TWI416099B - 吸波材料量測系統與方法 - Google Patents

Description

吸波材料量測系統與方法

本發明是有關於一種吸波材料量測系統與方法，且特別是有關於一可針對厚度較小之吸波材料試片進行量測的系統與方法。

一般吸波材料之導磁係數與介電常數的量測，係藉由同軸線或波導管將網路分析儀產生的能量以平面波的形式傳送至待測之吸波材料。接著，量測出反射波與穿透波的振幅與相位，並利用Nicolson-Ross-Weir(NRW)演算法計算出吸波材料的導磁係數與介電常數。然而，利用同軸線製成的同軸探頭更可適用於量測低頻的材料特性，因此同軸探頭被廣泛地應用於吸波材料之量測中。

同軸探頭的探頭中心是一圓柱形導體，且周邊的外殼亦為導體。在量測時，係將吸波材料製作成圓盤且中空(類似於甜甜圈)的形狀，接著將之置入一待測模組(亦即填裝吸波材料之容器)內，其中待測模組係實質為一中空圓柱體。將待測模組夾持二同軸探頭之間，使得同軸探頭中心的圓柱形導體凸伸至吸波材料圓盤狀試片之中空部分。在實際之量測上，一般係使用一中心探針，將中心探針之二端分別接合至二同軸探頭的探頭中心，並使得中心探針穿設於吸波材料圓盤狀試片之中空部分，其中中心探針更與吸波材料圓盤狀試片互相接觸。

然而，由於圓盤狀試片在製作上無法完全地符合待測模組之尺寸，故圓盤狀試片無法與待測模組以及中心探針完全密合，容易產生空氣間隙(Air Gap)。經研究顯示，空氣間隙的存在會影響吸波材料之材料特性量測的準確性，且在針對探頭面積與量測誤差之間的關係之研究顯示，在空氣間隙無法避免之狀況下，若圓盤狀試片之直徑保持一致，則使用厚度較厚的圓盤狀試片，可將空氣間隙所導致之誤差平均化。此外，當空氣間隙無法避免時，若圓盤狀試片之厚度保持一致，則使用直徑較大的同軸探頭可獲得較準確的量測結果。

惟在上述兩種增加量測結果準確性之方法中，製造厚度較厚的圓盤狀試片，並使其符合所需之規格尺寸，在實務上有其困難度。另外，若使用直徑較大的同軸探頭進行量測，則意味著需使用直徑較大的圓盤狀試片，此時有不易固定試片的缺點，故容易因圓盤狀試片擺放於待測模組中位置的偏差，或量測過程中的晃動而增加量測的誤差。

因此，本發明之目的係在提供一種吸波材料量測系統與方法，藉由額外之固定模組中之介電材料來夾持固定待測模組中之圓盤吸波材料，可減少量測的誤差。

根據本發明之一實施例，提供一種吸波材料量測系統，用以量測圓盤吸波材料之導磁係數或介電常數，其中圓盤吸波材料之圓心具有第一貫穿孔以及實質平行之二第一平面。吸波材料量測系統包含用以發射或接收微波二同軸探頭、用以接合二同軸探頭之中心探針、分別用以接合於二同軸探頭之二固定模組以及待測模組。每個固定模組包含固定座、介電材料以及探針固定座。固定座係用以接合於上述二同軸探頭其中一者上，且固定座具有一第二貫穿孔。而介電材料則用以設置於上述第二貫穿孔中，其中介電材料一端係用以與同軸探頭接觸，且介電材料具有量測時延伸方向實質平行於第二貫穿孔之延伸方向的第三貫穿孔。上述固定座之一部分係用以與介電材料之另一端共平面以形成第一接合面。探針固定座係用以設置於上述第三貫穿孔中，其中探針固定座一端用以與中心探針之一端接合，且探針固定座另一端用以與同軸探頭者接觸。至於待測模組則具有第四貫穿孔以及實質平行之二第二平面，每個固定模組係用以以其第一接合面將待測模組夾持於二固定模組之間。於量測時，上述圓盤吸波材料容設於待測模組之第四貫穿孔中，且上述第一貫穿孔之延伸方向係實質平行於第四貫穿孔之延伸方向。此外，圓盤吸波材料之第一平面係以一對一方式與上述二第二平面形成二個第二接合面，而此些第二接合面以一對一方式與二個第一接合面接觸。再者，於量測時，圓盤吸波材料的第一平面係完全由介電材料所夾持固定，且中心探針穿設於圓盤吸波材料的第一貫穿孔中。

此外，根據本創作之另一實施例，提供一種吸波材料量測系統，用以實施穿透測試。吸波材料量測系統包含用以發射或接收微波二同軸探頭、用以接合二同軸探頭之中心探針以及分別用以接合於二同軸探頭之二固定模組。每個固定模組包含固定座、介電材料以及探針固定座。固定座係用以接合於上述二同軸探頭其中一者上，且固定座具有一第二貫穿孔。而介電材料則用以設置於上述第二貫穿孔中，其中介電材料一端係用以與同軸探頭接觸，且介電材料具有測試時延伸方向實質平行於第二貫穿孔之延伸方向的第三貫穿孔。上述固定座之一部分係用以與介電材料之另一端共平面以形成第一接合面。探針固定座係用以設置於上述第三貫穿孔中，其中探針固定座一端用以與中心探針之一端接合，且探針固定座另一端用以與同軸探頭者接觸。此外，於測試時，二固定模組係以上述二第一接合面互相接觸。

根據本創作之又一實施例，提供一種吸波材料量測系統，用以實施反射測試。吸波材料量測系統包含用以發射或接收微波的同軸探頭、固定模組以及待測模組。固定模組係用以接合於同軸探頭且包含固定座、介電材料以及探針固定座。固定座係用以接合於上述同軸探頭上，且固定座具有一第二貫穿孔。而介電材料則用以設置於上述第二貫穿孔中，其中介電材料一端用以與同軸探頭接觸，且介電材料具有測試時延伸方向實質平行於第二貫穿孔之延伸方向的第三貫穿孔。上述固定座之一部分用以與介電材料之另一端共平面以形成第一接合面。探針固定座係用以設置於上述第三貫穿孔中，其中探針固定座一端用以與同軸探頭者接觸。此外，待測模組具有一平面，並於測試時以此平面接合於上述第一接合面。

根據本創作之又一實施例，提供一種吸波材料量測系統，用以實施線測試。吸波材料量測系統包含用以發射或接收微波二同軸探頭、用以接合二同軸探頭之中心探針、分別用以接合於二同軸探頭之二固定模組以及待測模組。每個固定模組包含固定座、介電材料以及探針固定座。固定座用以接合於上述二同軸探頭其中一者上，且固定座具有一第二貫穿孔。而介電材料則用以設置於上述第二貫穿孔中，其中介電材料一端用以與同軸探頭接觸，且介電材料具有測試時延伸方向實質平行於第二貫穿孔之延伸方向的第三貫穿孔。上述固定座之一部分用以與介電材料之另一端共平面以形成第一接合面。探針固定座係用以設置於上述第三貫穿孔中，其中探針固定座一端用以與中心探針之一端接合，且探針固定座另一端用以與同軸探頭者接觸。至於待測模組則具有第四貫穿孔以及實質平行之二第二平面，每個固定模組於測試時以其第一接合面將待測模組夾持於二固定模組之間，使得上述二第二接合面以一對一方式與二個第一接合面接觸。

根據本創作之又一實施例，上述用以實施線測試之吸波材料量測系統中之二固定模組具有相同之幾何結構與尺寸，且待測模組之二第二平面間距有一距離，於測試時，使得二同軸探頭其中一者發射之微波經過上述距離後，其微波之相位延遲20度至160度。

根據本創作之再一實施例，提供一種吸波材料量測方法，用以量測圓盤吸波材料之導磁係數或介電常數，其中圓盤吸波材料之圓心具有第一貫穿孔以及實質平行之二第一平面。吸波材料量測方法包含：提供用以發射或接收微波之二同軸探頭，以及用以接合二同軸探頭之中心探針；組合圓盤吸波材料、中心探針、二固定模組以及待測模組，使得固定模組以二個第一接合面將待測模組夾持於二固定模組之間，且使得圓盤吸波材料與中心探針容設於固定模組與待測模組中；接合同軸探頭與固定模組，使得固定模組夾設於同軸探頭之間；以及量測至少一參數，並藉由此參數計算上述導磁係數或介電常數。上述每個固定模組包含固定座、介電材料以及探針固定座。固定座接合於上述二同軸探頭其中一者上，且固定座具有一第二貫穿孔。而介電材料則設置於上述第二貫穿孔中，其中介電材料一端與同軸探頭接觸，且介電材料具有延伸方向實質平行於第二貫穿孔之延伸方向的第三貫穿孔。上述固定座之一部分與介電材料之另一端共平面以形成第一接合面。探針固定座係設置於上述第三貫穿孔中，其中探針固定座一端與中心探針之一端接合，且探針固定座另一端與同軸探頭者接觸。至於待測模組則具有第四貫穿孔以及實質平行之二第二平面，每個固定模組以其第一接合面將待測模組夾持於二固定模組之間。上述圓盤吸波材料容設於待測模組之第四貫穿孔中，且上述第一貫穿孔之延伸方向係實質平行於第四貫穿孔之延伸方向。此外，圓盤吸波材料之第一平面係以一對一方式與上述二第二平面形成二個第二接合面，而此些第二接合面以一對一方式與二個第一接合面接觸。再者，圓盤吸波材料的第一平面係完全由介電材料所夾持固定，且中心探針穿設於圓盤吸波材料的第一貫穿孔中。

本發明之優點為，透過追加額外之固定模組，以固定模組中之介電材料來夾持固定待測模組中之圓盤吸波材料，可減少量測的誤差。此外，在使用本發明之吸波材料量測系統與方法中，可選用厚度較薄而直徑較大之吸波材料試片，藉此可降低試片製造上的難度以及試片所使用之材料用量，進降低量測過程中所耗費之時間成本與材料成本。

請參照第1A、1B、1C以及2圖，其係分別繪示根據本發明之一實施例之吸波材料量測系統的剖面示意圖、第1A圖中右側之固定模組由第1A圖左側朝右側視之的側視示意圖、第1A圖中待測模組之剖面示意圖以及第1A圖中之圓盤吸波材料的立體示意圖。吸波材料量測系統100係用以量測圓盤吸波材料200之導磁係數或介電常數。如第2圖所示，圓盤吸波材料200之圓心處具有第一貫穿孔202以及實質平行之二第一平面204。吸波材料量測系統100包含二個同軸探頭102、中心探針104、二固定模組300以及待測模組400，其中同軸探頭102係用以發射或接收微波，中心探針104係用以接合二同軸探頭102，且二固定模組300係分別接合於二同軸探頭102上。而每個固定模組300包含有固定座302、介電材料304以及探針固定座306。每個固定模組300之固定座302接合在二同軸探頭102其中一者上，且每個固定座302具有第二貫穿孔302a。在本實施例中，每個同軸探頭102與中心探針104之幾何形狀係一圓柱體，且配合同軸探頭102之幾何形狀，固定座302係實質為一具有第二貫穿孔302a之中空圓柱體，其中固定座302係以導體材料(例如金屬之導電材料)製造而成。在其他實施例中，同軸探頭102、中心探針104與固定座302亦可為如方柱體之其他幾何形狀。

在本實施例中，介電材料304係設置於固定座302之第二貫穿孔302a中，其中介電材料304之一端304a與容設之同軸探頭102接觸，藉此將同軸探頭102發射之微波傳遞至圓盤吸波材料200，或將來自於圓盤吸波材料200之微波傳遞至同軸探頭102。介電材料304具有第三貫穿孔304b，而此第三貫穿孔304b之延伸方向係實質平行於上述固定座302之第二貫穿孔302a之延伸方向，且如第1A與1B圖所示，固定座302之一部分與介電材料304之另一端304c共平面(如第1A圖中虛線所示)以形成第一接合面。在本實施例中，第二貫穿孔302a係圓柱形貫穿孔，故配合第二貫穿孔302a之幾何形狀，介電材料304為一圓柱體，且介電材料304之第三貫穿孔304b亦為圓柱形貫穿孔。然而，在其他實施例中，介電材料304及其第三貫穿孔304b配合第二貫穿孔302a之幾何形狀，可具有其他如方柱形之幾何形狀。在本實施例中，介電材料304可為鐵氟龍(Teflon)或其他類似之材料。

至於探針固定座306，其係設置於介電材料304之第三貫穿孔304b中。在第1A圖所示之實施例中，右側之探針固定座306之一端係延伸至圓盤吸波材料200之第一貫穿孔202(參見第2圖)中，惟左側之探針固定座306則並未延伸至圓盤吸波材料200之第一貫穿孔202中。此延伸至圓盤吸波材料200之第一貫穿孔202中之一端係與中心探針104之一端接合，而此探針固定座306之另一端則與容設此探針固定座306之同軸探頭102接觸。至於左側之探針固定座306，其一端與中心探針104之一端接合，而另一端則與容設此探針固定座306之同軸探頭102接觸。在其他之實施例中，二探針固定座均可等同於第1A圖所示之左側探針固定座306，亦即二探針固定座均未延伸至圓盤吸波材料200之第一貫穿孔202中，僅需使得中心探針104穿設於圓盤吸波材料200之第一貫穿孔202中，並使得中心探針104之二端分別與二探針固定座之一端接合即可。在本發明中，探針固定座306係以導體材料(例如金屬之導電材料)製造而成。

在第1A至2圖所示之實施例中，待測模組400具有第四貫穿孔402以及實質平行之二第二平面404。每個固定模組300以上述由固定座302與介電材料304所形成之第一接合面將待測模組400夾持於二固定模組300之間。

如第1A圖所示，圓盤吸波材料200係容設於待測模組400之第四貫穿孔402中，且圓盤吸波材料200之第一貫穿孔202之延伸方向係實質平行於第四貫穿孔402之延伸方向。在此實施例中，圓盤吸波材料200之二第一平面204係以一對一方式與待測模組400之二第二平面404形成二個第二接合面。而此些第二接合面以一對一方式與上述固定座302與介電材料304所形成之二個第一接合面接觸，亦即藉由二個第一接合面與二個第二接合面的接觸，將待測模組400夾持於二個固定模組300之間。

此外，在第1A圖所示之實施例中，圓盤吸波材料200的二個第一平面204係完全由二個介電材料304所夾持固定，更確切地說，係由二個介電材料304之另一端304c所夾持固定。

在特定之實施例中，如第1A圖所示之待測模組400係與二個固定模組300其中一者的固定座302一體成型。

請參照第3圖，其係繪示根據本發明之另一實施例之吸波材料量測系統的剖面示意圖。在本實施例中，吸波材料量測系統100’之結構係類似於第1A至1C圖所示之結構，故其中類似之結構或元件、及類似之結構或元件之間的關係即不再贅述。以下以僅就吸波材料量測系統100’與第1A至1C圖所示之吸波材料量測系統100之間差異加以說明。在吸波材料量測系統100中，介電材料304與圓盤吸波材料200均為圓盤狀，且具有實質相同之半徑。然而，在第3圖所示之實施例中，吸波材料量測系統100’之介電材料304’之直徑大於圓盤吸波材料200之直徑，其中第3圖所示之圓盤吸波材料200係實質相同於第1A圖所示之圓盤吸波材料200。如第3圖所示，配合介電材料304’之直徑的變化，吸波材料量測系統100’之固定座302’之第二貫穿孔302a’具有不同二種相異之直徑。

請參照第4圖，其係繪示根據本發明之另一實施例之吸波材料量測系統的剖面示意圖。吸波材料量測系統500係用以實施如第1A至1C圖所示之吸波材料量測系統100之穿透-反射-線(Trough-Reflection-Line；TRL)校正之穿透測試(Trough)的系統。在本實施例中，吸波材料量測系統500之結構係類似於第1A至1C圖所示之結構，故其中類似之結構或元件、及類似之結構或元件之間的關係即不再贅述。以下以僅就吸波材料量測系統500與第1A至1C圖所示之吸波材料量測系統100之間差異加以說明。為了簡化起見，在第1A至第2圖、第4圖以及以下即將說明之第5及第6圖中，以相同的標號來標示類似的結構或元件，其中以相同的標號表示之結構或元件可在特定之尺寸上加以變化，例如，不同之圖式中之固定座302的厚度可互不相同。

在第4圖中，吸波材料量測系統500並未包含吸波材料量測系統100中之待測模組400。配合上述之差異，吸波材料量測系統500右側之探針固定座306並未如吸波材料量測系統100右側之探針固定座306，以一端延伸至圓盤吸波材料200的第一貫穿孔202(參見第2圖)中，其中吸波材料量測系統500左右二側之探針固定座306係實質相同之元件。在吸波材料量測系統500中，為校正如第1A至1C圖所示之吸波材料量測系統100，除了以上所述右側之探針固定座306與吸波材料量測系統100右側之探針固定座306之差異外，左右二側之固定模組300之結構與尺寸需分別等同於吸波材料量測系統100左右二側之固定模組300。而吸波材料量測系統500每個固定模組300亦具備如上所述之第一接合面，並以此二個第一接合面互相接觸。在本實施例中，左右二側之固定模組300係具有相同之幾何結構與尺寸。

請參照第5圖，其係繪示根據本發明之另一實施例之吸波材料量測系統的剖面示意圖。吸波材料量測系統600係用以實施第1A至1C圖所示之吸波材料量測系統100之TRL校正之反射測試(Reflection)的系統。以下不再贅述吸波材料量測系統600與吸波材料量測系統100之類似結構或元件，且類似之結構或元件關係亦不再贅述。以下以僅就差異部分加以說明。

在第5圖中，吸波材料量測系統600包含同軸探頭102、固定模組300以及待測模組602，其中待測模組602具有一平面，且待測模組602係以此平面接合於如以上所述之固定模組300的第一接合面，使得同軸探頭102產生之微波由待測模組602之平面反射來量測特定之參數，以進一步校正如第1A至1C圖所示之吸波材料量測系統100。需強調的是，吸波材料量測系統600並未包含中心探針104。在本實施例中，待測模組602係實質為一平板，然而待測模組602之結構並不以本實施例為限，亦可為具備其他幾何形狀之結構物，僅需具備一平面與固定模組300接合即可。為校正如第1A至1C圖所示之吸波材料量測系統100，在吸波材料量測系統600中，所採用之固定模組300之結構與尺寸需分別等同於吸波材料量測系統100左右二側之固定模組300。在特定之實施例中，亦可以一待測模組602同時接合於二固定模組300，以期同時校正二固定模組300對於量測之影響，熟悉此技藝者應可根據以上之說明輕易理解其中之操作細節，故不在於此加以詳述。此外，在特定之實施例中，待測模組602係與固定模組300之固定座302一體成型。

請參照第6圖，其係繪示根據本發明之另一實施例之吸波材料量測系統的剖面示意圖。吸波材料量測系統700係用以實施第1A至1C圖所示之吸波材料量測系統100之TRL校正之線測試(Line)的系統。以下不再贅述吸波材料量測系統700與吸波材料量測系統100之類似結構或元件，且類似之結構或元件關係亦不再贅述。以下以僅就差異部分加以說明。

第6圖所示之吸波材料量測系統700與吸波材料量測系統100之差異僅在於測模組400之實質平行之二第二平面404之間的距離。在吸波材料量測系統700中，為了實施線測試，故測模組400中並未容設圓盤吸波材料200。因此，每個固定模組300係以其第一接合面將待測模組400夾持於二固定模組300之間，使得待測模組400之二個第二平面以一對一方式與固定模組300之二個第一接合面接觸。為校正如第1A至1C圖所示之吸波材料量測系統100，在吸波材料量測系統700中，所採用之固定模組300之結構與尺寸需分別等同於吸波材料量測系統100左右二側之固定模組300。在特定之實施例中，吸波材料量測系統700之二固定模組300具有相同之幾何結構與尺寸，且待測模組400之二第二平面間的距離，使得二同軸探頭102其中一者發射之微波經過此距離後，其相位延遲20度至160度。

在第1A至1C圖、第4圖、第5圖、以及第6圖所示之吸波材料量測系統100、500、600以及700之間，特定之元件於特定之狀況下可彼此沿用。例如，如第1A圖所示左側之固定模組300可沿用至第4至第6圖所示之吸波材料量測系統500、600以及700之中。然而，第1A圖所示右側之固定模組300則無法沿用至第4圖所示之吸波材料量測系統500之中。熟悉此技藝者根據以上之說明，當可輕易理解各種狀況下，特定元件是否能夠彼此沿用於吸波材料量測系統100、500、600以及700之間，故不再於此詳細說明。

請參照第1A至1C圖、第2圖以及第7圖，其中第7圖係繪示以第1A至1C圖所示之吸波材料量測系統100量測第2圖所示之圓盤吸波材料200之導磁係數或介電常數之吸波材料量測方法800的流程圖。吸波材料量測方法800開始於步驟802，以提供二同軸探頭102以及中心探針104，其中上述同軸探頭102係用以發射或接收微波，而中心探針104則用以接合二同軸探頭102。接著實施步驟804，以組合圓盤吸波材料200、中心探針104、二固定模組300以及待測模組400，使得二固定模組300以上述由固定座302與介電材料304所形成之二第一接合面將待測模組400夾持於二固定模組300之間。此外，更使得圓盤吸波材料200與中心探針104容設於此些固定模組300與待測模組400中。待完成步驟804之後，實施步驟806，以接合上述二同軸探頭102與二固定模組300，使得此些固定模組300夾設於二同軸探頭102之間。然而，步驟804與步驟806之實施順序並不侷限在本實施例中，意即在特定之實施例中，步驟804與步驟806之實施順序可互相對調。最後實施步驟808，以量測至少一參數，並藉由此參數計算圓盤吸波材料200導磁係數或介電常數。

在步驟808中，第1A圖左側之同軸探頭102發射微波，此微波經過第1A圖左側之介電材料304、圓盤吸波材料200以及第1A圖右側之介電材料304之傳遞路徑後，由第1A圖右側之同軸探頭102接收此一微波，以獲得導磁係數或介電常數。至於由哪一同軸探頭102發射微波，其係取決於吸波材料量測系統100之設計，故並不以本實施例為限。

在上述吸波材料量測方法800的實施過程中，吸波材料量測系統100之各個元件以及圓盤吸波材料200彼此之間的關係與相對位置係如同以上針對第1A至1C圖以及第2圖之說明，故不再重覆說明。

本發明對於同軸探頭所欲量測之材料的填裝提出一種新的結構，藉由將欲量測之材料穩固地放置於兩校正平面(由固定座302與介電材料304所形成之第一接合面)中，來改善現有的問題，以減少量測誤差。以本發明結果進行吸波材料之導磁係數或介電常數的量測，可獲得較為準確的結果。

相較於習知之量測系統，由於吸波材料量測系統100定義出新的校正平面，因此校正方法必須隨之進行修改。以下係針對常見之TRL校正之實施步驟之說明。

請參照第4圖以及第8圖，其中第8圖係繪示以第4圖所示之吸波材料量測系統500實施校正第1A至1C圖所示之吸波材料量測系統100之穿透測試步驟之吸波材料量測方法800a的流程圖。首先實施步驟802a，以組合中心探針104以及二固定模組300，使得此些固定模組300以如上所述之二第一接合面彼此對接，且使得中心探針104容設於此些固定模組300中。接著實施步驟804a，以接合吸波材料量測系統100之二同軸探頭102與上述之二固定模組300，使得此些固定模組300夾設於二同軸探頭102之間。在特定之實施例中，步驟802a與步驟804a之實施順序可互相對調。最後實施步驟806a，以量測至少一穿透參數，並藉由此穿透參數校正上述吸波材料量測方法800中，用以計算圓盤吸波材料200之導磁係數或介電常數之參數。

在上述吸波材料量測方法800a的實施過程中，吸波材料量測系統500之各個元件彼此之間的關係與相對位置係如同以上針對第4圖之說明，故不再重覆說明。

請參照第5圖以及第9圖，其中第9圖係繪示以第5圖所示之吸波材料量測系統600實施校正第1A至1C圖所示之吸波材料量測系統100之反射測試步驟之吸波材料量測方法800b的流程圖。首先實施步驟802b，以組合待測模組602以及一固定模組300，使得待測模組602以一平面接合於固定模組300之第一接合面。接著實施步驟804b，以接合吸波材料量測系統100中二同軸探頭102其中一者與固定模組300。在特定之實施例中，步驟802b與步驟804b之實施順序可互相對調。最後實施步驟806b，以量測至少一反射參數，並藉由此反射參數校正上述吸波材料量測方法800中，用以計算圓盤吸波材料200之導磁係數或介電常數之參數。由於第1A至1C圖所示之吸波材料量測系統100中具有二同軸探頭102，故需分別針對二同軸探頭102實施上述吸波材料量測方法800b。

在上述吸波材料量測方法800b的實施過程中，吸波材料量測系統600之各個元件彼此之間的關係與相對位置係如同以上針對第5圖之說明，故不再重覆說明。

請參照第6圖以及第10圖，其中第10圖係繪示以第6圖所示之吸波材料量測系統700實施校正第1A至1C圖所示之吸波材料量測系統100之線測試步驟之吸波材料量測方法800c的流程圖。首先實施步驟802c，以組合中心探針104、二固定模組300以及待測模組400，使得此些固定模組300以二第一接合面將待測模組400夾持於二固定模組300之間，且使得中心探針104容設於此些固定模組300與待測模組400中。接著實施步驟804c，以接合吸波材料量測系統100之二同軸探頭102與上述二固定模組300，使得此些固定模組300夾設於二同軸探頭102之間。在特定之實施例中，步驟802c與步驟804c之實施順序可互相對調。最後實施步驟806c，以量測至少一線參數，並藉由此線參數校正上述吸波材料量測方法800中，用以計算圓盤吸波材料200之導磁係數或介電常數之參數。

在上述吸波材料量測方法800c的實施過程中，吸波材料量測系統700之各個元件彼此之間的關係與相對位置係如同以上針對第6圖之說明，故不再重覆說明。

此外，在特定之實施例中，吸波材料量測系統700之待測模組400之二第二平面間的距離，使得二同軸探頭102其中一者發射之微波經過此距離後，其相位延遲20度至160度。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100．．．吸波材料量測系統

100’．．．吸波材料量測系統

102．．．同軸探頭

104．．．中心探針

200．．．圓盤吸波材料

202．．．第一貫穿孔

204．．．第一平面

300．．．固定模組

302．．．固定座

302’．．．固定座

302a．．．第二貫穿孔

302a’．．．第二貫穿孔

304．．．介電材料

304’．．．介電材料

304a．．．一端

304b．．．第三貫穿孔

304c．．．一端

306．．．探針固定座

400．．．待測模組

402．．．第四貫穿孔

404．．．第二平面

500．．．吸波材料量測系統

600．．．吸波材料量測系統

602．．．待測模組

700．．．吸波材料量測系統

800．．．吸波材料量測方法

800a．．．吸波材料量測方法

800b．．．吸波材料量測方法

800c．．．吸波材料量測方法

802．．．提供二同軸探頭以及中心探針

802a．．．組合中心探針以及二固定模組

802b．．．組合待測模組以及一固定模組

802c．．．組合中心探針、二固定模組以及待測模組

804．．．組合圓盤吸波材料、中心探針、二固定模組以及待測模組

804a．．．接合二同軸探頭與二固定模組

804b．．．接合吸波材料量測系統中二同軸探頭其中一者與固定模組

804c．．．接合二同軸探頭與二固定模組

806．．．接合二同軸探頭與二固定模組

806a．．．量測至少一穿透參數，並藉由此穿透參數校正用以計算導磁係數或介電常數之參數

806b．．．量測至少一反射參數，並藉由此反射參數校正用以計算導磁係數或介電常數之參數

806c．．．量測至少一線參數，並藉由此線參數校正用以計算導磁係數或介電常數之參數

808．．．量測至少一參數，並藉由此參數計算圓盤吸波材料導磁係數或介電常數

為了能夠對本發明之觀點有較佳之理解，請參照上述之詳細說明並配合相應之圖式。要強調的是，根據工業之標準常規，附圖中之各種特徵並未依比例繪示。事實上，為清楚說明上述實施例，可任意地放大或縮小各種特徵之尺寸。相關圖式內容說明如下。

第1A圖係繪示根據本發明之一實施例之吸波材料量測系統的剖面示意圖。

第1B圖係繪示第1A圖中右側之固定模組由第1A圖左側朝右側視之的側視示意圖。

第1C圖係繪示第1A圖中待測模組之剖面示意圖。

第2圖係繪示第1A圖中之圓盤吸波材料的立體示意圖。

第3至6圖係繪示根據本發明之其他實施例之吸波材料量測系統的剖面示意圖。

第7圖係繪示以第1A至1C圖所示之吸波材料量測系統量測第2圖所示之圓盤吸波材料之導磁係數或介電常數之吸波材料量測方法的流程圖。

第8圖係繪示以第4圖所示之吸波材料量測系統實施校正第1A至1C圖所示之吸波材料量測系統之穿透測試步驟之吸波材料量測方法800a的流程圖。

第9圖係繪示以第5圖所示之吸波材料量測系統實施校正第1A至1C圖所示之吸波材料量測系統之反射測試步驟之吸波材料量測方法800b的流程圖。

第10圖係繪示以第6圖所示之吸波材料量測系統實施校正第1A至1C圖所示之吸波材料量測系統之線測試步驟之吸波材料量測方法800c的流程圖。

100．．．吸波材料量測系統

102．．．同軸探頭

104．．．中心探針

200．．．圓盤吸波材料

300．．．固定模組

302．．．固定座

302a．．．第二貫穿孔

304．．．介電材料

304a．．．一端

304b．．．第三貫穿孔

304c．．．一端

306．．．探針固定座

400．．．待測模組

Claims (13)

1. 一種吸波材料量測系統，用以量測一圓盤吸波材料之一導磁係數或一介電常數，其中該圓盤吸波材料之圓心具有一第一貫穿孔以及實質平行之二第一平面，該吸波材料量測系統包含：二同軸探頭，用以發射或接收微波；一中心探針，用以接合該二同軸探頭；二固定模組，分別用以接合於該二同軸探頭，其中每一該些固定模組包含：一固定座，用以接合於該二同軸探頭其中一者上，其中該固定座具有一第二貫穿孔；一介電材料，用以設置於該第二貫穿孔中，其中該介電材料一端用以與該二同軸探頭其中該者接觸，該介電材料具有一第三貫穿孔，該第三貫穿孔之延伸方向於量測時係實質平行於該第二貫穿孔之延伸方向，且該固定座之一部分用以與該介電材料之另一端共平面以形成一第一接合面；以及一探針固定座，用以設置於該第三貫穿孔中，其中該探針固定座一端用以與該中心探針之一端接合，該探針固定座另一端用以與該二同軸探頭其中該者接觸；以及一待測模組，其中該待測模組具有一第四貫穿孔以及實質平行之二第二平面，每一該些固定模組係用以以該第一接合面將該待測模組夾持於該二固定模組之間；其中於量測時，該圓盤吸波材料係容設於該第四貫穿孔中，該第一貫穿孔之延伸方向係實質平行於該第四貫穿孔之延伸方向，該圓盤吸波材料之該些第一平面係以一對一方式與該些第二平面形成二第二接合面，而該些第二接合面以一對一方式與該些第一接合面接觸；其中於量測時，該圓盤吸波材料之該些第一平面係完全由該些介電材料所夾持固定，且該中心探針係穿設於該圓盤吸波材料之該第一貫穿孔中。
2. 如請求項1所述之吸波材料量測系統，其中該待測模組係與該些固定模組其中一者之該固定座一體成型，且該些固定模組其中該者之該探針固定座延伸至該圓盤吸波材料之該第一貫穿孔中。
3. 一種吸波材料量測系統，用以實施一穿透測試，其中該吸波材料量測系統包含：二同軸探頭，用以發射或接收微波；一中心探針，用以接合該二同軸探頭；二固定模組，分別用以接合於該二同軸探頭，其中每一該些固定模組包含：一固定座，用以接合於該二同軸探頭其中一者上，其中該固定座具有一第二貫穿孔；一介電材料，用以設置於該第二貫穿孔中，其中該介電材料一端用以與該二同軸探頭其中該者接觸，該介電材料具有一第三貫穿孔，該第三貫穿孔之延伸方向於測試時係實質平行於該第二貫穿孔之延伸方向，且該固定座之一部分用以與該介電材料之另一端共平面以形成一第一接合面；以及一探針固定座，用以設置於該第三貫穿孔中，其中該探針固定座一端用以與該中心探針之一端接合，該探針固定座另一端用以與該二同軸探頭其中該者接觸；其中於測試時，該二固定模組係以該二第一接合面互相接觸。
4. 如請求項3所述之吸波材料量測系統，其中該二固定模組具有相同之幾何結構與尺寸。
5. 一種吸波材料量測系統，用以實施一反射測試，其中該吸波材料量測系統包含：一同軸探頭，用以發射或接收微波；一固定模組，用以接合於該同軸探頭，其中該固定模組包含：一固定座，用以接合於該同軸探頭上，其中該固定座具有一第二貫穿孔；一介電材料，用以設置於該第二貫穿孔中，其中該介電材料一端用以與該同軸探頭接觸，該介電材料具有一第三貫穿孔，該第三貫穿孔之延伸方向於測試時係實質平行於該第二貫穿孔之延伸方向，且該固定座之一部分用以與該介電材料之另一端共平面以形成一第一接合面；以及一探針固定座，用以設置於該第三貫穿孔中，其中該探針固定座一端用以與該同軸探頭接觸；以及一待測模組，其中該待測模組具有一平面，該待測模組係係用以於測試時透過該平面接合於該第一接合面。
6. 如請求項5所述之吸波材料量測系統，其中該待測模組係與該固定模組之該固定座一體成型。
7. 一種吸波材料量測系統，用以實施一線測試，其中該吸波材料量測系統包含：二同軸探頭，用以發射或接收微波；一中心探針，用以接合該二同軸探頭；二固定模組，分別用以接合於該二同軸探頭，其中每一該些固定模組包含：一固定座，用以接合於該二同軸探頭其中一者上，其中該固定座具有一第二貫穿孔；一介電材料，用以設置於該第二貫穿孔中，其中該介電材料一端用以與該二同軸探頭其中該者接觸，該介電材料具有一第三貫穿孔，該第三貫穿孔之延伸方向於測試時係實質平行於該第二貫穿孔之延伸方向，且該固定座之一部分用以與該介電材料之另一端共平面以形成一第一接合面；以及一探針固定座，用以設置於該第三貫穿孔中，其中該探針固定座一端用以與該中心探針之一端接合，該探針固定座另一端用以與該二同軸探頭其中該者接觸；以及一待測模組，其中該待測模組具有一第四貫穿孔以及實質平行之二第二平面，每一該些固定模組於測試時以該第一接合面將該待測模組夾持於該二固定模組之間，使得該些第二平面以一對一方式與該些第一接合面接觸。
8. 如請求項7所述之吸波材料量測系統，其中該二固定模組具有相同之幾何結構與尺寸，且該待測模組之該二第二平面間具有一距離，於測試時，使得該二同軸探頭其中一者發射之一微波經過該距離後，該微波之相位延遲20度至160度。
9. 一種吸波材料量測方法，用以量測一圓盤吸波材料之一導磁係數或一介電常數，其中該圓盤吸波材料之圓心具有一第一貫穿孔以及實質平行之二第一平面，該吸波材料量測方法包含：提供二同軸探頭以及一中心探針，其中該二同軸探頭係用以發射或接收微波，該中心探針係用以接合該二同軸探頭；組合該圓盤吸波材料、該中心探針、二固定模組以及一待測模組，使得該些固定模組以二第一接合面將該待測模組夾持於該二固定模組之間，且使得該圓盤吸波材料與該中心探針容設於該些固定模組與該待測模組中；接合該些同軸探頭與該些固定模組，使得該些固定模組夾設於該些同軸探頭之間；以及量測至少一參數，並藉由該參數計算該導磁係數或該介電常數；其中每一該些固定模組包含：一固定座，接合於該二同軸探頭其中一者上，其中該固定座具有一第二貫穿孔；一介電材料，設置於該第二貫穿孔中，其中該介電材料一端與該二同軸探頭其中該者接觸，該介電材料具有一第三貫穿孔，該第三貫穿孔之延伸方向係實質平行於該第二貫穿孔之延伸方向，且該固定座之一部分與該介電材料之另一端共平面以形成該第一接合面；以及一探針固定座，設置於該第三貫穿孔中，其中該探針固定座一端與該中心探針之一端接合，該探針固定座另一端與該二同軸探頭其中該者接觸；其中該待測模組具有一第四貫穿孔以及實質平行之二第二平面，每一該些固定模組以該第一接合面將該待測模組夾持於該二固定模組之間；其中該圓盤吸波材料係容設於該第四貫穿孔中，該第一貫穿孔之延伸方向係實質平行於該第四貫穿孔之延伸方向，該圓盤吸波材料之該些第一平面係以一對一方式與該些第二平面形成二第二接合面，而該些第二接合面以一對一方式與該些第一接合面接觸；其中該圓盤吸波材料之該些第一平面係完全由該些介電材料所夾持固定，且該中心探針係穿設於該圓盤吸波材料之該第一貫穿孔中。
10. 如請求項9所述之吸波材料量測方法，更包含實施一穿透測試步驟，該穿透測試步驟包含：組合該中心探針以及二第一固定模組，使得該些第一固定模組以二第三接合面彼此對接，且使得該中心探針容設於該些第一固定模組中；接合該些同軸探頭與該些第一固定模組，使得該些第一固定模組夾設於該些同軸探頭之間；以及量測至少一穿透參數，並藉由該穿透參數校正用以計算該導磁係數或該介電常數之該參數；其中每一該些第一固定模組包含：一第一固定座，接合於該二同軸探頭其中一者上，其中該第一固定座具有一第五貫穿孔，該第五貫穿孔之直徑等於該第二貫穿孔之直徑；一第一介電材料，設置於該第五貫穿孔中，其中該第一介電材料一端與該二同軸探頭其中該者接觸，該第一介電材料具有一第六貫穿孔，該第六貫穿孔之延伸方向係實質平行於該第五貫穿孔之延伸方向，且該第六貫穿孔之直徑等於該第三貫穿孔之直徑，該第一固定座之一部分與該第一介電材料之另一端共平面以形成該第三接合面；以及一第一探針固定座，設置於該第六貫穿孔中，其中該第一探針固定座一端與該中心探針之一端接合，該第一探針固定座另一端與該二同軸探頭其中該者接觸；其中該二第一固定模組係以該二第三接合面互相接觸。
11. 如請求項9所述之吸波材料量測方法，更包含實施一反射測試步驟，該反射測試步驟包含：組合一第一待測模組以及一第一固定模組，使得該第一待測模組以一平面接合於該第一固定模組之一第三接合面；接合該些同軸探頭其中一者與該第一固定模組；以及量測至少一反射參數，並藉由該反射參數校正用以計算該導磁係數或該介電常數之該參數；其中該第一固定模組包含：一第一固定座，接合於該些同軸探頭之該者上，其中該第一固定座具有一第五貫穿孔，該第五貫穿孔之直徑等於該第二貫穿孔之直徑；一第一介電材料，設置於該第五貫穿孔中，其中該第一介電材料一端與該些同軸探頭之該者接觸，該第一介電材料具有一第六貫穿孔，該第六貫穿孔之延伸方向係實質平行於該第五貫穿孔之延伸方向，且該第六貫穿孔之直徑等於該第三貫穿孔之直徑，該第一固定座之一部分與該第一介電材料之另一端共平面以形成該第三接合面；以及一第一探針固定座，設置於該第六貫穿孔中，其中該第一探針固定座一端與該些同軸探頭之該者接觸。
12. 如請求項9所述之吸波材料量測方法，更包含實施一線測試步驟，該線測試步驟包含：組合該中心探針、二第一固定模組以及一第一待測模組，使得該些第一固定模組以二第三接合面將該第一待測模組夾持於該二第一固定模組之間，且使得該中心探針容設於該些第一固定模組與該第一待測模組中；接合該些同軸探頭與該些第一固定模組，使得該些第一固定模組夾設於該些同軸探頭之間；以及量測至少一線參數，並藉由該線參數校正用以計算該導磁係數或該介電常數之該參數；其中每一該些第一固定模組包含：一第一固定座，接合於該二同軸探頭其中一者上，其中該第一固定座具有一第五貫穿孔，該第五貫穿孔之直徑等於該第二貫穿孔之直徑；一第一介電材料，設置於該第五貫穿孔中，其中該第一介電材料一端與該二同軸探頭其中該者接觸，該第一介電材料具有一第六貫穿孔，該第六貫穿孔之延伸方向係實質平行於該第五貫穿孔之延伸方向，且該第一固定座之一部分與該第一介電材料之另一端共平面以形成該第三接合面；以及一第一探針固定座，設置於該第六貫穿孔中，其中該第一探針固定座一端與該中心探針之一端接合，該第一探針固定座另一端與該二同軸探頭其中該者接觸；以及一第一待測模組，其中該第一待測模組具有一第七貫穿孔以及實質平行之二第三平面，該第七貫穿孔之直徑等於該第四貫穿孔之直徑，每一該些第一固定模組以該第三接合面將該第一待測模組夾持於該二第一固定模組之間，使得該些第三平面以一對一方式與該些第三接合面接觸。
13. 如請求項12所述之吸波材料量測方法，其中該第一待測模組之該二第三平面間具有一距離，使得該二同軸探頭其中一者發射之一微波經過該距離後，該微波之相位延遲20度至160度。