TWI410013B - 光電子裝置靜電放電保護技術 - Google Patents
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Description
本發明係有關於光電子裝置，以及更明確地說，其係有關於一個電氣鏈路驅動器所驅動之光電子裝置所用的靜電放電保護技術。
雷射係一種透過光纖之通訊所用的光源。一種習見之雷射，是垂直空腔表面發射雷射(VCSEL)，其可被使用在一些使用乙太網路和光纖通道聯網通訊協定之短距離高速聯網介面中。該VCSEL光源係一種相參對稱低發散性光束。通常，其波長大約為850奈米(nm)。
VCSEL天生對靜電放電(ESD)敏感，此所謂靜電放電即不同電位下之身體間的靜電荷之轉移。一個走過乙烯基地磚的人員，在超過65%之相對濕度下時，可能會產生大約250伏特(V)之靜電，以及在大約25%之相對濕度下時，便可能會產生超過12,000V之靜電。此靜電可能係經由一個電子組件透過直接接觸或一種離子化環境放電(火花)來放電。透過一個電子組件之放電，會造成該電子組件中之災難性失效，或一些可能會在以後發展成間歇性失效之潛在瑕疵。
依據本發明之一實施例，係特地提出一種裝置，其係包含有：一個雷射；和耦合至該雷射之一陽極的一個靜電放電保護器，此靜電放電保護器可使一個靜電放電所造成之過量電流，分流離開上述雷射之該陽極。
此被主張之標的事項的實施例之特徵，將可隨著下文進行之詳細說明，以及參照所附諸圖，而變為明確，其中，類似之數字係描繪相同之部分，以及其中：第1圖係一種發射器之實施例的方塊圖，其係包含有一個依據本發明之原理的雷射和靜電放電保護器；第2圖係第1圖中所顯示之靜電放電保護器的實施例之電路圖：第3A圖係顯示一個接收自週邊構件互連快速驅動器之輸出端而使至該靜電放電保護器之輸入信號的眼狀圖；第3B圖係顯示一個垂直空腔表面發射雷射之陽極所接收到來自該靜電放電保護器的輸出信號之眼狀圖；第4圖係例示第2圖中所顯示之發射器的實施例有關之頻率響應；第5圖係第1圖中所顯示之靜電放電保護器的另一個實施例之電路圖：第6圖係一個電腦系統之實施例的方塊圖，其係包含有一個依據本發明之原理的光電子裝置有關之靜電放電保護；而第7圖則係一種可提供第2圖中所顯示之ESD保護器所實現的ESD保護之方法的實施例之流程圖。
雖然以下之『實施方式』在進行上，將參照此被主張之標的事項的例示性實施例，彼等之許多替代方案、修飾體、和變更形式，將可為本技藝之專業人員所明瞭。因此，此被主張之標的事項，係意使持廣意之觀點，以及在界定上係如所附申請專利範圍所明列。
第1圖係一種發射器100之實施例的方塊圖，其係包含有一個依據本發明之原理的雷射102和靜電放電(ESD)保護器104。一個雷射(輻射之激勵發射所致的光學放大)，係一種可使用某一定之量子效應來產生相參性光波的裝置。該雷射102可將電流轉換成一種對應之光信號，其可被用來透過光學鏈路112來傳送資料。該雷射102係可在高速下被調變(啟通和啟斷)，該速率係由自10%轉至90%之峰值的時間來加以測量。該雷射102可能為一個類似垂直空腔表面發射雷射(VCSEL)、法布里－伯羅(FP)雷射二極體、分佈回授(DFB)雷射二極體、發光二極體(LED)、共振腔(RCLED)、等等之半導體雷射。然而，此等僅為雷射之一些範例，以及本發明之實施例，係不受限於此等細節。
該雷射102通常係使耦合至一個客戶化雷射驅動器，後者可提供調變電流，而使上述雷射輸出之功率位準，在某一高值與低值之間交換。該功率位準係被一個耦合至上述光學鏈路112之接收裝置理解為一個邏輯1(高邏輯位準)或邏輯0(低邏輯位準)。該雷射驅動器，通常係被客戶化來驅動一個特定之雷射，以及係包括針對所有輸入/輸出信號之靜電放電保護(ESD)。
雷射天生對ESD敏感，亦即，不同電位下之身體間的靜電荷之轉移。一個物體之電位，係被表示為一種電壓，以及一個物體上面之電荷(以庫侖來測量)，係由電容和電壓之乘積來決定。該電荷之量，會受到接觸面積、分開之速率、和相對濕度的影響。一個裝置對ESD之靈敏度，係取決於一個裝置對電荷之耗散或耐受電壓位準的能力。
上述被稱作ESD事件之靜電荷轉移，可能係透過直接接觸或一種離子化環境放電(火花)。上述之人體模型，係被用來模擬靜電荷自人體至一個裝置之直接轉移。該人體模型，係模型化為一個可透過一個交換組件和一個1.5仟(K)歐姆電阻器而放電進上述裝置內之100微微法拉(pF)電容器，以及係表示自一位站立人員之指尖遞送至該裝置之放電。該人體模型係被使用在紐約州羅馬市之ESD協會標準ESD STM5.1：靜電放電靈敏度測試(Electrostatic Discharge Sensitivity Testing)－人體模型ESD協會(Human Body Model ESD Association)中。雷射二極體通常係具有範圍自0－2仟伏(kV)之靈敏度位準。
該雷射驅動器可防護ESD事件，因為該雷射驅動器輸入，會通過一個不會使ESD事件經過該雷射之中間電路。在此所示之實施例中，該雷射102係由一個電氣實體層驅動器106來驅動，而非由一個傳統式雷射驅動器。該電氣實體層驅動器106在設計上，係可驅動一個使用差動模式信號之點對點鏈路。誠如共同擁有同時另案待審之美國專利申請案第11/165,298號”使用一個電氣鏈路驅動器來驅動雷射”中所討論，該電氣實體層驅動器106，可能係使直接耦合至一個雷射102，藉以提供調變電流給該雷射102。
上述用來驅動一個差動模式信號之電氣實體層驅動器106，並不會提供一個雷射驅動器所提供之ESD保護的相同位準。此外，上述電氣實體層驅動器106的輸出與雷射102之間，係可能有一些中間跡線，透過彼等可能會有一個靜電放電(ESD事件)，其可能會被傳送給上述之雷射102。
一個依據本發明之原理的ESD保護器104之實施例，係使耦合在一個電氣實體層驅動器106與該雷射102之間，藉以提供ESD保護給該雷射102。該ESD保護器104，可使上述有可能造成損壞之靜電流，改道離開該雷射102，以便保護該雷射102，使免於一個災難性失效或潛伏性瑕疵所造成之永久損害。在一個實施例中，該ESD保護器104係使耦合在上述電氣實體層驅動器106之輸出端與該雷射102的陽極之間。
在一個雷射中，當該輸入電流被維護高於某一臨界電流位準時，便可能會有一個光學輸出產生。該輸入電流係包括上述電氣實體層驅動器106所提供而經過該ESD保護器104之調變電流，和一個偏壓電流源108所提供之偏壓電流114。該偏壓電流114，係由該偏壓電流源108供應給上述之雷射102，而使該雷射102保持高於上述之臨界電流位準，藉以避免該雷射102之啟通中的延遲。
第2圖係第1圖中所顯示之ESD保護器104的實施例之電路圖。該ESD保護器104，係包含有二聯靜電保護二極體212、210，而使靜電保護二極體212，耦合在Vcc與經由絲焊204之雷射202的陽極215之間，以及使靜電保護二極體210，耦合在接地端與靜電保護二極體212的陽極之間。上述雷射202之陰極218，亦使連接至接地端。該二聯ESD二極體212、210，可使該ESD電流，依據上述要放電之靜電荷是為正或為負，而使路由選擇至Vcc或至接地端。
在此顯示之實施例中，第1圖中所顯示之電氣實體層驅動器106，係一個週邊構件互連快速(PCIe)驅動器216。該PCIe驅動器216，係一個在www.pcisig.com處可得而界定在2003年四月15日之Peripheral Component Interconnect Express Base Specification Revision 1.0a(週邊構件互連快速基礎規格修訂版1.0a)之PCIe標準的實體層中之組件。該實體層可在兩個PCIe代理程式的連結層之間傳輸封包。
該基本PCIe實體層，係包含有一個雙單工通道，其係實現為一個傳送對線和一個接收對線。此等傳送對線和接收對線，係低電壓AC耦合之差動信號配對。該電氣實體層驅動器輸出，係一個差動模式信號，亦即，上述驅動器之輸出，係包含有兩條接線(顯示在第2圖中之正(＋)端子226和負(－)端子228)，此兩端子間之電壓中的差異，係依據其兩個輸出之何者具有較高的電壓位準，而表示一個邏輯0或一個邏輯1。舉例而言，當該等端子中的一個，係具有4V之電壓，以及另一個端子具有1V之電壓時，便會產生一個3V之差動模式信號。上述PCIe驅動器差動模式輸出之差動峰對峰值電壓，範圍係自大約0.8V(最小)至大約1.2V(最大)。
該PCIe驅動器216，可在一個正端子226和一個負端子228上面，提供一個差動模式輸出。該正端子226，可使耦合至一個交流電(AC)耦合電容器220之一側，藉以隔離直流電(DC)位準。上述AC耦合電容器220之另一端部，係使耦合至絲焊214之一個端部。
在第2圖中所顯示之實施例中，第1圖中所顯示之雷射102，係一個垂直空腔表面發射雷射(VCSEL)。VCSEL 202係一種雷射結構，其係包含有一個可自上述VCSEL之表面垂直發射雷射光的電氣泵激活性區域。一些位於該活性區域上方和下方之半導體材料層所形成的面鏡，可使上述活性區域發射出之光波反射，藉以提供光波發射。在一個實施例中，該VCSEL係一個每秒2.5十億位元(Gbp/S)、850奈米(nm)VCSEL(Emcore公司，零件編號8585－1025)。然而，此僅為VCSEL的一個範例，以及本發明之實施例，並非受限於此一細節。
在第2圖內所顯示之實施例中，該PCIe驅動器216，係可在單端模式中來驅動VCSEL 202，亦即，僅有上述PCIe驅動器216之正端子226，被用來驅動該VCSEL 202。上述PCIe驅動器216之負端子228，係透過AC耦合電容器222和終結電阻器224，而使終結至接地端，藉以在上述PCIe驅動器216之輸出端上面，提供一個平衡負載。在一個實施例中，該終結電阻器224係50歐姆，以及該AC耦合電容器228，係具有一個在75十億分之一法拉(nF)與200 nF之間的電容值。
上述PCIe驅動器216之正端子226，可透過該等AC耦合電容器220和靜電保護器104，提供調變電流給該VCSEL 202。該VCSEL 202可接收來自上述PCIe驅動器216之調變電流，和來自上述偏壓電流源108的偏壓電流。
此種相結合之電流，係被轉換成光波，其在傳送上係透過一條光學鏈路112，後者可能為一條光學纖維，或其他類型之波導，諸如一個聚合體或玻璃質波導。
一條光學纖維，通常係包含有一個芯線、覆層、和一面塗層或阻尼層。上述纖維之芯線，係一條可供光波傳播其間之圓柱桿狀介電材料。該芯線係由一層被稱為覆層之材料所包圍。該光學纖維並非受限於聚合體或玻璃，舉例而言，其可能係由矽製成。一個波導可能係由任何其中之芯線材料係具有一種比起覆層材料更高的折射指數之材料來製成。
在此顯示之實施例中，該PCIe驅動器216，係經由該ESD保護器104，使耦合至上述之VCSEL 202。該ESD保護器104，係具有一個第一焊墊，其係包含有一個具有兩個ESD二極體212、210之ESD保護器。該電容器208，係表示上述第一焊墊之電容值，其通常係大約70 x 10－15
毫微微法拉(fF)。該ESD保護器104，係具有一個第二焊墊，其係包含有一個大約70 fF之焊墊電容，其係以電容器206來表示。在一個實施例中，該等ESD二極體212、210，係與一些被用來保護積體電路內之高速輸入或輸出級段的ESD二極體相類似。舉例而言，該等ESD二極體，可能係屬p－n接面型或金屬氧化物半導體(MOS)型。
上述PCIe驅動器216之輸出端，係經由絲焊214使焊接至該第一焊墊。在一個實施例中，該絲焊214係具有一個大約1奈亨(nH)之電感值。上述VSCEL 202之陽極215，係經由另一個絲焊204，使耦合至該第二焊墊。
透過上述ESD保護器104中之ESD二極體212、210，該VCSEL 202係可容忍短期間由於ESD事件所致之欠沖和過沖電壓。該靜電荷係藉由使其相關聯之電流洩流過該等ESD二極體212、210中的一個來耗散，藉以保護該ESD敏感性VCSEL。該ESD二極體210，係使耦合在經由絲焊204之VCSEL 202的陽極與相反於VCSEL 202之方向中的接地端之間。當一個ESD二極體在順向偏壓而使電流洩流之際，該ESD二極體210，可在有一個負電壓使ESD二極體210呈順向偏壓時使電流洩流，以及該ESD二極體212，可在有一個正電壓使ESD二極體212呈順向偏壓時使電流洩流。因此，該ESD二極體210，可防護一個正靜電壓之放電，以及該ESD二極體212，可防護一個負靜電壓之放電。
在上述PCIe驅動器216之正端子226，與上述VCSEL 202之陽極215中間，加入該ESD保護器104，將會造成極小之性能劣化。第3A－B圖和第4圖係例示第2圖中所顯示之電路的模擬結果，而使絲焊204、214，模型化為一些1 nH電感器，以及使焊墊電容208、206模型化為70 fF。
第3A圖係顯示上述接收自PCIe驅動器226之輸出端而使至該ESD保護器104的輸入信號之眼狀圖，以及第3B圖係顯示上述VCSEL 202之陽極215所接收到來自該ESD保護器104的輸出信號之眼狀圖。該等輸入和輸出信號，係在每秒4千兆位元(Gb/s)之下。
誠如第3A－B圖中所示，雖然該ESD保護器104，係依據該等ESD二極體210、212之寄生電容，而在輸出信號上面，加入一個負載電容。此負載電容並非受限於輸出信號在4Gb/s下迅速交換之能力。
第4圖係例示第3圖中所顯示具有p－n接面型ESD二極體之電路有關的頻率響應。此曲線圖之X－軸線，係以赫茲(Hz)為單位之頻率，以及其Y－軸線，係在分貝(dB)下測得之功率損失。誠如第5圖中所示，其頻寬係7.6 GHz，以及其中並無峰值或共振。
第5圖係第1圖中所顯示之靜電放電保護器的另一個實施例之電路圖。在第5圖內所顯示之實施例中，該ESD保護器256，可對上述雷射102之陰極218和該雷射102之陽極215兩者提供ESD保護。該ESD保護器256，係包含有二聯靜電保護二極體212、210，而使靜電保護二極體212，耦合在Vcc與經由絲焊204之VCSEL 202的陽極215之間，以及使靜電保護二極體210，耦合在經由絲焊204之VCSEL 202的陽極215與接地端之間。
該ESD保護器256，亦包含有二聯靜電保護二極體250、252，而使靜電保護二極體250，耦合在VSCEL 202的陰極218與Vcc之間，以及使靜電保護二極體252，耦合在上述雷射202的陰極218與接地端之間。該等二聯靜電二極體212、210、250、252，可依據要放電之靜電荷為正或為負，使該ESD電流路由選擇至Vcc或接地端。
該ESD保護器256，可保護該VCSEL 202，使免於經由人體模型之至少＋2 kV、－2kV的靜電放電。本發明之一個具有一個有p－n型二極體的ESD保護器256之實施例係予以測試。該ESD保護器256，係如第5圖中所示，使耦合至上述VCSEL 202之陽極215，以及至該VCSEL 202之陰極218。該等連接至上述VCSEL 202之陽極和陰極的引線，係使用一種人體模型槍，在每個ESD事件發生五次下，遭受到一個＋2kV和－2kV之靜電放電。該VCSEL 202係在每一組五個ESD放電之後，歷經24小時的老化測試，其在該VCSEL 202中並無劣化被發現到。
第6圖係一個電腦系統514之實施例的方塊圖，其係包含有一個依據本發明之原理的光電子裝置有關之靜電放電保護。此種電腦系統514，係包含有一個處理器500和晶片組，後者係包含有一個輸入/輸出(I/O)控制器中樞(ICH)506和一個記憶體控制器中樞(MCH)502。該MCH 502可管理一個耦合至此MCH 502之記憶體504。在一個實施例中，該記憶體504，係一個64－位元寬雙倍速率雙倍資料速率(DDR2)記憶體。該處理器500，係藉由一個主控介面532，使耦合至該MCH 502。該MCH 502係藉由一個高速直接媒體介面524，使耦合至該ICH 506。該ICH 506可管理一些I/O裝置，彼等係包含有一些耦合至一個儲存介面之儲存裝置。
在一個實施例中，上述ICH 506中之一個儲存器控制器，可管理一個耦合至SATA匯流排512之串列先進技術附接(SATA)裝置508。該SATA通訊協定，係一種在www.sata－io.org可得之標準串列儲存通訊協定。在一個實施例中，該I/O控制器中樞(ICH)506，係包含有一個串列先進技術附接(SATA)介面534，其係包含有四個埠口，彼等各可使耦合至一個SATA裝置508A－B，諸如一個磁碟機或其他之儲存裝置。
該ICH 506亦可能包含有一個PCIe介面544，其係包含有一些類似通訊和儲存等通用型輸入/輸出應用之PCIe鏈路。雖然第6圖中所顯示之實施例，係顯示一個具有四個可使耦合至PCI裝置536、538、540和PCIe交換器542之PCIe埠口的ICH 506，理應瞭解的是，本發明之實施例，並非受限於一個具有四個PCIe埠口之ICH 506。
每條PCIe鏈路，可被用來實現PCI迷你卡片插槽、ExpressCard模組有關之插槽、和其他PCIe裝置的組合。一個PCIe交換器542，係可加入來增加PCIe埠口之數目。每個PCIe鏈路，係包含有一對差動信號，彼等如前文配合第2圖之討論，係具有一個接收對線和一個傳送對線。
該電腦系統514，亦可能包含有一個耦合至該ICH 506而可顯示使用者介面之顯示器530。此種顯示器530，可能係由一個影像管顯示器、一個類似液晶顯示器、電漿顯示器、或發光二極體顯示器等固態顯示器來構成，且姑不論其他。
第7圖係一種可提供第2圖中所顯示之ESD保護器104所實現的ESD保護之方法的實施例之流程圖。
在區塊600處，該ESD保護器104，係在等候一項ESD事件。在檢測到一項ESD事件時，其處理便會繼續至區塊602。
在區塊602處，有一項ESD事件被檢測到，以及在該ESD二極體212之陽極處，有一個靜電壓被檢測到。若此項檢測到之靜電壓為正值，其處理便會繼續至區塊606。若該項檢測到之靜電壓為負值，其處理便會繼續至區塊604。
在區塊604處，上述負靜電壓之放電所產生的電流，係使導引通過該ESD二極體210。
在區塊606處，上述正靜電壓之放電所產生的電流，係使導引通過該ESD二極體212。
雖然本發明之實施例，業已參照彼等實施例特別加以顯示及說明，本技藝之專業人員將可瞭解的是，在不違離所附申請專利範圍所涵蓋本發明之實施例的界定範圍下，係可在其中完成形式上和細節上之各種變更。
100．．．發射器
102．．．雷射
104．．．靜電放電(ESD)保護器
106．．．電氣實體層驅動器
108．．．偏壓電流源
112．．．光學鏈路
114．．．偏壓電流
202．．．VCSEL
202．．．雷射
204．．．絲焊
206．．．電容器
208．．．電容器
212、210．．．靜電保護二極體
214．．．絲焊
215．．．陽極
216．．．週側構件互連快速(PCIe)驅動器
218．．．陰極
220．．．交流電(AC)耦合電容器
222．．．AC耦合電容器
224．．．終結電阻器
226．．．正(＋)端子
228．．．AC耦合電容器
228．．．負(－)端子
250、252．．．二聯靜電保護二極體
256．．．ESD保護器
500．．．處理器
502．．．記憶體控制器中樞(MCH)
504．．．記憶體
506．．．輸入/輸出(I/O)控制器中樞(ICH)
508．．．串列先進技術附接(SATA)裝置
508A－D．．．SATA裝置
512．．．SATA匯流排
514．．．電腦系統
524．．．高速直接媒體介面
530．．．顯示器
532．．．主控介面
534．．．串列先進技術附接(SATA)介面
536、538、540．．．PCI裝置
542．．．PCIe交換器
544．．．PCIe埠口
第1圖係一種發射器之實施例的方塊圖，其係包含有一個依據本發明之原理的雷射和靜電放電保護器；第2圖係第1圖中所顯示之靜電放電保護器的實施例之電路圖：第3A圖係顯示一個接收自週邊構件互連快速驅動器之輸出端而使至該靜電放電保護器之輸入信號的眼狀圖；第3B圖係顯示一個垂直空腔表面發射雷射之陽極所接收到來自該靜電放電保護器的輸出信號之眼狀圖；第4圖係例示第2圖中所顯示之發射器的實施例有關之頻率響應；第5圖係第1圖中所顯示之靜電放電保護器的另一個實施例之電路圖：第6圖係一個電腦系統之實施例的方塊圖，其係包含有一個依據本發明之原理的光電子裝置有關之靜電放電保護；而第7圖則係一種可提供第2圖中所顯示之ESD保護器所實現的ESD保護之方法的實施例之流程圖。
100．．．發射器
104．．．靜電放電(ESD)保護器
202．．．VCSEL
202．．．雷射
204．．．絲焊
206．．．電容器
208．．．電容器
212、210．．．靜電保護二極體
214．．．絲焊
215．．．陽極
216．．．週側構件互連快速(PCIe)驅動器
218．．．陰極
220．．．交流電(AC)耦合電容器
222．．．AC耦合電容器
224．．．終結電阻器
226．．．正(＋)端子
228．．．AC耦合電容器
228．．．負(－)端子
Claims (20)
- 一種具有靜電放電保護之裝置，其係包含有：一個雷射；耦合至該雷射之一陽極的一個靜電放電保護器，該靜電放電保護器可使在該陽極所檢測到的一個靜電放電所造成之過量電流分流離開該雷射之該陽極；及一個電氣實體層驅動器，其係具有耦合至該靜電放電保護器之一個正端子，該電氣實體層驅動器透過該靜電放電保護器而提供調變電流給該雷射。
- 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，在該雷射之該陽極所接收到的該調變電流係透過該靜電放電保護器傳遞。
- 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該靜電放電保護器係一個積體電路。
- 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該雷射之該陽極係絲焊至該靜電放電保護器之一輸出端。
- 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該雷射係一個垂直空腔表面發射雷射。
- 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該雷射之一陰極係耦合至該靜電放電保護器。
- 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該靜電放電保護器包含：一個耦合於該雷射之該陽極與在該雷射相反方向的接地端之間的第一二極體，其係用以抵禦一正靜電壓之放 電；及一個耦合於該雷射之該陽極與電壓源(Vcc)之間的第二二極體，其係用以抵禦一負靜電壓之放電。
- 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該電氣實體層驅動器使用一差動模式信號來驅動一點對點鏈路。
- 一種用於靜電放電保護之方法，其包含有下列步驟：藉由使一個靜電放電保護器耦合至一個雷射之一陽極，來為該雷射提供靜電放電保護；在檢測到一個靜電放電時，使在該陽極所檢測到的一個靜電放電所造成之過量電流分流離開該雷射之該陽極；以及自耦合至該靜電放電保護器之一個電氣實體層驅動器，提供調變電流給該雷射。
- 如申請專利範圍第9項之方法，其中，該調變電流係在該雷射之該陽極透過該靜電放電保護器所接收。
- 如申請專利範圍第9項之方法，其中，該靜電放電保護器係一個積體電路。
- 如申請專利範圍第9項之方法，其中，該雷射之該陽極係絲焊至該靜電放電保護器之一輸出端。
- 如申請專利範圍第9項之方法，其中，該雷射係一個垂直空腔表面發射雷射。
- 如申請專利範圍第9項之方法，其中，該雷射之一陰極係耦合至該靜電放電保護器。
- 如申請專利範圍第9項之方法，其中該電氣實體層驅動 器使用一差動模式信號來驅動一點對點鏈路。
- 一種具有靜電放電保護之系統，其係包含有：一個液晶顯示器；和耦合至該液晶顯示器之一個晶片組，該晶片組係包括有：一個雷射；耦合至該雷射之一陽極的一個靜電放電保護器，該靜電放電保護器可使在該陽極所檢測到的一個靜電放電所造成之過量電流分流離開該雷射之該陽極；及一個電氣實體層驅動器，其係具有耦合至該靜電放電保護器之一個正端子，該電氣實體層驅動器透過該靜電放電保護器而提供調變電流給該雷射。
- 如申請專利範圍第16項之系統，其中，在該雷射之該陽極所接收到的該調變電流係透過該靜電放電保護器傳遞。
- 如申請專利範圍第16項之系統，其中，該靜電放電保護器係一個積體電路。
- 如申請專利範圍第16項之系統，其中，該雷射之該陽極係絲焊至該靜電放電保護器之一輸出端。
- 如申請專利範圍第16項之系統，其中，該雷射係一個垂直空腔表面發射雷射。
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