TWI418472B - 裝飾薄膜、加飾成型品以及加飾成型品的製造方法 - Google Patents

Description

裝飾薄膜、加飾成型品以及加飾成型品的製造方法

本發明是有關於一種裝飾薄膜、加飾成型品以及加飾成型品的製造方法，且特別是有關於一種結合光電轉換元件的裝飾薄膜、加飾成型品以及加飾成型品的製造方法。

一般而言，形成在物體外殼表面上的圖案或文字等裝飾主要是透過噴塗(spraying)或印刷(printing)製程來形成，以便呈現出特定的視覺效果，而增添物體外觀的變化性。然而，由於噴塗製程具有耗費時間、過程複雜、厚度均勻性低等缺點，所以並不適宜應用在大規模生產中。為了解決前述問題，多種使用裝飾薄膜的特定裝飾製程被提出，例如模內裝飾技術(In-Mold Decoration,IMD)遂成為形成物體表面圖文的另一種選擇。模內裝飾技術主要是將印刷有圖案的轉印膜放置於如射出成型機等模具中，接著將樹脂灌注於模具中而使樹脂與轉印膜相互結合，待樹脂冷卻之後，將加飾成型品自模具取出，即完成模內裝飾製程。

然而，對於具有非平坦表面的物體而言，若使用模內裝飾技術，則容易在物體的彎角處產生龜裂、皺褶或存在氣泡等問題。此外，模內裝飾技術僅能應用在塑膠材質的物體與轉印膜的結合，而無法適用於其他材質的物體表面裝飾，因此模內裝飾技術的應用範圍十分受限。

本發明提供一種裝飾薄膜、加飾成型品以及加飾成型品的製造方法，其整合光電轉換元件而將薄膜太陽能電池應用於膜外裝飾技術(Out Mold Decoration,OMD)。

本發明提出一種裝飾薄膜，其包括基材、硬塗層、圖案層、接著層以及光電轉換元件。基材具有相對的第一面及第二面。硬塗層配置於基材上。圖案層配置於基材的第一面上。接著層配置於圖案層遠離基材的一側上。光電轉換元件配置於硬塗層與圖案層之間。

依照本發明實施例所述之裝飾薄膜，上述之硬塗層位於基材的第一面上，且硬塗層配置於基材與圖案層之間。在一實施例中，裝飾薄膜更包括離形層，配置於基材與硬塗層之間。

依照本發明實施例所述之裝飾薄膜，上述之硬塗層位於基材的第二面上。在一實施例中，光電轉換元件配置於硬塗層與基材之間。在另一實施例中，光電轉換元件配置於基材與圖案層之間。

依照本發明實施例所述之裝飾薄膜，上述之光電轉換元件包括第一電極、配置於第一電極上的第二電極以及配置於第一電極與第二電極之間的光電轉換層。光電轉換層包括N型半導體層以及P型半導體層。

依照本發明實施例所述之裝飾薄膜，上述之硬塗層具有95%以上的穿透度以及1%以下的反射率。

本發明另提出一種加飾成型品，包括工件以及上述實施例之裝飾薄膜。工件具有外表面，且裝飾薄膜配置於工件的外表面上，其中裝飾薄膜透過接著層而貼附於工件上。

依照本發明實施例所述之加飾成型品，上述之工件的該外表面材質為塑膠、金屬、碳纖維或玻璃。

依照本發明實施例所述之加飾成型品，上述之光電轉換元件電性耦接至電力供應系統。

本發明又提出一種加飾成型品的製造方法，其是製造上述實施例之加飾成型品的方法，且包括下列步驟。分別提供工件及上述實施例之裝飾薄膜。將工件及裝飾薄膜放置於治具中。進行高壓轉印成型製程，使裝飾薄膜透過接著層而貼附於工件的外表面上。

依照本發明實施例所述之加飾成型品的製造方法，上述高壓轉印成型製程包括：對裝飾薄膜進行加熱軟化步驟；使裝飾薄膜與工件接觸，並進行加壓步驟；以及對裝飾薄膜及工件進行高壓真空成型步驟，使裝飾薄膜轉印至工件上。

依照本發明實施例所述之加飾成型品的製造方法，上述之裝飾薄膜的形成方法包括：於基材上形成硬塗層；於基材上形成圖案層；於圖案層遠離基材的一側上形成接著層；以及於硬塗層與圖案層之間形成光電轉換元件。

基於上述，本發明之裝飾薄膜、加飾成型品以及加飾成型品的製造方法藉由將光電轉換元件整合於膜外裝飾技術(OMD)，因此能夠在裝飾產品外觀的同時，藉由適當的內部電路設計即可利用光電轉換元件供給電力至電子產品，因此能夠兼具裝飾及電池功能性。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

下文中參照隨附圖式來更充分地描述本發明。然而，本發明可以多種不同的形式來實踐，並不限於文中所述之實施例。以下實施例中所提到的方向用語，例如「上」、「下」等，僅是參考附加圖式的方向，因此使用的方向用語是用來詳細說明，而非用來限制本發明。此外，在圖式中為明確起見可能將各層的尺寸以及相對尺寸作誇張的描繪。

圖1是依照本發明之第一實施例之裝飾薄膜的剖面示意圖。請參照圖1，本發明第一實施例的裝飾薄膜100包括基材102、離形層104、硬塗層106、光電轉換元件108、圖案層110以及接著層112。

基材102具有相對的第一面102a及第二面102b。在此實施例中，離形層104、硬塗層106、光電轉換元件108、圖案層110以及接著層112皆依序堆疊於基材102的第一面102a上。基材102例如是可撓性基材，其材質可為聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂(acrylonitrile butadiene styrene,ABS)、聚對苯二甲酸二乙酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)、聚縮醛(polyoxymethylene,POM)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(polybutylene terephthalate,PBT)、聚丙烯(polypropylene,PP)、苯乙烯甲基丙烯酸甲酯共聚物(MMA-St,MS)、聚苯乙烯(polystyrene,PS)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate,PET)或者是上述材料的組合，但不以此為限。

離形層104配置於基材102的第一面102a上，而夾於基材102與硬塗層106之間。離形層104的設置主要是將基材102與其他膜層(如光電轉換元件108、圖案層110等)暫時地貼附在一起，以於轉印過程之後方便將其他膜層於基材102上剝離。此外，離形層104通常是一種低表面張力膜層，其材料可選自於蠟(wax)、石蠟(paraffin)及聚矽氧(silicone)中的至少一種，或者離形層104也可以是由高度平滑而不透水的聚合物塗層所構成。

硬塗層106配置於離形層104上。硬塗層106的設置可以保護保護光電轉換元件108及/或其上的圖案層110，以提供防刮以及耐磨的作用。在一實施例中，硬塗層106具有95%以上的穿透度以及1%以下的反射率。硬塗層106的材料可以是具有高穿透度及抗反射特性之紫外線硬化性樹脂，如丙烯酸樹脂(acrylic resin)、聚胺酯(polyurethane,PU)、環氧化物(epoxy resin)等。

光電轉換元件108配置於硬塗層106上。光電轉換元件108例如是可撓性薄膜太陽能電池，其包括第一電極108a、第二電極108b以及光電轉換層108c，其中第二電極108b配置於第一電極108a上，光電轉換層108c配置於第一電極108a與第二電極108b之間。

具體而言，第一電極108a例如是配置於硬塗層106上以作為前電極(front contact)，而第二電極108b則作為背電極(back contact)。第一電極104的材料可以是透明導電氧化物(transparent conductive oxide,TCO)，其例如是氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In₂ O₃ )、二氧化錫(SnO₂ )、銦錫氧化物(indium tin oxide,ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide,IZO)、鋁錫氧化物(aluminum tin oxide,ATO)、氧化鋁鋅(Al doped zinc oxide,AZO)、鎘銦氧化物(cadmium indium oxide,CIO)、鎘鋅氧化物(cadmium zinc oxide,CZO)、摻鎵氧化鋅(Ga doped zinc oxide,GZO)、銦錫鋅氧化物(indium tin zinc oxide,ITZO)、銦鎵鋅氧化物(indium-gallium-zinc oxide,IGZO)、鋅錫氧化物(zinc-tin oxide,ZTO)、錫氟氧化物(fluorine doped tin oxide,FTO)或上述材料之的組合。第二電極108a的材料可以是金屬、透明導電氧化物、或是金屬與透明導電氧化物之組合。在一實施例中，金屬例如是鉬(Mo)、銀(Ag)、鋁(Al)、銅(Cu)、其他同時具有導電性與高反射性的金屬或是上述金屬之合金。

光電轉換層108c例如是用以使光能轉換成電能，而作為主動層。光電轉換層108c的材料可以為IV族薄膜、III-V族化合物半導體薄膜、II-VI族化合物半導體薄膜或有機化合物半導體薄膜。IV族薄膜例如是含有非晶矽(α-Si)、微晶矽(μc-Si)、多晶矽(poly-Si)、α-SiGe、μc-SiGe、α-SiC、μc-SiC或其組合的薄膜。III-V族化合物半導體薄膜例如是含有砷化鎵(GaAs)、磷化銦鎵(InGaP)或其組合的薄膜。II-VI族化合物半導體薄膜例如是含有銅銦二硒(CuInSe₂ ,CIS)、硫化鎘(CdS)、銅銦鎵二硒(CuInGaSe₂ ,CIGS)、鎘化碲(CdTe)或其組合的薄膜。有機化合物半導體薄膜例如是3-己烷噻吩(poly(3-hexylthiophene),P3HT)與苯基C61丁酸甲酯([6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester,PCBM)混合物的薄膜。

詳言之，光電轉換層108c自第一電極108a側依序包括N型半導體層108c1以及P型半導體層108c2，而構成NP半導體堆疊結構。在一實施例中，可以選擇硫化鎘(CdS)作為N型半導體層108c1的材料，且選擇銅銦鎵二硒(CuInGaSe₂ ,CIGS)作為P型半導體層108c2的材料。此外，光電轉換層108c還可在N型半導體層108c1與P型半導體層108c2之間包括本質層(未繪示)，而共同構成NIP半導體堆疊結構，其中本質層可作為光產生電子-電洞對的主要區域。

須注意的是，雖然在圖1所示之實施例中是以自第一電極108a側依序堆疊N型半導體層108c1及P型半導體層108c2所構成的NP半導體堆疊結構為例來進行說明，但並不用以限制本發明。熟習此技藝者應了解，本發明亦可以將上述N型半導體層108c1及P型半導體層108c2的配置位置相互對調。換言之，在其他實施例中，可以自第一電極108a側依序堆疊P型半導體層108c2及N型半導體層108c1以構成PN半導體堆疊結構，或是在兩層半導體層之間插入本質層以構成PIN半導體堆疊結構。

此外，光電轉換元件108除了上述採用單層光電轉換層108c的設計外，亦可使光電轉換元件108包括兩層以上光電轉換層而形成堆疊式(tandem)或三層式(triple)結構，以使不同的光電轉換層可分別吸收不同的光波長，進而增加光的利用率。本發明並不特別限制光電轉換層的疊層數或各單一疊層中的結構，本領域具通常知識者當可視需要而加以調整。

圖案層110配置於光電轉換元件108上。圖案層110可由印刷油墨或可印刷材料所組成，其例如是單層油墨層、多層油墨層或是經圖案化的油墨層，以便分別呈現出單色、多色或所需的圖案。藉由任何適當的印刷製程(如凹版印刷(gravure printing)製程、絲網印刷(screen printing)製程、苯胺印刷(flexographic printing)製程、膠版印刷(offset printing)製程、背面印刷(reverse printing)製程、噴墨印刷製程等)，而能夠在光電轉換元件108上轉印油墨以形成圖案層110。圖案層110的材質包括混合有無機材料之聚胺酯(polyurethane,PU)或聚丙烯酸酯(Polyacrylate)等。

接著層112配置於圖案層110遠離基材102的一側上。接著層112可以是熱熔膠(hot melt adhesive)、UV硬化型接著劑(curable adhesive)、光硬化型接著劑或電子硬化型接著劑，其例如是選自聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚甲基丙烯酸酯(polymethacrylate)、聚苯乙烯(polystyrene)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚氨基甲酸酯(polyurethane)、聚酯(polyester)、聚醯胺(polyamide)、環氧樹脂(epoxy resin)、乙烯-醋酸乙烯共聚物(ethylene vinylacetate copolymer,EVA)或熱塑性彈性體(thermoplastic elastomer)或上述材料之共聚物、混合物或複合物中的至少一種材料。

除了上述以模外裝飾(Out Mold Roller,OMR)技術製成的裝飾薄膜以外，本發明之裝飾薄膜尚具有其他實施型態，如以模外轉印(Out Mold Forming,OMF)技術製成的裝飾薄膜，以下將分別敘明。圖2是依照本發明之第二實施例之裝飾薄膜的剖面示意圖。圖3是依照本發明之第三實施例之裝飾薄膜的剖面示意圖。須注意的是，在圖2及圖3中，與圖1相同的構件則使用相同的標號並省略其說明。

請參照圖2，在此實施例中，組成圖2所示之裝飾薄膜200的主要構件與組成圖1所示之裝飾薄膜100的主要構件大致相同，然而兩者之間的差異主要是在於：以模外轉印(OMF)技術製成的裝飾薄膜200沒有配置離形層，且硬塗層106配置於基材102的另一側。詳言之，光電轉換元件108、圖案層110以及接著層112依序堆疊於基材102的第一面102a上，而硬塗層106則堆疊於基材102的第二面102b上。也就是說，當硬塗層106設置於基材102的第二面102b上時，光電轉換元件108配置於基材102與圖案層110之間。

請參照圖3，在此實施例中，圖3所示之裝飾薄膜300與圖2所示之裝飾薄膜200皆是以模外轉印(OMF)技術所製成因而沒有離形層，且裝飾薄膜200、300的組成構件大致相同，然而兩者之間的差異主要是在於：光電轉換元件的配置位置。具體而言，圖案層110以及接著層112依序堆疊於基材102的第一面102a上，而光電轉換元件108以及硬塗層106則依序堆疊於基材102的第二面102b上。換言之，當硬塗層106設置於基材102的第二面102b上時，光電轉換元件108配置於硬塗層106與基材102之間。

以下，將繼續說明上述實施例之具有光電轉換元件的裝飾薄膜於本發明之加飾成型品及其製造方法的實際應用。接下來，以流程圖搭配成品剖面圖的方式來說明本發明之加飾成型品及其製造方法。圖4是依照本發明之第四實施例之加飾成型品的製造方法步驟流程圖。圖5至圖7分別是依照本發明之第五至第七實施例之加飾成型品的剖面示意圖。在圖5至圖7中，與圖1至圖3相同的構件則使用相同的標號並省略其說明。須注意的是，以下所述之流程主要是為了詳細說明形成圖5至圖7中所述之加飾成型品，以使熟習此項技術者能夠據以實施，但並非用以限定本發明之範圍。至於其它構件的材料、結構、形成方式及順序等細節，所屬技術領域中具有通常知識者均可依上述實施例及所知的技術來製作，而不限於下述實施例所述。

請參照圖4、圖5至圖7，進行步驟S410，提供工件502。工件502是取決於本發明之加飾成型品的應用，其可以是電子裝置或交通工具的外殼或組件，如在手機、數位相機、個人數位助理(personal digital assistant,PDA)、筆記型電腦、桌上型電腦、觸控面板、電視、衛星定位系統(globe position system,GPS)裝置、汽車監視器、導航、顯示器、數位相框、DVD播放器、汽車內裝飾板、汽車儀表板、時鐘、收音機、玩具、手錶或其他需要電力之電子產品所使用的外殼或組件。在一實施例中，工件502的外表面材質可以是塑膠、金屬、碳纖維、玻璃或其他已成形之各種機殼材料，且例如是經過適當的前處理製程以製作具有所需特性的工件。舉例而言，當工件的材質為塑膠時，可經由射出成型之模具經射出成型製程後得到塑膠工件(如塑膠機殼等)；或者，當工件的材質為金屬時，則可先對金屬進行表面處理而得到金屬工件(如金屬機殼等)。

進行步驟S420，提供裝飾薄膜。此裝飾薄膜例如是上述圖1至圖3所示之裝飾薄膜100、200、300中的任一者。在一實施例中，裝飾薄膜的形成方法包括下列步驟：於基材102上形成硬塗層106(步驟S422)；於基材102上形成光電轉換元件108(步驟S424)；於基材102上形成圖案層110(步驟S426)；以及於圖案層110遠離基材102的一側上形成接著層112(步驟S428)。步驟S424所形成之光電轉換元件108是位於硬塗層106與圖案層110之間，且光電轉換元件108的形成方法例如是在靠近硬塗層106側依序塗佈第一電極108a、光電轉換層108c以及第二電極108b。上述形成第一電極108a及第二電極108b的方法可以採用濺鍍法(sputtering)、金屬有機化學氣相沈積(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)法、蒸鍍法(evaporation)或噴塗法來製備，且形成光電轉換層108c的方法例如是利用化學氣相沈積法、濺鍍法或其他合適的方法來製備。

上述之基材102具有相對的第一面102a及第二面102b。在此說明的是，在步驟S426、S428中，圖案層110以及接著層112例如是形成在基材102的第一面102a上；而在步驟S422、S424中，硬塗層106以及光電轉換元件108的形成位置及順序則是取決於裝飾薄膜的種類。

詳言之，如圖4及圖5所示，當步驟S420所提供的裝飾薄膜為圖1所示之裝飾薄膜100時，則先於基材102的第一面102a上(與圖案層110及接著層112位於同一側)形成硬塗層106(步驟S422)，之後於硬塗層106上形成光電轉換元件108(步驟S424)，接著在光電轉換元件108上形成圖案層110(步驟S426)，隨之於圖案層110上形成接著層112(步驟S428)，而使得硬塗層106、光電轉換元件108、圖案層110及接著層112依序堆疊於基材102的第一面102a上。在一實施例中，在進行步驟S422之前，更可先於基材102與硬塗層106之間形成離形層106，以便於轉印後剝離基材102。如此一來，即可形成如圖1所示之裝飾薄膜100。

此外，如圖4及圖6所示，當步驟S420所提供的裝飾薄膜為圖2所示之裝飾薄膜200時，則是於基材102的第二面102b上(與圖案層110及接著層112位於相反側)形成硬塗層106(步驟S422)，並於基材102的第一面102a上(與圖案層110及接著層112位於同一側)形成光電轉換元件108(步驟S424)，接著在光電轉換元件108上形成圖案層110(步驟S426)，之後於圖案層110上形成接著層112(步驟S428)。藉由此方法可使得光電轉換元件108、圖案層110以及接著層112依序堆疊於基材102的第一面102a上，硬塗層106則堆疊於基材102的第二面102b上，從而獲得如圖2所示之裝飾薄膜200。

另外，如圖4及圖7所示，當步驟S420所提供的裝飾薄膜為圖3所示之裝飾薄膜300時，則是於基材102的第二面102b上(與圖案層110及接著層112位於相反側)依序形成光電轉換元件108及硬塗層106(步驟S424、S422)，並於基材102的第一面102a上依序形成圖案層110及接著層112(步驟S426、S428)。藉由此方法可使得圖案層110以及接著層112依序堆疊於基材102的第一面102a上，光電轉換元件108以及硬塗層106則依序堆疊於基材102的第二面102b上，從而獲得如圖3所示之裝飾薄膜300。

請參照圖4、圖5至圖7，在分別提供工件502及裝飾薄膜100、200、300之後，進行步驟S430，將工件502及裝飾薄膜100、200、300放置於治具中。在此說明的是，在進行步驟S430之前，可選擇性地依照最終產品的需求而設計治具並進行治具的製備。

然後，進行步驟S440，進行高壓轉印成型製程，使裝飾薄膜100、200、300透過接著層112而貼附於工件502的外表面上。在一實施例中，高壓轉印成型製程例如是先對裝飾薄膜100、200、300進行加熱軟化步驟；接著使裝飾薄膜100、200、300與工件502接觸，並進行加壓步驟；之後再對裝飾薄膜100、200、300及工件502進行高壓真空成型步驟，使裝飾薄膜100、200、300轉印至工件502上。先透過高溫烘烤使裝飾薄膜100、200、300軟化再經高壓成型包覆於工件502上而進行的高溫、高壓真空轉印製程，能夠使裝飾薄膜100、200、300的接著層112貼附於工件502的外表面上，因而實現利用接著層112將裝飾薄膜100、200、300緊密黏合於工件502上。

至此，已大致完成整合有光電轉換元件之加飾成型品500、600、700的製作。值得一提的是，如圖5所示，當選用圖1所示之裝飾薄膜100來製作加飾成型品500時，還可選擇性地於最後施加剝離步驟，使裝飾薄膜100中的基材102自緊密貼附有其他膜層的工件502上脫離，以使硬塗層106暴露在外。

在此說明的是，如圖5至圖7所示，當光線從硬塗層106側(圖示中的上方)入射至加飾成型品500、600、700的內部時，光線進入硬塗層106後會通過光電轉換元件108的透明第一電極108a(前電極)而經由光電轉換層108c吸收，以進行光能轉換電能的程序。由於硬塗層106具有高穿透度及抗反射特性(如95%以上的穿透度、1%以下的反射率)，因此能夠確保有足夠的入射光進入至光電轉換元件108中以產生光電流，而能夠有效提升光電轉換元件108的整體效率表現。

當工件502為電子裝置或汽車內裝的外殼或組件時，在將整合有光電轉換元件108的裝飾薄膜100、200、300轉印至工件502上之後，光電轉換元件108例如是電性耦接至電力供應系統504。在一實施例中，電力供應系統504可以是電子裝置或交通工具的電池。如此一來，經由光電轉換元件108發電所產生的電能例如是能夠儲存於電力供應系統504中，或是可將光電轉換元件108所產生的電能直接供應至電子裝置或交通工具用電。

綜上所述，本發明之裝飾薄膜、加飾成型品以及加飾成型品的製造方法將膜外裝飾技術(OMD)結合如太陽能電池之光電轉換元件，除了可以提供產品外觀裝飾之視覺感外，更可賦予產品具有附加的功能性。如此一來，將本發明之裝飾薄膜、加飾成型品以及加飾成型品的製造方法應用於需要電力之電子產品外觀時，搭配內部電路設計即能夠同時具有裝飾及提供電子產品之電力的功能，可有助於有效延長產品之使用時間，甚至可以不需要電池。

再者，本發明之裝飾薄膜、加飾成型品以及加飾成型品的製造方法所採用的膜外裝飾技術(OMD)結合薄膜印刷與轉印治具而屬於新式乾式塗裝製程，且製程簡單、具有包覆彎角的特性、色彩變化豐富。此外，相較於習知的膜內裝飾技術(IMD)，膜外裝飾技術(OMD)是採用高壓真空轉印的方式直接將印刷有圖案或文字的透明薄膜(圖案層)披覆於工件外表面而成形之立體塗裝技術，外觀可達視覺及觸覺之效果，且可廣泛裝飾於各種殼體材料上，而更能夠增加產品外觀裝飾之應用性。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100、200、300．．．裝飾薄膜

102．．．基材

102a．．．第一面

102b．．．第二面

104．．．離形層

106．．．硬塗層

108．．．光電轉換元件

108a．．．第一電極

108b．．．第二電極

108c．．．光電轉換層

108c1．．．N型半導體層

108c2．．．P型半導體層

110．．．圖案層

112．．．接著層

500、600、700．．．加飾成型品

502．．．工件

504．．．電力供應系統

S410、S420、S422、S424、S426、S428、S430、S440．．．步驟

圖1是依照本發明之第一實施例之裝飾薄膜的剖面示意圖。

圖2是依照本發明之第二實施例之裝飾薄膜的剖面示意圖。

圖3是依照本發明之第三實施例之裝飾薄膜的剖面示意圖。

圖4是依照本發明之第四實施例之加飾成型品的製造方法步驟流程圖。

圖5是依照本發明之第五實施例之加飾成型品的剖面示意圖。

圖6是依照本發明之第六實施例之加飾成型品的剖面示意圖。

圖7是依照本發明之第七實施例之加飾成型品的剖面示意圖。

100．．．裝飾薄膜

102．．．基材

102a．．．第一面

102b．．．第二面

104．．．離形層

106．．．硬塗層

108．．．光電轉換元件

108a．．．第一電極

108b．．．第二電極

108c．．．光電轉換層

108c1．．．N型半導體層

108c2．．．P型半導體層

110．．．圖案層

112．．．接著層

Claims (10)

1. 一種裝飾薄膜，包括：一基材，具有相對的一第一面及一第二面；一硬塗層，配置於該基材的該第二面上；一圖案層，配置於該基材的該第一面上；一接著層，配置於該圖案層遠離該基材的一側上；以及一光電轉換元件，配置於該硬塗層與該圖案層之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述之裝飾薄膜，其中該光電轉換元件配置於該硬塗層與該基材之間。
3. 如申請專利範圍第1項所述之裝飾薄膜，其中該光電轉換元件配置於該基材與該圖案層之間。
4. 如申請專利範圍第1項所述之裝飾薄膜，其中該光電轉換元件包括：一第一電極；一第二電極，配置於該第一電極上；一光電轉換層，配置於該第一電極與該第二電極之間，該光電轉換層包括一N型半導體層以及一P型半導體層。
5. 如申請專利範圍第1項所述之裝飾薄膜，其中該硬塗層具有95%以上的穿透度以及1%以下的反射率。
6. 一種加飾成型品，包括：一工件，具有一外表面；以及如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之裝飾 薄膜，配置於該工件的該外表面上，其中該裝飾薄膜透過該接著層而貼附於該工件上。
7. 如申請專利範圍第6項所述之加飾成型品，其中該工件的該外表面材質為塑膠、金屬、碳纖維或玻璃。
8. 如申請專利範圍第6項所述之加飾成型品，其中該光電轉換元件電性耦接至一電力供應系統。
9. 一種加飾成型品的製造方法，其是製造如申請專利範圍第6項至第8項中任一項所述之加飾成型品的方法，該方法包括：提供一工件；提供如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之裝飾薄膜；將該工件及該裝飾薄膜放置於一治具中；以及進行一高壓轉印成型製程，使該裝飾薄膜透過該接著層而貼附於該工件的外表面上，其中該高壓轉印成型製程包括：對該裝飾薄膜進行一加熱軟化步驟；使該裝飾薄膜與該工件接觸，並進行一加壓步驟；以及對該裝飾薄膜及該工件進行一高壓真空成型步驟，使該裝飾薄膜轉印至該工件上。
10. 如申請專利範圍第9項所述之加飾成型品的製造方法，其中該裝飾薄膜的形成方法包括：於一基材上形成一硬塗層； 於該基材上形成一圖案層；於該圖案層遠離該基材的一側上形成一接著層；以及於該硬塗層與該圖案層之間形成一光電轉換元件。