TWI418604B

TWI418604B - Semiconductor wafer processing tape

Info

Publication number: TWI418604B
Application number: TW99139513A
Authority: TW
Inventors: Masami Aoyama; Shinichi Ishiwata; Yasumasa Morishima
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 2010-11-17
Filing date: 2010-11-17
Publication date: 2013-12-11
Also published as: TW201221609A

Description

半導體晶圓加工用膠帶

本發明係關於供將半導體晶圓切斷為半導體晶片，製造半導體裝置而使用的黏接膜及半導體晶圓加工用膠帶。

作為在半導體裝置的製造步驟使用的半導體晶圓加工用膠帶，被提出了具有在黏接膜(切片膠帶，dicing tape)，被層積接著劑層(晶粒接合膜，die bonding film)的構造之半導體晶圓加工用膠帶(例如，可參照專利文獻1)，也已經被實用化。

在半導體裝置之製造步驟，於半導體晶圓貼附半導體晶圓加工用膠帶後，實施使用切片刀片將半導體晶圓切斷(切片)為晶片單位的步驟、展開半導體晶圓加工用膠帶的步驟，進而還包括由接著劑層以及黏接劑層收取(pick-up)被切斷的晶片的步驟、透過附著於晶片的接著劑層將晶片實裝於基板等的步驟。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平02-32181號公報

然而，在記載於前述專利文獻1的半導體晶圓加工用膠帶，會有在輸送中或保管中接著劑層吸收空氣中的水分而變軟，降低切削性的情形。

在這樣的場合，切片時，發生鬍鬚狀的切削屑，這些切削屑與基材膜或黏接劑層的切削屑一起被切片而在鄰接的晶片間融接，於收取時，會有鄰接於要收取的晶片的晶片附隨地被收取之收取錯誤(雙重切片)的問題。

因此，本發明之目的，在於提供減低因接著劑層吸收空氣中的水分而軟化的情形，而可以抑制收取(pick-up)錯誤的發生之黏接膜及半導體晶圓加工用膠帶。

為了解決前述課題，本發明之黏接膜，特徵為由基材膜及被設於該基材膜上的黏接劑層所構成的黏接膜，透濕度為10.0g/m² /day以下。

此外，本發明之半導體晶圓加工用膠帶，特徵為具有：由基材膜及被設於該基材膜上的黏接劑層所構成的黏接膜，及被設於前述黏接劑層上的接著劑層的晶圓加工用膠帶；前述黏接膜的透濕度為10.0g/m² /day以下。

此外，於前述半導體晶圓加工用膠帶，前述黏接膜與前述接著劑層合計之吸水率最好是在2.0體積%(百分比)以下。

本發明之黏接膜及半導體晶圓加工用膠帶，在接著劑層被接合於黏接膜而被輸送/保管的場合，減低由於接著劑層吸收空氣中的水分而導致軟化，可以抑制收取(pick-up)錯誤的發生。

[供實施發明之最佳型態]

以下，根據圖面詳細說明相本發明之實施型態。

相關於本實施型態之半導體晶圓加工用膠帶15，如圖1所示，係於基材膜11上，具有被層積黏接劑層12的黏接膜14，於黏接劑層12之上係被層積接著劑層13之切片/晶粒接合膜(die bonding film)。又，黏接劑層12及接著劑層13，配合於使用步驟或裝置而被預先切斷為特定形狀(預切)亦可。因應於晶圓W(參照圖2(a))層積被預切的接著劑層13的場合，在晶圓W被貼合的部分有接著劑層13，在切片用的環狀框20(參照圖2(a))被貼合的部分沒有接著劑層13僅存在黏接劑層12。一般而言，接著劑層13不易由被接著體剝離，所以藉由使用被預切的接著劑層13，環狀框20可貼合於黏接劑層12，可得對使用後的環狀框20之糊殘留不容易產生的效果。此外，本發明之半導體晶圓加工用膠帶15，包含每1枚晶圓份被切斷而被層積的型態，與此被複數形成的長尺寸薄片捲取為滾筒狀的型態。以下，針對基材膜11、黏接劑層12、及接著劑層13分別詳細說明。

<基材膜>

作為構成基材膜的材料，沒有特別限定，以由聚烯烴及聚氯乙烯所選擇為較佳。

作為前述聚烯烴，可以舉出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚合物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-醋酸乙烯酯共聚合物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚合物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚合物、乙烯-丙烯酸共聚合物、離子聚合物(ionomer)等之α-烯烴之單獨聚合物或共聚合物或這些之混合物等。

作為後述之黏接劑層使用藉由放射線照射而硬化，黏接力降低的型式的場合，基材膜，以具有放射線透過性較佳。基材膜的厚度，由強度及晶片的收取性之確保的觀點來看，以50～300μm較佳。此外，基材膜可為單層，亦可以複數層構成。

<黏接劑層>

黏接劑層，可以在基材膜上塗佈黏接劑而製造。作為黏接劑層沒有特別限制，只要是具有在展開時接著劑層及半導體晶圓不剝離的程度之保持性，或收取時具有容易與接著劑層剝離的特性者即可。為了提高收取性，黏接劑層以具放射線硬化性者較佳。

例如，使用於黏接劑的習知的氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚氨基甲酸乙酯樹脂、環氧樹脂、附加反應型有機金屬聚矽氧烷系樹脂、矽酮丙烯酸酯樹脂、乙烯-醋酸乙烯酯共聚合物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚合物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚合物、乙烯-丙烯酸共聚合物、聚異丙烯或苯乙烯丁二烯共聚合物或其之氫添加物等各種彈性體等或其混合物，適當地配合放射線聚合性化合物而調製黏接劑為較佳。此外，添加各種界面活性劑或表面平滑劑亦可。黏接劑層的厚度沒有特別限定，適當設定亦可，而以1～30μm為較佳。

聚合性化合物，使用例如藉由光線照射而在應當三次元網狀化的分子內至少具有2個以上的光聚合性碳-碳雙鍵結合的低分子量化合物，或具有光聚合性碳-碳雙鍵結合基為置換基的高分子或寡聚體。具體而言，可以適用三羥甲基丙烷丙烯酸酯(trimethylolpropane triacrylate)、季戊四醇三丙烯酸、季戊四醇四丙烯酸、二季戊四醇單羥基五丙烯酸、二季戊四醇六丙烯酸、1,4-二丙烯酸丁二酯、1,6-二丙烯酸己二酯、聚二丙烯酸乙二酯、或丙烯酸寡酯等，丙烯酸矽氧樹脂等、丙烯酸或各種丙烯酸酯類之共聚合物等。

此外，除了前述那樣的丙烯酸系化合物以外，亦可使用氨基甲酸酯丙烯酸系寡聚合物。氨基甲酸酯丙烯酸系寡聚合物，係使聚酯型或聚醚型等之多元醇化合物，與多價之異氰酸酯化合物(例如，2,4-三甲苯基二異氰酸酯、2,6-三甲苯基二異氰酸酯、1,3-二甲苯基二異氰酸酯、1,4-二甲苯基二異氰酸酯、二苯基甲烷4,4-二異氰酸酯等)反應而得到的末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚合物，使具有羥基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如，2-羥基乙基丙酸酯、2-羥基乙基異丁烯酸酯、2-羥基丙基丙酸酯、2-羥基丙基異丁烯酸酯、聚丙烯酸乙二酯、聚異丁烯酸乙二酯等)反應而得的。

又，於黏接劑層，亦可為由前述樹脂所選擇的2種類以上混合者。此外，以上所舉之黏接劑之材料，最好是使表面自由能在40mJ/m² 以下，而且在分子構造中包含儘可能多的三氟甲烷基、二甲基甲矽烷基、長鏈烷基等無極性基。

又，於黏接劑層之樹脂，除了將放射線照射於基材膜而使黏接劑層硬化的放射線聚合性化合物以外，亦可以適當配合壓克力系黏接劑、光聚合開始劑、硬化劑等而調製黏接劑。

使用光聚合開始劑的場合，例如可以使用異丙基苯基醚、異丁基苯基醚、苯甲酮、米希勒酮(Michler's ketone)、氯硫代呫噸酮(Chlorothioxanthone)、十二烷基硫代呫噸酮、二甲基硫代呫噸酮、二乙基硫代呫噸酮、苯甲基二甲基縮酮、α-羥基環己基苯酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。這些光聚合開始劑之配合量以相對於壓克力系共聚合物100質量部佔0.01～30質量部較佳，以1～10質量部更佳。

又，黏接劑中存在低分子成分的話，基材膜製造後在長期保管時，低分子成分有移動至黏接劑層表面而損及黏接劑特性之虞，所以凝膠分率越高越好，通常在60%以上，較佳者為70%以上。此處，所謂凝膠分率，係由以下之方法算出。秤取黏接劑層約0.05g，於二甲苯(xylene)50毫升在120℃下浸漬24小時後，以200網目之不銹鋼製金屬網過濾，使金屬網上的不溶解成分在110℃下進行120分鐘的乾燥。其次，秤重乾燥了的不溶解成分的質量，以下列所示之式1算出凝膠分率。

凝膠分率(%)=(不溶解成分之質量/秤取之黏接劑層的質量)×100(式1)

黏接膜的透濕度為10.0g/m² /day以下。如此般，藉由使黏接膜的透濕度在10.0g/m² /day以下，半導體晶圓加工用膠帶，在每1枚份晶圓被切斷而層積的狀態，或者是長尺寸的薄片捲取為滾筒狀的狀態下被運送/保管的途中，空氣中的水蒸氣很難由外側往內側透過，所以到達接著劑層的水分量會減少，減低接著劑層的軟化。因此，切片時之鬍鬚狀的切削屑的發生也會減少，可以抑制這些切削屑與基材膜或黏接劑層之切削屑一起被切片而在鄰接的晶片間融接，在收取時發生收取錯誤。

要使黏接膜的透濕度降低，作為使用於基材膜的高分子，使用聚乙烯、聚丙烯、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene Naphthalate，PEN)等透濕度低的高分子即可。此外，藉由增大基材膜的厚度，也可以使黏接膜的透濕度降低。進而，要使黏接膜的透濕度降低，使黏接劑層的厚度增厚即可。此外，藉由提高黏接劑層的架橋(橋接鍵結)密度亦可以使透濕度降低。為了降低架橋密度，只要增加硬化劑量，或者於黏接劑層使用羥基多的高分子即可。

<接著劑層>

接著劑層，係作為在半導體晶圓被貼合而切斷後，收取晶片時，由黏接劑層剝離被切斷的接著劑層而附著於晶片，使晶片固定於封裝基板或導線架時之結合膜(bonding film)而發揮功能者。

接著劑層，係預先使接著劑薄膜化者，例如可以使用被使用於接著劑的公知的聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚酯醯亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚酮樹脂、氯化聚丙烯樹脂、壓克力樹脂、聚氨基甲酸乙酯樹脂、環氧樹脂、聚丙烯醯胺、三聚氰胺[甲醛]樹脂等或其混合物，為了使接著劑層13的裁斷性更好，最好是包含壓克力系共聚合物、環氧樹脂，壓克力系共聚合物的Tg為10℃以上。進而，無機填充物最好含有50%以上。此外，為了強化對晶片或導線架之接著力，把矽烷耦合劑或者鈦耦合劑作為添加劑加入前述材料或其混合物為較佳。接著劑層的厚度沒有特別限定，通常以5～100μm程度為較佳。

環氧樹脂，只要硬化而呈現接著作用者即可，沒有特別限制，較佳者可以使用二官能基以上，且分子量不滿5000之環氧樹脂，更佳者為不滿3000之環氧樹脂。此外，較佳者可以使用分子量500以上，更佳者為800以上之環氧樹脂。

例如，可以舉出雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、脂肪族鏈狀環氧樹脂、酚醛樹脂(Phenol Novolac，PN)型環氧樹脂、甲酚醛型環氧樹脂(cresol novolac epoxy resin)、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、二酚之二縮水甘油基醚化物、萘二酚(naphthalene diol)之二縮水甘油基醚化物、苯酚類之二縮水甘油基醚化物、醇類之二縮水甘油基醚化物、及這些之烷基置換體、鹵化物、加氫物等二官能基環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂。此外，也可以適用多官能基環氧樹脂或含雜環環氧樹脂等，一般所已知者。這些可以單獨使用或組合兩種以上使用。進而，在不損及特性的範圍內，亦可包含環氧樹脂以外的成分作為不純物。

作為壓克力系共聚合物，例如，可以使用含有環氧基之壓克力共聚合物。含有環氧基之壓克力共聚合物，包含0.5～6重量百分比之具有環氧基之丙烯酸甘油醚酯或者甲基丙烯酸甘油醚酯(glycidyl methacrylate)。為了得到高接著力，最好為0.5重量%以上，若在6重量%以下可以抑制凝膠化。

作為官能基單體使用的丙烯酸甘油醚酯(glycidyl acrylate)或者或者甲基丙烯酸甘油醚酯(glycidyl methacrylate)之量為0.5～6重量百分比之共聚合物比。總之，於本發明含有環氧基壓克力共聚合物，係將丙烯酸甘油醚酯(glycidyl acrylate)或者甲基丙烯酸甘油醚酯(glycidyl methacrylate)作為原料，對所得到的共聚合物使用0.5～6重量百分比之量所得到之共聚合物。剩下部分可以使用甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸甲酯等碳數為1～8之具有烷基的丙烯酸烷酯、甲基丙烯酸烷酯、及苯乙烯或丙烯腈等之混合物。其中，以乙基(甲基)丙烯酸酯及/或丁基(甲基)丙烯酸酯特佳。混合比率，最好是考慮共聚合物的Tg而進行調整。聚合方法沒有特別的限制，例如可以舉出珍珠聚合、溶液聚合等，藉由這些方法而得到共聚合物。含有環氧基之壓克力共聚合物的重量平均分子量在10萬以上，在此範圍的話接著性及耐熱性很高，以30萬～300萬為較佳，50萬～200萬更佳。在300萬以下的話，藉由降低流動性，可以減少於貼附半導體元件的支撐構件往因應必要而被形成的配線電路之填充性降低的可能性。

又，重量平均分子量，係以凝膠滲透層析儀(GPC，gel permeation chromatography)使用根據標準聚苯乙烯之檢量線之聚苯乙烯換算值。

作為無機填充物沒有特別限制，可以舉出例如：氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁鬚晶、氮化硼、結晶質氧化矽、非晶質氧化矽等。這些可以使用1種或併用2種以上。為了提高熱傳導性，以氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、結晶性氧化矽、非晶質氧化矽等為佳。由特性的平衡的觀點來看，以氧化矽為佳。

填充物的平均粒徑以0.002～2μm為較佳，又以0.008～0.5μm更佳，以0.01～0.05μm又更佳。填充物的平均粒徑不滿0.002μm的話，往被接著體之濕潤性會降低，有接著性降低的傾向，超過2μm的話根據填充物添加之補強效果變小，有耐熱性降低的傾向。在此，所謂平均粒徑，係藉由TEM、SEM等測定之填充物100個之粒徑所求得之平均值。

半導體晶圓加工用膠帶，由使黏接劑層與接著劑層之間的剝離性更好的觀點來看，黏接膜與接著劑層合計之吸水率以在2.0體積百分比以下為較佳。從前，於收取時，為了使黏接劑層與接著劑層之間的剝離變得容易，而增大由晶圓加工用膠帶的下側藉由針頂起半導體晶片之力或頂起高度，但是近年來，半導體晶片有變薄的傾向，半導體晶片很薄的場合，頂起的力道太大的話，會有晶片破損的問題。黏接膜與接著劑層之合計吸水率為2.0體積百分比以下的話，接著劑層軟化，於切削時與黏接劑層一起黏合，或者是黏接膜吸收的水分往接著劑層移動，可以減低二者之黏合，所以黏接劑層與接著劑層之間的剝離性變好。因此，沒有必要增大藉由針之頂起力道，所以即使半導體晶片很薄的場合，也可以進行良好的收取。

要使黏接膜與接著劑層之合計的吸水率降低，作為使用於基材膜的高分子，使用聚丙烯、聚乙烯等吸水率低的高分子亦可。此外，藉由縮小基材膜的厚度，也可以使吸水率降低。此外，黏接劑層，減少羥基、胺基、碸基、羧基等之官能基或醯胺結合、醚結合部分，增加甲基或芳香族羥基之導入量，可以降低吸水率。此外，於接著劑層，藉由使用壓克力等吸水率低的高分子，也可以降低吸水率。此外，針對使用於接著劑層的環氧樹脂或苯酚等，藉由使用分子量低者，也可以降低吸水率。進而，減低接著劑層所含之無機填充物之量，藉此，亦可降低吸水率。

其次，使用圖1所示的本發明之半導體晶圓加工用膠帶15，參照圖2同時說明製造附接著劑層之半導體晶片的方法。

(貼合步驟)

首先，如圖2(a)所示，於半導體晶圓加工用膠帶15的接著劑層13貼合半導體晶圓W的背面，同時於黏接劑層12的特定位置貼合環狀框20。

(切片步驟)

藉由吸附台22，由基材膜11面側吸附支撐晶圓加工用膠帶15，使用未圖示的刀片，機械方式切斷半導體晶圓W，分割為複數之半導體晶片C(圖2(b))。又，此時，接著劑層13或黏接劑層12、基材膜11之一部分也適當地被切片。此時，黏接膜的透濕度為10.0g/m² /day以下，所以在半導體晶圓加工用膠帶之輸送/保管中，空氣中的水蒸氣不容易由外側往內側透過，因為接著劑層之軟化被減低，所以鬍鬚狀的切削屑之產生也減低。

(照射步驟)

接著，將放射線由基材膜11的下面照射至黏接劑層12使黏接劑層12硬化。硬化的黏接劑層12黏接力降低，所以可以剝離黏接劑層12上的接著劑層13。又，以複數之層構成黏接劑層的場合，為了把接著劑層13由黏接劑層12剝離，沒有必要使黏接劑層全體硬化，至少使對應於晶圓的黏接劑層部分硬化亦可。

(展開步驟)

照射步驟後，將保持被分割的複數半導體晶片C之半導體晶圓加工用膠帶15載置於展開裝置之台座21上。接著，如圖2(c)所示，使中空圓柱形狀之頂起構件23，由半導體晶圓加工用膠帶15的下面側上升，使前述黏接膜14往環狀框20的直徑方向及圓周方向拉伸。

(收取步驟)

實施展開步驟之後，使黏接膜14在展開的狀態下，實施收取晶片C之收取步驟。具體而言，係由黏接膜14的下側藉由針栓(未圖示)頂起晶片C，同時由黏接膜14的上面側以吸附治具(未圖示)吸附晶片C，使單片化的晶片C與接著劑層13一起拾取。為了減少在切片步驟接著劑層13之鬍鬚狀的切削屑的發生，使這些切削屑與基材膜11或黏接劑層12之切削屑一起在鄰接的晶片間融接，可以抑制發生收取錯誤。進而，在黏接膜14與接著劑層13之合計吸水率在2.0體積百分比以下的場合，黏接劑層12與接著劑層13之間的剝離變得容易進行，所以即使半導體晶片C的厚度很薄的場合，也可以良好地收取。

(晶粒接合(die bonding)步驟)

接著，實施收取步驟後，實施晶粒接合步驟。具體而言，藉由在收取步驟與晶片C一起被收取的接著劑層，使半導體晶片接著於導線架或封裝基板等，而製造半導體裝置。

藉由以上，於接著劑層被接合於黏接膜而被輸送/保管的場合，減低由於接著劑層吸收空氣中的水分而導致軟化，可以抑制收取(pick-up)錯誤的發生。

其次，針對本發明之實施例進行說明，但本發明並不被限定於這些實施例。

(黏接膜之調製) (黏接膜1)

融溶在50℃預先乾燥48小時之低密度聚乙烯(NOVATECHLL(音譯)(日本聚乙烯(股)製造，商品名))，使用壓出成形機將基材膜成形為厚度100μm之長尺寸膜狀。於溶媒之甲苯400g中，加入丙烯酸正丁酯128g、丙烯酸-2-乙基己酯307g、甲基丙烯酸甲酯67g、甲基丙烯酸1.5g、作為聚合開始劑將過氧苯甲酸之混合液，適當地調整滴下量，調整反應溫度及反應時間，而得具有官能基之高分子溶液。其次，於此高分子溶液，適當調整作為具有放射線硬化性碳碳雙鍵結合及官能基的化合物，另外由甲基丙烯酸與乙二醇所合成的甲基丙烯酸-2-羥基乙酯2.5g、作為聚合禁止劑之對苯二酚適當調整滴下量而且調整反應溫度及反應時間，得到具有放射線硬化性碳碳雙鍵結合的化合物(A)之溶液。接著，對化合物(A)溶液中的化合物(A)100質量部，加入聚異氰酸酯(COLONATEL(音譯)(日本聚氨基甲酸乙酯公司製造，商品名))1質量部，光聚合開始劑(ILUGACURE184(音譯)((現Novartis Pharma K.K.公司之日本法人)CHIBAGAIGII社製造，商品名))0.5質量部，作為溶媒將醋酸乙酯150質量部加入化合物(A)溶液混合而調製放射線硬化性之黏接劑組成物。於成形的基材膜上，使前述黏接劑組成物以乾燥後的膜厚成為10μm的方式塗佈，在110℃乾燥10分鐘而得黏接膜1。

(黏接膜2)

替代低密度聚乙烯而使用高密度聚乙烯(NOVATECHHD(音譯)日本聚乙烯(股)製造，商品名)以外，與黏接膜1同樣進行而得黏接膜2。

(黏接膜3)

使基材膜之膜厚為70μm以外，與黏接膜2同樣進行而得黏接膜3。

(黏接膜4)

使基材膜之膜厚為70μm以外，與黏接膜1同樣進行而得黏接膜4。

(黏接膜5)

替代低密度聚乙烯而使用EVA(NOVATECHEVA(音譯)日本聚乙烯(股)製造，商品名)以外，與黏接膜1同樣進行而得黏接膜5。

(黏接膜6)

替代低密度聚乙烯而使用聚丙烯(NOVATECHPP(音譯)日本POLYPRO(股)製造，商品名)以外，與黏接膜1同樣進行而得黏接膜6。

(黏接膜7)

替代低密度聚乙烯而使用聚醯胺(尼龍MXD6(三菱氣體化學(股)製造，商品名)以外，與黏接膜1同樣進行而得黏接膜7。

(接著膜之調整) (接著膜1)

將作為環氧樹脂之甲酚醛型環氧樹脂(cresol novolac epoxy resin)(環氧當量197、分子量1200、軟化點70℃)15重量部，壓克力樹脂(質量平均分子量：80萬，玻璃轉移溫度-17℃)70重量部，作為硬化劑之酚醛樹脂(Phenol Novolac,PN)環氧樹脂(羥基當量104、軟化點80℃)15重量部，作為促進劑之2-苯基咪唑(2-Phenylimidazole)(CUREZOLE2PZ(音譯)(四國化成(股)製造，商品名))1部在有機溶劑中攪拌而得到接著劑清漆(varnish)。把所得到的接著劑清漆，塗佈於厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜上，以120℃加熱乾燥10分鐘製作了接著膜1。

(接著膜2)

將作為環氧樹脂之甲酚醛型環氧樹脂(cresol novolac epoxy resin)(環氧當量197、分子量1200、軟化點70℃)5重量部，作為矽烷耦合劑之3-(甲基丙烯醯氧)丙基三甲氧基矽烷0.5質量部、平均粒徑1.0μm之氧化矽填充物50質量部，壓克力樹脂(質量平均分子量：80萬，玻璃轉移溫度-17℃)40質量部，作為硬化劑之酚醛樹脂(Phenol Novolac,PN)(羥基當量104、軟化點80℃)5重量部，作為促進劑之2-苯基咪唑(2-Phenylimidazole)(CUREZOLE2PZ(音譯)(四國化成(股)製造，商品名))1部在有機溶劑中攪拌而得到黏接劑清漆(varnish)。把所得到的接著劑清漆，塗佈於厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜上，以120℃加熱乾燥10分鐘製作了接著膜2。

(接著膜3)

除了替代壓克力樹脂而使用由2,2'-bis[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、3,3',4,4'-二苯基四羧酸二無水物及無水均苯四甲酸二酐所合成的質量平均分子量為5萬的聚醯亞胺樹脂以外，與接著膜2同樣地製作。

(接著膜4)

除了替代壓克力樹脂而使用由2,2'-bis[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、3,3',4,4'-二苯基四羧酸二無水物及無水均苯四甲酸二酐所合成的質量平均分子量為5萬的聚醯亞胺樹脂以外，與接著膜1同樣地製作。

(第1實施例)

將黏接膜1～5及接著膜1分別切成直徑370mm、320mm之圓形，貼合黏接膜之黏接劑層與接著膜之接著劑層。最後，由接著劑層剝離接著膜之PET膜，而得表1之組合的切片晶粒接合膜(dicing die bonding film)(第1～3實施例、第1～2比較例)。

<透濕度>

針對黏接膜1～5，根據JIS K7129-C(根據氣相層析法測定水蒸氣透過度)來測定透濕度。測定條件為溫度25±0.5℃，相對濕度差為90±2%。結果顯示於表1。

<收取性試驗>

將相關於前述實施例1～3、比較例1～2之切片晶粒接合膜分別重疊300枚，放置於溫度25度、濕度70%RH之氛圍中72小時後，分別由其上將第10枚切片晶粒接合膜在70℃加熱10秒鐘貼合於厚度100μm及75μm的晶圓上後，切片為10×10mm。其後，對黏接劑層將紫外線藉由空冷式高壓水銀燈照射200mJ/cm² 之後，針對晶圓中央部的晶片250個，根據晶粒接合機(die bonder)裝置(CPS-100FM(NECMACHINERY(股)製造、商品名))進行收取試驗。被保持著由黏接劑層剝離的接著劑層的晶片，在鄰接的晶片不會附隨著被收取的場合為收取成功者，若收取成功率達99%以上的話判定為良好而以○印表示，不滿99%的場合判定為不良，以×印表示。這些結果顯示於表2。

在比較例1～2，黏接膜的透濕度超過10.0g/m² /day，所以空氣中的水蒸氣由外側往內側透過而接著劑層吸水軟化，在切片時發生鬍鬚狀之切削屑，頻繁發生雙晶粒導致之收取錯誤。相對於此，在實施例1～3，黏接膜的透濕度在10.0g/m² /day以下，所以空氣中的水蒸氣很難透過，接著劑層的軟化減少，所以在切片時發生的鬍鬚狀之切削屑減少，充分減少收取錯誤。

(第2實施例)

將黏接膜1，6～7及接著膜1～4分別切成直徑370mm、320mm之圓形，貼合黏接膜之黏接劑層與接著膜之接著劑層。最後，由接著劑層剝離接著膜之PET膜，而得表3之組合的切片晶粒接合膜(dicing die bonding film)(第4～7實施例、第3～4比較例)。針對黏接膜1，6～7，與第1實施例同樣進行透濕度試驗，針對所有的黏接膜確認了透濕度在10.0g/m² /day以下。

<吸水率>

把相關於前述實施例4～7、比較例3～4的切片晶粒接合膜切成50mm×50mm的大小而作為試樣。將此試樣在50℃之烤爐乾燥24小時者，在乾燥機冷卻至室溫測定重量。其後，在23±1.0℃之蒸餾水中浸漬試樣24小時，取出而藉由Carl Fischer水分計算出吸水率。結果顯示於表3。

<收取性試驗>

針對相關於實施例1、4～6、比較例3～4之切片晶粒接合膜(dicing die bonding film)，與前述第1實施例同樣進行收取試驗。但是，晶圓的厚度為100μm及50μm。被收取的晶片上被保持著由黏接劑層剝離的接著膜者為收取成功者，若收取成功率達99%以上的話判定為良好而以○印表示，不滿99%的場合判定為不良，以×印表示。這些結果顯示於表4。

比較例3～4，因黏接膜的透濕度在10.0g/m² /day以下，所以對厚度100μm之晶圓，可以良好地進行收取，黏接膜與接著劑層合計的吸水率超過2.0體積百分比，所以黏接劑層與接著劑層之間的剝離性變差，對於厚度50μm之晶圓收取錯誤頻繁發生。相對於此，在實施例4～7，黏接膜與接著劑層合計的吸水率在2.0體積百分比以下，黏接劑層與接著劑層之間的剝離性很好，對於厚度50μm之薄的晶圓也充分減少收取錯誤。

11．．．基材膜

12．．．黏接劑層

13．．．接著劑層

14．．．黏接膜

15．．．半導體晶圓加工用膠帶

20．．．環狀框(ring：frame)

21．．．台座

22．．．吸附台

23．．．頂起構件

圖1係顯示本發明之半導體晶圓加工用膠帶之一例之剖面圖。

圖2之(a)係顯示半導體晶圓W與環狀框被貼合於半導體晶圓加工用膠帶的狀態之剖面圖，(b)係顯示切片後的半導體晶圓加工用膠帶與半導體晶圓之剖面圖，(c)係顯示展開後的半導體晶圓加工用膠帶與半導體晶圓之剖面圖。

11．．．基材膜

12．．．黏接劑層

13．．．接著劑層

14．．．黏接膜

15．．．半導體晶圓加工用膠帶

Claims

半導體晶圓加工用膠帶，係具有：由基材膜及被設於該基材膜上的黏接劑層所構成的黏接膜，及被設於前述黏接劑層上的接著劑層的晶圓加工用膠帶；其特徵為：前述黏接膜的透濕度為10.0g/m² /day以下。
如申請專利範圍第1項之半導體晶圓加工用膠帶，其中前述黏接膜與前述接著劑層合計之吸水率在2.0體積%(百分比)以下。