TWI420323B - 時間加權移動平均濾波器 - Google Patents

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TWI420323B
TWI420323B TW096111190A TW96111190A TWI420323B TW I420323 B TWI420323 B TW I420323B TW 096111190 A TW096111190 A TW 096111190A TW 96111190 A TW96111190 A TW 96111190A TW I420323 B TWI420323 B TW I420323B
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Description

時間加權移動平均濾波器
本發明大致上係關於製造，且尤其係關於時間加權移動平均濾波器的使用。
在半導體工業上有持續的驅動力欲增進例如微處理器、記憶體裝置等之積體電路裝置之品質、可靠度和產率。消費者對於更可靠操作之較高品質電腦和電子裝置之需求更促進了此驅動力。這些需求已造成製造例如電晶體之半導體裝置以及結合了此等電晶體之製造積體電路裝置的持續改進。此外，減少於製造典型電晶體之組件之缺陷亦降低對於每一電晶體之總成本以及結合了此等電晶體之積體電路裝置之成本。
一般而言，一組之製程步驟施行於一群(有時稱之為一“批(lot)”)使用不同製程工具之晶圓，該等製程工具包含有光微影步進器(photolithography stepper)、蝕刻工具、沉積工具、研磨工具(polishing tool)、快速熱製程工具、植入工具等。最近幾年構成半導體製程工具基礎之技術已引起更多的注意，造成實質精緻之產品。然而，僅管在此方面有所進展，但是現在在市場上可購買到的許多的製程工具遇有某些缺失。尤其是，此等工具經常缺乏先進的製程資料監視能力，譬如以使用者親和格式(user－friendly format)提供歷史參數資料，以及事件登錄(event logging)、現時(current)製程參數和整體運作(entire run)之製程參數二者之即時圖形顯示、和遠端(即局部位置和全球)監視之能力。這些缺失能產生關鍵製程參數(譬如產率、準確度、穩定度和可重複性、製程溫度、機械工具參數等)之非最佳控制(non－optimal control)。此變化性顯示其本身為能夠蔓延至產品品質和性能之偏差量(deviation)之同次差異(within－run disparity)、批次差異(run－to－run disparity)和工具交換差異(tool－to－tool disparity)，反之用於此等工具之理想的監視和診斷系統將提供監視此變化性之機構，以及提供關鍵參數之最佳化控制之機構。
用來改進半導體製程線(processing line)之操作之一種技術包含使用工廠廣泛控制系統(factory wide control system)來自動控制各種製程工具之操作。製造工具與製造架構(framework)或製程模組之網路溝通。各製造工具一般連接至裝備介面。裝備介面連接至有助於製造工具與製造架構之間溝通之機器介面。機器介面一般能夠是先進製程控制(advanced process control；APC)系統之部分。APC系統根據製造模式起始控制描述語言程式(control script)，該描述語言程式能夠是自動擷取須執行製造製程之資料之軟體程式。經常，半導體裝置為階段性地通過用於多個製程之多個製造工具，產生相關於所處理半導體裝置之品質之資料。
於製造製程期間，可能發生影響所製造裝置性能之各種事件。也就是說，於製造製程步驟中之變化造成裝置性能之變化。譬如特徵關鍵尺寸(feature critical dimension)、摻雜程度(doping level)、接觸電阻、粒子污染等之因素，全都可能潛在地影響裝置之最終性能。於製程線上之各種工具依照性能模式而受控制以減少製程變化。共同之控制工具包含光微影步進器、研磨工具、蝕刻工具、和沉積工具。預先製程(pre－processing)和/或後製程(post－processing)量測資料供應至用於工具之製程控制器。藉由製程控制器根據性能模式和企圖達成後製程結果盡可能接近目標值之量測資訊而計算譬如製程時間之操作配方參數(operating recipe parameter)。於此種方式之減少變化導致增加之產率、降低之成本、較高之裝置性能等，全部該等結果等於增加之利潤。於製程晶圓或批晶圓之前、期間(亦即，於原位(in－situ))、或之後所收集之量測資料可用來產生回饋(feedback)和/或前饋(feedforward)資訊用來決定用於前面製程工具(亦即，回饋)、後續製程工具(亦即，前饋)、或二者之控制行為。
典型上，控制器調整用於使用回饋或前饋量測資訊之控制工具之操作配方。控制行為一般使用追蹤關聯於製造之一個或多個製程狀態變數之控制模式而產生。舉例而言，控制器可調整光微影技術配方參數以控制所製造裝置之關鍵尺寸(critical dimension；CD)。同樣地，控制器可控制蝕刻工具以影響溝槽(trench)深度或間隔件(spacer)寬度特性。
欲提供控制器之穩定性，一般不會僅根據最近所觀察之製程狀態變數而產生控制行為。因此，前面的測量一般通過指數方式加權移動平均(exponentially weighted moving average；EWMA)濾波器，輸出用於製程狀態之平均值，該製程狀態因素係基於現時的和前面的值。EWMA濾波器為加權平均，該平均係由更多最近狀態值所加重影響。
EWMA濾波器在半導體工業上已用來評估製程狀態許多年。用於EWMA濾波器之一般方程式為： 其中加權因素，ω i ＝(1－λ )i ，酌減(discount)較舊的測量，而λ 為影響酌減程度(level of discounting)(亦即，0<λ <1)之調諧參數(tuning parameter)。
於測量數較大的情況中，最舊的測量對於濾波值有可忽略之貢獻，而可使用遞歸EWMA濾波器(recursive EWMA filter)： 遞歸(recursive)EWMA濾波器追蹤僅前面的製程狀態評估，並更新該評估為根據加權因素(λ )所接收之新資料。
當使用於半導體環境時，EWMA濾波器具有幾個限制。於半導體製造環境中，於個別晶圓或群組之晶圓(即，批)施行分離製程。於個別的分離事件收集用來決定製程狀態之量測資料。共用量測資源以收集關於不同類型和於不同階段完成之晶圓之資料。因此，關聯於指定製程狀態所收集之量測資料不由控制器於固定的更新間距(update interval)所接收。
而且，由於獨立製程工具和量測工具之數目，量測資料不須以序列時間次序到達。換言之，當批被處理時，其並非總是以相同的次序測量。當假定晶圓係依序處理時，遞歸EWMA濾波器並不負責失序之處理(out－of－order processing)。當取樣被接收時，利用該等取樣以產生新的製程狀態評估。而且，一旦取樣已加入遞歸EWMA狀態評估，則其不能取消。而且，EWMA濾波器不能負責序列製程間之明顯時間間隙(time gap)時間。當判定在序列製程之間是否有大的時間間隙或相對短的間隙時，EWMA相等地酌減資料。當EWMA濾波器不接收製程狀態更新時，於大時間間隙期間工具可能偏移(drift)。最後，EWMA濾波器不提供對於製程狀態評估之品質測量。用老舊和稀少的資料作的EWMA狀態評估相等地處理於新的和良好特性之資料。
本文此段欲介紹本領域之各種態樣，其可能相關於下文說明及/或提出申請專利範圍保護之相關於本發明之各種態樣。此段提供背景資訊以有助於本發明之各種態樣之較佳的了解。應了解到於本文此段中之敘述將以此觀點被閱讀，而非如先前技術所承認者。本發明係關於克服，或至少減少上述提出之一個或多個問題之影響。
下文提出本發明之簡單概述，以便提供本發明某些態樣之基本了解。此概述並非本發明之詳盡綜論。其無意用來驗證本發明之關鍵或重要元件，或用來描繪本發明之範疇。其唯一目是以簡化形式呈現一些概念作為稍後更詳細說明之引言。
本發明之一個態樣係表現一種用來評估關聯於製程之狀態之方法，該方法包含接收關聯於該製程之狀態觀察(state observation)。該狀態觀察具有關聯的製程時間。根據該製程時間產生用以酌減狀態觀察之加權因素。根據酌減之狀態觀察產生狀態評估。
本發明之另一個態樣係表現一種系統，該系統包含製程工具、量測工具、和製程控制器。該製程工具可操作以依照操作配方施行製程。該量測工具可操作以產生關聯於該製程之狀態觀察。該製程控制器可操作以接收具有關聯的製程時間之狀態觀察，根據製程時間產生用以酌減狀態觀察之加權因素，根據酌減之狀態觀察產生狀態評估，以及根據該狀態評估決定操作配方之至少一個參數。
下文中將說明本發明之一個或多個特定實施例。特別要表明的是本發明並不受該等實施例和其中所含說明之限制，而是要包含這些實施例修飾的形式，包含了實施例的部分和不同實施例之元件的組合，當其來自下列申請專利範圍之範圍中。應當了解，在開發任何此種真實的實作時，如於任何工程或設計計劃，必須作出許多與實作相關之決定，以便達到發明者的特定目標，譬如符合隨著實作的不同而有所變化的與系統相關及與商業相關之限制條件。此外，應當了解，此種開發工作可能是複雜且耗時的，然而，對已從本發明的揭示事項獲益的熟悉此項技術的一般知識者而言，仍將是一種例行之從事設計、製造、加工之工作。除非說明書中已明白指出為“關鍵的(critical)”或“不可或缺的(essential)”，否則於本申請專利說明書中沒有任何東西會被考慮為關鍵的或不可或缺的。
現將參照所附圖式來說明本發明。為了說明之目的，附圖中僅以示意方式例示出各種結構、系統與裝置，以使所屬技術領域中具有通常知識者不致於為了已理解之細節而模糊了本發明。然而，仍包含附圖以描述與解釋本發明的例示範例。應了解的是，此處之用詞與用語與所屬技術領域中具有通常知識者所了解的用詞與用語具有一致的意義。沒有任何特別的術語或用語之定義(亦即，與所屬技術領域具有通常知識者所了解的慣常定義之不同定義)是由此處術語或用語的持續使用而暗示。然而，具有特別意義之術語或用語(亦即，不同於與所屬技術領域具有通常知識者所了解的定義)將以直接且明確表達術語或用語特別定義之方式陳述於說明書中。
茲參照圖式，其中各圖中相同的元件符號對應於相似的組件。詳細參照第1圖，將以依照本發明用來處理晶圓110之例示製程線100來說明本發明。製程線100包含第一製程工具120、量測工具130、第二製程工具140、和製程控制器150。製程控制器150接收來自量測工具130之資料，並調整製程工具120、140其中一者或二者之操作配方，以減少於受處理晶圓110之特性變化。當然，分離的製程控制器150可提供給每一工具120、140。由製程控制器150所取得的特定的控制行為依於由製程工具120、140所施行，和由量測工具130所測量輸出特性之特定的製程。於例示之實施例中，製程控制器150使用時間酌減指數加權濾波技術用來評估關聯於晶圓110之製程狀態。一般而言，由量測工具130所收集之量測資料提供用來調整由製程控制器150所使用評估狀態的資訊。評估狀態由製程控制器150所使用用來調整受控制工具120、140之操作配方。
雖然本發明說明為其可施行於半導體製造設備，但是本發明並不作如此限制，而可應用於其他製造環境，以及實質上於任何之EWMA應用。說明於此處之技術可應用於各種工件，包含但不限於微處理器、記憶體裝置、數位訊號處理器、應用特定積體電路(application specific integrated circuit；ASIC)、或其他類似裝置。除了應用於半導體裝置之外，該技術可應用於工件。
製程控制器150可使用製程工具120、140之控制模式160，該製程工具120、140被控制以產生控制行為。控制模式160可憑經驗地發展使用共同已知之線性或非線性技術。控制模式160可以是相當簡單的基於方程式之模式，或更複雜之模式，譬如類神經網路(neural network)模式、主要組件分析(principal component analysis(PCA))模式、部分最少平方/預測潛在結構(partial least squares/projection to latent structures；PLS)模式。可基於所選擇之模式化技術和所控制之製程而改變特定執行之控制模式160。使用控制模式160，製程控制器150可決定操作配方參數以減少被處理之晶圓110之特性變化。
於例示之實施例中，製程控制器150為用軟體程式化之電腦，以執行所敘述之功能。然而，將如熟悉此項技術者所了解的，亦可使用設計以執行特定功能之硬體控制器。而且，如此處所說明之由製程控制器150所施行之功能可由分配於整個系統之多個控制器裝置所實施。此外，製程控制器150可以是獨立的控制器，其可設置在製程工具120、140上，或其可以是積體電路製造設備中控制操作之系統的部件。本發明之部分和對應之詳細說明係以電腦記憶體內資料位元上之軟體、或運算之演算法(algorithm)和符號代表之術語所呈現。這些說明和表示為由熟悉此項技術者有效地傳遞其工作實質內容至其他的熟悉此項技術者。如此處所用之術語其亦如一般所使用者，演算法構想為引導至所希望結果之有條理之序列步驟。該等步驟需要物理操控之物理量(physical quantity)。通常，雖然不是必須的，這些量是以能夠儲存、轉移、結合、比較、和其他操控方式之光、電、或磁訊號形式所取得。主要是基於共同使用之原因，歷久以來關連這些訊號為位元、數值、元件、符號、字元、術語、數字等係已證明為很方便。
然而，應當記住，所有的這些和相似的術語係相關於適當的物理量，而僅為方便標記應用於這些量。除非有特別的說明，或者從討論中明顯表現出，否則這些術語像是“處理(processing)”或“核算(computing)”或“計算(calculating)”或“判定(determining)”或“顯示(displaying)”等，參考為電腦系統之動作和製程，或類似之電子計算裝置，將實際表現之在電腦系統之暫存器和記憶體內之電子數量資料操作和轉換成在電腦系統記憶體或暫存器內，或其他此等資訊儲存、傳輸或顯示裝置內之表現為相似物理量之其他資料。
一般而言，製程控制器150施行時間加權技術用來產生製程狀態評估。藉由酌減由製程時間(亦即，晶圓或批晶圓於工具120、140中之處理之時間)之製程狀態觀察，製程控制器150定址發出之失序之製程。此外，於遞歸應用，因為最後狀態更新，時間加權技術亦根據時間而酌減，由此允許製程控制器150定址發出之觀察間隙。
用於時間加權EWMA濾波器(t－EWMA)之一般方程式為： 其中τ 代表關聯於被監視之製程之預定時間常數，該製程判定前面的狀態觀察資訊有多快被酌減，而ti 為自從該晶圓/批於工具120、140中已被處理之經過時間(亦即，ti ＝t－tp )。第2圖顯示應用於特定的觀察作為觀察之齡期(age)之函數(所謂的自從處理之經過時間)之加權。
用於遞歸Rt－EWMA濾波器之方程式為： 其中 以及
茲參照第3圖，考慮具有大約1.4觀察齡期之時間延遲觀察。由於時間延遲，而酌減製程狀態觀察，使得依照方程式6而具有大約0.25之加權因素。第4圖顯示具有無量測延遲(no metrology delay)之新觀察。當製程狀態觀察為現時(current)時，加權因素為1.0。於二種情況中，因為最後狀態更新因此前面的加權因素依照方程式5根據時間而被酌減。
茲轉至第5圖，顯示用來執行Rt-EWMA之方法之簡化流程圖。欲執行Rt-EWMA，僅需儲存前面的加權ωk,old 、前面的狀態評估、和前面的狀態更新之時間戳記(time stamp)。考慮更新儲存之Rt-EWMA參數、新的觀察ynew 、製程運作之時間戳記tp 、和現時時間戳記。
於方法步驟500中，根據自從前面的狀態更新所經過的時間而酌減前面的加權因素ωk,old (方程式5)。於方法步驟510中，用於新觀察之加權因素ωnew 根據製程時間tp 而被決定(方程式6)。於方法步驟520中，計算新的狀態評估作為新觀察之加權平均yk 和前面的狀態評估(方程式4)。於方法步驟530中，藉由將酌減前面的加權因素加至新的加權因素而更新加權因素：ω k＋1 ＝ω k ＋ω new . (7)
Rt－EWMA技術之一個明顯的優點為觀察可以“不完成(undone)”狀態評估。例如，考慮得自未反映一般製程狀態之錯誤狀況之離群值(outlier)狀態觀察。於某些情況中，在確認狀態觀察關聯於離群值狀態而當判定狀態評估時將被忽略之前可能先延遲。然而，於習知的遞歸EWMA設定一旦觀察已經聚集入狀態評估時，觀察不能從狀態評估移除。反之，當Rt－EWMA技術避免失序製程之問題時，若觀察yx 和時間戳記tp 為如下方程式之已知，則可不完成觀察。
應注意的是當根據製程時間時，用來去除狀態觀察之加權因素與用來加上狀態觀察之加權因素相同。同時，藉由僅減去當狀態觀察被初始加上時所加上之加權因素而調整合成之加權因素。
下列的例子說明於半導體製造設定中t－EWMA或Rt－EWMA技術之示範實作。於此例示之例子中，製程工具120為蝕刻工具而量測工具130配置以測量由蝕刻製程所形成溝槽之深度。依照控制模式160由製程控制器150使用之回饋控制方程式用來決定蝕刻時間TE 為： 其中TB 為對應於預設蝕刻時間值(default etch time value)之基本蝕刻時間、k為調諧參數、TDT為目標溝槽深度、DM 為觀察之溝槽深度之評估。個別之溝槽深度觀察為由依照本發明之t－EWMA或Rt－EWMA技術所濾波以產生狀態評估之製程狀態觀察。溝槽之目標深度和對於溝槽深度之狀態評估之間之差反映錯誤值。增益常數k表示製程控制器150如何積極地反應於溝槽深度之錯誤。
當表現於半導體製造環境時，t－EWMA和Rt－EWMA當使用於缺少規則生產間距和依次狀態觀察之情況時對於其習知相對應部分具有許多的優點。因為進入觀察(incoming observation)根據其製程時間而酌減，則所接收觀察之次序不明顯地影響狀態評估之可靠度，因此增強了製程控制器150之性能。同時，於遞歸執行時，由於應用於前面狀態加權因素之酌減，於狀態更新之間之有效的時間延遲能夠最小化。因此，更近的觀察相對於更久的觀察將給予更高的加權以決定狀態評估。而且，若判定觀察表示離群值資料時，則將觀察從狀態評估去除。
以上揭示之特定實施例僅為例示性之說明，然對於熟悉此項技術者於了解本說明書之內容後可很顯然地了解本發明可用不同但相等之方式作修改或實作。再者，除了後述之申請專利範圍所描述者外，其餘於此顯示之詳細構造或設計並非要用來限制本發明。因此，很明顯的，以上所揭露之特定實施例可在不違背本發明之精神及範疇下進行修飾與改變，而所有之此等改變皆考慮在本發明之精神與範圍內。由是，本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍。
100．．．製程線
110．．．晶圓
120．．．第一製程工具
130．．．量測工具
140．．．第二製程工具
150．．．製程控制器
160．．．控制模式
500、510、520、530．．．步驟
以上參照所附圖式而詳細說明本發明，其中相似之元件符號係表示相似之元件，以及：第1圖為依照本發明之一個例示實施例之製程線之簡化方塊圖；第2圖為例示應用於特定的觀察作為觀察之齡期(age)之函數之圖式；第3和4圖例示應用於示範新觀察之加權；以及第5圖為依照本發明之另一個例示實施例，用來執行遞歸時間加權EWMA方法之簡化流程圖。
雖然本發明可容易作各種之修飾和替代形式，在此係由圖式中之範例顯示及詳細說明本發明之特定實施例。然而，應暸解到此處特定實施例之圖式及詳細說明並不欲用來限制本發明為所揭示之特定形式，反之，本發明將涵蓋所有落於由所附申請專利範圍內所界定之本發明之精神和範圍內之修飾、等效和替代內容。
100．．．製程線
110．．．晶圓
120．．．第一製程工具
130．．．量測工具
140．．．第二製程工具
150．．．製程控制器
160．．．控制模式

Claims (21)

  1. 一種用於評估關聯於製程之狀態的方法，包括下列步驟：接收關聯於該製程之狀態觀察，該狀態觀察具有關聯的製程時間，該關聯的製程時間指示進行製程之時間；產生酌減該狀態觀察之加權因素作為該製程時間之值之函數；以及根據該酌減之狀態觀察產生狀態評估。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該加權因素包括指數加權因素。
  3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中，該指數加權因素包括，其中，tp 為該製程時間，t為現時時間，和τ是預定時間常數。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，產生該狀態評估復包括使用時間加權指數加權移動平均來產生該狀態評估。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，產生該狀態評估復包括使用遞歸時間加權指數加權移動平均來產生該狀態評估。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中，產生該狀態評估復包括：從前面的狀態更新酌減加權因素作為自從該前面 的狀態更新所經過時間之函數；以及產生該更新之狀態評估作為該酌減之狀態觀察、該酌減之加權因素、和前面之狀態評估之函數。
  7. 如申請專利範圍第6項之方法，復包括根據該酌減的加權因素和用來酌減該狀態觀察之該加權因素而更新該加權因素。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該狀態觀察包括第一狀態觀察，該製程時間包括第一製程時間，並且該方法復包括：接收關聯於該製程之第二狀態觀察，該第二狀態觀察具有第二關聯的製程時間，該第二關聯的製程時間指示用於該第二狀態觀察之進行製程之時間，該第二製程時間早於該第一製程時間；根據該第二製程時間之值酌減該第二狀態觀察；以及根據該酌減之第二狀態觀察更新該狀態評估。
  9. 如申請專利範圍第1項之方法，復包括：接收關聯於該製程之複數個狀態觀察，各狀態觀察具有製程時間，該製程時間指示用於關聯的狀態觀察之進行製程之時間；酌減各狀態觀察作為其關聯的製程時間之函數；以及根據該酌減之狀態觀察產生該狀態評估。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中，產生該狀態評估 復包括使用下列方程式產生該狀態評估，其中，，其中，ti 等於現時時間t減去該關聯的製程時間tp 。
  11. 如申請專利範圍第9項之方法，其中，產生該狀態評估復包括使用下列方程式產生該狀態評估，其中，以及，其中，tp 表示該關聯的製程時間。
  12. 如申請專利範圍第9項之方法，其中，產生該狀態評估復包括反應於接收各狀態觀察而產生更新的狀態評估，以及其中，產生各更新的狀態評估復包括：產生用於該更新的狀態評估之新的加權因素作為關聯於被結合入該更新的狀態評估之該狀態觀察之該製程時間的函數；酌減關聯於前面的更新的狀態評估之加權因素作為自從產生該前面的更新的狀態評估所經過時間之函數；以及產生該更新的狀態評估作為該新的加權因素、被結合入該更新的狀態評估之該狀態觀察、關聯於該前面的更新的狀態評估之該酌減之加權因素、和該前面的更新的狀態評估的函數。
  13. 如申請專利範圍第12項之方法，復包括去除來自該狀態評估之該狀態觀察之所選擇之其中一者。
  14. 如申請專利範圍第13項之方法，其中，去除該所選擇之狀態觀察復包括：產生用於該所選擇之狀態觀察之去除加權因素作為該關聯的製程時間之函數；以及使用該所選擇之狀態觀察和該去除加權因素來去除該所選擇之狀態觀察。
  15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中，去除該所選擇之狀態觀察復包括使用下列方程式去除該所選擇之狀態觀察 其中，tp 表示該關聯的製程時間。
  16. 如申請專利範圍第1項之方法，復包括根據該狀態評估控制該製程。
  17. 如申請專利範圍第12項之方法，其中，該製程包括半導體製造製程，控制該製程復包括決定用於半導體製造製程之操作配方之至少一個參數，以及該方法復包括於決定該操作配方之該至少一個參數後接著處理半導體裝置。
  18. 一種用來過濾資料之電腦執行之方法，包括下列步驟：接收複數個資料元件，每一資料元件具有關聯之時間戳記；產生加權因素以酌減各資料元件作為該關聯之時 間戳記之值之函數；以及根據該酌減之資料元件產生資料元件評估。
  19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中，產生該資料元件評估復包括反應於接收各資料元件而產生更新之資料元件評估，以及其中，產生各更新之資料元件評估復包括：產生用於該更新之資料元件評估之新的加權因素作為關聯於被結合入該更新之資料元件評估之該資料元件之該時間戳記之函數；酌減關聯於前面的更新之資料元件評估之加權因素作為自從產生該前面的更新之資料元件評估所經過時間之函數；以及產生該更新之資料元件評估作為該新的加權因素、被結合入該更新之資料元件評估之該資料元件、關聯於該前面的更新之資料元件評估之該酌減之加權因素、和該前面的更新之資料元件評估的函數。
  20. 一種用於評估關聯於製程之狀態的系統，包括：製程工具，可操作以根據操作配方執行製程；量測工具，可操作以產生關聯於該製程之狀態觀察；以及製程控制器，可操作以接收具有關聯之製程時間之狀態觀察，該關聯之製程時間指示進行製程之時間，產生用以酌減該狀態觀察之加權因素作為該製程時間之值之函數，根據該酌減之狀態觀察產生狀態評估，以及 根據該狀態評估決定該操作配方之至少一個參數。
  21. 一種用於評估關聯於製程之狀態的系統，包括：用來接收關聯於該製程之狀態觀察之機構，該狀態觀察具有關聯之製程時間，該關聯之製程時間指示進行製程之時間；用來產生用以酌減該狀態觀察加權因素作為該製程時間之值之函數之機構；以及用來根據該酌減之狀態觀察而產生狀態評估之機構。
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