TWI426156B - 氣體注入元件以及包含此元件的基板處理裝置 - Google Patents

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Description

氣體注入元件以及包含此元件的基板處理裝置 【相關申請案之交叉參考】
本申請案主張2009年9月2日在韓國智慧財產局申請之韓國專利申請案第10-2009-0082602號之權益，所述專利申請案的揭露內容以全文引用的方式併入本文中。
本發明是有關於一種氣體注入元件(gas injecting device)以及包含所述氣體注入元件的基板處理裝置(substrate processing apparatus)，且更特定言之，本發明是有關於多個基板置放於基板支撐部件(substrate support part)上並旋轉以執行諸如薄膜沈積製程(thin film deposition process)等製程的一種氣體注入元件以及包含所述氣體注入元件的基板處理裝置。
隨著半導體元件(semiconductor device)之尺度(scales)逐漸減小，極薄膜(extreme thin film)之必要性已增加。另外，隨著接觸孔(contact hole)之尺寸減小，步階覆蓋(step coverage)之限制已增加。作為用於解決此等限制之沈積方法，正使用原子層沈積(atomic layer depositio，ALD)方法。在此ALD方法中，將各種類型的源氣體(source gas)單獨供應至基板，且經由各種類型的源材料氣體(source material gas)之表面飽和(surface saturation)而形成薄膜。
現將描述ALD方法之原理。當第一源材料氣體被供應至腔中，且與基板之表面反應時，原子層以化學方式吸附至基板之表面。然而，當基板之表面處於第一源材料氣體飽和狀態時，相同的配合基(ligands)之間的無反應性(non-reactivity)防止原子層上的第一源材料氣體形成化學吸附狀態(chemical adsorption state)，使得原子層上的第一源材料氣體僅處於物理吸附狀態(physical adsorption state)。當供應沖洗氣體(purge gas)時，處於物理吸附狀態之第一源材料氣體被沖洗氣體移除。當在第一原子層上供應第二源材料氣體時，第一源材料氣體與第二源材料氣體中的配合基之間的取代反應(substitution reaction)生長出第二層，且第二源材料氣體之未能與第一層反應的部分處於物理吸附狀態，且被沖洗氣體移除。接著，第二層之表面準備好與第一源材料氣體反應。上述過程被重複若干次而成為一種循環以沈積薄膜。
圖1及圖2中說明用於執行上述ALD方法之相關技術的基板處理裝置。
圖1為說明相關技術中之氣體注入元件的分解透視圖。圖2為說明包含圖1之氣體注入元件的相關技術之基板處理裝置的橫截面圖。
參看圖1及圖2，相關技術中之基板處理裝置9包含具有內部空間的腔1，以及可旋轉地安裝於腔1中的基板支撐部件2，且多個基板s置放於基板支撐部件2上。用於將氣體供應至基板s的氣體注入元件3安裝於腔1之上部分中。
氣體注入元件3由多個氣體注入單元(gas injecting unit)4組成，所述氣體注入單元4在氣體注入元件3之圓周方向上彼此間隔恆定距離。更詳細而言，具有圓板形狀之鉛板(lead plate)5安置於氣體注入元件3之上部分處，且多個注入板(injecting plate)6耦接至鉛板5之下部分。鉛板5具有多個氣體供應孔(gas supplying hole)7，其圍繞鉛板5之中心點排列以穿過氣體供應孔7中之每一者而將氣體注入至氣體注入單元4中之每一者。穿過氣體供應孔7而注入之氣體在注入板6與鉛板5之間擴散，且穿過該注入板6中以單線排列之氣體注入孔(gas injecting hole)8而供應至基板s。
在腔1中旋轉之基板支撐部件2循序地接收來自氣體注入單元4中之每一者的氣體，以執行薄膜沈積製程。舉例而言，基板支撐部件2在薄膜沈積製程開始時的點處接收第一源氣體，且循序地接收沖洗氣體、第二源氣體及沖洗氣體，以執行薄膜沈積製程。
然而，薄膜之沈積均勻性在包含如上所述而組態之氣體注入元件3之基板處理裝置9中可能是非恆定的。亦即，有必要在基板s之整個區上均勻地供應氣體，以在基板“s”之整個區上均勻地沈積薄膜。然而，若使用如上所述而組態之氣體注入元件3，則大量氣體在基板支撐部件2之中心側供應至基板“s”之一部分，且少量氣體在基板支撐部件2之周邊處供應至基板s之一部分。
為了在基板s之整個區上均勻地供應氣體，有必要使穿過氣體供應孔7而引入之氣體在注入板6與鉛板5之間的空間c中均勻地擴散，且接著穿過氣體注入孔8而排放所述氣體。然而，如圖2中之箭頭所描繪，穿過氣體供應孔7而注入之氣體不擴散至空間“c”之整個區域，且過多氣體穿過安置於基板支撐部件2之中心側之氣體注入孔8的一部分而排放。
由於圖2中說明之基板處理裝置9使用一種將抽汲通道(pumping passage)P安置於外部的所謂的側部抽汲方法，所以氣體供應孔7安置於氣體注入元件3之中心側，腔1之內部與氣體注入元件3之內部之間發生壓力偏差，且因此使氣體在氣體注入元件3中不充分地擴散。
此外，由於基板支撐部件2旋轉以執行製程，所以基板支撐部件2之周邊在相同時間內旋轉而經過比其中心側還大的距離。因此，即使當氣體被均勻地供應於整個區上時，在相同時間內供應至基板支撐部件2之周邊的氣體量亦減少。
因此，基板s之安置於基板支撐部件2之周邊的部分，以及基板s之安置於基板支撐部件2之中心側的部分在沈積製程之後具有不同厚度。
本發明提供一種具有用於將氣體均勻地供應至基板之整個區的經改良之結構的氣體注入元件，以及一種包含所述氣體注入元件的基板處理裝置。
根據一例示性實施例，一種氣體注入元件包含：多個氣體注入單元，其安裝於可旋轉地安裝於一腔中以支撐多個基板的基板支撐部件的上側，所述氣體注入單元圍繞所述基板支撐部件的中心點而在所述基板支撐部件之圓周方向上排列著，以將處理氣體注入至所述基板，其中所述氣體注入單元中之至少一者包含：頂板(topplate)，其具有用來引入處理氣體之引入孔(introduction hole)；以及注入板，其安置於所述頂板之下側，以在所述基板支撐部件之徑向方向上在注入板與頂板之間形成氣體擴散空間(gas diffusion space)，且所述注入板具有安置於所述氣體擴散空間下側的多個氣體注入孔，使得穿過引入孔而引入並在氣體擴散空間中擴散之處理氣體被注入至基板，處理氣體穿過氣體注入單元中之至少一者中的多個點而引入至氣體擴散空間，氣體注入單元中之至少一者包含位於頂板與注入板之間的分隔壁(partition wall)，以將氣體擴散空間劃分為在基板支撐部件之徑向方向上彼此分離的多個空間，且引入孔提供有多個，以將處理氣體獨立地引入至經分離之空間中之每一者，且引入孔分別安置於所述經分離之空間處。
流動速率調節元件(Flow rate adjustment device)可獨立地分別安裝於連接至分別安置於經分離之空間處的引入孔的氣體引入線(gas introduction line)上，且引入至經分離之空間中之每一者的氣體的流動速率可被獨立地控制。
氣體注入單元可包含：經組態以注入源材料氣體的多個源材料氣體注入單元；以及經組態以注入用於移除源材料氣體之沖洗氣體的多個沖洗氣體注入單元。在源材料氣體注入單元與沖洗氣體注入單元中，彼此鄰近且注入相同氣體之兩個或兩個以上注入單元可作為群組而形成氣體注入塊。
用來選擇性地注入氣體或不注入氣體之緩衝注入單元(buffer injecting unit)可安置於氣體注入單元之間。
源材料氣體注入單元及沖洗氣體注入單元中之至少兩者可具有彼此不同的面積。
根據另一例示性實施例，一種基板處理裝置包含：腔，其具有內部空間以在基板上執行某一製程；基板支撐部件，其可旋轉地安裝於所述腔中以支撐多個基板；以及氣體注入元件，其如上所述而組態，所述氣體注入元件安裝於基板支撐部件之上側，以將氣體注入至基板。
自結合隨附圖式進行之以下描述中可更詳細理解例示性實施例。
在下文中，將參看所附圖式來詳細描述特定實施例。
圖3是說明根據一例示性實施例之氣體注入元件的局部分解透視圖。圖4是說明包含根據本實施例之氣體注入元件的基板處理裝置的橫截面圖。圖5是說明圖3中所說明之氣體注入元件的仰視圖。
參看圖3至圖5，根據本實施例之基板處理裝置100包含腔10、基板支撐部件20及氣體注入元件90。
腔10提供一種空間，其中在基板上執行諸如沈積製程等某一製程。當稍後將描述之氣體注入元件90耦接至腔10之上部分時，在腔10中形成空間11。由於腔10之空間11可形成為真空氛圍，所以提供了用於排出氣體之排出系統。亦即，具有環形形狀之凹入部件(recess part)14安置於腔10之下部分中，且凹入部件14之上部分以隔板(baffle)12覆蓋，使得形成凹入部件14及隔板12所圍繞之排出通道。該排出通道之兩側具備連接至外部泵(未圖示)的抽汲通道P。由於隔板12具有吸入孔(intake hole)13，所以來自空間11之氣體穿過吸入孔13而引入至排出通道，且接著穿過抽汲通道P而排出。
腔10之底部表面具備通孔(through hole)15，稍後將描述之基板支撐部件20之旋轉軸(rotation shaft)22插入於所述通孔15中。基板穿過提供至腔10之側壁的閘閥(gate valve)(未圖示)而載入至腔10且自腔10卸載。
經組態以支撐基板s之基板支撐部件20包含支撐板(support plate)21及旋轉軸22。支撐板21為平坦的圓板形狀，且水平安置於腔10中。旋轉軸22垂直安置於支撐板21之下部分處。旋轉軸22向外延伸穿過腔10之通孔15，且連接至諸如馬達(未圖示)等驅動構件(driving member)，以旋轉並垂直移動該支撐板21。旋轉軸22由伸縮囊(bellows)(未圖示)圍繞，以對抗旋轉軸22與通孔15之間的空間而保持著腔10之內部真空狀態。
多個基板置放部件(substrate placement part)23在支撐板21之上部分中是在支撐板21之圓周方向上排列著。由於基板置放部件23是凹入的，所以即使當支撐板21旋轉時，亦防止基板s自支撐板21移除，且因此由支撐板21之上部分支撐。加熱器(heater)(未圖示)內嵌於支撐板21之下側，以在恆定溫度下加熱基板s。
用於將諸如源氣體、反應氣體及沖洗氣體等處理氣體注入至置放於基板支撐部件20上之多個基板s的氣體注入元件90耦接至腔10之上部分。
在本實施例中，氣體注入元件90包含多個扇形氣體注入單元m、r1至r3以及p1至p4，其圍繞基板支撐部件20之中心點而在圓周方向上排列著。氣體注入單元m、r1至r3以及p1至p4每一者由頂板50及注入板70組成。頂板50具有擁有恆定厚度之寬四邊形的板形狀，且注入板70耦接至頂板50之下部分。
亦即，氣體注入單元m、r1至r3以及p1至p4每一者在頂板50之圓周方向上佔據頂板50之一部分。頂板50之中心部分具備引入孔51，其數目對應於氣體注入單元m、r1至r3以及p1至p4的數目。引入孔51圍繞頂板50之中心點而在圓周方向上排列著。引入孔51每一者連接至外部氣體供應源(outer gas supply source)(未圖示)。
然而，儘管頂板具有單一主體，使得注入板每一者如上所述佔據頂板之一部分，但頂板可經劃分以對應於氣體注入單元。亦即，儘管未圖示，但在另一實施例中，框架可耦接至腔之上部分，且多個頂板可在圓周方向上耦接至所述框架，且注入板每一者可耦接至每一頂板之下部分。如此，本發明之所附申請專利範圍內所使用之頂板可為對應於多個氣體注入單元之單一主體，或可包含對應於多個氣體注入單元之多個主體。在本實施例中，將頂板50例示為單一主體。
如圖3中所說明，凹入部件凹入於注入板70之上部分中。凹入部件在基板支撐部件20之徑向方向上伸長。當注入板70緊密黏附至頂板50時，由頂板50之下部表面及注入板70之凹入部件圍繞之氣體擴散空間形成於基板支撐部件20之徑向方向上。在凹入部件之下側處排成一行的多個氣體注入孔72穿過注入板70中之每一者。穿過氣體注入孔72，氣體注入單元之內部與腔10之空間11連通。
在本實施例中，分隔壁79將氣體擴散空間劃分為多個空間71a、71b及71c，其在基板支撐部件20之徑向方向上彼此隔開。分隔壁79分離空間71a、71b及71c，且防止空間71a、71b及71c彼此連通。
頂板50具有對應於每一氣體注入單元之引入孔51。更詳細言之，引入孔51分別對應於每一氣體注入單元之經分離之空間71a、71b及71c。亦即，若三個經分離之空間安置於圖5中所說明之氣體注入單元m、r1、r2及r3之每一者中，則頂板50具有對應於氣體注入單元m、r1、r2及r3之每一者的三個引入孔51a、51b及51c。
然而，所有氣體注入單元之內部不能被劃分為多個經分離之空間。即使在此情況下，用於注入作為用於薄膜沈積之源材料的源氣體的氣體注入單元之內部，以及用於注入與源氣體反應之反應氣體的氣體注入單元之內部可被劃分為多個經分離之空間。
亦即，在薄膜沈積製程中，穿過頂板50之引入孔51而引入的處理氣體在氣體擴散空間中擴散，且接著穿過注入板70之氣體注入孔72而注入至基板s。在此情況下，處理氣體(特定言之，源氣體及反應氣體)可均勻地注入至基板s之整個區，以改良薄膜沈積之均勻性。然而，在相關技術中，單一氣體擴散空間安置於頂板與注入板之間，且因此穿過引入孔而引入的處理氣體在氣體擴散空間中不充分地擴散，且在此狀態下，處理氣體之大部分僅穿過安置於基板支撐部件之中心側的氣體注入孔而注入。因此，相對較少量之處理氣體穿過安置於基板支撐部件之周邊處的氣體注入孔而注入，使得在相關技術中，氣體不均勻地供應至基板s之整個區。
為了解決此限制，本實施例中之氣體擴散空間被劃分為經分離之空間71a、71b及71c，且提供引入孔51a、51b及51c，以分別對應於經分離之空間71a、71b及71c以供應處理氣體，使得即使穿過安置於基板支撐部件20之周邊處的氣體注入孔72亦可供應足夠量的處理氣體。
流動速率調節裝置MFC-1至MFC-3安裝於連接至對應於經分離之空間71a、71b及71c之引入孔51a、51b及51c的氣體引入線1上。流動速率調節裝置MFC-1至MFC-3獨立地控制引入至經分離之空間71a、71b及71c之處理氣體的量。
特別是，在本實施例中，與供應至安置於基板支撐部件20之中心側的空間71a相比，較大量之處理氣體供應至安置於基板支撐部件20之周邊處的空間71c。由於基板支撐部件20旋轉，所以若相同量之氣體供應至基板支撐部件20之中心側及周邊，則相對較少量之氣體實質上供應至基板s之周邊。亦即，由於基板支撐部件20連續不斷地旋轉，所以即使當在相同時間內相同量之氣體供應至基板s之整個區時，在相同時間內基板s之在基板支撐部件20之周邊處的部分亦比基板s之在基板支撐部件20之中心側的部分具有更大的旋轉移動量，且因此在基板支撐部件20之周邊處的部分比在基板支撐部件20之中心側的部分具有較少的氣體接觸量。因此，相對較大量的處理氣體供應至安置於基板支撐部件20之周邊處的空間71c，以達成至基板s之整個區的實質上均勻的氣體供應。
如上所述，氣體注入單元中之氣體擴散空間在基板支撐部件20之徑向方向上劃分為經分離之空間，且接著使處理氣體供應至所述經分離之空間中之每一者，且因此與相關技術不同，氣體可均勻地供應至基板之整個區，以便改良薄膜沈積之均勻性。
參看圖5，如上所述而組態之氣體注入單元m、r1至r3以及p1至p4被分類為：經組態以注入源氣體的源氣體注入單元(由m表示)、經組態以注入反應氣體之反應氣體注入單元(由r1至r3表示)，以及經組態以注入沖洗氣體之沖洗氣體注入單元(由p1至p4表示)。然而，由於氣體注入單元m、r1至r3以及p1至p4之組態實質上相同，所以所述分類僅基於引入至氣體注入單元m、r1至r3以及p1至p4之氣體的類型。亦即，引入至每一氣體注入單元之氣體根據待執行之製程而改變，使得氣體注入單元m、r1至r3以及p1至p4可以各種方式組合。
舉例而言，在本實施例中，源氣體注入單元m將包含諸如鋯(Zr)等金屬之氣體供應至基板支撐部件20上，且反應氣體注入單元r1至r3將與源氣體反應之諸如臭氧(ozone，O3)等反應氣體供應至基板支撐部件20上。儘管源氣體及反應氣體為方便起見而單獨描述，但本發明之申請專利範圍中所描述之源材料氣體包含源氣體及反應氣體。
沖洗氣體注入單元p1至p4安置於源氣體注入單元m與反應氣體注入單元r1至r3之間。沖洗氣體注入單元p1至p4注入諸如氮或氬等非反應氣體，以便以物理方式移除未以化學方式吸附至基板的源氣體及反應氣體。
另外，在本實施例中，中心沖洗氣體注入單元80安置於氣體注入單元m、r1至r3以及p1至p4之中心部分中，以防止源氣體注入單元m與反應氣體注入單元r1至r3之間的氣體混合。氣體引入孔52安置於頂板50之中心部分中，且中心沖洗氣體注入單元80之多個注入孔81安置於氣體引入孔52之下側，以將沖洗氣體注入至基板支撐部件20之中心側。沖洗氣體經注入以形成氣幕(air curtain)，使得可防止源氣體與反應氣體在基板支撐部件20之中心部分處混合。
在本實施例中，用來注入相同氣體之氣體注入單元彼此鄰近，以作為群組而形成氣體注入塊(block)。參看圖5，反應氣體單元r1至r3彼此鄰近，以形成反應氣體塊RB，且反應氣體塊RB之兩側均具備一組沖洗氣體注入單元p1及p2以及一組沖洗氣體注入單元p3及p4，以形成沖洗氣體注入塊PB。
另外，儘管未圖示，但氣體注入單元根據另一實施例可具有不同面積。舉例而言，雖然在本實施例中兩個沖洗氣體注入單元形成沖洗氣體注入塊PB，但在另一實施例中，沖洗氣體注入單元可具有與沖洗氣體注入塊PB之面積相同的面積。
在一實施例中，多個緩衝注入單元d安置於源氣體注入單元與沖洗氣體注入單元之間。各緩衝注入單元d用於將源氣體注入單元與沖洗氣體注入單元隔開，且處理氣體並不是穿過緩衝注入單元d而引入。然而，由於緩衝注入單元d具有與其他氣體注入單元之結構相同的結構，所以處理氣體可在必要時穿過緩衝注入單元d而引入。
在本實施例中，兩個緩衝注入單元d安置於源氣體注入單元m與沖洗氣體注入單元p1之間，且兩個緩衝注入單元d安置於源氣體注入單元m與沖洗氣體注入單元p3之間，使得源氣體與沖洗氣體彼此分離。
在如上所述而組態之本實施例中，當處理氣體自氣體注入單元m、r1至r3以及p1至p4中之每一者注入時，基板支撐部件20旋轉，且置放於基板支撐部件20上之基板s循序地暴露於源氣體、沖洗氣體、反應氣體及沖洗氣體，使得源氣體及反應氣體經由各配合基之間的取代反應而形成一層，以將薄膜沈積於基板s之上表面上。在本實施例中，每一氣體注入單元中之氣體擴散空間在基板支撐部件20之徑向方向上劃分為經分離之空間，且接著，將處理氣體供應至經分離之空間中之每一者，使得氣體可穿過每一氣體注入單元而均勻地供應至基板s之整個區，且因此使薄膜均勻地沈積於基板s之整個區上。
儘管如上所述將三個經分離之空間安置於氣體注入單元中，但可如圖6A中所說明提供四個經分離之空間，或可如圖6B中所說明提供兩個經分離之空間，且因此，氣體注入單元中之經分離之空間的數目並無限制。
在根據以上實施例之氣體注入元件及包含所述氣體注入元件之基板處理裝置中，氣體注入單元中之氣體擴散空間在基板支撐部件之徑向方向上劃分為經分離之空間，且處理氣體獨立地供應至每一空間，且因此與相關技術不同，氣體可均勻地供應至基板之整個區，以便改良基板上之薄膜沈積的均勻性。
另外，根據所述實施例，考慮基板支撐部件的旋轉，與穿過基板支撐部件之中心側處的經分離之空間相比，相對較大量之處理氣體穿過氣體擴散空間之位於基板支撐部件之周邊處的經分離之空間而注入，且因此達成至基板之整個區之實質上均勻的氣體供應。
儘管已參考特定實施例描述了氣體注入元件及包含所述氣體注入元件之基板處理裝置，但其不限於此。因此，熟習此項技術者將容易理解，可在不脫離由所附申請專利範圍界定之本發明之精神及範圍的情況下，對本發明作出各種修改及改變。
1．．．腔
2．．．基板支撐部件
3．．．氣體注入元件
4．．．氣體注入單元
5．．．鉛板
6．．．注入板
7．．．氣體供應孔
8．．．氣體注入孔
9．．．基板處理裝置
10．．．腔
11．．．空間
12．．．隔板
13．．．吸入孔
14．．．凹入部件
15．．．通孔
20．．．基板支撐部件
21．．．支撐板
22．．．旋轉軸
23．．．基板置放部件
50．．．頂板
51．．．引入孔
51a．．．引入孔
51b．．．引入孔
51c．．．引入孔
52．．．氣體引入孔
70．．．注入板
71a．．．空間/經分離之空間
71b．．．空間/經分離之空間
71c．．．空間/經分離之空間
72．．．氣體注入孔
79．．．分隔壁
80．．．中心沖洗氣體注入單元
81．．．注入孔
90．．．氣體注入元件
100．．．基板處理裝置
c．．．空間
d．．．緩衝注入單元
m．．．源氣體注入單元/氣體注入單元
MFC-1至MFC-3．．．流動速率調節裝置
P．．．抽汲通道
p1．．．沖洗氣體注入單元/氣體注入單元
p2．．．沖洗氣體注入單元/氣體注入單元
p3．．．沖洗氣體注入單元/氣體注入單元
p4．．．沖洗氣體注入單元/氣體注入單元
PB．．．沖洗氣體注入塊
r1．．．反應氣體單元/氣體注入單元
r2．．．反應氣體單元/氣體注入單元
r3．．．反應氣體單元/氣體注入單元
RB．．．反應氣體塊
s．．．基板
圖1是說明相關技術中之氣體注入元件的分解透視圖。
圖2是說明包含圖1之氣體注入元件的相關技術之基板處理裝置的橫截面圖。
圖3是說明根據一例示性實施例之氣體注入元件的局部分解透視圖。
圖4是說明包含根據圖3之實施例之氣體注入元件的基板處理裝置的橫截面圖。
圖5是說明圖3中所說明之氣體注入元件的仰視圖。
圖6A及圖6B是說明根據另一例示性實施例之氣體注入單元的橫截面圖。
50．．．頂板
51．．．引入孔
51a．．．引入孔
51b．．．引入孔
51c．．．引入孔
70．．．注入板
71a．．．空間/經分離之空間
71b．．．空間/經分離之空間
71c．．．空間/經分離之空間
72．．．氣體注入孔
79．．．分隔壁
80．．．中心沖洗氣體注入單元
90．．．氣體注入元件

Claims (11)

  1. 一種氣體注入元件，其包括：多個氣體注入單元，其安裝於基板支撐部件之上側，所述基板支撐部件可旋轉地安裝於腔中，以支撐多個基板，所述氣體注入單元圍繞所述基板支撐部件之中心點而在所述基板支撐部件之圓周方向上排列著，以將處理氣體注入至所述基板，其中所述氣體注入單元包括：頂板，其具有用來引入所述處理氣體的引入孔；以及注入板，其安置於所述頂板之下側，以在所述基板支撐部件之徑向方向上在所述注入板與所述頂板之間形成氣體擴散空間，且所述注入板具有安置於所述氣體擴散空間下側處的多個氣體注入孔，使得穿過所述引入孔而引入並在所述氣體擴散空間中擴散之所述處理氣體被注入至所述基板，所述處理氣體穿過所述氣體注入單元中之至少一者中的多個點而引入至所述氣體擴散空間，所述氣體注入單元中之至少一者包括位於所述頂板與所述注入板之間的分隔壁，以將所述氣體擴散空間劃分為多個在所述基板支撐部件之所述徑向方向上彼此分離之空間，且所述引入孔提供有多個，以將所述處理氣體獨立地引入至所述分離之空間中之每一者，且所述引入孔分別安置於所述分離之空間處。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之氣體注入元件，其中流動速率調節元件獨立地分別安裝於氣體引入線上，所述氣體引入線連接至分別安置於所述分離之空間處的所述引入孔，且引入至所述分離之空間中之每一者的氣體的流動速率被獨立地控制。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之氣體注入元件，其中與引入至所述基板支撐部件之中心側的所述分離之空間相比，較大量之所述處理氣體引入至所述基板支撐部件之周邊處的所述分離之空間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之氣體注入元件，其中所述氣體注入單元包括：經組態以注入源材料氣體之多個源材料氣體注入單元；以及經組態以注入用於移除所述源材料氣體之沖洗氣體的多個沖洗氣體注入單元。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之氣體注入元件，其中在所述源材料氣體注入單元與所述沖洗氣體注入單元中，彼此鄰近且注入相同氣體之兩個或兩個以上注入單元作為群組而形成氣體注入塊。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之氣體注入元件，其中所述源材料氣體注入單元包括：經組態以注入源氣體之注入單元；以及經組態以注入與所述源氣體反應之反應氣體的注入單元，且經組態以注入所述源氣體之多個注入單元或經組態以注入所述反應氣體之多個注入單元，以作為群組而形成氣體注入塊。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之氣體注入元件，其中所述源材料氣體注入單元及所述沖洗氣體注入單元中之至少一者具有不同的面積。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之氣體注入元件，其中用來選擇性地注入氣體或不注入氣體之緩衝注入單元安置於所述氣體注入單元之間。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之氣體注入元件，其更包括中心沖洗氣體注入單元，所述中心沖洗氣體注入單元安裝於所述頂板之中心部分以注入沖洗氣體。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之氣體注入元件，其中所述頂板形成為單一主體，使得多個所述氣體注入單元各自之注入板圍繞所述基板支撐部件的中心而在所述基板支撐部件之所述圓周方向上排列著，以佔據所述頂板之若干部分且連接至所述頂板之下部分，或所述頂板被劃分為多個部件以對應於所述氣體注入單元，使得所述頂板之所述部件圍繞所述基板支撐部件之所述中心而在所述基板支撐部件之所述圓周方向上排列著，並固定至耦接至所述腔之上側的框架。
  11. 一種基板處理裝置，其包括：腔，其具有內部空間以在基板上執行某一製程；基板支撐部件，其可旋轉地安裝於所述腔中，以支撐多個基板；以及如申請專利範圍第1至10項中任一項所述之氣體注入元件，所述氣體注入元件安裝於所述基板支撐部件之上側，以將氣體注入至所述基板。
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