊號至該第一閘極、該第三閘極與該第四閘極，並提供一致能訊號至該第五閘極，其中在該預充電期間中，該掃描訊號與該致能訊號皆為高準位，在該寫入期間中，該掃描訊號為高準位，而該致能訊號為低準位，在該發光期間中，該掃描訊號為低準位，而該致能訊號為高準位。
10. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該第二電晶體、該第四電晶體與該第五電晶體皆以一N型電晶體來實現，而該第一電晶體與該第三電晶體則皆以一P型電晶體來實現，且該掃描驅動電路提供一掃描訊號至該第一閘極、該第三閘極與該第四閘極，並提供一致能訊號至該第五閘極，其中在該預充電期間中，該掃描訊號為低準位，而該致能訊號為高準位，在該寫入期間中，該掃描訊號與該致能訊號皆為低準位，在該發光期間中，該掃描訊號與該致能訊號皆為高準位。
11. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第四電晶體與該第五電晶體皆以一薄膜電晶體來實現。