TWI420518B - 可記錄型光碟、記錄裝置、記錄方法、再生裝置 - Google Patents

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Hiroyasu Inoue
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Description

可記錄型光碟、記錄裝置、記錄方法、再生裝置
本發明係有關於一次寫入型或可複寫型等之可記錄型光碟、和支援可記錄型光碟的記錄裝置、記錄方法、再生裝置。
例如藍光碟片(Blu-ray Disc(註冊商標)等之光記錄媒體，係為人所知。於光記錄媒體中，係使用半導體雷射進行資訊的記錄再生。
使用半導體雷射對光碟的記錄，係隨著溫度或經時變化所造成的雷射功率之變動、或製造時的調整誤差所造成的各種扭曲或偏置、驅動控制時的記錄調變偏差，而受到很大的影響。因此尤其是在一次寫入型碟片或可複寫型碟片等之可記錄型光碟，是抑制了雷射驅動電路或光學元件的參差，而進行著緻密的發光波形控制。
在實際的資訊記錄裝置上，在進行資料記錄前，一般會使用被配置在每一記錄層的試寫區域(OPC領域(Optimum Power Control area))來探索出最佳雷射功率，調整記錄雷射功率或策略，使記錄條件最佳化。
該記錄雷射功率調整所需的試寫程序(試寫)，是必須在最佳記錄條件不明的狀態下，進行前述擾動之去除，或記錄功率的最佳化、雷射驅動脈衝的最佳化。
然後，為了找出該最佳條件，隨著情況不同，可能會照射必要以上之高能量的雷射光，或是在雷射驅動脈衝之寬度(雷射發光時間)非適切的狀態下，進行雷射照射。因此，有可能會對記錄層中的試寫領域造成嚴重的損傷。
又，在碟片基板上形成有複數記錄層，也就是所謂的多層光碟中，某一記錄層的記錄再生會受到其他記錄層的影響。
例如，進行記錄時會發生記錄層的穿透率變化，有時候也可能對目的記錄層無法照射適切的光量。
再者，由於穿透率變化是具有記錄功率依存性，像是OPC領域這類一面改變記錄功率一面進行記錄的地點上，穿透率變化、亦即對其他記錄層的影響程度，是無法控制的。
由於這些問題，因此無法隨著其他記錄層的記錄狀況而實現所望之OPC控制，難以導出正確的最佳條件，存在如此問題。
亦即，於某一記錄層的OPC領域中進行試寫、進行雷射功率調整時，會受到平面方向(碟片半徑方向)上同一位置(亦即厚度方向(=層方向)上看來是重合之位置)所被配置的其他記錄層的試寫區域之影響。
相對於此，例如下述專利文獻1所揭露，考慮將不同記錄層中的試寫領域，在記錄層的半徑方向上彼此錯開的方法，或是在不同記錄層的試寫領域之間不會使用同一半徑位置拿來試寫的方法。
於既存的藍光碟片的2層規格中係規定著，碟片內緣側引入區間中所被配置的每一記錄層的試寫領域，是在記錄層的半徑方向上錯開配置。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：國際公開第05/034110號小冊子
專利文獻2：日本特開2004-295940號公報
順便一提，資訊記錄媒體總是被要求其記錄容量的增大。例如舉例藍光碟片而言，可料想記錄層會朝3層構造、4層構造等更多層化邁進，實現飛躍性的容量增大。
在開發3層以上之光碟時，各記錄層中的OPC領域之設定、或進行各種管理資訊之記錄再生的領域之設定，會變得困難。
其中1個理由係為，如上述，隨著對記錄層的記錄動作，會產生穿透率變化，OPC動作或記錄再生動作會受到其他層的影響，必須要考慮這些而進行領域設定。
再者，隨著穿透率變化的記錄功率依存性，對其他層的影響程度是不定的，因此無法預測穿透率變化，也是其理由之一。
又，OPC領域或管理資訊領域之設定，也必須要考慮與現行的1層碟片、2層碟片之間的相容性。因此，必須要在有限的所定半徑範圍內(例如引入領域內)，將所有必要之領域作適切的配置。
本發明係有鑑於這些問題點，提出一種適合於可記錄型多層光碟的區域配置。
本發明的可記錄型光碟，係在碟片基板上設有3層以上記錄層，而且在雷射入射面側形成有透光層而成的複數層碟片，在各記錄層中，雷射功率控制所需的測試區域，是分別被設置在比用來記錄使用者資料之資料區間更為內緣側的內緣側領域，各記錄層的測試區域是被配置成彼此在層方向上互不重疊。
又，在各記錄層的上記內緣側領域中係被設置有，進行管理資訊之記錄及再生的管理資訊記錄再生領域；並且對於各記錄層的測試區域之每一者，從測試區域往雷射入射面側，在層方向上重疊的上記管理資訊記錄再生領域係為1個以下的方式，來配置上記管理資訊記錄再生領域。
再者，上記管理資訊記錄再生領域係被配置成，對於各記錄層的測試區域，於上記碟片基板側，在層方向上不會重疊。
本發明的記錄裝置，係屬於針對在碟片基板上設有3層以上記錄層而且在雷射入射面側形成有透光層而成的複數層碟片的可記錄型光碟的記錄裝置，其特徵為，具備：控制部，其係進行控制，使得於上記可記錄型光碟的各記錄層中，在比記錄使用者資料的資料區間更內緣側的內緣側領域裡，將關於各記錄層的雷射功率控制所需之測試區域，配置成彼此在層方向上互不重疊，使用已配置之測試區域來進行雷射功率調整以進行資訊記錄。
本發明的記錄方法，係於上記可記錄型光碟的各記錄層中，在比記錄使用者資料的資料區間更內緣側的內緣側領域裡，將關於各記錄層的雷射功率控制所需之測試區域，配置成彼此在層方向上互不重疊，使用已配置之測試區域來進行雷射功率調整以進行資訊記錄的記錄方法。
本發明的再生裝置，係對可記錄型光碟的再生裝置，該可記錄型光碟係為，在碟片基板上設有3層以上記錄層，而且在雷射入射面側形成有透光層而成的複數層碟片，在各記錄層中，雷射功率控制所需的測試區域，是分別被設置在比用來記錄使用者資料之資料區間更為內緣側的內緣側領域，各記錄層的測試區域是被配置成，彼此在層方向上互不重疊。然後，具備有控制部，其係於各記錄層的上記內緣側領域中，對於各記錄層的測試區域之每一者，從測試區域往雷射入射面側，在層方向上重疊的上記管理資訊記錄再生領域係為1個以下的方式，且對於各記錄層的測試區域，於上記碟片基板側，在層方向上不會重疊的方式而被配置的管理資訊記錄再生領域，將其加以辨識，從該管理資訊記錄再生領域中再生出管理資訊，基於管理資訊而進行使用者資料的再生控制。
在如以上的本發明中，首先於3層以上的各記錄層中，在內緣側領域，形成測試區域(OPC領域)。各記錄層的測試區域是被配置成，彼此在層方向上互不重疊。藉此，各記錄層的測試區域係不會受到其他記錄層的測試區域之記錄所造成的穿透率變化、或其雷射功率依存性之影響。
又，藉由設計成，從測試區域往雷射入射面側，在層方向上重疊的記管理資訊記錄再生領域係為1個以下，可謀求管理資訊記錄再生領域中的記錄再生所致之穿透率變化之影響，以最小程度表現於測試區域中的OPC動作上，並且與現行的2層碟片相容。
管理資訊記錄再生領域，係對於各記錄層的測試區域，於碟片基板側使層方向上不會重疊的方式而配置，藉此，可使管理資訊記錄再生領域的記錄再生，不會受到測試區域的穿透率變化、或其雷射功率依存性之影響。
若依據本發明，則在3層碟片、4層碟片等之可記錄型的多層光碟中，可實現適切的內緣側領域配置，具有可進行適切的OPC動作、管理資訊之記錄再生的效果。
以下，依照以下順序來說明本發明的實施形態。
[1.碟片構造]
[2.DMA]
[3.TDMA]
[4.複數層碟片/現行2層碟片的內圈區間]
[5.實施形態的3層碟片的內圈區間]
[6.實施形態的4層碟片的內圈區間]
[7.碟片驅動裝置]
[1.碟片構造]
首先說明實施形態的光碟之概要。此光碟係於稱作藍光碟片的高密度光碟方式的範疇中，可以實施成為一次寫入型碟片(BD-R)或可複寫型碟片(BD-RE)。
說明本實施形態的高密度光碟的實體參數之一例。
本例的光碟，其碟片尺寸係為，直徑為120mm，碟片厚度為1.2mm。亦即，從這些點來說，從外型上看來是和CD(Compact Disc)方式的碟片、或DVD(Digital Versatile Disc)方式的碟片相同。
然後，作為記錄/再生所需的雷射，是使用所謂的藍色雷射，且光學系是被設計成高NA(例如NA=0.85)。而且還實現了窄軌距(例如軌距=0.32 μm)、高線密度(例如記錄線密度0.12 μm)。因此，於直徑12cm的碟片中，作為使用者資料容量，實現了23G～25GB(Giga Byte)程度。又，藉由更高密度記錄，也可能達到30GB程度的容量。
又，將記錄層設成複數層的所謂多層碟片也正在開發，若為多層碟片，則使用者資料容量會是大略倍增上去。
圖1中係圖示了碟片全體的佈局(領域構成)。
作為碟片上的領域，從內緣側起配置有內圈區間、資料區間、外圈區間。
此外，在該圖1中係圖示了記錄層為1個的構造(單層)，此時，內圈區間係成為引入區域，外圈區間係成為引出區域。
雖然實施形態的碟片係如後述是3層碟片或4層碟片，但第1層(層L0)的內圈區間係成為引入區域。而最終來說，隨著所被記錄的使用者資料容量，第1層(層L0)的外圈區間以後(層L1、L2、L3的內圈區間或外圈區間)之任一者，有可能會成為引出區域。
此外，為了說明上的方便，將含有第1層(層L0)之引入區域的各記錄層的內緣側領域，總稱為內圈區間。又，將各記錄層的外緣側領域總稱為外圈區間。
又，若看到有關記錄‧再生的領域構成，則內圈區間(引入區域)當中的最內緣側之領域係為再生專用領域，從內圈區間的中途至外圈區間為止係為可記錄領域。
在再生專用領域中係設有BCA(Burst Cutting Area)或PIC(預錄資訊領域)。其中，雖然關於2層以上的多層碟片的內圈區間構成係詳述於後，但PIC係只有在第1層(層L0)，在第2層(層L1)以後的記錄層中，與PIC同一半徑部分係為可記錄領域。
又，於內圈區間中，在可記錄領域裡，為了管理/控制資訊之記錄等，而形成有後述的OPC、TDMA、INFO(含DMA等)、預留區域RSV等。
在再生專用領域及可記錄領域中，係有搖擺凹軌(蛇行的溝)所成的記錄軌，是被形成為螺旋狀。凹軌係作為雷射光點進行追蹤之際的循軌導引，且該凹軌係被當成記錄軌而進行資料的記錄再生。
此外，在本例中，雖然想定了在凹軌中進行資料記錄的光碟，但本發明係不限於此種凹軌記錄的光碟，亦可適用於在凹軌與凹軌之間的凸面上記錄資料的凸面記錄方式的光碟，又，亦可適用於在凹軌及凸面都記錄資料的凸面凹軌記錄方式的光碟。
又，被當作記錄軌的凹軌，是隨著搖擺訊號而呈蛇行形狀。因此，在對光碟的碟片驅動裝置中，可根據照射於凹軌的雷射光點的反射光而偵測出其凹軌的兩邊緣位置，雷射光點沿著記錄軌移動之際，將該兩邊緣位置的對於碟片半徑方向的變動成分予以抽出，就可再生出搖擺訊號。
該搖擺訊號中係被調變有，該記錄位置上的記錄軌的位址資訊(實體位址或其他附加資訊等)。因此，在碟片驅動裝置上，藉由從該搖擺訊號中解調出位址資訊等，就可進行資料記錄再生之際的位址控制等。
圖1所示的內圈區間，係為例如比半徑24mm還要內側的領域。
然後，在內圈區間內的PIC(預錄資訊領域)中，係事先將記錄再生功率條件等之碟片資訊、或碟片上的領域資訊、是否防烤之資訊等，藉由凹軌的搖擺狀態而以再生專用資訊的方式加以記錄。此外，亦可藉由浮雕凹坑等來記錄這些資訊。
又，在比PIC更為內緣側，設置有BCA。BCA係將碟片記錄媒體固有的唯一ID，以例如將記錄層予以燒穿的記錄方式，加以記錄而成。亦即，將記錄標記排列成同心圓狀而逐一形成，以形成了條碼狀的記錄資料。
又，於內圈區間中，係被設定有：TDMA(Temporary Defect Management Area)、OPC(Optimum Power Control area：試寫區域)、INFO(Information area：管理資訊領域)、預留區域RSV、具有緩衝區域BUF等之所定的領域格式。
OPC係在記錄/再生時的雷射功率等、資料記錄再生條件設定之際的試寫等時候，會被使用。亦即是用來調整記錄再生條件的領域。
在INFO中係含有DMA(Defect Management Area)或控制資料區域。
在控制資料區域中係被記錄有，例如碟片類型、碟片尺寸、碟片版本、層構造、通道位元長、BCA資訊、傳輸速率、資料區間位置資訊、記錄線速度、記錄/再生雷射功率資訊等。
雖然在INFO內設有DMA，但通常在光碟的技術領域中，DMA係被記錄著用來作缺陷管理所需的交替管理資訊。然而在本例的碟片中，DMA係不僅是缺陷地點的交替管理，還記錄著用以實現該一次寫入型碟片之資料改寫所需的管理/控制資訊。尤其是在此情況下，在DMA中係被記錄有後述的ISA、OSA之管理資訊。
又，為了利用交替處理而使資料改寫成為可能，DMA的內容也還必須要能隨著資料改寫而被更新。因此設置有TDMA。
交替管理資訊係被追加記錄至TDMA而被逐次更新。在DMA中最終會記錄下，TDMA最後(最新)所被記錄的交替管理資訊。
關於DMA及TDMA將詳述於後。
此外，含有DMA等的INFO，最終係為儲存最新管理資訊的確定性管理資訊領域。該INFO(確定性管理資訊領域)，係於全部的記錄層中，保持著容許缺陷尺寸以上的距離而被分開配置。
另一方面，TDMA係為將管理資訊予以逐次追加儲存的暫時性管理資訊領域。TDMA(暫時性管理資訊領域)，係例如在各記錄層是大致均等地配置。雖然4層碟片的例子將於後述，但也有除了最靠碟片基板側之記錄層以外的複數記錄層中是被大致均等配置的情形。
比內圈區間還外緣側的例如半徑24.0～58.0mm，係為資料區間。資料區間，係使用者資料被實際記錄再生的領域。資料區間的開始位址ADdts、結束位址ADdte，係被表示於上述的控制資料區域的資料區間位置資訊中。
於資料區間中，其最內緣側係被設有ISA(Inner Spare Area)，而其最外緣側係設有OSA(Outer Spare Area)。ISA、OSA係為缺陷或資料改寫(覆寫)所需的交替領域。
ISA係從資料區間的開始位置起，以所定數的叢簇大小(1叢簇=65536位元組)而被形成。
OSA係從資料區間的結束位置起往內緣側以所定數的叢簇大小而被形成。ISA、OSA的大小係被描述在上記的DMA中。
於資料區間中，被ISA與OSA所夾住的區間，係為使用者資料領域。該使用者資料領域係為使用者資料的記錄再生時所被使用的通常記錄再生領域。
使用者資料領域的位置，亦即開始位址ADus、結束位址ADue，係被描述在DMA中。
比資料區間還外緣側，例如半徑58.0～58.5mm，係為外圈區間(例如引出區間)。外圈區間也有被記錄著管理/控制資訊。亦即，INFO(控制資料區域、DMA、緩衝區域)，是以所定的格式而被形成。
在控制資料區域中，係例如和內圈區間中的控制資料區域同樣地，被記錄有各種管理/控制資訊。DMA係和內圈區間中的DMA同樣地，是被準備來作為ISA、OSA之管理資訊所被記錄之領域。
本實施形態，雖然尤其是在3層碟片、4層碟片的內圈區間之構造上具有特徵，但包含現行的2層碟片，內圈區間中的各區域的佈局，係於後述。
[2.DMA]
說明內圈區間、外圈區間中所被記錄的DMA之構造。圖2中係圖示DMA的構造。
此處係圖示了DMA的大小係為32叢簇(32×65536位元組)的例子。此外，所謂叢簇係為資料記錄的最小單位。
當然，DMA大小並不限定於32叢簇。在圖2中，係將32叢簇的各叢簇，以叢簇號碼1～32的方式，表示在DMA中的各內容的資訊位置。又，各內容的大小係以叢簇數來表示。
於DMA中，叢簇號碼1～4的4叢簇之區間裡係作為DDS(disc definition structure)而被記錄有碟片的詳細資訊。
該DDS的內容係於圖3中說明，但DDS係為1叢簇之大小，於該當4叢簇之區間中被重複記錄4次。
叢簇號碼5～8的4叢簇之區間，係為缺陷清單DFL的第1個記錄領域(DFL#1)。缺陷清單DFL的構造係於圖4中說明，但缺陷清單DFL係為4叢簇大小的資料，其中係將各個交替位址資訊予以列出而構成。
叢簇號碼9～12的4叢簇之區間，係為缺陷清單DFL的第2個記錄領域(DFL#2)。
然後，每4叢簇就準備了第3個以後的缺陷清單DFL#3～DFL#6的記錄領域，叢簇號碼29～32的4叢簇之區間，係為缺陷清單DFL的第7個記錄領域(DFL#7)。
亦即，32叢簇的DMA中，係準備了缺陷清單DFL#1～DFL#7的7個記錄領域。
BD-R(一次寫入型光碟)的情況下，為了記錄該DMA之內容，必須要進行所謂的封片(closing)之處理。此時，被寫入DMA的7個缺陷清單DFL#1～DFL#7是全部相同的內容。寫入內容係為最新的TDMA之內容。
亦即，在BD-RE(可複寫型光碟)中，係不設置TDMA。因為只要每次進行記錄就將DMA予以改寫即可。
上記圖2的DMA之開頭中所被記錄的DDS之內容，示於圖3。
如上記，DDS係為1叢簇(=65536位元組)之大小。
於圖3中，位元組位置係為，將65536位元組的DDS之開頭位元組表示成位元組0。位元組數係表示各資料內容的位元組數。
在位元組位置0～1的2位元組中係被記錄有，用來辨識這是DDS之叢簇用的DDS識別元(DDS Identifier)=「DS」。
位元組位置2的1位元組中，表示了DDS型式編號(格式的版本)。
在位元組位置4～7的4位元組中，係記錄有DDS的更新次數。此外，在本例中係為，DMA本身不是在封片時會被寫入交替管理資訊而被更新，交替管理資訊係於TDMA中被進行。因此，在最終的封片之際，於TDMA中已被進行過的DDS(TDDS：暫時DDS)的更新次數，係被記錄在該當位元組位置。
在位元組位置16～19的4位元組中，係記錄有DMA內的驅動區域的開頭實體扇區位址(AD DRV)。
在位元組位置24～27的4位元組中，係記錄有DMA內的缺陷清單DFL的開頭實體扇區位址(AD DFL)。
位元組位置32～35的4位元組，係將資料區間中的使用者資料領域的開頭位置、亦即LSN(logical sector number：邏輯扇區位址)“0”的位置，以PSN(physical sector number：實體扇區位址)來表示。
位元組位置36～39的4位元組，係將資料區間中的使用者資料區域的結束位置，以LSN(邏輯扇區位址)來表示。
在位元組位置40～43的4位元組中，係表示了資料區間中的ISA(1層碟片的ISA或2層碟片的層0的ISA)之大小。
在位元組位置44～47的4位元組中，係表示了資料區間中的OSA之大小。
在位元組位置48～51的4位元組中，係表示了資料區間中的ISA(2層碟片的層1的ISA)之大小。
在位元組位置52的1位元組中，係有表示了是否可以使用ISA、OSA來資料改寫的交替領域使用可能旗標。交替領域使用可能旗標，係當ISA或OSA全都被使用之際，就會將其加以表示。
這些以外的位元組位置係為預留(未定義)，全部都被設成00h。
如此，DDS係含有使用者資料領域的位址和ISA、OSA的大小，及交替領域使用可能旗標。亦即，是作為進行資料區間中的ISA、OSA之領域管理用的管理/控制資訊。
接著，在圖4中係圖示缺陷清單DFL的構造。
如圖2所說明，缺陷清單DFL係被記錄在4叢簇的記錄領域中。
於圖4中，作為位元組位置係圖示了，4叢簇的缺陷清單DFL中的各資料內容的資料位置。此外，1叢簇=32扇區=65536位元組，1扇區=2048位元組。
位元組數係表示作為各資料內容之大小的位元組數。
缺陷清單DFL的開頭64位元組係為缺陷清單管理資訊。
在該缺陷清單管理資訊中，係被記錄有，辨識這是缺陷清單之叢簇用的資訊、版本、缺陷清單更新次數、缺陷清單的項目數等之資訊。
又，位元組位置64以後，作為缺陷清單的項目內容，而被記錄有各8位元組的交替位址資訊ati。
然後，有效的最後之交替位址資訊ati#N的後面，緊接著被記錄有作為交替位址資訊尾端的終結元資訊8位元組。
在該DFL中，在交替位址資訊尾端以後，至該叢簇的最後為止，都被填入00h。
64位元組的缺陷清單管理資訊係如圖5所示。
從位元組位置0至2位元組中，係記錄有作為缺陷清單DFL之識別元的字串「DL」。
位元組位置2的1位元組係表示缺陷清單DFL的形式編號。
位元組位置4起的4位元組，係表示缺陷清單DFL更新過的次數。此外，此係為繼承了後述的暫時缺陷清單TDFL之更新次數的值。
位元組位置12起的4位元組，係表示缺陷清單DFL中的項目數，亦即交替位址資訊ati的數目。
位元組位置24起的4位元組，係將交替領域ISA0、ISA1、OSA0、OSA1各個空白領域之大小，以叢簇數表示。
這些以外的位元組位置係為預留，全部都被設成00h。
圖6中係圖示交替位址資訊ati的構造。亦即，是表示已被交替處理過的各項目內容的資訊。
交替位址資訊ati的總數若在1層碟片的情況下，最大是32759個。
1個交替位址資訊ati，係由8位元組(64位元)所構成。將各位元以位元b63～b0的方式表示。
位元b63～b60中，係被記錄著項目的狀態資訊(status 1)。
於DFL中，狀態資訊係被設成「0000」，表示是通常的交替處理項目。
至於其他的狀態資訊值，係在後面說明TDMA中的TDFL之交替位址資訊ati時會說明。
位元b59～b32中係表示，交替來源叢簇的最初之實體扇區位址PSN。亦即，將因缺陷或改寫而被交替的叢簇，藉由其開頭扇區的實體扇區位址PSN而加以表示。
位元b31～b28係為預留。此外，項目中的另一個狀態資訊(status 2)也可被記錄。
位元b27～b0中係表示，交替目標叢簇的開頭之實體扇區位址PSN。
亦即，叢簇因缺陷或改寫而被交替時，將其交替目標之叢簇，藉由其開頭扇區的實體扇區位址PSN而加以表示。
如以上的交替位址資訊ati是被設成1個項目而表示了1個交替處理所涉及的交替來源叢簇與交替目標叢簇。
然後，此種項目，係被逐一登錄在圖4之構造的缺陷清單DFL中。
於DMA中，是以如以上的資料結構，來記錄交替管理資訊。但是，如上述，在DMA中記錄這些資訊，是在將碟片予以封片之際，此時，TDMA中的最新的交替管理資訊，會被反映。
缺陷管理或資料改寫所需的交替處理及其所帶來的交替管理資訊之更新，係於以下說明的TDMA中進行。
[3.TDMA]
接著說明，被設在內圈區間中的TDMA。TDMA(暫時DMA)，係和DMA同樣地是記錄交替管理資訊用的領域，會隨著資料改寫或缺陷被測出而發生交替處理，交替管理資訊會被追加記錄而逐次更新。
圖7中係圖示TDMA的構造。
TDMA的大小係被設為例如2048叢簇。
如圖示，叢簇號碼1的最初叢簇中，係被記錄有層0用的空間位元映像。
所謂空間位元映像，係針對主資料領域的資料區間、及用來將管理/控制資訊予以記錄的領域亦即內圈區間、外圈區間的各叢簇，分別指派了1位元。然後，藉由1位元的值來表示各叢簇是否已被寫入，是被用來當作一種寫入有無提示資訊。
在空間位元映像中，從內圈區間至外圈區間的所有叢簇都被指派了1位元，但該空間位元映像是可以用1叢簇的大小來構成。
叢簇號碼1的叢簇，係為層L0(第1層)用的空間位元映像。叢簇號碼2的叢簇，係為層L1(第2層)用的空間位元映像。雖然未圖示，但若是3層碟片、4層碟片的情況下，則對所定叢簇號碼，準備層L2(第3層)、層L3(第4層)用的空間位元映像。例如係被指派了叢簇號碼3、4等。
於TDMA中，當因資料內容之變更等而有交替處理時，在TDMA內的未記錄區域的開頭之叢簇中，TDFL(暫時缺陷清單)會被追加記錄。因此，在2層碟片的情況下，如圖示，從叢簇號碼3的位置起，會被記錄下最初的TDFL。在1層碟片的情況下，因為層1用的空間位元映像係為不需要，因此是從叢簇號碼2的位置起，記錄最初的TDFL。然後，隨著交替處理的發生，以後係在不會造成空白的叢簇位置，逐次追加記錄TDFL。
TDFL的大小係被設為，從1叢簇起至最大4叢簇。
又，空間位元映像係用來表示各叢簇的寫入狀況，因此有資料寫入發生時就會被更新。此時，新的空間位元映像，係和TDFL同樣地，是從TDMA內的空白領域的開頭起進行。
亦即，在TDMA內，空間位元映像或是TDFL係會隨時都被追記。
此外，空間位元映像及TDFL之構成係如下述，但被設為空間位元映像的1叢簇的最末尾之扇區(2048位元組)及被設為TDFL的1～4叢簇最末尾之扇區(2048位元組)中，係被記錄有光碟的詳細資訊亦即TDDS(暫時DDS(temporary disc definition structure))。
圖8中係圖示空間位元映像之構成。
如上述，空間位元映像，係將碟片上的1叢簇之記錄/未記錄領域以1位元來表示，該位元映像是對叢簇未記錄狀態時所對應的位元，設定為「1」。此外，圖8係作為各層獨立保持資訊之位元映像的例子，而圖示2層碟片的情形。在3層碟片、4層碟片的時候，只要想成是其擴充即可。
在圖8中係作為扇區0～31而圖示了1叢簇內的32扇區。又，位元組位置，係表示扇區內的位元組位置。
開頭的扇區0中係被記錄著空間位元映像的管理資訊。
扇區0的從位元組位置0起算的2位元組中，係作為空間位元映像ID(Un-allocated Space Bitmap Identifier)而被記錄著“UB”。
在位元組位置2的1位元組中係被記錄著格式版本(形式編號)，例如被設為「00h」。
在從位元組位置4起算的4位元組中，係被記錄著層號。亦即表示該空間位元映像是對應於層L0，還是對應於層L1。
在從位元組位置16起算的48位元組中，係被記錄著位元映像資訊(Bitmap Information)。
位元映像資訊，係由對應於內圈區間、資料區間、外圈區間之3個各區間的區間資訊所構成(Zone Information for Inner Zone)(Zone Information for Data Zone)(Zone Information for Outer Zone)。
各區間資訊係由，區間的開始位置(Start Cluster First PSN)、位元映像資料的開始位置(Start Byte Position of Bitmap data)、位元映像資料的大小(Validate Bit Length in Bitmap data)、及預留，分別被設成4位元組的16位元組所構成。
在區間的開始位置(Start Cluster First PSN)中，碟片上的區間的開始位置、亦即將各區間進行位元映像化之際的開始位址，是以PSN(實體扇區位址)來表示。
位元映像資料的開始位置(Start Byte Position of Bitmap data)，係將關於該區間之位元映像資料的開始位置，以從空間位元映像之開頭的Un-allocated Space Bitmap Identifier起算之相對位置的位元組數，所表示而成。
位元映像資料的大小(Validate Bit Length in Bitmap data)，係將該區間之位元映像資料的大小，以位元數來表示。
然後，從空間位元映像的第2扇區(=扇區1)的位元組位置0起，記錄下實際的位元映像資料(Bitmap data)。位元映像資料的大小係為，每1GB是1扇區。
最後的位元映像資料以後的領域係為，直到最終扇區(扇區31)之前都是被設成預留「00h」。
然後，空間位元映像的最終扇區(扇區31)中係被記錄著TDDS。
上記位元映像資訊所作的管理係如下述。
首先說明，作為位元組位置4的層號而表示為層L0的空間位元映像，亦即對1層碟片、或多層碟片的層L0的空間位元映像之情形。
此時，藉由Zone Information for Inner Zone而表示了層L0的內圈區間、亦即引入區間的資訊。
在區間的開始位置(Start Cluster First PSN)中，如實線箭頭所示，表示著內圈區間(此例中係為引入區間)的開始位置的PSN。
在位元映像資料的開始位置(Start Byte Position of Bitmap data)中，如虛線所示，係表示了在該當空間位元映像內的內圈區間所對應之位元映像資料之位置(表示扇區1之位元組位置0用的資訊)。
位元映像資料的大小(Validate Bit Length in Bitmap data)，係表示了內圈區間用的位元映像資料之大小。
在Zone Information for Data Zone中，係表示了層L0的資料區間之資訊。
在區間的開始位置(Start Cluster First PSN)中，如實線箭頭所示，表示著資料區間的開始位置的PSN。
在位元映像資料的開始位置(Start Byte Position of Bitmap data)中，如虛線所示，係表示了在該當空間位元映像內的資料區間所對應之位元映像資料之位置(表示扇區2之位元組位置0用的資訊)。
位元映像資料的大小(Validate Bit Length in Bitmap data)，係表示了資料區間用的位元映像資料之大小。
藉由Zone Information for Outer Zone而表示了層L0的外圈區間(例如1層碟片的引出區間等)的資訊。
在區間的開始位置(Start Cluster First PSN)中，如實線箭頭所示，表示著外圈區間的開始位置的PSN。
在位元映像資料的開始位置(Start Byte Position of Bitmap data)中，如虛線所示，係表示了在該當空間位元映像內的外圈區間所對應之位元映像資料之位置(表示扇區N之位元組位置0用的資訊)。
位元映像資料的大小(Validate Bit Length in Bitmap data)，係表示了外圈區間用的位元映像資料之大小。
至於層L1等的第2層以後的記錄層的空間位元映像，也是進行同樣的管理。例如在關於層L1的空間位元映像中，係一點鎖線的箭頭所示，進行著關於層L1的內圈區間、資料區間、外圈區間之管理。
接著說明TDFL(暫時DFL)之構成。如上記，TDFL係於TDMA中被記錄在空間位元映像後續的空白區域，每次更新時就被追記在空白區域的開頭。
圖9中係圖示TDFL之構成。
TDFL係由1～4叢簇所構成。其內容係與圖4的DFL相較可知，開頭的64位元組是被設為缺陷清單管理資訊，位元組位置64以後則是被記錄有各8位元組的交替位址資訊ati這點，以及最後之交替位址資訊ati#N的下一8位元組是被設為交替位址資訊尾端，是相同的。
但是，於1～4叢簇的TDFL中，係在該最後扇區的2048位元組中記錄著暫時DDS(TDDS)，這點是與DFL不同。
此外，TDFL的情況下，直到交替位址資訊尾端所隸屬之叢簇的最終扇區的前面為止，都被填入00h。然後，在最終扇區裡記錄著TDDS。若交替位址資訊尾端是屬於叢簇之最終扇區的情況下，則直到下一叢簇的最終扇區之前都被填入0，而在最終扇區中會記錄TDDS。
64位元組的缺陷清單管理資訊，係和圖5所說明過的DFL之缺陷清單管理資訊相同。
只不過，作為從位元組位置4起算的4位元組的缺陷清單更新次數，係記錄著缺陷清單的流水號。藉此，最新的TDFL中的缺陷清單管理資訊的流水號，就代表了缺陷清單更新次數。
又，從位元組位置12起算的4位元組之缺陷清單DFL中的項目數，亦即交替位址資訊ati的數目，或從位元組位置24起算的4位元組之交替領域ISA0、ISA1、OSA0、OSA1之各自的空白領域之大小(叢簇數)，係被記錄下該TDFL更新時點的值。
TDFL中的交替位址資訊ati的構造，也是和圖6所示DFL中的交替位址資訊ati之構造相同，交替位址資訊ati是被設成1個項目而表示了1個交替處理所涉及的交替來源叢簇與交替目標叢簇。然後，此種項目，係被逐一登錄在圖9之構造的暫時缺陷清單TDFL中。
但是，作為TDFL的交替位址資訊ati的狀態1，係除了「0000」以外，有時候會是「0101」「1010」。
狀態1變成「0101」「1010」的情況是，將實體上連續的複數叢簇整批進行了交替處理之際，將該複數叢簇整批進行交替管理(爆發式傳輸管理)的情形。
亦即，當狀態1是「0101」時，該交替位址資訊ati的交替來源叢簇的開頭實體扇區位址和交替目標叢簇的開頭實體扇區位址，係表示關於實體上連續之複數叢簇的開頭叢簇的交替來源、交替目標。
又，當狀態1是「1010」時，該交替位址資訊ati的交替來源叢簇的開頭實體扇區位址和交替目標叢簇的開頭實體扇區位址，係表示關於實體上連續之複數叢簇的最後叢簇的交替來源、交替目標。
因此，當將實體上連續的複數叢簇整批進行交替管理時，係不需要將複數個的全部叢簇1個個地將交替位址資訊ati作成項目，只要將關於開頭叢簇與尾端叢簇的2個交替位址資訊ati作成項目即可。
在TDFL中，係如以上所述，基本上是和DFL同樣構造，但大小可擴充至4叢簇，最後扇區中被記錄有TDDS，作為交替位址資訊ati是可進行爆發傳輸管理等，係具有特徵。
在TDMA中係如圖7所示記錄有空間位元映像和TDFL，但如上記在空間位元映像及TDFL的作為最後扇區的2048位元組中，係被記錄有TDDS(temporary disc definition structure)。
該TDDS的構造係示於圖10。
TDDS係由1扇區(2048位元組)所構成。然後，含有和上述DMA中的DDS相同之內容。此外，DDS係為1叢簇(65536位元組)，但如圖3所說明，在DDS中有進行實質內容意義的，是到位元組位置52為止。亦即，在1叢簇的開頭扇區內是被記錄著實質的內容。因此，即使TDDS是1扇區，也能包含DDS內容。
由圖10和圖3相較可知，TDDS係為，位元組位置0～53為止是和DDS相同的內容。只不過，從位元組位置4係為TDDS流水號，從位元組位置16起係為TDMA內的驅動區域開始實體位址，從位元組位置24起係為TDMA內的TDFL之開始實體位址(AD DFL)。
TDDS的位元組位置1024以後係記錄著，DDS中所沒有的資訊。
從位元組位置1024起算的4位元組中，係被記錄著使用者資料領域中的被記錄有資料的最外緣之實體扇區位址PSN。
從位元組位置1028起算的4位元組中，係被記錄著TDMA內的最新之層L0用的空間位元映像的開始實體扇區位址(AD BP0)。
從位元組位置1032起算的4位元組中，係被記錄著TDMA內的最新之層L1用的空間位元映像的開始實體扇區位址(AD BP1)。
位元組位置1036的1位元組，係被記錄著用來控制覆寫機能之使用所需的旗標。
這些位元組位置以外的位元組係為預留，其內容係全部為00h。
只不過，例如3層碟片的情況下，預留內的所定位元組位置係被決定，而被記錄著TDMA內的最新之層L2用的空間位元映像的開始實體扇區位址(AD BP2)。
又在4層碟片的情況下，各個預留內的所定位元組位置係被決定，而被記錄著TDMA內的最新之層L2用的空間位元映像的開始實體扇區位址(AD BP2)、及最新之層L3用的空間位元映像的開始實體扇區位址(AD BP3)。
然後，於該圖10中被當作預留的任一位置上，以各4位元組，記錄著關於各層中的OPC區域的，下個OPC動作執行可能位址(Next available Ln OPC Address)。亦即，是下個要使用來作為OPC動作之部分的位址。
例如，在3層碟片的情況下，如後述，層L0、L1、L2中所被設置的各OPC區域中的未使用部分(還有尚未執行OPC動作之部分)的開頭位址，通常是被當成下次使用之部分的位址，而以各4位元組加以描述。
又在4層碟片的情況下，如後述，層L0、L1、L2、L3中所被設置的各OPC區域中的未使用部分的開頭位址，通常是被當成下次使用之部分的位址，而以各4位元組加以描述。
只不過，雖然之後圖26的例子中會說明，但作為下次使用部分之位址的「Next available Ln OPC Address」，係有時也會被變更成，並非未使用部分之開頭的位置。
如此，TDDS係含有使用者資料領域的位址和ISA、OSA的大小，及交替領域使用可能旗標。亦即，是作為進行資料區間中的ISA、OSA之領域管理用的管理/控制資訊。這點是和DDS相同。
然後還具有用來表示有效之最新空間位元映像之位置的資訊(AD BP0、AD BP1、(還有AD BP2、AD BP3))，而且還具有用來表示有效之最新暫時DFL(TDFL)之位置的資訊(AD DFL)。
還具有用來表示各層之OPC區域的未使用部分的、下個OPC動作執行可能位址(Next available Ln OPC Address)。
該TDDS，係被記錄在空間位元映像及TDFL的最終扇區，因此每當空間位元映像或TDFL被追加時，就會記錄下新的TDDS。因此，在圖7的TDMA內，最後被追加的空間位元映像或TDFL內的TDDS係為最新的TDDS，其中係表示了最新的空間位元映像及TDFL。
簡單說明TDMA的更新。
使用圖1所示交替領域ISA、OSA的交替處理，係進行如下。以資料改寫時為例。例如，對於使用者資料領域中的已經進行過資料記錄的叢簇，發生資料寫入，亦即改寫之要求。此時，由於是一次寫入型碟片因此無法對該叢簇進行寫入，所以其改寫資料係會被寫入至ISA或OSA內的某個叢簇。這就是交替處理。
該交替處理係以上記交替位址資訊ati的項目而被管理。亦即，原本進行過資料記錄的叢簇位址是被當成交替來源，ISA或OSA內寫入改寫資料的叢簇位址是被當成交替目標，而將1個交替位址資訊ati作成項目。
亦即，資料改寫的時候，係將改寫資料記錄在ISA或OSA中，且該當改寫所致之資料位置的交替，是以TDMA內的TDFL中的交替位址資訊ati來加以管理，藉此，即使是一次寫入型的碟片，仍可實質地(例如從主機系統的OS、檔案系統等來看)實現資料改寫。
缺陷管理時也是同樣地，當某個叢簇被設成缺陷領域時，原本應寫入該處的資料，係藉由交替處理而被寫入至ISA或OSA內的某個叢簇。然後，為了該交替處理之管理，1個交替位址資訊ati會被作成項目。
又，隨著記錄動作(叢簇之消耗)，也會進行空間位元映像的更新。
如此，TDMA係隨著資料寫入或交替處理，而會隨時更新空間位元映像或TDFL。然後，在封片之際，最新的TDMA之內容會被記錄在INFO內的DMA中，管理資訊就被固定。
此外，在3層碟片、4層碟片等之多層碟片中，係如後述在各記錄層的全部或部分，配置TDMA，但它們係會一面被依序耗盡而一面被使用於TDFL/空間位元映像的更新。藉此，就可將各記錄層的TDMA合起來當作1個大的TDMA來使用，可有效率地活用複數TDMA。
又，可無關於各層的TDMA，單純只找尋所被記錄的最後之TDDS，就可掌握有效的TDFL/空間位元映像。
又，雖然圖7中沒有圖示，但為了判別最新的TDMA，只有開頭的TDMA(例如後述的TDMA#1)，係TDMA內的最初之所定叢簇數是被當成TDMA存取指示元來使用。
現在若假設碟片全體中設有TDMA0～TDMA11的12個TDMA，則開頭之TDMA0的最初之12叢簇是被當作TDMA存取指示元，分別是表示TDMA1～11、及DMA的記錄中之資訊。
在開頭的TDMA0的使用中，TDMA存取指示元中係不會記錄任何東西。TDMA0全部都被使用，而開始使用TDMA1時，則TDMA存取指示元的最初叢簇(對應於TDMA1)裡，係全部記錄例如「00h」資料。又，當TDMA1全部都被使用，而開始使用TDMA2時，則TDMA存取指示元的第2個叢簇(對應於TDMA2)裡，係全部記錄「00h」資料。藉由使用TDMA存取指示元，當碟片在裝填等時候，會對最初的TDMA0進行存取，讀取TDMA存取指示元，碟片驅動裝置就可獲知該時點上被記錄最新TDMA資料的TDMA。或著若TDMA存取指示元的12叢簇全部都被記錄成「00h」，則可獲知DMA已經被記錄。
[4.複數層碟片/現行2層碟片的內圈區間]
接著以圖11來說明複數層碟片的層構造。
圖11(a)係針對現行的2層碟片，圖11(b)(c)係針對實施形態的3層碟片及4層碟片，模式性圖示層構造。
圖11(a)(b)(c)的各碟片中，係具備約1.1mm厚的碟片基板201。碟片基板201係例如藉由聚碳酸酯樹脂的射出成形而被成形。在射出成形用的模具內設置印模，就可以轉印有凹軌形狀的狀態而加以形成。
2層碟片的情況下，如圖11(a)所示，在基板201上形成有第1層(層L0)，然後隔著中間層204而形成有第2層(層L1)。然後在第2層(層L1)上形成有透光層203。
透光層203的表面側係作為雷射入射面。
透光層203係被形成來作為保護光碟之目的。資訊訊號的記錄再生，係例如雷射光通過透光層203而被聚光在層L0或L1而進行。
透光層203係例如由紫外線硬化樹脂的旋轉塗佈及紫外線照射的硬化而形成。又，亦可使用紫外線硬化樹脂與聚碳酸酯薄片，或接著劑與聚碳酸酯薄片來形成透光層203。
透光層203，係為100μm程度的厚度，與約1.1mm的基板201合算，光碟全體的厚度係為約1.2mm。
圖11(b)的3層碟片係作為記錄層而具備有層L0、L1、L2之3層。
此時也是，在基板201上，層L0、L1、L2是分別隔著中間層204而被形成。
圖11(c)的4層碟片係作為記錄層而具備有層L0、L1、L2、L3之4層。此時也是，在基板201上，層L0、L1、L2、L3是分別隔著中間層204而被形成。
於圖11(a)(b)(c)中，各中間層204係例如將具有紫外線感光性的透光層材料以旋轉塗佈法而被旋轉塗佈，藉由紫外線照射而硬化形成。
從多層光碟記錄媒體中記錄再生資訊訊號的情況下，該中間層204的配置與膜厚，係以抑制層間串音為目的而被設定。
3層碟片的情況下，層L2係位於從雷射入射面起算50μm前後之位置。又，當4層碟片的情況下，則調整中間層204的厚度，使層L3位於從雷射入射面起算50μm前後之位置。
圖11(b)的3層碟片係例如由以下的程序(ST1～ST7)所製造。
(ST1)使用層L0用的印模藉由射出成形而作成被轉印有層L0之凹軌圖案的碟片基板201。
(ST2)在L0用凹軌圖案上以印模等將記錄膜予以成膜，形成層L0。
(ST3)在層L0上以旋轉塗佈法將樹脂予以延展，一面按壓層L1用的印模一面使樹脂硬化。藉此，形成了被轉印有層L1之凹軌圖案的中間層204。
(ST4)在L1用凹軌圖案上以印模等將記錄膜予以成膜，形成層L1。
(ST5)在層L1上以旋轉塗佈法將樹脂予以延展，一面按壓層L2用的印模一面使樹脂硬化。藉此，形成了被轉印有層L2之凹軌圖案的中間層204。
(ST6)在L2用凹軌圖案上以印模等將記錄膜予以成膜，形成層L2。
(ST7)以旋轉塗佈及硬化、或薄片接著等手法，形成透光層203。
藉由以上的工程，製造了3層碟片。
在4層碟片的情況下，加上層L3所需的工程，例如以下面的程序(ST11～ST19)而製造。
(ST11)使用層L0用的印模藉由射出成形而作成被轉印有層L0之凹軌圖案的碟片基板201。
(ST12)在L0用凹軌圖案上以印模等將記錄膜予以成膜，形成層L0。
(ST13)在層L0上以旋轉塗佈法將樹脂予以延展，一面按壓層L1用的印模一面使樹脂硬化。藉此，形成了被轉印有層L1之凹軌圖案的中間層204。
(ST14)在L1用凹軌圖案上以印模等將記錄膜予以成膜，形成層L1。
(ST15)在層L1上以旋轉塗佈法將樹脂予以延展，一面按壓層L2用的印模一面使樹脂硬化。藉此，形成了被轉印有層L2之凹軌圖案的中間層204。
(ST16)在L2用凹軌圖案上以印模等將記錄膜予以成膜，形成層L2。
(ST17)在層L2上以旋轉塗佈法將樹脂予以延展，一面按壓層L3用的印模一面使樹脂硬化。藉此，形成了被轉印有層L3之凹軌圖案的中間層204。
(ST18)在L3用凹軌圖案上以印模等將記錄膜予以成膜，形成層L2。
(ST19)以旋轉塗佈及硬化、或薄片接著等手法，形成透光層203。
藉由以上的工程，製造了4層碟片。
此物，為了與後述的實施形態之3層碟片、4層碟片做比較，針對現行的2層碟片的內圈區間的佈局，以圖12來說明。
內圈區間係為半徑位置21.0mm～24.0mm之範圍。
BCA係從半徑位置21.0mm起被形成。
於各層L0、L1中，為了使BCA、和進行管理資訊記錄再生之領域之間保持分離之目的，保護區間PZ1是從半徑位置22.2mm起被設置。
於層L0中，係如上述，以搖擺凹軌而被記錄下再生專用之管理資訊的PIC，係被形成在半徑位置22.5mm～約23.1mm之範圍。
在層L0中，直到該PIC為止係為再生專用領域。
然後，從PIC起朝向外緣側而到半徑24.0mm為止的範圍中，係依序配置了保護區間PZ2、緩衝區域BUF、INFO#2、OPC(L0)、TDMA#1、INFO#1。
於層L1中，係在半徑位置22.5mm～約24.0mm的範圍中，係依序配置了緩衝區域BUF、OPC(L1)、預留區域RSV、INFO#4、TDMA#2、預留區域RSV、INFO#3。
此外，緩衝區域BUF係為不被使用於管理資訊之記錄再生的區域。又，預留區域RSV係為，現狀下未被使用，但將來有可能用於管理資訊之記錄再生的區域。
又，作為試寫區域的OPC區域係被設在各層，但在內圈區間內之區域的說明中，標記為「OPC(Lx)」，意思是「位於層Lx的OPC區域」。
關於TDMA、INFO係標示#1～#n來表示，但無論其所被配置的層為何，是將它們全體當作1個TDMA、1個INFO之領域來使用。
[5.實施形態的3層碟片的內圈區間]
說明實施形態的3層碟片的內圈區間。
該3層碟片，係藉由記錄密度的高密度化而實現每1層約33GB。此時必須要有適切的內圈區間佈局。
首先說明，實施形態的3層碟片的開發時所必須留意的重點P1～P6。
(P1)錨定位置係為固定。
有鑑於現行的2層碟片，考慮到碟片驅動裝置的內圈區間的使用性或相容性。因此，圖12的箭頭F所標示的位置，亦即BCA尾端(半徑22.2mm位置)、保護區間PZ1尾端(半徑22.5mm位置)、內圈區間尾端(半徑24.0mm位置)係為固定。
亦即，PIC、OPC、TDMA等之配置，係在半徑22.5mm～半徑24.0mm的範圍內為之。只不過，由於2層碟片與3層碟片、4層碟片的資料線密度之差異，導致半徑位置會發生若干變動。
(P2)各層的OPC區域係在層方向上不相互重疊。
這是為了要能適切進行OPC動作。若對記錄層進行記錄，則記錄層會發生穿透率變化，而且其穿透率變化係具有記錄功率依存性。如此一來，在OPC區域這種一面改變記錄功率一面進行記錄的地點，會發生多樣性的穿透率變化。然後，若某個OPC區域是在層方向上重疊於其他OPC區域而存在，則從雷射入射面往深入側(碟片基板201側)的OPC區域中就有可能無法進行適切的OPC動作。
例如，當與OPC(L1)重疊而存在OPC(L0)時，在OPC(L1)中一面改變雷射功率一面進行OPC動作，導致OPC(L1)的穿透率是在每個部分都有變動。如此一來，其後對於深處的OPC(L0)，因為OPC(L1)的穿透率變化之影響，導致無法以目的功率來照射雷射。又，對OPC區域有時候也會以過大功率進行雷射照射，導致記錄層受到損傷之情形。
由於這些原因，若OPC在層方向上重疊，則在碟片基板201側的OPC上的動作，就會發生問題。因此，各層的OPC區域必須要在層方向上不相互重疊。
(P3)承襲現行的2層碟片的管理資訊容量。
PIC係和現行的1層碟片、2層碟片同樣地做5重寫入，只要至少位於1個記錄層即可。
例如圖12所示的2層碟片的PIC，係為了資訊的安全性、讀取的確實化，因此是將同一資訊重複記錄了5次。在3層碟片中也承襲這點。因此，PIC的半徑範圍，係隨著5次記錄份的資料量而決定。
又，TDMA係每1層有2048叢簇，OPC區域也是各層有2048叢簇，這點也是承襲。這是為了不改變TDMA或OPC的使用性。
因此，在3層碟片的情況下，TDMA總計確保了2048×3=6144叢簇。OPC區域，係在各層中分別確保2048叢簇。
此外，TDMA的更新係伴隨記錄動作，因此例如記錄動作之前會先在OPC區域中進行記錄雷射功率調整之裝置的情況下，隨著碟片的排片動作，而會頻繁地執行TDMA更新，同樣地會消耗掉OPC區域。因此，TDMA的容量係儘可能地在能夠配置的各層中均等配置。
(P4)從OPC區域往碟片基板201側，管理資訊記錄再生領域係不重疊配置。
此處所謂「管理資訊記錄再生領域」，係在內圈區間內進行管理/控制資訊之記錄再生之領域的總稱。亦即，INFO、TDMA、預留區域RSV係為管理資訊記錄再生領域。此外，預留區域RSV係將來有可能進行管理資訊之記錄再生，因此也被包含在管理資訊記錄再生領域。
PIC係為再生領域，因此不包含在管理資訊記錄再生領域。又，緩衝區域BUF、保護區間PZ2，係不進行記錄及再生，因此不包含在管理資訊記錄再生領域。
從OPC區域往碟片基板201側不重疊配置管理資訊記錄再生領域，係為了使管理資訊記錄再生領域能夠適切進行記錄再生。
如上述，OPC區域係會不定地發生穿透率變化。因為該影響，若從OPC區域往碟片基板201側有管理資訊記錄再生領域重疊存在，則無法對該管理資訊記錄再生領域照射適切光量的雷射，其記錄再生動作就會變得不穩定。於是，在OPC區域的碟片基板201側，係不配置TDMA等之管理資訊記錄再生領域。
(P5)從OPC區域往雷射入射面側，係僅容許有1個管理資訊記錄再生領域。
如上述，隨著對記錄層的記錄再生，會產生穿透率變化。因此為了確實的OPC動作，在從OPC區域往雷射入射面側上，最好不要有會進行記錄的領域。可是，在現行的2層碟，片中則是容許的。例如圖12的從OPC(L0)往雷射入射面側，係配置有TDMA#2。
這是因為，管理資訊記錄再生領域係以適切的雷射功率而進行記錄再生，因此其穿透率變化係在預測範圍內，對於深側的OPC區域中的試寫不太會造成影響。
可是若考慮3層碟片、4層碟片等之多層碟片，則有可能發生2個以上的管理資訊記錄再生領域被配置在從OPC區域往雷射入射面側。複數管理資訊記錄再生領域彼此重疊，各自進行記錄、或是保持未記錄狀態的話，從位於其深側的OPC區域來看得穿透率，就會無法預測。
於是，從OPC區域往雷射入射面側，不要重複配置2個以上的管理資訊記錄再生領域。
(P6)1個層中的2個INFO係要間隔150μm以上。
1個層中的2個INFO，因為被規定要保持一容許缺陷尺寸亦即150μm以上之距離，所以遵從之。
留意以上重點P1～P6而針對3層碟片(BD-R)所開發出來的內圈區間佈局，係如圖13所示。此外，圖14中係標示了各區域的開始半徑位置與叢簇數。
於層L0中，接續於BCA、保護區間PZ1，而在外緣側配置有PIC。PIC係遵照上記重點P3，是相應於5重寫入資料量的大小。BCA、保護區間PZ、PIC係為再生專用領域。
然後，接續於PIC，往外緣側配置有保護區間PZ2、緩衝區域BUF、INFO#2、OPC(L0)、TDMA#1、INFO#1。
在層L1中，只有BCA、保護區間PZ1是再生專用領域。然後，接續於保護區間PZ1而往外緣側，配置有緩衝區域BUF、OPC(L1)、預留區域RSV、INFO#4、TDMA#2、預留區域RSV、INFO#3。
在層L2中也是，只有BCA、保護區間PZ1是再生專用領域。然後，接續於保護區間PZ1而往外緣側，配置有緩衝區域BUF、OPC(L2)、預留區域RSV、INFO#6、TDMA#3、緩衝區域BUF、INFO#5。
各區域的半徑位置及叢簇數係請參照圖14。
該圖13的內圈區間佈局，係有考慮到上記重點P1～P6。
針對重點P1，BCA、保護區間PZ1、內圈區間尾端係被固定，然後PIC、OPC、TDMA、INFO等，是在半徑22.5mm～半徑24.Omm的範圍內為之。
作為重點P3，PIC容量、TDMA容量、OPC大小，係被承襲。
作為重點P6，層L0的INFO#1與INFO#2之間、層L1的INFO#3與INFO#4之間、層L2的INFO#5與INFO#6之間，係分別隔開150μm以上。
作為重點P2，OPC區域係在層方向上不重疊。
如圖13所示，OPC(L2)與OPC(L1)，係在半徑方向上保持離間距離G1而不重疊之狀態。
又，OPC(L1)與層L0的INFO#2之間係有離間距離G2，因此OPC(L1)與OPC(L0)也是在半徑方向上保持離間距離G2以上而不重疊之狀態。
該離間距離G1、G2，係當例如圖14之半徑位置設定之例子的情況下，係為222μm。
說明藉由保持離間距離G1、G2而設定配置，使得OPC區域可以在層方向上不重疊。
如上述，將層L0、L1、L2之軌跡加以形成的凹軌圖案，係分別在碟片基板201的作成時、中間層204形成時，就分別藉由對應的印模而加以成形。因此，成為軌跡的凹軌圖案的中心點係難以完全一致，而容許有所定之公差。
如圖15(a)所示，各記錄層的偏芯量最大可容許75μm。又，作為半徑位置精度，作為各記錄層之半徑24mm位置的誤差，在絕對值上最大容許100μm。例如，以層L0的半徑24mm位置為基準，其他層的半徑24mm位置，係只要在100μm以內的誤差即可。
如此一來，各記錄層彼此的位置偏差，最糟情況下係為175μm。
可是，還必須要考慮到散焦。如圖15(b)所示，3層碟片的最靠雷射入射面側的記錄層亦即層L2，係從層L0遠離了50μm弱。例如假設為46.5 μm。如此一來，當對層L0合焦狀態而對層L0進行記錄時，在層L2中，半徑29μm的範圍會是雷射照射範圍。
若考慮以上這點，則若沒有200μm以上的離間距離，則還是有可能發生OPC區域之重疊。
於是，在本例中係如圖13、圖14所示般地配置各區域，藉此以各自確保了222μm來作為離間距離G1、G2。
如此一來，OPC(L2)與OPC(L1)，即使當層L1、L2是在容許範圍內錯開最大極限而被形成的情況下，在層方向上仍不會重疊。OPC(L1)與OPC(L0)也同樣地，在最糟情況下仍不會重疊。
因此，可完全滿足重點P2，可保證在各OPC區域中進行適切的OPC動作。
重點P4，亦即從OPC區域往碟片基板201側，管理資訊記錄再生領域係不重疊配置這點，也被滿足。
如圖13所示，在OPC(L2)的碟片基板201側，配置有層L1的緩衝區域BUF、和層L0的PIC，沒有管理資訊記錄再生領域存在。
又，在OPC(L1)的碟片基板201側，配置有層L0的PIC、保護區間PZ2、緩衝區域BUF，沒有管理資訊記錄再生領域存在。然後，即使層L1、L0間發生上記公差內最大偏移時，由於離間距離G2有222μm，因此在OPC(L1)的碟片基板201側，不會有INFO#2位於該處。
因此，在OPC區域的深處(碟片基板201側)不會被配置管理資訊記錄再生領域，不會隨著OPC區域之記錄狀況而導致管理資訊記錄再生領域之記錄再生動作發生不穩定。
重點P5，亦即從OPC區域往雷射入射面側，係僅容許有1個管理資訊記錄再生領域這點，也被滿足。
此點會造成問題的是，從層L0的OPC(L0)來看的層L1、L2之配置。這是因為，從OPC(L1)、OPC(L2)往雷射入射面側，是不可能配置2個以上的管理資訊記錄再生領域。
從OPC(L0)往雷射入射面側，係配置有層L1的TDMA#2、及層L2的緩衝區域BUF。因此，從OPC(L0)往雷射入射面側的管理資訊記錄再生領域，係只有TDMA#2。
即使有公差容許最大偏移的情況下，層L1的INFO#4、預留區域RSV有可能與OPC(L0)在層方向上重疊。可是，由於離間距離G2是222μm，因此層L2的TDMA#3與OPC(L0)在層方向上不會重疊。再者，圖13的離間距離G3，在圖14的設定時係為235μm。如此一來，層L2的INFO#5與OPC(L0)在層方向上也不會重疊。
因此，即使在許容公差內的最糟狀態下，從OPC區域往雷射入射面側，係不會存在有2個以上的管理資訊記錄再生領域。
如以上，本例的3層碟片，係設計成例如圖13、圖14所示的內圈區間佈局，就成了滿足重點P1～P6之條件的適切佈局。
將本例的3層碟片之要點整理如下。
‧在碟片基板201上，記錄層被設置3層(層L0～L2)，然後在雷射入射面側形成有透光層203而成的複數層碟片的可記錄型碟片。
‧在各記錄層(層L0～L2)中，雷射功率控制所需的測試區域(OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2))，是分別被設置在比用來記錄使用者資料之資料區間更為內緣側的內圈區間。
‧各記錄層(層L0～L2)的測試區域(OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2))是被配置成，彼此在層方向上互不重疊。
‧在各記錄層(層L0～L2)的內圈區間中係被設置有，進行管理資訊之記錄及再生的管理資訊記錄再生領域。
‧對於各記錄層的測試區域之每一者(OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2))，從測試區域往雷射入射面側，在層方向上重疊的管理資訊記錄再生領域係為1個以下的方式，來配置管理資訊記錄再生領域。
‧管理資訊記錄再生領域，係對於各記錄層的測試區域(OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2))，在碟片基板201側中，在層方向上互不重疊而配置。
順便一提，圖13的例子係表示了屬於一次寫入型碟片的BD-R。若是可複寫型碟片的BD-RE時，則只要如圖16般地設定內圈區間佈局即可。
該圖16，係將圖13的TDMA改成預留區域RSV而成的佈局。各區域的大小係和圖14相同。只要將圖14中的TDMA之位置想成預留區域RSV即可。
如上述，TDMA係為，直到最終封片處理為止的資料改寫、為了交替處理而依序更新TDFL或空間位元映像等時候，會被使用。若是可資料改寫的可複寫型碟片，則只要直接寫入INFO內的DMA即可，因此不需要TDMA。
於是，只要設計成如圖16所示般地將圖13的TDMA改成預留區域RSV而成的佈局即可。當然，重點P1～P6之條件係被滿足。
藉由如此的內圈區間佈局，在BD-RE中也可適切進行內圈區間中的試寫或管理資訊之記錄再生。
[6.實施形態的4層碟片的內圈區間]
接著說明實施形態的4層碟片的內圈區間。
該4層碟片，係藉由記錄密度的高密度化而實現每1層約32GB。此時必須要有適切的內圈區間佈局。
實施形態的4層碟片的開發時所必須留意的重點，係和上記重點P1～P6相同。可是，在4層碟片的情況下，因為以下理由，所以無法單純地滿足重點PI～P6。
首先，在4層的情況下仍要遵從重點P1，PIC、OPC、TDMA等之配置，係在半徑22.5mm～半徑24.0mm的範圍內為之。又，依照重點P3，OPC區域或TDMA等之容量係同樣地加以確保。
亦即，OPC區域係為各層有2048叢簇。
TDMA係為每1層有2048叢簇，因此配置位置是在任何記錄層均可，但全體而言係要確保2048×4=8192叢簇。又，TDMA係於可配置之記錄層中，儘可能地配置成容量均等。
順便一提，若以此為前提而不變，則OPC區域彼此間的離間距離G1、G2就難以確保200μm以上。
如此一來，重點P2的OPC區域在層方向上不重疊之條件，即使各層的偏移是在公差內，仍會發生無法保證的情形。亦即，會發生無法滿足重點P2的情形。
於是，4層碟片的情況下，是以OPC配對的思考方式，以及縮小公差的思考方式來對應之。
首先以圖17先來說明作為本例之4層碟片(BD-R)而開發的內圈區間佈局。此外，圖18中係標示了各區域的開始半徑位置與叢簇數。
於層L0中，接續於BCA、保護區間PZ1，而在外緣側配置有PIC。PIC係遵照上記重點P3，是相應於5重寫入資料量的大小。BCA、保護區間PZ、PIC係為再生專用領域。
然後，接續於PIC，往外緣側配置有保護區間PZ2、緩衝區域BUF、INFO#2、OPC(L0)、緩衝區域BUF、INFO#1。
在層L1中，只有BCA、保護區間PZ1是再生專用領域。然後，接續於保護區間PZ1而往外緣側，配置有緩衝區域BUF、OPC(L1)、INFO#4、TDMA#1、緩衝區域BUF、INFO#3。
在層L2中也是，只有BCA、保護區間PZ1是再生專用領域。然後，接續於保護區間PZ1而往外緣側，配置有緩衝區域BUF、INFO#6、TDMA#2、緩衝區域BUF、OPC(L2)、TDMA#3、INFO#5。
在層L3中也是，只有BCA、保護區間PZ1是再生專用領域。然後，接續於保護區間PZ1而往外緣側，配置有OPC(L3)、緩衝區域BUF、INFO#8、TDMA#4、INFO#7。
各區域的半徑位置及叢簇數係請參照圖18。
此情況下，首先，重點P1、P3、P6係直接滿足。
針對重點P1，BCA、保護區間PZ1、內圈區間尾端係被固定，然後PIC、OPC、TDMA、INFO等，是在半徑22.5mm～半徑24.0mm的範圍內為之。
作為重點P3，PIC容量、TDMA容量、OPC大小係被承襲。
此外，TDMA係於可配置的層L1、L2、L3容量均等地配置，但這點係當作追加的重點P7、P8而於後述。
作為重點P6，層L0的INFO#1與INFO#2之間、層L1的INFO#3與INFO#4之間、層L2的INFO#5與INFO#6之間、層L3的INFO#7與INFO#8之間，係分別隔開150μm以上。
以下說明，對於重點P2(OPC區域不重疊)、P4(從OPC區域往碟片基板201側不配置管理資訊記錄再生領域)、P5(從OPC區域往雷射入射面側係不配置2個以上的管理資訊記錄再生領域)的對應。
首先說明，圖17所示的第一OPC配對、第二OPC配對這種OPC配對的思考方式。
圖19中係圖示了各層的OPC區域。
此外，在本例的4層碟片中是想定為，採用所謂的反向軌跡路徑(Opposite Track Path)。其係記錄再生的行進方向(位址的行進方向)是在層L0中係為內緣→外緣、在層L1中係為外緣→內緣、在層L2中係為內緣→外緣、在層L3中係為外緣→內緣的方式，是一種交互反轉的軌跡路徑。圖19中係以箭頭OTP而圖示了軌跡路徑方向。
此外，在所有的層中記錄再生方向為內緣→外緣者，稱作平行軌跡路徑，但以下所述的本實施形態之思考方式，係亦可採用平行軌跡路徑。
如圖19所示，於內圈區間中被配置在外緣側的2個OPC區域亦即OPC(LO)、OPC(L2)，稱作第一OPC配對。
又，被配置在內緣側的2個OPC區域亦即OPC(L1)、OPC(L3)，稱作第二OPC配對。
OPC區域係被規定為，從與記錄再生方向(軌跡路徑)相反方向開始而被消耗。這是因為，在OPC區域中，以非常高的雷射功率來進行試寫，有時會造成部分性損傷，若從位址較小者開始使用，則OPC時有可能無法存取到OPC執行位置。
因此，試寫時所使用的每一所定扇區中，係從位址較大者開始使用。圖中的箭頭OU，係表示OPC區域的消耗方向。
因此，在反向軌跡路徑的情況下，OPC(L0)、OPC(L2)係從外緣側起依序每次消耗所定扇區，OPC(L1)、OPC(L3)係從內緣側起依序每次消耗所定扇區。
配對內的2個OPC區域，其消耗方向OU是相同的。
於是，關於各配對內的2個OPC區域，係考慮外觀上的離間距離。亦即關於OPC(L0)、OPC(L2)的離間距離AB1、及關於OPC(L1)、OPC(L3)的離間距離AB2。
所謂外觀上的離間距離AB1、AB2，係在OPC區域內接下來使用之部分(下個OPC動作中將消耗之位置)的開頭的離間距離。通常係為，OPC區域內尚未消耗的未使用部分的開頭的離間距離。此外，所謂「接下來使用之部分」的開頭，係於上述的TDDS中，表示成OPC動作執行可能位址(Next available Ln OPC Address)的位址。
例如，於各OPC區域中，箭頭OU之長度所表示的部分，是已經在OPC動作中被消耗的情況下，外觀上的離間距離AB1、AB2，係如圖所示。
若能確保外觀上的離間距離AB1、AB2，則隨著OPC區域的使用方式，可獲得一能夠達成上記重點P2(OPC區域不重疊)之目的的實際上之離間距離。
例如，於圖19的第一OPC配對中，OPC(L0)、OPC(L2)係如箭頭OU所示而被消耗時，接下來使用的OPC位置就不會重疊。可是，若考慮最大公差，且例如OPC(L2)的消耗量是相對於OPC(L0)顯著較多時，則OPC區域就有可能發生實質上的重疊。
關於這點，以圖20的第一OPC配對為例來說明。
圖20(a)係想定在OPC(L0)和OPC(L2)之間，在半徑方向上不帶有離間距離之佈局的情形。
2048叢簇的OPC區域之半徑尺寸，係為約250μm。
即使不帶有如該圖20(a)所示之離間距離，在理想狀態下，OPC(L0)與OPC(L2)係在層方向上不重疊。
可是，如上述，若容許約200μm的公差，且層L0、L2的偏移為最大，則會發生如圖20(b)所示的約200μm之範圍的重疊。
但是，若考慮上記外觀上的離間距離AB1，則即使發生了如圖20(b)所示的層方向之重疊，還是可使OPC記錄中所使用的位置是呈不會重疊的狀態。例如OPC(L0)和OPC(L2)只要如圖中的虛線箭頭所示總是大略均等地被消耗下去的話，則可總是保持外觀上的離間距離AB1。(外觀上的離間距離AB1，係相當於各虛線箭頭的尖端彼此的離間距離)
然而，各OPC區域的消耗量係不一定均等。通常是OPC(L0)消耗得比較快，但隨著情形不同，也有可能OPC(L2)消耗得比較快。然後，在圖20(b)的情況下，相對於OPC(L0)的消耗量，假設OPC(L2)的消耗量是2倍，則外觀上的離間距離AB1就會變成零。
這是因為，層L0、L2的偏移是在公差內的最大值，且OPC(L0)與OPC(L2)的消耗平衡變得非常差的時後才會發生的稀少案例，但此種事態發生的可能性，必須要僅可能地減小。
於是，針對公差再度檢討。
圖21(a)係圖示了，上記3層碟片中公差最大約200μm之條件。
將其再次檢討，首先，偏芯量係為碟片製造上的問題，要達到75μm以下是有困難的。又，散焦的29μm也不會改變。
於是，如圖21(b)所示，將半徑位置精度設定成，在半徑24mm的位置上，最大係為相對值50μm之誤差。雖然3層的情況下是從基準層起算的絕對值誤差，但實際上，層的偏移在各層間所造成的是相對性影響。於是，將容許公差變更成，在4層當中，偏移最大的2個層的半徑24mm位置的偏差係為50μm之範圍以內即可。
如此一來，可預估最大公差為約150μm。於是，各層即使在最糟狀況下，也不會有150μm以上的偏移，可以此為前提。
此時，若層L0、L2的偏移是最大，則如圖20(c)所示，會發生約150μm之範圍的重疊。此係比圖20(b)的狀態較有改善。亦即，即使當OPC(L2)的消耗是多於OPC(L0)的情況下，仍可降低外觀上之離間距離AB1變成零的可能性。
此處，再進行檢討，降低外觀上之離間距離AB1變成零之可能性。
首先，考慮第一OPC配對與第二OPC配對的配對間的離間距離。
假設最大公差150μm下，配對間的離間距離，亦即圖17的OPC(L0)的最內緣側與OPC(L1)的最外緣側的離間距離Gp，係只要是150μm以上即可。
這是因為，若離間距離Gp為150μm以上，則層L0、L1即使發生最大偏移，OPC(L0)與OPC(L1)在層方向上仍不會重疊。
圖17、圖18所示之配置下，該離間距離Gp=153μm。
接著，在重點P4(從OPC區域往碟片基板201側不配置管理資訊記錄再生領域)的觀點下，針對OPC(L3)進行探討。
於圖17中，從OPC(L3)往碟片基板201側，係有層L2的緩衝區域BUF、層L1的緩衝區域BUF、及層L0的PIC，沒有管理資訊記錄再生領域。
但是，若考慮層的偏移，則層L2的INFO#6必須要在半徑方向上充分遠離。圖17的離間距離係為Gf2。
此時，若假設最大公差為200μm，則離間距離Gf2係必須要有200μm以上，但若如上記將最大公差設成150μm，則離間距離Gf2係只要150μm以上即可。圖17、圖18所示之配置下，該離間距離Gf2=153μm。
再來，在重點P5(從OPC區域往雷射入射面側係不配置2個以上的管理資訊記錄再生領域)的觀點下，著眼於OPC(L0)。
從OPC(L0)往雷射入射面側，係只有配置層L1的TDMA#1。可是，若考慮層的偏移，則層L1的TDMA#1、與L3的INFO#8的位置關係，會是問題。亦即圖17的離間距離係為Gtf。
此情況下也是，若除了散焦部分而假設最大公差為175μm，則離間距離Gtf係必須要有175μm以上，但若除了散焦部分而假設最大公差為125μm，則離間距離Gtf係只要125μm左右即可。圖17、圖18所示之配置下，該離間距離Gtf=145μm。
此處，關於離間距離Gtf要將散焦部分除外的理由是，若參照圖15(b)，則層L1與層L2是從左右記錄至圖中一點虛線為止即可，對層L0的影響，係從層L1與層L2分別各半而合計為1層份的緣故。
離間距離Gf2、Gtf係分別不是200μm、175μm以上，而是150μm、125μm以上即可，這是意味著，藉由將公差設成150μm，就可將離間距離Gf2、Gtf分別縮小50μm而設定。
如此一來，該各50μm的餘裕，就可分配給各OPC配對的配對內的離間距離Gi1、Gi2。
由於以上理由，如圖20(d)所示，作為配對內的OPC(L0)與OPC(L2)之配置，是可設定50μm的離間距離(相當於圖17的離間距離Gi1)。
此時，若層L0、L2的偏移是最大，則如圖20(e)所示，會發生約100μm之範圍的重疊。此係比圖20(c)的狀態更加改善。
亦即，即使當OPC(L2)的消耗是遠多於OPC(L0)的情況下，仍可降低外觀上之離間距離AB1變成零的可能性。
實際上，即使在最差的情況下，也可幾乎避免外觀上之離間距離AB1消失。
又，亦可在記錄裝置側上以OPC(L2)與OPC(L0)之處理，調整OPC區域的使用，來避免外觀上的離間距離AB1消失。關於這點，將用圖25、圖26而後述。
根據以上理由，在第一OPC配對的OPC(L2)與OPC(L0)之間設定離間距離Gi1，又在第二OPC配對的OPC(L3)與OPC(L1)之間設定離間距離Gi2。圖17、圖18所示之配置下，離間距離Gi1=Gi2=57μm。
藉由如以設計，圖19所示的外觀上的離間距離AB1、AB2係被確保，就可實際上避免OPC(L2)與OPC(L0)、及OPC(L3)與OPC(L1)在層方向上重疊。
又，如上述，在OPC(L0)的最內緣側與OPC(L1)的最外緣側係設定離間距離Gp=153μm。因此，層的偏移在公差內最差情況下，OPC(L0)與OPC(L1)在層方向上仍不會重疊。
因此，圖17、圖18的佈局，在實際上是滿足重點P2(OPC區域不重疊)之條件。
關於重點P4(從OPC區域往碟片基板201側不配置管理資訊記錄再生領域)，係說明如下。
關於OPC(L3)係如上述，在該碟片基板201側沒有管理資訊記錄再生領域存在。
若針對OPC(L2)來看，在碟片基板201側，配置有層L1的緩衝區域BUF、層L0的緩衝區域BUF，沒有管理資訊記錄再生領域。根據層的偏移而所應考慮的是層L0的INFO#1、層L1的INFO#3，但由目前為止的說明可知，圖17所示的離間距離Gi3係只要150μm以上即可。圖17、圖18所示之配置下，離間距離Gi3=153μm。因此，在OPC(L2)的碟片基板201側係不會有管理資訊記錄再生領域。
又，若針對OPC(L1)來看，在碟片基板201側，係配置有層L0的PIC，沒有管理資訊記錄再生領域。根據層的偏移而所應考慮的是層L0的INFO#2，但和上記同樣地，只要離間距離Gf1係為150μm以上即可。圖17、圖18所示之配置下，離間距離Gf2=153μm。因此，在OPC(L1)的碟片基板201側係不會有管理資訊記錄再生領域。
由於以上理由，重點P4的條件也被滿足。
關於重點P5(從OPC區域往雷射入射面側不配置2個以上的管理資訊記錄再生領域)，係說明如下。
作為對象的是OPC(L0)、OPC(L1)的層方向位置。關於OPC(L0)，係如上述，不會有問題。
關於OPC(L1)，係在其雷射入射面側存在有層L2的INFO#6及TDMA#2，層L3係為緩衝區域BUF，因此不會有問題。
亦即滿足重點P5的條件。
此處，要滿足重點P4和重點P5之條件，且將離間距離Gi1與Gi2作最大確保所需的設計是，TDMA不配置在層L0，這點看圖17與圖18可知。如前述，因為是將各記錄層的TDMA合起來當作1個大的TDMA來使用，所以可以不必所有的記錄層中都有TDMA存在。
若考慮4層碟片的佈局，則OPC區域的層方向之重疊必須要重視，而將TDMA從碟片基板側的記錄層中移除。
將其當作4層碟片時的追加重點P7而參照以下。
然後，針對TDMA而觀看圖17和圖18，則可知層L1～L3的TDMA的大小幾乎相等。若TDMA是集中配置在1個記錄層、例如層L3，則為了更新TDMA，在層L3的記錄調整時就會消耗OPC(L3)。
因此，為了使OPC的消耗有所偏頗，將TDMA儘可能地均等分配在各記錄層中，較為理想。
此處，於TDMA的分配大小中，若最大之記錄層和最小之記錄層相較，差異在2倍以下，則可視為大致均等的分配。
將其當作4層時的追加重點P8而參照以下。
如以上，本例的4層碟片，係設計成例如圖17、圖18所示的內圈區間佈局，就成了滿足重點P1～P8之條件的適切佈局。
將本例的4層碟片之要點整理如下。
‧在碟片基板201上，記錄層被設置4層(層L0～L3)，在雷射入射面側形成有透光層203而成的可記錄型之光碟。
‧在各記錄層(層L0～L3)中，作為雷射功率控制所需的測試區域OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2)、OPC(L3)，是分別被設置在比用來記錄使用者資料之資料區間更為內緣側的內緣側領域(內圈區間)，因而具有4個測試區域。
‧將4個測試區域當中位於碟片外緣側的2個測試區域(OPC(L0)、OPC(L2))當作第一OPC配對，將位於碟片內緣側的2個測試區域(OPC(L1)、OPC(L3))當作第二OPC配對。此時，形成第一OPC配對的測試區域，和形成第二OPC配對的測試區域，彼此是在層方向上互不重疊地配置。
‧構成第一OPC配對的2個測試區域(OPC(L0)、OPC(L2))，係各自的測試區域的消耗方向是相同，並且各測試區域係藉由外觀上的離間距離AB1，使得下次使用之部分彼此在層方向上不會重疊地配置。
‧構成第二OPC配對的2個測試區域(OPC(L1)、OPC(L3))，係各自的測試區域的消耗方向是相同，且與第一OPC配對的測試區域之消耗方向是呈相反方向。(但是，若採用上述的平行軌跡路徑的情況下，則是和第一OPC配對的測試區域之消耗方向為相同方向)。然後，各測試區域(OPC(L1)、OPC(L3))係藉由外觀上的離間距離AB2，使得下次使用之部分彼此在層方向上不會重疊地配置。
‧在各記錄層的上記內緣側領域中係被設置有，進行管理資訊之記錄及再生的管理資訊記錄再生領域。其合計大小係確保為，現行單層碟片之管理資訊大小乘以層數之後的大小。
‧對於各記錄層(層L0～L3)的測試區域之每一者(OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2)、OPC(L3))，從測試區域往雷射入射面側，在層方向上重疊的管理資訊記錄再生領域係為1個以下的方式，來配置管理資訊記錄再生領域。
‧管理資訊記錄再生領域，係對於各記錄層的測試區域(OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2)、OPC(L3))，在碟片基板201側中，在層方向上互不重疊而配置。
‧OPC區域的層方向之重疊必須要重視，而將TDMA從碟片基板側的記錄層(層L0)中移除。
‧在配置TDMA的記錄層中，係儘可能地以均等大小來分配TDMA。
若以更為實際的配置而言則如以下。
‧本例的4層碟片，係為直徑12cm的光碟。而且，各測試區域(OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2)、OPC(L3))，係於光碟的半徑位置22.5mm～24.0mm內的範圍中，以約250μm半徑幅度而被形成。
‧各記錄層(層L0～L3)係其相對性半徑位置誤差是約150μm公差內而被形成。
‧形成第一OPC配對的測試區域的最內緣半徑位置(OPC(L0)的最內緣側)，和形成第二OPC配對的測試區域的最外緣半徑位置(OPC(L1)的最外緣側)係被配置在，將上記相對性半徑位置誤差想成零的時候，在半徑方向上帶有約150μm以上的離間距離Gp而在層方向上不會重疊的位置。
‧構成第一OPC配對的2個測試區域(OPC(L0)、OPC(L2))係被形成在，將上記相對性半徑位置誤差想成零的時候，在半徑方向上帶有約50μm以上的離間距離Gi1而在層方向上不會重疊的位置。
‧構成第二OPC配對的2個測試區域(OPC(L1)、OPC(L3))係被形成在，將上記相對性半徑位置誤差想成零的時候，在半徑方向上帶有約50μm以上的離間距離Gi2而在層方向上不會重疊的位置。
‧TDMA係不配置在層L0，在層L1～L3中係以均等的大小而配置。
順便一提，圖17的例子係表示了屬於一次寫入型碟片的BD-R。若是可複寫型碟片的BD-RE時，則只要如圖22般地設定內圈區間佈局即可。
該圖22，係將圖17的TDMA改成預留區域RSV而成的佈局。各區域的大小係和圖18相同。只要將圖18中的TDMA之位置想成預留區域RSV即可。
如上述，TDMA係為，直到最終封片處理為止的資料改寫、為了交替處理而依序更新TDFL或空間位元映像等時候，會被使用。若是可資料改寫的可複寫型碟片，則只要直接寫入INFO內的DMA即可，因此不需要TDMA。
於是，只要設計成如圖22所示般地將圖17的TDMA改成預留區域RSV而成的佈局即可。當然，重點P1～P8之條件係被滿足。
藉由如此的內圈區間佈局，在BD-RE中也可適切進行內圈區間中的試寫或管理資訊之記錄再生。
[7.碟片驅動裝置]
接著逐一說明，支援本例的例如作為BD-R、BD-RE的3層碟片、4層碟片的碟片驅動裝置(記錄再生動作)。
本例的碟片驅動裝置，係對於例如僅形成有上述的BCA、PIC的狀態下，且在可記錄領域中沒有作任何記錄之狀態的碟片，進行格式化處理。藉此，就可形成圖13或圖17所說明之狀態的碟片佈局。又，對如此已格式化完成的碟片，在使用者資料領域中進行資料的記錄再生。因應必要，也進行對TDMA、ISA、OSA的記錄/更新。
圖23係表示碟片驅動裝置的構成。
碟片1係上述實施形態的3層碟片或4層碟片。碟片1係被載置於未圖示的轉台，於記錄/再生動作時，藉由轉軸馬達52而以一定線速度(CLV)旋轉驅動。
然後藉由光學拾取器(光學頭)51，將碟片1上的以凹軌軌跡之搖擺而被嵌埋之ADIP位址或作為預錄資訊的管理/控制資訊予以讀出。
又，在初期化格式化時，使用者資料記錄時係藉由光學拾取器51而在可記錄領域的軌跡，記錄下管理/控制資訊或使用者資料，在再生時則藉由光學拾取器51而進行所被記錄之資料的讀出。
在光學拾取器51內係形成有：作為雷射光源的雷射二極體、用來偵測反射光的光偵測器、作為雷射光輸出端的接物透鏡、將雷射光透過接物透鏡而照射至碟片記錄面，或將其反射光導入光偵測器的光學系(未圖示)。
於光學拾取器51內，接物透鏡係藉由二軸機構而保持成可在循軌方向及聚焦方向上移動。
又，光學拾取器51全體係藉由螺紋機構53而可在碟片半徑方向上移動。
又，光學拾取器51中的雷射二極體係藉由來自雷射驅動器63的驅動訊號(驅動電流)而進行雷射發光驅動。
來自碟片1的反射光資訊係被光學拾取器51內的光偵測器所偵測，成為相應於受光光量的電氣訊號而供給至矩陣電路54。
矩陣電路54中，係對應於作為光偵測器的複數受光元件所輸出之電流而具備電流電壓轉換電路、矩陣演算/增幅電路等，藉由矩陣演算處理而生成必要之訊號。
例如生成，相當於再生資料的高頻訊號(再生資料訊號)、伺服控制所需的聚焦錯誤訊號、循軌錯誤訊號等。
然後，涉及凹軌之搖擺的訊號，亦即作為搖擺偵測訊號，而生成推挽訊號。
此外，矩陣電路54有時候是在光學拾取器51內被一體構成。
從矩陣電路54所輸出的再生資料訊號係供給至讀取器/寫入器電路55，聚焦錯誤訊號及循軌錯誤訊號係供給至伺服電路61，推挽訊號係供給至搖擺電路58。
讀取器/寫入器電路55係對再生資料訊號進行2值化處理、PLL所致之再生時脈生成處理等，將光學拾取器51所讀出的資料予以再生，供給至變解調電路56。
變解調電路56，係具備作為再生時之解碼器的功能部位，作為記錄時之編碼器的功能部位。
再生時的解碼處理，是基於再生時脈而進行持續長度限制碼(Run Length Limited Code)的解調處理。
又，ECC編碼器/解碼器57係在記錄時進行用來附加錯誤訂正碼的ECC編碼處理，在再生時進行錯誤訂正的ECC解碼處理。
在再生時，變解調電路56所解調過的資料係擷取至內部記憶體，進行錯誤偵測/訂正處理及去交錯等處理，獲得再生資料。
在ECC編碼器/解碼器57中被解碼成為再生資料的資料，係基於系統控制器60的指示，而被讀出，被傳輸至所連接的機器，例如AV(Audio-Visual)系統120。
作為涉及凹軌之搖擺的訊號而從矩陣電路54所輸出的推挽訊號，係於搖擺電路58中被處理。作為ADIP資訊的推挽訊號，係於搖擺電路58中被解調成構成ADIP位址的資料串流而被供給至位址解碼器59。
位址解碼器59，係針對所被供給之資料進行解碼，獲得位址值，供給至系統控制器60。
又，位址解碼器59係使用從搖擺電路58所供給之搖擺訊號而以PLL處理生成時脈，例如當作記錄時的編碼時脈而供給至各部。
又，作為涉及凹軌之搖擺的訊號而從矩陣電路54所輸出的推挽訊號，作為預錄資訊(PIC)的推挽訊號，係於搖擺電路58中進行帶通濾波處理然後供給至讀取器/寫入器電路55。然後，被2值化，轉成資料位元串流後，在ECC編碼器/解碼器57中進行ECC解碼、去交錯，抽出預錄資訊方式的資料。所被抽出的預錄資訊係被供給至系統控制器60。
系統控制器60，係基於所讀出的預錄資訊，而可進行各種動作設定處理或防拷處理等。
記錄時，從AV系統120會傳輸記錄資料，但該記錄資料係被送往ECC編碼器/解碼器57中的記憶體而被緩衝。
此時，ECC編碼器/解碼器57係作為已被緩衝之記錄資料的編碼處理，而進行錯誤訂正碼附加或交錯、副碼等之附加。
又，已被ECC編碼過的資料，係於變解調電路56中實施例如RLL(1-7)PP方式的調變，供給至讀取器/寫入器電路55。
於記錄時，這些編碼處理所需之基準時脈的編碼時脈，係使用如上述從搖擺訊號所生成的時脈。
由編碼處理所生成的記錄資料，係在讀取器/寫入器電路55中作為記錄補償處理，而針對記錄層的特性、雷射光的光點形狀、記錄線速度等進行了最佳記錄功率之微調或雷射驅動脈衝波形的調整等後，成為雷射驅動脈衝而送往雷射驅動器63。
在雷射驅動器63中係將所被供給之雷射驅動脈衝，給予至光學拾取器51內的雷射二極體，進行雷射發光驅動。藉此，就會在碟片1中形成相應於記錄資料的凹坑。
此外，雷射驅動器63係具備所謂的APC電路(Auto Power Control)，藉由設在光學拾取器51內的雷射功率監視用偵測器的輸出，一面監視著雷射輸出功率一面進行控制，使得雷射的輸出不會隨溫度等變化而呈一定。記錄時及再生時的雷射輸出之目標值係從系統控制器60所給予，記錄時及再生時係分別將雷射輸出位準，控制成為目標值。
伺服電路61，係根據來自矩陣電路54的聚焦錯誤訊號、循軌錯誤訊號，而生成聚焦、循軌、螺紋進退之各種伺服驅動訊號，執行伺服動作。
亦即相應於聚焦錯誤訊號、循軌錯誤訊號而生成聚焦驅動訊號、循軌驅動訊號，而驅動光學拾取器51內的二軸機構的聚焦線圈、循軌線圈。藉此就形成了，光學拾取器51、矩陣電路54、伺服電路61、二軸機構所致之循軌伺服迴圈及聚焦伺服迴圈。
又，伺服電路61係隨應於來自系統控制器60的循軌跳躍指令，而將循軌伺服迴圈予以關閉，輸出跳躍驅動訊號，以執行循軌跳躍動作。
又，伺服電路61係基於作為循軌錯誤訊號之低頻成分而獲得之螺紋進退錯誤訊號、或來自系統控制器60的存取執行控制等而生成螺紋驅動訊號，驅動著螺紋機構53。在螺紋機構53上，雖未圖示，但具有用來保持光學拾取器51的主軸、螺紋馬達、傳動齒輪等機構，藉由隨著螺紋驅動訊號而驅動螺紋馬達，光學拾取器51就會進行所要的平滑移動。
轉軸伺服電路62係進行使轉軸馬達2作CLV旋轉的控制。
轉軸伺服電路62，係將對搖擺訊號之PLL處理所生成的時脈，當作現在的轉軸馬達52之旋轉速度資訊而取得，將其與所定之CLV基準速度資訊作比較，以生成轉軸錯誤訊號。
又，於資料再生時，讀取器/寫入器電路55內的PLL所生成的再生時脈(作為解碼處理之基準的時脈)，係為現在的轉軸馬達52的旋轉速度資訊，因此將其與所定之CLV基準速度資訊作比較，也可生成轉軸錯誤訊號。
然後，轉軸伺服電路62係將隨應於轉軸錯誤訊號而生成的轉軸驅動訊號予以輸出，執行轉軸馬達62的CLV旋轉。
又，轉軸伺服電路62，係隨應於來自系統控制器60的轉軸加速/煞車控制訊號而產生轉軸驅動訊號，也執行轉軸馬達2的啓動、停止、加速、減速等之動作。
以上的伺服系及記錄再生系的各種動作，係藉由微電腦所形成之系統控制器60所控制。
系統控制器60係隨應於來自AV系統120的命令而執行各種處理。
例如若從AV系統120發出寫入命令，則系統控制器60係首先使光學拾取器51移動到欲寫入之位址。然後，ECC編碼器/解碼器57係藉由變解調電路56，針對從AV系統120所傳輸過來之資料(例如MPEG2等各種方式的視訊資料、或音訊資料等)，執行上述的編碼處理。然後，上述，來自讀取器/寫入器電路55的雷射驅動脈衝係被供給至雷射驅動器63，以執行記錄。
又，例如從AV系統120供給了要求碟片1中所記錄之某個資料(MPEG2視訊資料等)之傳輸的讀取命令時，首先進行以所被指示之位址為目的的找尋動作控制。亦即對伺服電路61發出指令，以找尋命令所指定之位址為目標，執行光學拾取器51的存取動作。
其後進行，將該所被指示之資料區間的資料傳輸至AV系統120所需的必要之動作控制。亦即進行來自碟片1的資料讀出，執行讀取器/寫入器電路55、變解調電路56、ECC編碼器/解碼器57中的解碼/緩衝等，而將所被要求的資料，予以傳輸。
此外，這些資料的記錄再生時，系統控制器60係可使用搖擺電路58及位址解碼器59所偵測出來的ADIP位址而進行存取或記錄再生動作之控制。
又，在碟片1被裝填之際等所定時點上，系統控制器60係執行碟片1之BCA中所被記錄之獨特ID、或在再生專用領域中以搖擺凹軌方式而被記錄的預錄資訊(PIC)之讀出。
此時，首先以BCA、PIC為目的而進行找尋動作控制。亦即對伺服電路61發出指令，執行令光學拾取器51往碟片最內緣側的存取動作。
其後，執行光學拾取器51的再生追蹤，獲得身為反射光資訊的推挽訊號，執行搖擺電路58、讀取器/寫入器電路55、ECC編碼器/解碼器57所致之解碼處理。藉由獲得作為BCA資訊或預錄資訊的再生資料。
系統控制器60係基於如此所讀出的BCA資訊或預錄資訊，進行雷射功率設定或防拷處理等。
在圖23中係圖示了系統控制器60內的快取記憶體60a。該快取記憶體60a係被使用於，例如，從碟片1之TDMA所讀出的TDFL/空間位元映像之保持，或其更新時。
系統控制器60係例如在碟片1被裝填之際控制著各部，執行TDMA中所記錄之TDFL/空間位元映像的讀出，將所讀出之資訊保持在快取記憶體60a。
其後，資料改寫或缺陷導致交替處理被進行之際，係將快取記憶體60a內的TDFL/空間位元映像逐一更新。
例如亦可每當資料的寫入、或資料改寫等而進行交替處理，進行空間位元映像或TDFL之更新之際，每次就會於碟片1的TDMA中，將TDFL或空間位元映像進行追加記錄。可是，如果如此，則碟片1的TDMA會很快消耗。
於是，例如直到碟片1被從碟片驅動裝置排片(排出)為止的期間，只在快取記憶體60a內進行TDFL/空間位元映像的更新。然後，在排片時等，將快取記憶體60a內的最終(最新)的TDFL/空間位元映像，寫入至碟片1的TDMA。如此一來，就可總結多數次TDFL/空間位元映像之更新而在碟片1上進行更新，可降低碟片1的TDMA之消耗。
順便一提，該圖23的碟片驅動裝置的構成例，係以被連接在AV系統120的碟片驅動裝置為例子，但作為本發明的碟片驅動裝置係亦可和例如個人電腦等連接。
甚至，亦可為沒有和其他機器連接的形態。此情況下，可設置操作部或顯示部，而資料輸出入的介面部位之構成，係與圖23不同。亦即，相應於使用者操作而進行記錄或再生，並且形成有各種資料之輸出入所需的端子部即可。
當然，作為構成例係亦可有其他多樣考慮，例如亦可考慮記錄專用裝置、再生專用領域的例子。
圖24中係圖示，碟片驅動裝置之動作所需的系統控制器60的控制處理例。
圖24(a)係圖示格式化處理。
未格式化的碟片1被裝填、進行格式化處理時，系統控制器60係首先進行碟片判別而確認內圈區間佈局，掌握OPC區域的位置。
至於碟片判別的手法係有各種方法，這裡雖不詳述，但例如當藍光碟片的碟片1被裝填時，係判別記錄層數。此處針對3層碟片、或4層碟片被裝填時的情形加以說明。
系統控制器60係針對3層碟片而將圖13、圖14所說明過的內圈區間的區域構造之資訊、及針對4層碟片而將圖17、圖18所說明過的內圈區間的區域構造之資訊，保持在內部記憶體。
在步驟F101中，根據該區域構造的資訊，確認所被裝填之碟片1(3層碟片或4層碟片)的OPC區域之位置。
系統控制器60係在步驟F102中，進行OPC控制處理。亦即對伺服電路61係向轉軸電路62發出指示，使光學拾取器54對OPC區域作存取。又，從讀取器/寫入器電路55將作為OPC測試圖案的訊號供給至雷射驅動器63，執行對OPC區域的測試記錄。然後，將已記錄之OPC區域進行再生，針對再生資訊訊號，取得評價值，例如顫動(jitter)、非對稱性、錯誤率等，而判定最佳記錄雷射功率。然後，將雷射功率設定成最佳功率。
其後，系統控制器60係在步驟F103中，進行作為格式化處理的記錄動作之控制。
例如，於可配置之記錄層中儘可能地配置成均等容量的TDMA中的空間位元映像、TDFL等之位址，進行其對TDDS記錄等之記錄動作的執行控制，以後就能根據TDDS之資訊，而掌握TDMA的構造。
藉由此種格式化處理，圖13或圖17之格式的碟片1，以後就可使用了。
圖24(b)係圖示記錄時的處理。
系統控制器60，係在使用者資料或管理資訊的記錄動作之際，首先在步驟F201中檢查TDMA之資訊，掌握TDDS、缺陷清單、空間位元映像、下個可使用之OPC區域等之必要事項。
接著，在步驟F202中，系統控制器60係使用OPC區域來執行OPC動作，根據其結果而設定最佳記錄雷射功率。
然後，在步驟F203中，執行使用者資料等之記錄動作。
於記錄後，在步驟F204中進行TDMA的更新。亦即，將TDDS、缺陷清單、空間位元映像、下個可用OPC區域等之資訊當中的必要資訊予以更新過的TDMA，予以更新記錄。
圖24(c)係圖示再生時的處理。
系統控制器60係在步驟F301中根據TDMA或檔案系統等的讀取資料而掌握各種管理資訊。
然後，在步驟F302中，隨應於來自AV系統120的讀取命令而令光學拾取器51存取目的位址，步驟F303中執行再生動作。亦即進行來自碟片1的資料讀出，執行讀取器/寫入器電路55、變解調電路56、ECC編碼器/解碼器57中的解碼/緩衝等，而將所被要求的資料，傳輸至AV系統120。
以上係對3層碟片、4層碟片而由碟片驅動裝置所執行的格式化處理、記錄處理、再生處理。
此處，說明關於碟片1是4層碟片時的OPC動作之處理。
如之前所示，在4層碟片中，針對4個OPC區域，係導入了第一OPC配對、第二OPC配對的思考方式。然後，關於配對內的2個OPC區域，係藉由確保外觀上的離間距離(下個使用部分之彼此開頭的離間距離)，以使OPC動作中所使用的部分在層方向上不會重疊。
例如，若依據上述的圖17、圖18的佈局，則即使各層的偏移是許容公差內的最差情況下，仍可通常地保持外觀上的離間距離(圖19的AB1、AB2)。可是，例如若針對第一OPC配對而言，假設OPC(L2)的消耗量遠多於OPC(L0)的消耗量，則外觀上之離間距離(AB1)消失的可能性也不能說是零。於是，在碟片驅動裝置側也對為了確保外觀上之離間距離所需的OPC動作處理上作些設計，較為理想。
接下來說明的圖25、圖26係分別針對第一OPC配對、第二OPC配對，針對配對內的OPC區域使得外觀上之離間距離不會發生消失之事態所需的碟片驅動裝置側的處理例。
首先說明圖25的處理例。
在圖25中，首先作為步驟F401～F408，圖示碟片裝填時的處理。此外，該步驟F401～F408之處理，係當所被裝填之碟片1是3層碟片時也同樣進行。例如，是早於圖24(a)(b)(c)所進行之處理。
在步驟F401中，進行碟片載入。系統控制器60係偵測到碟片插入，就控制圖23中未圖示的碟片載入機構，將碟片1變成可被光學拾取器51及轉軸馬達52進行記錄再生驅動之狀態(鉗夾狀態)。
在步驟F402中，進行伺服調整。亦即，系統控制器60係進行轉軸馬達52之啓動、光學拾取器51之伺服開機之控制。系統控制器60係控制著轉軸電路62，固定成所定的旋轉速度，並且控制著伺服電路61，執行聚焦搜尋、聚焦伺服啓動、循軌伺服啓動等，成為可再生狀態。
若至此為止的開機啓動動作完成，則系統控制器60係在步驟F403中，令光學拾取器51存取碟片1的PIC領域。然後，在步驟F403中執行PIC領域之再生，進行各記錄層之記錄條件等的PIC資訊之讀取。
接著，系統控制器60係在步驟F405中，令光學拾取器51存取開頭的TDMA。如上述，在開頭的TDMA(例如圖17的TDMA#1)中，係設有TDMA存取指示元。在步驟F406中令其執行TDMA存取指示元的再生，系統控制器60就可判別已被記錄有最新TDDS等的使用中的TDMA(以下稱作TDMA_N)。
接著，在步驟F407中，系統控制器60係令光學拾取器51去存取TDMA_N。然後，在步驟F408中，令其執行該TDMA_N之再生，讀取最新的TDMA資料(最新的TDDS等)。
以上，碟片裝填時的管理資訊讀取就結束。其後，等待來自主機機器(AV系統120)的命令。
此處是以OPC處理係在有寫入命令發生時才執行為例子，說明步驟F501～F511之處理。
此外，亦可為，碟片裝填時的管理資訊讀取後，即使沒有寫入命令，也可針對各記錄層執行OPC動作的動作例。
該圖25的步驟F501～F511的OPC處理例係為，隨應於寫入命令，而針對各層L0～L3分別進行OPC動作之例子。
一旦有寫入命令產生，系統控制器60係從步驟F501前進至F502處理，針對各層的OPC區域，掌握下個可執行OPC的位址ADD[n]。亦即，於上述的TDDS中，表示成OPC動作執行可能位址(Next available Ln OPC Address)的位址。
針對各OPC區域(OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2)、OPC(L3))，下個可執行OPC的位址ADD[n]，是可根據已經讀取的最新TDDS而掌握。
在步驟F503中，系統控制器60係將代表層的變數X，設成X=0。然後，在步驟F504～F509中，針對各層的OPC區域(OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2)、OPC(L3))，分別執行OPC動作。
在步驟F504中，系統控制器60係令光學拾取器51，對層L(X)的OPC區域(OPC(L(X)))的下個使用部分的位址ADD[n]，進行存取。
在步驟F505中，確認該當位址ADD[n]是否確實是未記錄(亦即是否可使用於OPC動作)。例如，執行從位址ADD[n]的再生，確認有無記錄。此外，當從該當位址ADD[n]起的部分是已被使用時，則探索未使用的部分，而移動至該未使用部分。
在步驟F506中，系統控制器60係對記錄系的所要各部(ECC編碼器/解碼器57、變解調電路56、讀取器/寫入器電路55、雷射驅動器63等)下達指示而於位址ADD[n]起的部分中，執行試寫。例如，一面使記錄雷射功率作階段性變化，一面已所定的測試圖案或隨機資料等而執行資料記錄動作。
然後，一旦試寫結束，在步驟F507中，將進行過該當試寫之部分，藉由光學拾取器51而進行再生。此時，觀測相應於各記錄雷射功率的指標值(例如顫動、非對稱性、錯誤率、SAM值等)，決定最佳記錄雷射功率。
系統控制器60，係在步驟F508中將變數X予以增值，在步驟F509中若變數X是3以下，則返回步驟F504。
因此，變數X會一面增值一面執行步驟F504～F507，亦即會於OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2)、OPC(L3)中依序執行OPC動作。
在4個OPC區域中完成以上OPC動作的時點上，就會針對各層L0～L3分別決定最佳記錄雷射功率。此時點上，係從步驟F509前進至F510。
在步驟F510中，系統控制器60係令光學拾取器51對TDMA_N進行存取。然後，在步驟F511中，針對各層L0～L3，分別更新OPC動作執行可能位址(Next available Ln OPC Address)。亦即，隨著本次的OPC動作，關於各層的下次使用部分的位址會有變動，因此在TDMA_N中係記錄著，關於各層的新的「Next available Ln OPC Address」是被描述的最新之TDDS。
以上就完成了OPC動作，其後，藉由最佳記錄雷射功率，執行寫入命令所指示的記錄動作。
此外，此處僅是說明上的一例，是在步驟F510、F511的TDDS記錄處理後，才進行實際資料記錄，但實際的碟片1上的TDDS之更新係在記錄資料結束後的時點，或是碟片排出、電源關閉等時點上進行即可。這是因為要避免浪費TDMA領域。
亦即，步驟F510、F511所示的碟片1上的TDDS更新，亦可不在該時點上進行。因此，在該步驟F510、F511之時點上，只要想到至少為了後面的時點上的TDDS記錄，將新的TDDS資訊(此時係為「Next available Ln OPC Address」)，而由系統控制器60進行保存至內部記憶體之處理即可。
以上的OPC動作係為一例，但在此例中，寫入命令是針對全部的層都執行OPC動作，因此OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2)、OPC(L3)的各消耗量是常時同等。即使因任何錯誤導致OPC重試等之發生，而不是嚴謹的同等的情況下，仍可視作大致同等。
如此一來，在配對內的2個OPC區域，就不會發生外觀上之離間距離消失而導致消耗量的「後來居上」。
例如，針對圖20中所說明過的配對內的2個OPC區域(OPC(L0)、OPC(L2))來作考量。就消耗方向而言，追趕側的OPC(L2)的下個使用部分的位址(Next available Ln OPC Address)，和被追趕側的OPC(L2)的下個使用部分的位址(Next available Ln OPC Address)，係大約同等地在碟片內緣側前進。因此，「後來居上」的可能性，亦即外觀上之離間距離AB1小於記錄層偏移之容許公差150μm甚至不見的情形，就不會發生。
此外，每次寫入命令就對全部層執行OPC動作，也可說是浪費OPC區域。於是，亦可考慮例如只在碟片裝填後的最初之OPC動作時，進行如圖25的OPC處理，其後的寫入命令時，係不執行OPC動作的處理方式。
此時，為了對應經時變動、溫度變化等，亦可考慮不是每次寫入命令時，而是因應需要，例如經過所定時間以上等，才對全部的層進行OPC處理。
接著在圖26中係說明，在有寫入命令之際，僅針對進行記錄的層執行OPC的處理例。
於圖26中，步驟F401～F408係和上記圖25同樣的碟片裝填時之處理，因此避免重複說明。
此處是以OPC處理係在有寫入命令發生時才執行為例子，說明步驟F601～F612之處理。
一旦有寫入命令產生，系統控制器60係從步驟F601前進至F602處理，針對各層的OPC區域，掌握下個可執行OPC的位址ADD[n]。亦即，於上述的TDDS中，表示成OPC動作執行可能位址(Next available Ln OPC Address)的位址。
針對各OPC區域(OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2)、OPC(L3))，下個可執行OPC的位址ADD[n]，是可根據已經讀取的最新TDDS而掌握。
在步驟F603中，系統控制器60係判別本次寫入命令所要進行資料記錄之對象的層。
此處，隨著對象層是層L0或L1，還是層L2或L3，而處理會有所分歧。
此外，所謂層L0或L1，係OPC區域(OPC(L0)、OPC(L1))的消耗方向是在配對內作為被追趕側的層。
又，所謂層L2或L3，係OPC區域(OPC(L2)、OPC(L3))的消耗方向是在配對內作為追趕側的層。
首先說明，進行記錄的對象層是層L0或L1的情形。
此時，系統控制器60係將處理前進至步驟F607，令光學拾取器51去存取對象層的OPC區域中的下個使用部分的位址ADD[n]。例如，當層L1是記錄對象層時，則令其對OPC(L1)中的位址ADD[n]進行存取。
在步驟F608中，確認該當位址ADD[n]是否確實是未記錄(亦即是否可使用於OPC動作)。例如，執行從位址ADD[n]的再生，確認有無記錄。此外，當從該當位址ADD[n]起的部分是已被使用時，則探索未使用的部分，而移動至該未使用部分。
在步驟F609中，系統控制器60係對記錄系的所要各部下達指示而於位址ADD[n]起的部分中，執行試寫。例如，一面使記錄雷射功率作階段性變化，一面已所定的測試圖案或隨機資料等而執行資料記錄動作。
然後，一旦試寫結束，在步驟F610中，將進行過該當試寫之部分，藉由光學拾取器51而進行再生。此時，觀測相應於各記錄雷射功率的指標值(例如顫動、非對稱性、錯誤率、SAM值等)，決定最佳記錄雷射功率。
在步驟F611中，系統控制器60係令光學拾取器51對TDMA_N進行存取。然後，在步驟F612中，針對進行過OPC動作的層，更新OPC動作執行可能位址(Next available Ln OPC Address)。亦即，隨著本次的OPC動作，關於該層的OPC區域的下次使用部分的位址會有變動，因此在TDMA_N中係記錄著，關於各層的新的「Next available Ln OPC Address」是被描述的最新之TDDS。
以上就完成了OPC動作，其後，藉由最佳記錄雷射功率，執行寫入命令所指示的記錄動作。
此外，在圖25的說明中也有提到，在步驟F611、F612的時點上，亦可不進行實際的在碟片1上的TDDS之更新。因此，在該步驟F611、F612之時點上，只要想到至少為了後面的時點上的TDDS記錄，將新的TDDS資訊(對象層的「Next available Ln OPC Address」)，而由系統控制器60進行保存至內部記憶體之處理即可。
如此，當記錄對象層是層L0或層L1，而在該層上的OPC動作是使用配對內被追趕側的OPC區域(OPC(L0)或OPC(L1))時，則依照「Next available Ln OPC Address」而進行通常的OPC處理。
另一方面，當記錄對象層是層L2或層L3，而在該層上的OPC動作是使用配對內追趕側的OPC區域(OPC(L2)或OPC(L3))時，則加入了不使OPC區域之消耗發生「後來居上」的處理。
其係為步驟F604～F606的處理。
當記錄對象層是層L2或L3時，系統控制器60係將處理從步驟F603前進至F604。
此處，系統控制器60，係辨識配對內的外觀上之離間距離。
以下，說明記錄對象層是層L2的情形。
系統控制器60，係在該步驟F604的時點上，求出圖19所示配對內的外觀上之離間距離AB1。此係只要求出步驟F602中所確認的OPC(L2)的位址ADD[n]，和同一配對的OPC(L0)的位址ADD[n]之間的位址差，將其換算成半徑方向之離間距離即可。
此外，OPC(L2)的位址ADD[n]係不是直接使用，而是使用從位址ADD[n]前進了本次OPC動作中所使用之所定扇區數後的位址，這點在求出本次OPC後的離間距離AB1這點來說是適切的。
系統控制器60，係判定該配對內的外觀上之離間距離AB1，是否能夠維持所定的離間距離。亦即，是否能夠確保上述的層疊合誤差之容許公差的150μm以上。
若能確保容許公差以上之離間距離AB1，則系統控制器60係從步驟F605前進至F607，從層L2的OPC(L2)中的位址ADD[n]起，開始執行本次的OPC動作(F607～F610)。然後，系統控制器60係於TDMA_N中，為了更新關於本次進行過OPC動作的層L2的OPC動作執行可能位址(Next available Ln OPC Address)，進行TDDS寫入(或是之後的TDDS寫入所需之保存)(F611、F612)。
其後，藉由最佳記錄雷射功率，執行層L2的所定寫入命令所指示的記錄動作。
另一方面，在步驟F605中若判斷為配對內的外觀上之離間距離AB1是無法維持所定的離間距離時，則系統控制器60係前進至步驟F606，針對配對之對方之層L0的OPC(L0)，進行OPC動作執行可能位址(Next available Ln OPC Address)的變更處理。
這是因為，若本次使用追趕側的OPC區域(L2)，則會沒有足夠的離間距離AB1，因此將被追趕側的OPC(L0)的下個使用部分，往消耗方向推進的處理。在OPC(L0)的情況下，是將OPC動作執行可能位址(Next available Ln OPC Address)往內緣側推進所定量的處理。
系統控制器60，係針對OPC(L0)，新設定OPC動作執行可能位址(Next available Ln OPC Address)，保存在內部記憶體，前進至步驟F607。
在步驟F607～F610中，係針對對象層L2進行OPC動作。
其後在步驟F611、F612中，進行用來更新關於本次進行過OPC動作之層L2的OPC動作執行可能位址(Next available Ln OPC Address)、和關於已變更之層L0的OPC動作執行可能位址(Next available Ln OPC Address)所需的處理。亦即，進行TDDS寫入，或之後的TDDS寫入所需之保存。
其後，藉由最佳記錄雷射功率，執行層L2的所定寫入命令所指示的記錄動作。
目前為止是已層L2為記錄對象層為例來說明，但即使層L3是記錄對象時，仍在與層L1中之關係中，進行同樣的處理即可。
如以上，在圖26之例子的情況下，在寫入命令時針對對象層執行OPC動作，但此時會進行使配對內的外觀上之離間距離保持在容許公差150μm以上的處理。
亦即在使用配對內追趕側的OPC區域時，係判別外觀上之離間距離，是否有保持各記錄層之重疊容許公差所對應的必要之離間距離(150μm以上)。然後，若沒有保持必要之離間距離時，則進行將被追趕側的OPC區域中的下個使用部分的開始位置加以變更之處理。
藉此，即使記錄層的偏移是許容公差內的最大量，仍可使第一OPC配對內、及第二OPC配對內，OPC區域的下個使用部分在層方向上不會重疊。
此外，在圖26之例子中，係在使用追趕側的OPC區域時，會先確認外觀上之離間距離，但亦可在OPC動作之際，無論使用的OPC區域為何，都進行外觀上之離間距離確認處理。當然，此時是因應需要，進行一方之OPC動作執行可能位址(Next available Ln OPC Address)的變更。
又，在圖26之例子中，係在使用追趕側的OPC區域時，實施OPC動作執行可能位址(Next available Ln OPC Address)的變更處理，但亦可同樣在使用被追趕側之OPC區域時也實施OPC動作執行可能位址(Next available Ln OPC Address)的變更處理。
再者，在圖26的例子中，係在步驟F602從TDDS取得OPC動作執行可能位址(Next available Ln OPC Address)，但亦可考慮進行OPC領域之未記錄檢索，來探索OPC動作執行可能位址。因此，在步驟F606中亦可追加，針對因OPC動作執行可能位址(Next available Ln OPC Address)的變更處理而產生的未記錄部分，將已記錄領域、或是未記錄領域的長度變成所定以下之處理。
以上，雖然針對實施形態的碟片及對應於其的碟片驅動裝置來說明，但本發明係不限定於這些例子，在要旨的範圍內可考慮各種變形例。
1．．．碟片
51．．．拾取器
52．．．轉軸馬達
53．．．螺紋機構
54．．．矩陣電路
55．．．讀取器/寫入器電路
56．．．變解調電路
57．．．ECC編碼器/解碼器
58．．．搖擺電路
59．．．位址解碼器
60．．．系統控制器
60a．．．快取記憶體
61．．．伺服電路
62．．．轉軸伺服電路
63．．．雷射驅動器
120．．．AV系統
201．．．碟片基板
203．．．透光層
204．．．中間層
圖1係本發明的實施形態之碟片的區域構造的說明圖。
圖2係實施形態之碟片的DMA的說明圖。
圖3係實施形態之碟片的DDS之內容的說明圖。
圖4係實施形態之碟片的DFL之內容的說明圖。
圖5係實施形態之碟片的DFL及TDFL之缺陷清單管理資訊的說明圖。
圖6係實施形態之碟片的DFL及TDFL的交替位址資訊的說明圖。
圖7係實施形態之碟片的TDMA的說明圖。
圖8係實施形態之碟片的空間位元映像的說明圖。
圖9係實施形態之碟片的TDFL的說明圖。
圖10係實施形態之碟片的TDDS的說明圖。
圖11係實施形態之碟片的層構造的說明圖。
圖12係現行的2層BD-R的內圈區間構成的說明圖。
圖13係實施形態的3層BD-R的內圈區間構成的說明圖。
圖14係實施形態的3層BD-R的內圈區間之各區域位置的說明圖。
圖15係實施形態之3層碟片的各記錄層之公差的說明圖。
圖16係實施形態的3層BD-RE的內圈區間構成的說明圖。
圖17係實施形態的4層BD-R的內圈區間構成的說明圖。
圖18係實施形態的4層BD-R的內圈區間之各區域位置的說明圖。
圖19係實施形態之4層碟片的各記錄層OPC配對的說明圖。
圖20係實施形態之4層碟片的各記錄層的配對內OPC配置的說明圖。
圖21係實施形態之4層碟片的各記錄層之公差的說明圖。
圖22係實施形態的4層BD-RE的內圈區間構成的說明圖。
圖23係實施形態之碟片驅動裝置的區塊圖。
圖24係實施形態之碟片驅動裝置之處理的流程圖。
圖25係實施形態之碟片驅動裝置之OPC處理的流程圖。
圖26係實施形態之碟片驅動裝置之OPC處理的流程圖。
L0．．．第1層
L1．．．第2層
L2．．．第3層
BCA．．．Burst Cutting Area
PZ．．．保護區間
BUF．．．緩衝區域
OPC．．．試寫區域
RSV．．．預留區域
TDMA．．．暫時缺陷管理區域
INFO．．．管理資訊領域

Claims (9)

  1. 一種可記錄型光碟，係屬於在碟片基板上設有3層以上記錄層，而且在雷射入射面側形成有透光層而成的複數層碟片，其特徵為，在各記錄層中，雷射功率控制所需的測試區域，是分別被設置在比用來記錄使用者資料之資料區間更為內緣側的內緣側領域；並且各記錄層的測試區域是藉由保持離間距離而被配置成，彼此在層方向上互不重疊；上記測試區域之間的上記離間距離係為222μm或其以上；在各記錄層的上記內緣側領域中係被設置有，進行管理資訊之記錄及再生的管理資訊記錄再生領域；並且對於各記錄層的測試區域之每一者，從測試區域往雷射入射面側，在層方向上重疊的上記管理資訊記錄再生領域係為1個以下的方式，來配置上記管理資訊記錄再生領域。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之可記錄型光碟，其中，再者，上記管理資訊記錄再生領域係被配置成，對於各記錄層的測試區域，於上記碟片基板側，在層方向上不會重疊。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之可記錄型光碟，其中，上記管理資訊記錄再生領域係為確定性管理資訊領域(INFO)、暫時性管理資訊領域(TDMA)、或預留區域 (RSV)。
  4. 一種記錄裝置，係屬於針對在碟片基板上設有3層以上記錄層而且在雷射入射面側形成有透光層而成的複數層碟片的可記錄型光碟的記錄裝置，其特徵為，具備：控制部，其係進行控制，使得於上記可記錄型光碟的各記錄層中，在比記錄使用者資料的資料區間更內緣側的內緣側領域裡，將關於各記錄層的雷射功率控制所需之測試區域，是藉由保持離間距離而配置成彼此在層方向上互不重疊，使用已配置之測試區域來進行雷射功率調整以進行資訊記錄；上記測試區域之間的上記離間距離係為222μm或其以上；在各記錄層的上記內緣側領域中係被設置有，進行管理資訊之記錄及再生的管理資訊記錄再生領域；並且對於各記錄層的測試區域之每一者，從測試區域往雷射入射面側，在層方向上重疊的上記管理資訊記錄再生領域係為1個以下的方式，來配置上記管理資訊記錄再生領域。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之記錄裝置，其中，上記管理資訊記錄再生領域係為確定性管理資訊領域(INFO)、暫時性管理資訊領域(TDMA)、或預留區域(RSV)。
  6. 一種記錄方法，係屬於針對在碟片基板上設有3層以上記錄層而且在雷射入射面側形成有透光層而成的複數 層碟片的可記錄型光碟的記錄方法，其特徵為，於上記可記錄型光碟的各記錄層中，在比記錄使用者資料的資料區間更內緣側的內緣側領域裡，將關於各記錄層的雷射功率控制所需之測試區域，是藉由保持離間距離而配置成彼此在層方向上互不重疊，使用已配置之測試區域來進行雷射功率調整以進行資訊記錄；上記測試區域之間的上記離間距離係為222μm或其以上；在各記錄層的上記內緣側領域中係被設置有，進行管理資訊之記錄及再生的管理資訊記錄再生領域；並且對於各記錄層的測試區域之每一者，從測試區域往雷射入射面側，在層方向上重疊的上記管理資訊記錄再生領域係為1個以下的方式，來配置上記管理資訊記錄再生領域。
  7. 如申請專利範圍第6項所記載之記錄方法，其中，上記管理資訊記錄再生領域係為確定性管理資訊領域(INFO)、暫時性管理資訊領域(TDMA)、或預留區域(RSV)。
  8. 一種再生裝置，係屬於針對可記錄型光碟的再生裝置，該可記錄型光碟係為，在碟片基板上設有3層以上記錄層，而且在雷射入射面側形成有透光層而成的複數層碟片，在各記錄層中，雷射功率控制所需的測試區域，是分 別被設置在比用來記錄使用者資料之資料區間更為內緣側的內緣側領域，各記錄層的測試區域是藉由保持離間距離而被配置成，彼此在層方向上互不重疊；上記測試區域之間的上記離間距離係為222μm或其以上；在各記錄層的上記內緣側領域中係被設置有，進行管理資訊之記錄及再生的管理資訊記錄再生領域；並且對於各記錄層的測試區域之每一者，從測試區域往雷射入射面側，在層方向上重疊的上記管理資訊記錄再生領域係為1個以下的方式，來配置上記管理資訊記錄再生領域；該再生裝置的特徵係具備：控制部，係於各記錄層的上記內緣側領域中，對於各記錄層的測試區域之每一者，從測試區域往雷射入射面側，在層方向上重疊的上記管理資訊記錄再生領域係為1個以下的方式，且對於各記錄層的測試區域，於上記碟片基板側，在層方向上不會重疊的方式而被配置的管理資訊記錄再生領域，將其加以辨識，從該管理資訊記錄再生領域中再生出管理資訊，基於管理資訊而進行使用者資料的再生控制。
  9. 如申請專利範圍第8項所記載之再生裝置，其中，上記管理資訊記錄再生領域係為確定性管理資訊領域(INFO)、暫時性管理資訊領域(TDMA)、或預留區域(RSV)。
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