TWI420607B - Method of manufacturing electrical contact device - Google Patents

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Description

電性接觸裝置之製造方法
本發明係與電性接觸裝置有關，更詳而言之是指一種電性接觸裝置之製造方法。
按，一般用以測試晶片、顯示面板或其它暫時性接觸之電性接觸，會利用一電性接觸裝置作為與測試物間電性接觸之元件。
如我國申請案第94129539號所揭示之一種「探針卡之電性接觸裝置」，其主要包含有一已佈設預定態樣電路之基座及若干與電路接觸而設置於該基座表面上之探針，以由該探針作為與測試物電性接觸時之元件。惟上述之結構為使其探針能更穩固地與基座結合，避免探針與基座分離及同時增加探針所能承受之彈性應力，會於該基座之表面上形成出若干對應於該探針位置之容槽，使該探針與測試物接觸時，該探針能由該容槽所提供之空間而增加所能彈性變形之程度，而能進而提升探針與測試物接觸時之阻抗一致性。
惟，上述探針卡電性接觸裝置之結構，係利用蝕刻方式直接於基座之表面上形成出該等容槽，然而以蝕刻方式之程序步驟較為繁雜，製造速度相對較為緩慢而不利於大量生產，且蝕刻方式所需較蝕去耗費之材料亦較多而使成本較為高昂；另外，由於蝕刻方式之變異性較大，將導致製造時之良率不佳難以達到可重工性。
有鑑於此，本發明之主要目的乃在於提供一種電性接觸裝置之製造方法，其製程較為簡易、快速、低加工成本、而具可重工性者。
緣此，本發明乃提供一種電性接觸裝置之製造方法，包含有以下步驟：(a)、製備一基座；(b)、於該基座之一表面上設置一介電層，且該介電層以非蝕刻方式於表面形成一容槽；(c)、於該容槽內成形一第一犧牲層；(d)、佈設一第二犧牲層於該介電層及第一犧牲層上方，定義出針身輪廓，並於該針身輪廓中成形一針體金屬層，重複本項步驟一至數次，即可由該針體金屬層形成探針結構；(e)、去除犧牲層，即得該基座及由該各針體金屬層所構成之探針。
為使貴 審查委員能對本發明之特徵與特點有更進一步之了解與認同，茲列舉以下較佳實施例並配合圖式說明如下：請配合參閱第一至第十二圖，係本發明第一較佳實施例所提供一種電性接觸裝置之製造方法，其包含有下列步驟：步驟(a)：如第一圖所示，製備一基座(11)，該基座(11)具有一第一表面(111)及一與該第一表面(111)相背之第二表面(112)，且該基座(11)內部佈設有若干呈預定態樣並連通第一、二表面(111)(112)之電路佈線(113)；此外，亦可依需求於該第一、二表面(111)(112)佈設電路佈線與接點(圖中未示)，可供裝設需要之組件或與探針連接。
步驟(b)：如第二圖所示，於該基座(11)之第一表面(111)上設置一介電層(12)，該介電層(12)係由可進行微加工成型之絕緣材料，如厚膜光阻材料所製成，例如本實施例之介電層(12)乃以微影技術成形並且在其頂面位置形成出一容槽(121)及若干與該基座(11)第一表面(111)上之電路佈線(113)連通之定位部，該容槽(121)之一壁面鄰接該介電層(12)之表面，於本實施例中該定位部為一於該壁面上形成之連接槽(122)，該厚膜光阻材料係可以塗佈或壓膜貼附之方式形成於該基座(11)之第一表面(111)上。
步驟(c)：如第三圖所示，於該介電層(12)之連接槽(122)中以電鑄技術佈植一具導電性之第一針體金屬層(131)及於該介電層(12)之容槽(121)中以電鑄技術佈植一第一犧牲層(14)，如有需要可進一步將該第一針體金屬層(131)與該犧牲層(14)之表面平整至與該介電層(12)之表面平齊，該平整方式可採用機械研磨、化學研磨、電化學加工、化學蝕刻等加工方式達成。
以上步驟(c)、(d)可重複施作一至數次，直到該介電層(12)與該第一犧牲層(14)達到目標尺寸。
步驟(d)：如第四圖所示，於該介電層(12)之頂面上佈設一導電層(15)，本實施例之該導電層(15)採用微影與蝕刻製程定義出部分或全部針體圖形，即該導電層(15)僅被留下連接容槽(121)內之第一犧牲層(14)與連接槽(122)內之第一針體金屬層(131)位置間之區域；該導電層除採用微影蝕刻製程外，亦可使用金屬剥離(1ift－off)製程、印刷、微影搭配電鍍或化學鍍製程、細微噴塗等手法圖形化導電材質達成。
步驟(e)：如第五圖所示，於該介電層(12)之頂面上佈設一位於該導電層(15)與第一針體金屬層(131)周邊以及第一犧牲層(14)與介電層(12)上方之第二犧牲層(16)，本圖所示之第二犧牲層(16)乃採用一以微影製程成形之可去除性光阻層，並以微影製程於該第二犧牲層(16)中定義出針體輪廓；該導電層(15)可以微影與蝕刻製程搭配電鍍、濺鍍、蒸鍍、化鍍、噴塗，或直接印刷線路等方式佈設。
步驟(f)：如第六圖所示，於該第二犧牲層(16)之針體輪廓內以電鑄技術佈植一具導電性之第二針體金屬層(132)。
以上步驟(e)~(f)可重複施作一至數次，直到該第二針體金屬層(132)與該第二犧牲層(16)達到目標尺寸。
此外，除以電鑄製程製作該第二針體金屬層(132)外，亦可省略步驟(e)，即不需要製作該導電層(15)，直接以化學鍍或填入導電物質至該第二犧牲層(16)之針體輪廓內以成形該第二針體金屬層(132)；若有需要亦可重複前述步驟數次直到該第二針體金屬層(132)與該第二犧牲層(16)達到目標尺寸。
步驟(g)：如第七圖所示，去除第二犧牲層(16)。
步驟(h)：如第八圖所示，鋪設一由介電材料所製成之絕緣層(18)，本實施例以微影技術使該絕緣層(18)部分包覆位於連接槽(122)位置上方之第二針體金屬層(132)，藉以增加第二針體金屬層(132)與該介電層(12)之接合強度，未覆蓋該絕緣層(18)部分則在第二針體金屬層(132)旁留有空隙；該絕緣層(18)亦可以遮罩搭配噴塗、塗佈、蒸鍍、濺鍍、電著絕緣材料等手法製作。
步驟(i)：如第九圖所示，以電鑄技術佈植或填入可去除材料形成一第三犧牲層(19)於前項步驟中所留之空隙中，如有需要可將該第三犧牲層(19)之表面加以平整至與該絕緣層(18)平齊，該平整方式可採用機械研磨、化學研磨、電化學加工、化學蝕刻等加工方式達成。
步驟(j)：如第十圖所示，重複步驟(e)至步驟(f)，以連續完成佈植第三及第四針體金屬層(133)(134)。
步驟(k)：如第十一圖及第十二圖所示，以蝕刻方式去除第一、二及第三犧牲層(14)(16)(19)，即完成本發明電性接觸裝置之製造方法，並可進一步使用習知之組裝手法將基座(11)與其他元件組裝接合。
是以，藉由本發明所提供之電性接觸裝置之製造方法，不僅可由各針體金屬層(131)(132)(133)(134)構成探針整體，其中第一針體金屬層(131)係用以將所測試得到之電性連通至該基座(11)之電路佈線(113)上，且該第一、二針體金屬層(131)(132)並分別呈嵌入於介電層(12)與絕緣層(18)中之狀態，而可增加探針與基座間之穩固連接關係，該第二、第三針體金屬層(132)(133)則為探針之針身部位，第四針體金屬層(134)則為針尖部位；再者藉由將探針一端位於該定位部(連接槽)中，而另一端往容槽延伸之方式，能由該介電層(12)上形成出之容槽(121)提供探針彈性變形空間，其所需之製造步驟較習用直接於基座上進行蝕刻以形成容槽所需之步驟為少，更適於生產；況且，本發明利用非蝕刻方式進行連接槽及容槽之成形，可避免不易控制或高成本之蝕刻步驟，並且具備可重工性(蝕刻製程無法重工)，因此基材之選擇較不受限蝕刻製程，進而可單就絕緣性與結構強度選擇更適用之材質，例如陶瓷基版，可大幅提昇產品之性能與良率。
在此特別說明：其中，第一犧牲層(14)之材質並不限於電鑄成形之金屬，亦可採用蒸鍍、濺鍍、塗佈、噴塗、化學鍍等方式填入之其它暫時性之犧牲材質取代；第二犧牲層(16)除使用可去除式光阻材料外，亦可使用其他可去除之犧牲材質，以雷射加工、機械加工、熱壓加工成型等方式成形此第二犧牲層(16)。
本實施例中所提及之電鑄製程均可用化學鍍製程取代，亦可使用蒸渡、濺鍍等沉積金屬方式或者填入導電材質手法取代。
另外，本實施例中對介電層所採用之微影製程，亦可以雷射加工、機械加工、熱壓加工成型等方式所加以取代，其皆可達成本發明非以蝕刻方式之目的功效。
其次，本實施例之各針體金屬層，可採用同一金屬材質亦可各別採用不同之導電材質，包含不同金屬或複合材料，具有導電性佳之特性即可；針尖部分除選用導電性佳之材質外，可進一步選用高耐磨性、低沾黏性之材質，以增進探針使用壽命、提高測試可靠度、減少清針維修需求以提升測試生產效率。
請參閱第十三至第十八圖，係本發明第二較佳實施例所提供一種電性接觸裝置之製造方法，其包含有下列步驟：步驟(a)：如第十三圖所示，採用與前述實施例相同之步驟(a)與步驟(b)，以製備出與前述實施例相同之一基座(21)、一介電層(22)、及於該介電層(22)上形成之容槽(221)及連接槽(222)。
步驟(b)：如第十四圖所示，於該介電層(22)之連接槽(222)中以電鑄技術佈植一具導電性之第一針體金屬層(231)及於該介電層(22)之容槽(221)中以電鑄技術佈植一第一犧牲層(24)，如有需要可繼續將該犧牲層(24)之表面平整至與該介電層(22)之表面平齊，且佈植於該連接槽(222)中之第一針體金屬層(231)並非與該介電層(22)之表面平齊，而預留有部份空間；該第一針體金屬層(231)亦可不預留前述空間而完全填滿該連接槽(222)，並可被平整化與該介電層(22)之表面齊平(圖中未示)。如同第一實施例，可重複施作一至數次前述該介電層(22)、該犧牲層(24)以及該第一針體金屬層(231)，直到該前述三者之疊層達到目標尺寸。
步驟(c)：如第十五圖所示，如同第一實施例步驟(d)與步驟(e)，於該介電層(22)之頂面上佈設一導電層(25)及一第二犧牲層(26)。
步驟(d)：如第十六圖所示，以電鑄技術佈植一第二針體金屬層(232)，且該第二針體金屬層(232)局部植入於連接槽(222)所預留之空間中，局部位於該導電層(25)上；如有需要可進一步平整化該第二針體金屬層(232)使之平齊該第二犧牲層(26)，可使用之平整化方式與第一實施例相同，不再贅述。
如同第一實施例，第二實施例之步驟(c)至(d)也可重複施作一至數次，直到該第二針體金屬層(232)與該第二犧牲層(26)達到目標尺寸；此外，除以電鑄製程製作該第二針體金屬層(232)外，亦可省略製作該導電層(15)，直接以化學鍍或填入導電物質至該第二犧牲層(26)之針體輪廓內以成形該第二針體金屬層(232)，若有需要亦可重複前述步驟一至數次，直到該第二針體金屬層(232)與該第二犧牲層(26)達到目標尺寸。
步驟(e)：如第十七圖所示，如同第一實施例，重複佈設多層第三犧牲層(27)及第三、四針體金屬層(233)(234)，以堆疊建構出探針結構。
步驟(f)：如第十八圖所示，去除第一、二、三犧牲層(24)(26)(27)，即得本發明之電性接觸裝置結構。
是以，於本實施例中，第二針體金屬層(232)係局部嵌入於連接槽(222)中，而局部外露於介電層(22)外，可使得由各針體金屬層所構成之探針與介電層間之結合強度更佳，以避免有探針經長時間使用撕裂脫離之情形產生。
請參閱第十九至第二十二圖，係本發明第三較佳實施例所提供一種電性接觸裝置之製造方法，其包含有下列步驟：步驟(a)：如第十九圖所示，採用與第一實施例相同之步驟(a)至步驟(d)，以製備出與前述實施例相同之一基座(31)、一介電層(32)、及於該介電層(32)上形成之容槽(321)及連接槽(322)，並於連接槽(322)與容槽(321)中分別以電鑄技術佈植一具導電性之第一針體金屬層(331)、一第一犧牲層(34)及一連接該容槽(321)內之第一犧牲層(34)與連接槽(322)內之第一針體金屬層(331)位置間區域之導電層(35)。
步驟(b)：如第二十圖所示，如同第一實施例之步驟(e)及步驟(f)，以連續鋪設出若干第二犧牲層(36)及電鑄堆疊出第三、及第四針體金屬層(333)(334)。
步驟(c)：如第二十一圖所示，去除第二犧牲層(36)及第一犧牲層(34)，即完成本發明之電性接觸裝置之製造方法。
同第一實施例之步驟(h)與(i)，本實施例亦可於該第一針體金屬層(331)之非位於第一犧牲層(34)部分覆蓋同第一實施例之絕緣層(18)以增加第一針體金屬層(331)與介電層(32)之間的附著力，有助於增加針體結構的可靠度。
再者，同第一實施例之說明，第一、二、三、四針體金屬層(331)(332)(333)(334)皆可藉由重複製作犧牲層與成形金屬層之步驟，必要時加以平整化表面，使各部結構達成目標尺寸；而各種可達成此一目的之取代性製程也與第一實施例之說明相同，此處不再贅述。
請參閱第二十三至第二十六圖，係本發明第四較佳實施例所提供一種電性接觸裝置之製造方法，其包含有下列步驟：步驟(a)：如第二十三圖所示，採用與第一實施例相同之步驟(a)至步驟(d)，以製備出與前述實施例相同之一基座(41)、一介電層(42)、及於該介電層(42)上形成之容槽(421)及連接槽(422)，並於連接槽(422)與容槽(421)中分別以電鑄技術佈植一具導電性之第一針體金屬層(431)及一第一犧牲層(44)，若有製程需求可製作於連接槽(422)內之第一針體金屬層(431)位置間區域之第一導電層(45)；各部之製程方法皆與第一實施例說明相同，此處不再贅述。
步驟(b)：如第二十四圖所示，取一臨時基板(49)，並於該臨時基板(49)上以連續鋪設出若干第二犧牲層(46)、反序電鑄堆疊出第四、第三及第二針體金屬層(434)(433)(432)，若有製程需求可於該第二針體金屬層(432)上鋪設一第二導電層(48)以供接合使用。
步驟(c)：如第二十五圖所示，將基座(41)上之第一導電層(45)與臨時基板(49)上之第二導電層(48)相互接合；若省略不製作該第二導電層(48)時，可直接將第二針體金屬層(432)與第一導電層(45)或第一針體金屬層(431)直接接合；同理，若省略不製作該第一導電層(45)時，也可直接將第一針體金屬層(431)與第二導電層(48)或第二針體金屬層(432)直接接合。
步驟(d)：如第二十六圖所示，去除第二犧牲層(46)、臨時基板(49)及第一犧牲層(44)，完成本發明之電性接觸裝置。
第四實施例之另一類似實施方式亦可於步驟(a)後繼續於該介電層(42)上施作第二針體金屬層(432)及其周圍之犧牲層部分；於步驟(b)中則省略製作該第二針體金屬層(432)及其周圍之犧牲層部分，進而改由接合該第二針體金屬層(432)及該第三針體金屬層(433)來構成探針主體，其接合介面同樣可選擇經由或者不經由導電層。
第四實施例之再一類似實施方式亦可於步驟(a)後繼續於該介電層(42)上施作第二、三針體金屬層(432)(433)及其周圍之犧牲層部分；於步驟(b)中則僅製作該第四針體金屬層(434)及其周圍之犧牲層部分，進而改由接合該第三針體金屬層(433)及該第四針體金屬層(434)來構成探針主體，其接合介面同樣可選擇經由或者不經由導電層。
第四實施例之另一類似實施方式亦可省略步驟(a)中該第一犧牲層(44)之製作，進而於步驟(c)中直接與該臨時基版之該探針直接接合。
請參閱第二十七至第二十八圖，係本發明第五較佳實施例所提供一種電性接觸裝置之製造方法，其包含有下列步驟：本實施例之步驟與前述實施例概略相同，惟其主要差異在於：於其介電層(52)上形成容槽(521)與連接槽(522)時，可一併形成出用以供電子元件擺置之凹槽(523)(如第二十七圖所示)，以於製造出構成探針之針體金屬層(53)及去除犧牲層(圖中未示)後，即可將欲擺置之電子元件(54)以焊接或其它方式連接於基座(51)上，而位於凹槽(523)中。
此外，本專利所述之所有實施例中，皆可省略製作如第一針體金屬層(131)(231)(331)(431)之部分，改由一連接線(37)電性連接導電層(35)與基座(31)之電路佈線(313)(如第二十二圖所示)或者直接連接第二針體金屬層(132)(232)(332)(432)與電路佈線(313)(圖中未示)。
如同本案第一實施例，本案之其他實施例亦可進一步以微影技術以一絕緣層部分包覆探針，藉以增加探針與介電層之接合強度，該絕緣層可以採用半導體製程、遮罩搭配噴塗、塗佈、蒸鍍、濺鍍、電著絕緣材料等手法製作。
藉此，藉由上述本發明所提供各實施例之電性接觸裝置製造方法，不僅可由各針體金屬層構成探針整體，且藉由於介電層上形成出容槽供探針彈性變形空間之方式，其所需之製造步驟較習用直接於基座上進行蝕刻以形成容槽所需之步驟為少，而且具備可重工性，有利生產良率之提升。再者，本發明利用非蝕刻方式進行連接槽及容槽之成形，可省去不易控制與高成本之蝕刻步驟，而有利於成本之降低。
 「第一較佳實施例」
基座．．．(11)
第一表面．．．(111)
第二表面．．．(112)
電路佈線．．．(113)
介電層．．．(12)
容槽．．．(121)
連接槽．．．(122)
第一針體金屬層．．．(131)
第一犧牲層．．．(14)
導電層．．．(15)
第二犧牲層．．．(16)
第二針體金屬層．．．(132)
絕緣層．．．(18)
第三犧牲層．．．(19)
第三針體金屬層．．．(133)
第四針體金屬層．．．(134)
「第二較佳實施例」
基座．．．(21)
介電層．．．(22)
容槽．．．(221)
連接槽．．．(222)
第一針體金屬層．．．(231)
第二針體金屬層．．．(232)
第三針體金屬層．．．(233)
第四針體金屬層．．．(234)
第一犧牲層．．．(24)
導電層．．．(25)
第二犧牲層．．．(26)
第三犧牲層．．．(27)
「第三較佳實施例」
基座．．．(31)
電路佈線．．．(313)
介電層．．．(32)
容槽．．．(321)
連接槽．．．(322)
第一針體金屬層．．．(331)
第一犧牲層．．．(34)
第二針體金屬層．．．(332)
第三針體金屬層．．．(333)
第四針體金屬層．．．(334)
導電層．．．(35)
第二犧牲層．．．(36)
連接線．．．(37)
「第四較佳實施例」
基座．．．(41)
介電層．．．(42)
容槽．．．(421)
連接槽．．．(422)
第一針體金屬層．．．(431)
第一犧牲層．．．(44)
第一導電層．．．(45)
臨時基板．．．(49)
第二針體金屬層．．．(432)
第二導電層．．．(48)
第三針體金屬層．．．(433)
第四針體金屬層．．．(434)
第二犧牲層．．．(46)
「第五較佳實施例」
介電層．．．(52)
容槽．．．(521)
連接槽．．．(522)
針體金屬層．．．(53)
凹槽．．．(523)
電子元件．．．(54)
第一圖至第十二圖係本發明第一較佳實施例之製程示意圖。
第十三圖至第十八圖係本發明第二較佳實施例之製程示意圖。
第十九圖至第二十一圖係本發明第三較佳實施例之製程示意圖。
第二十二圖係第三較佳實施例另一實施態樣示意圖。
第二十三圖至二十六圖係本發明第四較佳實施例之製程示意圖。
第二十七圖至第二十八圖係本發明第五較佳實施例之製程示意圖。
基座．．．(11)
介電層．．．(12)
容槽．．．(121)
連接槽．．．(122)
第二針體金屬層．．．(132)
第三針體金屬層．．．(133)
第四針體金屬層．．．(134)

Claims (19)

  1. 一種電性接觸裝置之製造方法，包含有以下步驟：(a)、製備一基座，該基座之一表面具有電路佈線的接點；(b)、於該基座之表面上設置一介電層，於該介電層中形成出一連接槽，該連接槽係連通該基座之表面，且於該介電層中形成一容槽；(c)、於該連接槽中植入一第一針體金屬層，以電性連接該基座表面上之電路佈線的接點，於該容槽內設置一第一犧牲層；(d)、於該介電層頂面形成一導電層，該導電層係鄰接局部的該第一針體金屬層及/或局部的該第一犧牲層；(e)、於該介電層及該第一犧牲層上佈設一第二犧牲層用以定義出一針體輪廓；(f)、於該針體輪廓內設置一第二針體金屬層；(g)、重複施作步驟(e)與(f)一至數次以堆疊形成一電性接觸結構；(h)、去除犧牲層，即得由該基座及部分包覆於該介電層內之由該各針體金屬層所構成包含針身與針尖部分之該電性接觸結構。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述電性接觸裝置之製造方法，其中該導電層為由習知之半導體製程或由塗佈圖案方式所佈設。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述電性接觸裝置之製造方法，其中該第一針體金屬層採用電鑄製程、半導體製程、 化學鍍方式或填入導電材料方式等其一方式所製作。
  4. 依據申請專利範圍第1項所述電性接觸裝置之製造方法，其於步驟(c)後可加工平坦化該第一犧牲層與該介電層使兩者齊平。
  5. 依據申請專利範圍第1項所述電性接觸裝置之製造方法，可以一連接線電性連接該導電層與該基座表面之電路佈線的接點。
  6. 依據申請專利範圍第1項所述電性接觸裝置之製造方法，其於步驟(b)中該容槽係以微影製程、雷射加工、熱壓加工、機械加工等其一方式製作成形。
  7. 依據申請專利範圍第1項所述電性接觸裝置之製造方法，其於步驟(c)中該第一犧牲層係以電鑄、化學鍍、填入犧牲材料等其一方式成形。
  8. 依據申請專利範圍第1項所述電性接觸裝置之製造方法，該第二犧牲層係以微影製程、雷射加工、熱壓加工、機械加工等其一方式定義該針體輪廓。
  9. 依據申請專利範圍第1項所述電性接觸裝置之製造方法，其中該各第二針體金屬層可為不同之導電材質組成針身與針尖部分。
  10. 依據申請專利範圍第1項所述電性接觸裝置之製造方法，其中該第二針體金屬層採用電鑄製程、半導體製程、化學鍍、填入導電材料等其一方式加以製作。
  11. 依據申請專利範圍第1項所述電性接觸裝置之製造方法，可設置一絕緣層於該介電層之表面上，並局部包 覆該第二針體金屬層。
  12. 依據申請專利範圍第11項所述電性接觸裝置之製造方法，其中於步驟(f)完成該針身部分後，先去除相鄰該針身部分之第二犧牲層之後，以微影製程製作該絕緣層，再於該絕緣層之空隙中填入一第三犧牲層。
  13. 依據申請專利範圍第12項所述電性接觸裝置之製造方法，其中該第三犧牲層係以半導體製程、電鍍、化學鍍、填入犧牲材料等其一方式加以設製。
  14. 依據申請專利範圍第11項所述電性接觸裝置之製造方法，其中於步驟(f)完成該針身部分後，先去除相鄰該針身部分之第二犧牲層之後，以遮罩搭配噴塗方式製作該絕緣層，再於該絕緣層之空隙中填入一第三犧牲層。
  15. 依據申請專利範圍第14項所述電性接觸裝置之製造方法，其中該第三犧牲層係以半導體製程、電鍍、化學鍍、填入犧牲材料等其一方式所設製。
  16. 依據申請專利範圍第1項所述電性接觸裝置之製造方法，其於該介電層中形成出一凹槽以供一電子元件放置。
  17. 依據申請專利範圍1項所述電性接觸裝置之製造方法，可以一連接線電性連接該第二針體金屬層與該基座表面之電路佈線的接點。
  18. 一種探針卡之電性接觸裝置，包含有：一基座，該基座之一表面設有一介電層，且該基座之表面具有電路佈線的接點； 一凹陷於該介電層之容槽，以及一形成於該介電層之連接槽，該連接槽係連通該基座之表面；以及至少一探針，各該探針包含有一設置於該連接槽中的第一針體金屬層以及一針身，該針身之一端連接該第一針體金屬層，該針身之另一端朝該容槽延伸，其中該針身具有一位於該介電層上方的凹陷部，且該第一針體金屬層與該基座表面之電路佈線的接點相連。
  19. 依據申請專利範圍18項所述電性接觸裝置，其中該針身之凹陷部容置有一導電層。
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