TWI418675B - The air flow guide device of the long crystal furnace - Google Patents

Description

長晶爐之氣流導引裝置

本發明係有關一種應用於長晶爐之氣流導引裝置，尤指一種可以有效降低雜質濃度之長晶爐氣流導引裝置。

眾所周知，太陽能電池是利用太陽光與材料相互作用直接產生電力的一種無污染再生能源，尤其太陽能電池在使用中並不會釋放包括二氧化碳在內之任何氣體，明顯可改善生態環境、解決地球溫室效應的問題。

太陽能電池是將太陽能轉換成電能的裝置，且不需要透過電解質來傳遞導電離子，而是改採半導體產生PN結來獲得電位，當半導體受到太陽光的照射時，大量的自由電子伴隨而生，而此電子的移動又產生了電流，也就是在PN結處產生電位差。

目前，太陽能電池主要分非晶、單晶及多晶三種；如第一圖所示，為一種用以製造矽晶體之長晶爐，其主要係以一供盛裝矽熔湯11的坩堝21為主體，並且於坩堝21外圍設有側絕熱層22及上絕熱層23，使構成一密封的熱場，並且於熱場當中設有加熱器24用以對矽金屬進行加熱。

再者，熱場之上絕熱層23處設有一供連接惰性氣體之輸氣管25，以及數量不等的排氣孔26。使於矽金屬加熱熔融過程中，配合由輸氣管25輸入預定流速的氣體，藉以產生通過熱場的氣流，以將容易形成雜質的氧化物排出。

整體長晶爐則可採用降低加熱器24功率使坩堝21內之矽熔湯11固化的方式獲得晶體12(鑄造法)，或採用側絕熱層22上移輻射冷卻使坩堝21內之矽熔湯11固化的方式獲得晶體12(直接固化系統)。

甚至於，可進一步於坩堝21與底座27之間連接有一支柱28；使得以透過支柱28帶動坩堝21下移至冷區，使坩堝21內之矽熔湯11固化的方式獲得晶體12(布氏法)，或是於支柱28導入冷卻流體，使坩堝21內之矽熔湯11固化的方式獲得晶體12(熱交換器法)。

惟，類似習用之長晶爐之氣流導引裝置當中的輸氣管25僅概略伸入上絕熱層23下方之熱場中，因此極容易因為輸氣管25之管口與坩堝21內部矽熔湯11之自由表面(矽熔湯與氣體之接觸表面)距離過長，致使排出輸氣管25之氣流無法有效將雜質帶離自由表面，使形成之晶體所含雜質濃度較高，因而降低晶體品質。

有鑑於此，本發明即在提供長晶爐一種可以有效降低雜質濃度，藉以提升晶體品質之氣流導引裝置，為其主要目的者。

為達上述目的，本發明之氣流導引裝置係包括有：一相對罩設於坩堝外圍的絕熱層、一設於絕熱層上的輸氣管，以及若干設於絕熱層的排氣孔，使得以配合由輸氣管輸入預定流速的氣體，藉以產生通過熱場的氣流，以將容易形成雜質的氧化物排出；尤其，輸氣管之管口處設有若干呈放射狀配置之導流板，其通過輸氣管之氣流即在導流板之作用下，使熔湯之自由表面得以同步接受導引氣流之吹拂作用，達到有效降低雜質濃度之目的，進而提升晶體之品質。

本發明之氣流導引裝置係可進一步在輸氣管處設有一高度調節機構，使得以依照實際操作時的坩堝高度或熔湯之自由表面高度，而調整輸氣管之相對高度，以準確掌控輸氣管之管口與坩堝內部熔湯之自由表面保持在預定的間距範圍內，使得以在相同氣體流速之條件下，可增加自由表面氣體之流速，能夠將氣化之雜質混合氣迅速帶離熔湯之自由表面，並加速將雜質帶離自由表面之速率。

本發明之氣流導引裝置係可再進一步於各導流板與輸氣管之間設有角度調節機構，使得以依照實際操作狀態調整導流板之角度，使得以配合晶體生長過程改變氣體之流速，進而能夠準確掌控晶體之品質。

本發明之特點，可參閱本案圖式及實施例之詳細說明而獲得清楚地瞭解。

本發明主要提供長晶爐一種可以有效降低雜質濃度，藉以提升晶體品質之氣流導引裝置，如第二圖及第三圖所示，本發明之長晶爐主要係以一供盛裝矽熔湯41的坩堝31為主體，並且於坩堝31外圍設有絕熱層32，使構成一密封的熱場，並且於熱場當中設有加熱器37用以對矽金屬進行加熱。

本發明之氣流導引裝置係包括有：一設於該絕熱層32上的輸氣管33，以及若干設於該絕熱層32的排氣孔34；使得以配合由輸氣管33輸入預定流速的氣體，藉以產生通過熱場的氣流，以將容易形成雜質的氧化物排出；其特徵在於：該輸氣管33之管口處設有若干呈放射狀配置之導流板36，用以將通過輸氣管33之氣流朝向輸氣管33之管口周圍引導，使熔湯41之自由表面得以同步接受導引氣流之吹拂作用，而加速將雜質帶離自由表面之速率，以有效降低雜質濃度，藉以提熔湯41冷卻固化後之晶體品質。

本發明之氣流導引裝置所應用之長晶爐，係可以為採用直接降低加熱器功率使坩堝31內之熔湯41冷卻固化(鑄造法)之長晶爐，或是以絕熱層32上移輻射冷卻使坩堝31內之熔湯41冷卻固化(直接固化系統)之長晶爐。

當然，本發明之氣流導引裝置所應用之長晶爐係可進一步於坩堝31底部連接有一支柱38；使得以透過支柱帶動坩堝31下移至冷區，使坩堝31內之熔湯41冷卻固化(布氏法)，或是於支柱導入冷卻流體，使坩堝31內之熔湯41冷卻固化(熱交換器法)，而皆可以利用本發明之氣流導引裝置有效降低雜質濃度，藉以提升熔湯41冷卻固化後之晶體42品質。

再者，本發明之氣流導引裝置係可進一步在該輸氣管33處設有一用以調節該輸氣管33相對高度之高度調節機構，該高度調節機構係可以由一軸設於該絕熱層32上的螺旋套筒35為主體，該輸氣管33之外圍係設有供與該螺旋套筒35相螺接的螺牙區段331，使當該輸氣管33與螺旋套筒35相對轉動時，即可利用螺旋作用調整該輸氣管之相對高度。

整體長晶爐之氣流導引裝置即得以依照實際操作時的坩堝31高度或熔湯41之自由表面高度，調整該輸氣管33之相對高度，以準確掌控輸氣管33之管口與坩堝31內部熔湯41之自由表面保持在預定的間距範圍內，使得以在相同氣體流速之條件下，增加自由表面氣體之流速，能夠將氣化之雜質混合氣迅速帶離熔湯41之自由表面，並加速將雜質帶離自由表面之速率。

再者，該坩堝31內部輪廓形狀係可以如呈第三圖所示為方形，或是如第四圖所示該坩堝31內部輪廓形狀為圓形；而且，該導流板36之外緣與該坩堝31之內緣係保持有一預定之間距，且，本發明之氣流導引裝置當中相鄰導流板36尾端的間隙係小於導流板36寬度的一半為佳。

另外，本發明之氣流導引裝置係可再進一步於各導流板36與輸氣管之間設有角度調節機構，使得以依照實際操作狀態調整導流板之角度，使得以配合晶體生長過程改變氣體之流速，進而能夠準確掌控晶體之品質。

於實施時，如第五圖所示，本發明中的角度調節機構係在各導流板36上設有軌道361，另於各軌道361與該輸氣管33之間連接有拉桿362，使得以在拉桿362與軌道361之作用下，使導流板36與輸氣管33可做夾角之調整；抑或是，如第六圖所示，於各導流板36與該輸氣管33之間設有鉸鍊363，使導流板36與輸氣管33可做夾角之調整，以符合不同氣體流速之使用需求，而該導流板36與輸氣管33之角度可以介於80~160度之間，其中以90度以及150度為最佳；當然，另於該坩堝31上方可進一步設有蓋板39，而該蓋板36上設有預定數量之排氣孔34

本發明之氣流導引裝置主要利用該輸氣管33管口處之導流板36設計，使通過輸氣管33之氣流係可在導流板36之作用下，使熔湯41之自由表面得以同步接受導引氣流之吹拂作用，達到有效降低雜質濃度之目的。

如上所述，本發明提供長晶爐一較佳可行之氣流導引裝置，爰依法提呈發明專利之申請；本發明之技術內容及技術特點巳揭示如上，然而熟悉本項技術之人士仍可能基於本發明之揭示而作各種不背離本案發明精神之替換及修飾。因此，本發明之保護範圍應不限於實施例所揭示者，而應包括各種不背離本發明之替換及修飾，並為以下之申請專利範圍所涵蓋。

11．．．矽熔湯

12．．．晶體

21．．．坩堝

22．．．側絕熱層

23．．．上絕熱層

24．．．加熱器

25．．．輸氣管

26．．．排氣孔

27．．．底座

28．．．支柱

31．．．坩堝

32．．．絕熱層

33．．．輸氣管

331．．．螺牙區段

34．．．排氣孔

35．．．螺旋套筒

36．．．導流板

361．．．軌道

362．．．拉桿

363．．．鉸鍊

37．．．加熱器

38．．．支柱

39．．．蓋板

41．．．熔湯

42．．．晶體

第一圖係為一習用長晶爐之長晶爐之氣流導引裝置結構示意圖。

第二圖係為本發明之長晶爐結構剖視圖。

第三圖係為本發明中導流板之結構俯視圖。

第四圖係為本發明中導流板之另一結構俯視圖。

第五圖係為本發明第一實施例之氣流導引裝置結構剖視圖。

第六圖係為本發明第二實施例之氣流導引裝置結構剖視圖。

31．．．坩堝

33．．．輸氣管

36．．．導流板

Claims (8)

1. 一種長晶爐之氣流導引裝置，係包括有：一相對罩設於坩堝外圍的絕熱層、一設於絕熱層上的輸氣管，以及若干設於絕熱層上的排氣孔；其特徵在於：該輸氣管之管口處設有若干呈放射狀配置之導流板，而該輸氣管處設有一用以調節該輸氣管相對高度之高度調節機構；各導流板處設有用以調整導流板角度之角度調整機構。
2. 如請求項1所述長晶爐之氣流導引裝置，其中該輸氣管處設有一用以調節該輸氣管相對高度之高度調節機構。
3. 如請求項1所述長晶爐之氣流導引裝置，其中各導流板處設有用以調整導流板角度之角度調整機構。
4. 如請求項1或2所述長晶爐之氣流導引裝置，其中該高度調節機構係由一軸設於該絕熱層上的螺旋套筒為主體，該輸氣管之外圍係設有供與該螺旋套筒相螺接的螺牙區段，以利用螺旋作用調整該輸氣管之相對高度。
5. 如請求項1或3所述長晶爐之氣流導引裝置，其中該角度調節機構係在各導流板上設有軌道，另於各軌道與該輸氣管之間連接有拉桿。
6. 如請求項1或3所述長晶爐之氣流導引裝置，其中該角度調節機構係於各導流板與該輸氣管之間設有鉸鍊。
7. 2或3所述長晶爐之氣流導引裝置，其中該坩堝上方可進一步設有蓋板，而該蓋板上設有預定數量之排氣孔。
8. 2或3所述長晶爐之氣流導引裝置，其中相鄰導流板尾端的間隙係小於導流板寬度的一半為佳。