TWI408470B - 液晶面板及其製造方法 - Google Patents

Description

液晶面板及其製造方法

本發明係關於一種顯示器，特別是關於一種具高開口率與高對比度的反射型或半穿半反型液晶顯示器。

隨著科技進步，具有省電、無幅射、體積小、低耗電量、平面直角、高解析度、畫質穩定等多項優勢的液晶顯示器，為原先處獨佔地位之傳統映像管(簡稱CRT)帶來了莫大的衝擊，尤其是現今各式資訊產品如：手機、筆記型電腦、數位相機、PDA、液晶螢幕等產品越來越普及，亦使得液晶顯示器(LCD)的需求量大大提升。

液晶顯示器依其光源機制又可分為穿透式、反射式以及半穿半反式三類。其中，穿透式液晶顯示器係由背光模組提供光源，具有耗電量過大以及環境光太強(如陽光下)時顯示不清等問題。反射式液晶顯示器則是以反射電極層取代透明電極層，主要藉由外界光線來提供光源，因此毋需背光模組提供光源，可應用於戶外大型液晶顯示看板或是增加可攜式電子產品於戶外的解析度等，但因有反射光亮度不均勻導致反射亮度不足的缺點，因此在環境光線不足的情況下無法作用。為了避免上述兩種類型液晶顯示器的缺點，並充分利用其優點，遂同時具有穿透區及反射區的半穿半反式液晶顯示器成為當前首要發展的液晶顯示技術之一。

另外，為挑戰液晶顯示器整體的應用範圍，液晶顯示器的顯示技術更是不斷地投入研發來改善。其中，對於同一種液晶分子的排列狀態，在不同視角下有效光程差的不同，在畫質方面，產業便極力投入發展廣視角技術。舉例來說，由富士通所發展出的MVA(Multi-Domain Vertical Alignment)技術便能同時改善上下視角到120度左右。近年來由於廣視角技術不斷被改善，並實際納入生產線生產，此舉已讓液晶顯示器在視角上的改善絲毫不遜於傳統的CRT。

在目前的液晶顯示器的技術發展上，以雙間隙(dual gap)的半穿半反MVA液晶顯示器為例。通常雙間隙的半穿半反液晶顯示器會在反射區R設置一個調整層121，如第1A圖所示，此調整層可以設置在彩色濾光片(color filter；CF)基板側或薄膜電晶體(thin film transister；TFT)基板側。第1A及1B圖係分別顯示目前將MVA技術應用於雙間隙半穿半反液晶顯示器之上視圖及橫截面示意圖。如第1A圖所示，雙間隙半穿半反MVA液晶顯示器之基本結構包括一陣列基板11、一彩色濾光片基板12，以及一液晶層13。其中，陣列基板11具有複數個次畫素區110，每一個次畫素區100均設有一反射區R以及一穿透區T。彩色濾光片基板12亦具有複數個次畫素區120，該些次畫素區120分別與陣列基板之複數個次畫素區110相對應，且每一個次畫素區120在與反射區R相對應的位置處均設有一調整層121。液晶層13則設於陣列基板11與彩色濾光片基板12之間。

請繼續參考第1A圖，陣列基板11的各個次畫素區110內皆設有一薄膜電晶體(thin film transistor；TFT)(未繪示)，以及一儲存電容111於反射區R的下方。接著形成一平坦層112於陣列基板11之上表面。然後在平坦層112上製作出凹凸的表面於反射區R，再鍍上具有高反射率的金屬(例如：鋁、銀…等)當作反射電極113，同時每一個次畫素區110之穿透區T亦均設有一透明電極114。值得一提的是，陣列基板11之各次畫素區110之反射區R內更具有一接觸孔115，用以電性連接反射電極113與儲存電容111。另外，彩色濾光片基板12相對於陣列基板11之反射區R與穿透區T之位置上更設有一配向凸起物122(protrusion，簡稱PR)。由於配向凸起物122會改變電力線的分佈，使得液晶分子往配向凸起物122的方向傾斜以產生多區域液晶配向(multi-domains)的效果，而達到廣視角的技術，並改善單一區域液晶配向(single-domain)時所存在的灰階反轉的問題。如第1B圖所示，通常在組立陣列基板11與彩色濾光片基板12時，彩色濾光片基板12更設有一間隙物123(photo spacer，簡稱PS)來固定面板的間距(cell gap)。並在陣列基板側11設計複數個與間隙物123相對應的平台116，使間隙物123能夠更穩定的維持面板間距。

然而，請參考第1B圖，由於前述調整層121邊緣與間隙物123附近的液晶分子會受到高度差的影響而使液晶分子排列時係呈一角度狀態，造成暗態漏光之情況，使得穿透對比降低。接觸孔115內之液晶分子也會受到凹洞地形的影響而排列不佳，同樣產生了反射暗態漏光的問題，造成反射對比降低。而接觸孔115不會貢獻反射率，因此接觸孔也是會使得開口率減少。又因為上述間隙物123的暗態漏光問題，可以瞭解間隙物123的設計位置也必須相當謹慎。以往都會將間隙物123設計在一些平坦的位置上，且通常會設置一個平台116，遮蔽間隙物123周圍液晶的暗態漏光因此複數個平台116也相對應地設置於每個次畫素區110上。但此種設置平台116的方式反而降低了開口率，且如第1B圖所示，幾個常設計間隙物123的位置，也都產生浪費開口率的問題。

為了解決上述對比度與開口率降低的問題，在目前的液晶顯示器製程中，往往會朝向調整配向凸起物122、間隙物123或接觸孔115位置的方向嘗試。舉例而言，請參考第1C圖。在美國專利公開號第20040189928號中曾揭露：彩色濾光片基板12設置有一間隙物123，而陣列基板11同樣設置有一接觸孔115，且間隙物123設置於接觸孔115的正上方，並抵於接觸孔115開口的兩側平台。另外，在間隙物123上方更設有一遮光層124(BM)，用以同時遮蔽間隙物123與接觸孔115的漏光，達到增加開口率以及提升對比度的目的。

本發明之主要目的係在於提供一種液晶顯示面板以及其製造方法。

本發明之另一目的在於提升液晶顯示器之開口率。

本發明之再一目的在於提升液晶顯示器之影像對比度。

本發明提供了一種具高開口率與高對比度的反射型或半穿半反型液晶顯示面板。以反射型液晶顯示面板為例，液晶顯示面板之第一基板的每一個次畫素區至少包括一共通線、一閘極線、一開關元件結構、一資料線、一接觸孔、一儲存電容結構、一平坦層、一反射電極以及一填充件。除了上述元件外，更設有一遮光層於上述之接觸孔、填充件、配向凸起物或間隙物的上方，且接觸孔與填充件係可位於同一位置。

根據本發明之第一實施例所形成之反射式廣視角液晶顯示面板，其中，在第一基板形成填充件之步驟依序為先透過一光罩圖案化填充層，填充層舉例是一種有機材料。接著，於後續製程中蝕刻經曝光之填充層，並去除殘餘之部分，以形成第一區塊於接觸孔中，可使凹洞的接觸孔經由第一區塊填平此凹洞，並再形成第二區塊於第一區塊上，使得在接觸孔的相對位置上形成配向凸起物或間隙物。最後，提供第二基板與前述之第一基板組立，並形成一液晶層於第一基板與第二基板之間。需特別注意的是，間隙物之厚度約等於液晶層之厚度，用以作為間隙物，同時亦可當作一配向凸起物。其中，第二基板舉例更具有複數個配向凸起物。

根據本發明之第二實施例所形成之反射式廣視角液晶顯示面板。其中，填充件係包括第一區塊位於接觸孔內，以及第二區塊位於第一區塊上，且第二區塊之厚度約等於液晶層之厚度，用以作為一間隙物，同時亦可當作一配向凸起物。需特別說明的是，根據第二實施例之方法所形成之填充件係由一個微影步驟即可完成，與第一實施例相較，可減少一道間隙物的製程，也可同時填補接觸孔。

因此，本發明所提供的液晶顯示面板及其製造方法係將間隙物與配向凸起物設置於同一個位置上，即以間隙物當作配向凸起物的功能，改變電力線的分佈，使周圍液晶往間隙物傾倒，同樣能夠達到廣視角技術之效果。另外，本發明也將接觸孔設置於間隙物或配向凸起物的下方，且因製程上通常會設置一遮光層在間隙物或配向凸起物之上，用以遮蔽間隙物或配向凸起物的暗態漏光問題，進而可同時遮蔽接觸孔、間隙物與配向凸起物的漏光。且接觸孔係舉例以一有機材料填平，相較習知技術中之平台或是僅利用接觸孔兩側平台來固定間隙物的方法，本發明不僅可以增加液晶顯示面板之開口率，提升其影像對比度，更可避免基板組立所可能發生的對準誤差問題。

在第1C圖中，由於間隙物123必須剛好抵於接觸孔115開口的兩側，始能穩定地維持面板間距。如此，製程上些微的誤差，例如：間隙物寬度、接觸孔開口寬度，以及陣列基板與彩色濾光片在組立時的對準誤差等，均非常容易造成面板cell gap的誤差導致於良率損失的情況。

有鑑於此，為了改善習知液晶顯示器技術所造成之對比度不佳以及開口率降低的問題，本發明提出一種新的設計，透過該項新設計不僅可以增加液晶顯示器的開口率，更可以進一步提升其影像對比度。

茲配合圖示詳述本發明，並列舉較佳實施例及其相關應用說明如下：請參照第2A至2G圖，其係為本發明之兩種實施例應用於反射式廣視角液晶顯示面板的結構上視圖以及製程橫截面示意圖。

首先，如第2A圖所示，其係為本發明之兩種實施例應用於反射式廣視角液晶顯示面板的結構上視圖。其中，液晶顯示面板的每一個次畫素區100至少包括一共通線213、一閘極線214、一開關元件結構(在本實施例中舉例為薄膜電晶體(thin film transistor；TFT))215、一資料線220、一接觸孔(未圖示)、一儲存電容結構219、一反射電極223、一凸起(舉例為一配向凸起物315)以及一填充件411，其中半導體層211係位於資料線220的下方，可彼此完全重疊(overlap)或部份重疊。

除了上述元件外，更設有一遮光層314(舉例為黑色矩陣black matrix；BM)，位於上述之接觸孔(未圖示)、填充件411與1或配向凸起物315上方，且接觸孔雖未顯示於本圖中，但與填充件411重疊。另外，液晶顯示面板更包含兩個導孔(via)217(217a、217b)。其中，導孔217a用以連接資料線220與開關元件215，而導孔217b則用以連接開關元件215與儲存電容結構219。本發明之技術內容結合上述元件之相對位置關係與顯示面板之結構特徵，大致上先以第2A圖中A-A’線之橫截面圖來做介紹如下。

請參照第2B至2D圖，其係顯示根據本發明之第一實施例所形成之反射式廣視角液晶顯示面板的製程橫截面圖，其結構與製程方法將詳述如下：首先，如第2B圖所示，係先提供一第一基板20。其中，第一基板20係包括：先提供一第一基底210，第一基底210舉例係為一透明絕緣基板，其材質可為玻璃、石英或塑膠等。接著形成一半導體層211於第一基底210上，再形成一第一絕緣層212覆蓋於半導體層211以及整個第一基底210上方，半導體層211之材質舉例為低溫多晶矽。隨後，形成一金屬層於第一絕緣層212上，然後圖案化金屬層以同時形成一共通電極213與一閘極214於第一絕緣層212之上表面。而共通電極213與閘極214之材質可為導電單層或多層金屬或合金，如鋁(Al)、鉻(Cr)、鈦(Ti)及鉬鎢合金(MoW)等。一第二絕緣層216係形成於第一絕緣層212、共通電極213與閘極線214上。接著，一儲存電容電極218設置於第二絕緣層216上方。如此一來，半導體層211、第一絕緣層212、閘極215’構成了開關元件215。而半導體層211、第一絕緣層212、共通電極213、第二絕緣層216以及儲存電容電極218則構成了一儲存電容結構219。

另外，值得注意的是，在形成儲存電容電極218之前，更包含形成導孔217b於第二絕緣層216之步驟。上述導孔217b係依序貫穿第二絕緣層216以及第一絕緣層212，儲存電容電極218可藉由導孔217b與半導體層211接觸，用以讓儲存電容電極218與半導體層211之電位相等，提高儲存電容結構219之效能。

接著，一平坦層221形成於開關元件215以及儲存電容結構219上。其中，平坦層221可藉由旋轉塗佈(spin coating)或非旋轉塗佈(Spinless coating)等方式形成，且平坦層221係可以一絕緣透明材質所製造。例如，壓克力系的低介電係數光阻材料。隨後，圖案化平坦層221形成一接觸孔222貫穿平坦層221與第二絕緣層216以暴露出儲存電容電極218。並在此平坦層221表面製作出凹凸的表面結構，並鍍上一反射電極223形成於凹凸表面結構上，並藉由接觸洞222與儲存電容電極218電性連接。其中，反射電極223之材質係為具有高反射率之金屬，如：鋁、銀、金或上述組合。至此為止，液晶顯示面板之第一基板20的基本元件已大致構築完成。

仍參考第2B圖所示，本實施例之主要技術特徵乃在於平坦層221的上方形成一填充層410並填滿接觸孔222。需特別說明的是，填充層410之光感材料特性係舉例與平坦層221相反。因此，在一較佳實施例中，當平坦層221之材質為一正光阻材料時，填充層410之材質即為一負光阻材料：而當平坦層221之材質為一負光阻材料時，填充層410之材質即為一正光阻材料。

隨後，透過一光罩Mask圖案化填充層410以形成一填充件411。其中，形成填充件411之步驟依序如第2C至2D圖所示。

請先參考第2C圖，於後續製程中蝕刻經曝光之填充層410，並去除殘餘之部分，以形成一第一區塊411a位於接觸孔222中，用於填滿該接觸孔222。接著，請參考第2D圖，再形成一第二區塊411b於第一區塊411a上，以作用為間隙物。最後，提供一第二基板30與前述之第一基板20組立，並形成一液晶層50於第一基板20與第二基板30之間，液晶層50舉例而為係為MVA型。需特別注意的是，第二區塊411b之厚度約等於液晶層50之厚度，用以作為間隙物，同時亦可當作一配向凸起物。

再者，形成第二基板30之方法係包括：提供一第二基底310，隨後形成一彩色濾光層311於第二基底310上。再形成一覆蓋層312(overcoat)於彩色濾光層311上。然後，形成一共用電極313位於覆蓋層312上。而第二基板30更包括複數個凸起(舉例係為配向凸起物315)，且設有遮光層314，大體位於填充件411以及配向凸起物315的正上方或是彼此重疊。第2D圖的液晶分子排列方式是在亮態驅動下(共用電極313與反射電極223有一電壓差)，液晶分子會朝配向凸起物315及間隙物411b傾倒，達到廣視角的表現。

由於本發明之主要技術特徵在於液晶顯示面板中間隙物、凸出物以及接觸孔的位置，而設置於平坦層下方之開關元件以及彩色濾光片側之結構大致與前述之第一實施例相同，故後續之第二實施例以及各相關應用之說明，不再加以贅述。

請參照第2E至2G圖，其係為根據本發明之第二實施例所形成之反射式廣視角液晶顯示面板橫截面圖的製程流程圖。首先，如第2E圖所示，在依序形成平坦層221、接觸孔222、反射電極223以及填充層410後，透過一光罩Mask施以微影技術於填充層410。接著，於後續製程中保留經曝光之填充層410，並去除未曝光之部分，以形成一填充件411，如第2F圖所示。最後，請參考第2G圖，提供第二基板30與前述之第一基板20組立，並形成液晶層50於第一基板20與第二基板30之間。

其中，填充件411係包括一第一區塊411a位於接觸孔222內，用於填滿接觸孔222，以及一第二區塊411b，位於第一區塊411a上，且第二區塊411b之厚度約等於液晶層50之厚度，用以作為一間隙物，同時亦可當作一配向凸起物，第一區塊411a以及第二區塊411b係為同時形成且為一體的。圖2G的液晶分子排列方式是在亮態驅動下(共用電極313與反射電極223有一電壓差)，液晶分子會朝配向凸起物315及間隙物411b傾倒，達到廣視角的表現。

在第二實施例中，係直接利用微影製程將間隙物製作於接觸孔的位置。換句話說，填充件411係由一個微影步驟即可完成，與第一實施例相較，不僅可以減少一道間隙物的製程，也可以同時填補接觸孔，並減少組立第一基板以及第二基板時所可能發生的對準誤差問題。

綜合以上所述，本發明之第一與第二實施例雖以反射式廣視角液晶顯示面板為例來作一說明，但本發明之應用範圍並不僅限於此。其更可應用於雙間隙(dual gap)半穿半反液晶顯示面板以及單間隙(single gap)半穿半反液晶顯示面板之情況。接著，將逐一就上述之應用搭配圖示作一詳細說明如下：請參照第3A圖至第3E圖，其係分別顯示根據本發明之方法應用於半穿半反液晶顯示面板之一實施例之結構的上視圖以及橫截面示意圖。

請參考第3A圖，其係為本實施例應用於雙間隙半穿半反式廣視角液晶顯示面板的上視圖。第3A圖所顯示之結構在反射電極223形成之前，也就是平坦層221以下之結構大致上與第2A圖相同，其僅有之差異在於第3A圖中具有一穿透電極224以及一調整層316。而上述兩者之結構差異如下所述。

請參照第3B圖，係為根據本發明之第一實施例所形成之雙間隙半穿半反廣視角液晶顯示面板的橫截面示意圖。

首先，如第3B圖所示，係為沿第3A圖A-A’線之橫截面示意圖。其中，每一個次畫素區具有一反射區R以及一穿透區R。在平坦層221形成之後，反射電極223係設置於平坦層221上，並位於於反射區R中。而第一基板20更包括穿透電極224位於平坦層221上並位於穿透區T中，與反射電極223電性連接。且平坦層221中同樣具有接觸孔222之結構特徵，用以使反射電極223與儲存電容電極218電性連接。接著，填充件411設置於第一基板20與第二基板30之間，並填滿接觸孔222，並形成液晶層50於第一基板20與第二基板30之間。

其中，填充件411之形成方法參照第2B至2D圖之步驟，係依序先圖案化填充層410(本圖未顯示)以定義第一區塊411a位於接觸孔222內，隨後形成第二區塊411b於第一區塊411a上，且第二區塊411b之厚度約等於液晶層50之厚度，用以作為一間隙物，同時亦可當作一配向凸起物。

再者，前述所提供之第二基板30於形成共用電極313於第二基底310上之步驟前，更包括形成一另一覆蓋層(未圖示)於第二基底310上，以及圖案化另一覆蓋層(未圖示)以形成調整層316於第二基底310上。其中，調整層316之厚度約為液晶層50最大厚度的45%至55%，其作用在於調整液晶層50位於穿透區T和反射區R具有不同之厚度。另外，第二基板310更包括複數個配向凸起物315，設置在反射區R正上方。且設有遮光層314，大體位於接觸孔222、填充件411以及配向凸起物315的正上方。

另外，請再比對第3C圖，係為沿第3A圖B-B’線之橫截面示意圖。第二基板30之彩色濾光層311可再進一步細分為紅色濾光單元311R、綠色濾光單元311G以及藍色濾光單元311B。上述之三種濾光單元係分別對應於第一基板20上之各個次畫素區100。值得注意的是，以一最佳實施例來說，填充件411之位置通常會設置於藍色濾光單元311B下。

請參照第3D圖，係為根據本發明之第二實施例所形成之雙間隙半穿半反廣視角液晶顯示面板的橫截面示意圖。第3B圖與第3D圖所顯示之液晶顯示面板的差異在於填充件之形成方法。在第3D圖中，係直接圖案化填充層410(本圖未標示)以形成填充件411。其中，填充件411包括第一區塊411a位於接觸孔222內，以及第二區塊411b於第一區塊411a上，且第二區塊411b之厚度約等於液晶層50之厚度，第一區塊411a以及第二區塊411b係為同時形成且為一體的。

進一步來說，根據本發明第二實施例之方法，填充件411之位置自不限於藍色濾光單元311B下方，亦可同時設置於紅色濾光單元311R以及綠色濾光單元311G，如第3E圖所示。

請參照第4A圖至第4E圖，其係分別顯示根據本實施例之方法應用於雙間隙半穿半反液晶顯示面板之結構的上視圖以及橫截面示意圖。

請參考第4A圖，其係為本發明應用於雙間隙半穿半反式廣視角液晶顯示面板的上視圖。第4A圖所顯示之結構在平坦層221形成之前，也就是平坦層221以下之結構大致上與第3A圖相同，其唯一之差異在於調整層316設置位置的不同。而上述之結構差異如下所述。

首先，如第4B圖所示，係為沿第4A圖A-A’線之橫截面示意圖。其中，第一基板20同樣具有複數個次畫素區100，每一次畫素區100亦均具有反射區R以及穿透區T，且反射電極223係位於反射區R中，穿透電極224則位於穿透區T上並與反射電極223電性連接。然而，本圖與第3B圖之差異在於形成平坦層221後，再施以一微影製程以圖案化平坦層221。而圖案化平坦層221之步驟係依序為去除位於穿透區T中之部分平坦層221，並保留位於反射區R中之平坦層221，且其厚度約為液晶層50之厚度的45%至55%。特別說明的是，保留於反射區R之平坦層221，其功能等同於前述之調整層316。

至於，其他之結構特徵大致與第3B圖相同，即依序設置接觸孔222、反射電極223以及填充件411等元件於第一基底210上，以形成第一基板20。並提供第二基板30與第一基板20組立，然後形成液晶層50於第一基板20與第二基板30之間。其中，填充件411之製造方法依序為定義第一區塊411a位於接觸孔222內，隨後形成第二區塊411b於第一區塊411a上，且第二區塊411b之厚度約等於液晶層50之厚度，第二區塊411b大體為上寬下窄之錐柱形。

請參照第4C圖，係為沿第4A圖B-B’線之橫截面示意圖。第4C圖所顯示之結構特徵大致上與第3C圖相同，在此不加贅述。其唯一之差異如前述係為調整層位置之不同，即在第4C圖中調整層(即平坦層221)係設置於第一基板20上。

請參照第4D圖，係為根據本發明之第二實施例所形成之半穿半反廣視角液晶顯示面板的橫截面示意圖。其中，第4D圖與第4B圖所顯示之液晶顯示面板的差異在於填充件之形成方法。在第4D圖中，係直接圖案化填充層410(本圖未標示)以形成填充件411。其中，填充件411包括第一區塊411a位於接觸孔222內，以及第二區塊411b於第一區塊411a上，且第二區塊411b之厚度約等於液晶層50之厚度，第二區塊411b之寬度大體為一致相同，呈圓柱形。

進一步來說，根據本發明第二實施例之方法，填充件411之位置自不限於藍色濾光單元311B下方，亦可同時設置於紅色濾光單元311R以及綠色濾光單元311G，如第3E圖所示。

請參照第5A圖至第5D圖，其係分別顯示根據本實施例之方法應用於單間隙半穿半反液晶顯示面板之橫截面示意圖。其中，本實施例之上視圖所顯示的結構特徵與第4a圖相同，故不需額外提供本實施例之上視圖。但值得注意的是，由橫截面示意圖可以得知本圖與前述第3A至4E圖之差異在於調整層的有無，亦即本圖所顯示的液晶顯示面板僅具有單一間距。因此，上述之結構差異大致上以第4A圖中A-A’線與B-B’線之橫截面圖來做介紹如下。

請參考第5A圖，係為沿第4A圖A-A’線之橫截面示意圖。其中，第一基板20同樣具有複數個次畫素區100，每一次畫素區100亦均具有反射區R以及穿透區T，且反射電極223係位於反射區R中，穿透電極224則位於穿透區T上並與反射電極223電性連接。如圖所示，第5A圖同樣具有接觸孔222以及填充件411之結構特徵，並提供第二基板30與第一基板20組立，然後形成液晶層50於第一基板20與第二基板30之間。其中，填充件411之製造方法依序為定義第一區塊411a位於接觸孔222內，隨後形成第二區塊411b於第一區塊411a上，且第二區塊411b之厚度約等於液晶層50之厚度。

如同上述，第5A圖與第4B圖之差異即在於，第5A圖中並不具有調整層316或其他等同於調整層316之結構。因此，除了此一結構特徵的差異外，第5B圖、第5C圖以及第5D圖之其他結構部分均分別與第4C圖、第4D圖以及第4E圖相同，故不加以贅述。

根據上述之說明，可以瞭解本發明的技術特徵在於：

(1)　係整合間隙物與配向凸起物，將其設置於同一個位置上，即以間隙物當作配向凸起物的功能，改變電力線的分佈，使周圍液晶往間隙物傾倒，同樣能夠達到廣視角技術之效果。此時，本發明一併將接觸孔設置於間隙物或配向凸起物的下方，且因製程上通常會設置一遮光層在間隙物或配向凸起物之上，用以遮蔽間隙物或配向凸起物的漏光問題，進而可同時遮蔽接觸孔的漏光。不僅可以增加液晶顯示面板之開口率，更可進一步提升其影像對比度。

(2)　另外，在第一實施例中係以一填充材料填滿接觸孔，用以讓間隙物可以直接站在接觸孔上方，維持了液晶顯示面板間距的穩定。

本發明雖以較佳實例闡明如上，然其並非用以限定本發明精神與發明實體僅止於上述實施例。對所屬技術領域中具有通常知識者，當可輕易了解並利用其它元件或方式來產生相同的功效。是以，在不脫離本發明之精神與範圍內所作之修改，均應包含在下述之申請專利範圍內。

11．．．陣列基板

110．．．陣列基板之次畫素區

111．．．儲存電容結構

112．．．平坦層

113．．．反射電極

114．．．穿透電極

115．．．接觸孔

12．．．彩色濾光片

120．．．彩色濾光片之次畫素區

121．．．調整層

122．．．配向凸起物

13．．．液晶層

100．．．陣列基板之次畫素區

20．．．第一基板

210．．．第一基底

211．．．半導體層

212．．．第一絕緣層

213．．．共通電極

214．．．閘極線

215．．．開關元件

216．．．第二絕緣層

217．．．導孔

218．．．儲存電容電極

219．．．儲存電容結構

220．．．資料線

221．．．平坦層

222．．．接觸孔

223．．．反射電極

224．．．穿透電極

30．．．第二基板

310．．．第二基底

311．．．彩色濾光片

312．．．覆蓋層

313．．．共用電極

314．．．遮光層

315．．．配向凸起物

316．．．調整層

410．．．填充層

411．．．填充件

411a．．．第一區塊

411b．．．第二區塊

50．．．液晶層

第1A圖至第1C圖係分別顯示習知技術之半穿半反廣視角液晶顯示面板的上視圖以及橫截面示意圖；

第2A圖係顯示依據本發明之方法，應用於反射式廣視角液晶顯示面板中的結構上視圖；

第2B圖至第2D圖係分別顯示依據本發明之第一實施例，應用於反射式廣視角液晶顯示面板中的製程橫截面示意圖；

第2E圖至第2G圖係分別顯示依據本發明之第二實施例，應用於反射式廣視角液晶顯示面板中的製程橫截面示意圖；

第3A圖係顯示依據本發明之方法，應用於雙間隙半穿反廣視角液晶顯示面板的結構上視圖；

第3B圖至第3C圖係分別顯示依據本發明第一實施例之方法，應用於雙間隙半穿反廣視角液晶顯示面板中沿第3A圖剖面線A-A’與B-B’的橫截面示意圖；

第3D圖至第3E圖係顯示依據本發明第二實施例之方法，應用於雙間隙半穿反廣視角液晶顯示面板中沿第3A圖剖面線A-A’與B-B’的橫截面示意圖；

第4A圖係顯示依據本發明之方法，應用於雙間隙半穿反廣視角液晶顯示面板的結構上視圖；

第4B圖至第4C圖係顯示依據本發明第一實施例之方法，應用於雙間隙半穿反廣視角液晶顯示面板中沿第4A圖剖面線A-A’與B-B’的橫截面示意圖；

第4D圖至第4E圖係顯示依據本發明第二實施例之方法，應用於雙間隙半穿反廣視角液晶顯示面板中沿第4A圖剖面線A-A’與B-B’的橫截面示意圖；

第5A圖至第5B圖係顯示依據本發明第一實施例之方法，應用於單間隙半穿反廣視角液晶顯示面板之中沿第4A圖剖面線A-A’與B-B’的橫截面示意圖；以及

第5C圖至第5D圖係顯示依據本發明第二實施例之方法，應用於單間隙半穿反廣視角液晶顯示面板之中沿第4A圖剖面線A-A’與B-B’的橫截面示意圖。

20．．．第一基板

210．．．第一基底

211．．．半導體層

212．．．第一絕緣層

213．．．共通電極

214．．．閘極線

215．．．開關元件

216．．．第二絕緣層

217b．．．導孔

218．．．儲存電容電極

219．．．儲存電容結構

221．．．平坦層

223．．．反射電極

30．．．第二基板

310．．．第二基底

311．．．彩色濾光片

312．．．覆蓋層

313．．．共用電極

314．．．遮光層

315．．．配向凸起物

411．．．填充件

411a．．．第一區塊

411b．．．第二區塊

50．．．液晶層

Claims (11)

1. 一種液晶面板，包括：一第一基板，具有複數次畫素區，該第一基板包括：一第一基底；一開關元件陣列形成於該第一基底上，其中該開關元件陣列包括一第一開關元件；一平坦層形成於該開關元件陣列上，具有一接觸孔；以及一電極，與該第一開關元件電性連接；一第二基板，與該第一基板對向設置；一填充件，位於該第一基板以及該第二基板之間，並填滿該接觸孔，其中該填充件之光感材料特性與該平坦層相反；以及一液晶層，位於該第一基板以及該第二基板之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述之液晶面板，其中該電極係設置於該平坦層上並藉由該接觸孔與該第一開關元件電性連接。
3. 如申請專利範圍第1項所述之液晶面板，其中該填充件包括：一第一區塊，位於該接觸孔內；以及一第二區塊，位於該第一區塊上並與該第二基板以及該第一區塊接觸。
4. 如申請專利範圍第1項所述之液晶面板，其中該第二基板係包括：一第二基底；一彩色濾光層，位於該第二基底上；一覆蓋層(overcoat)，位於該彩色濾光層上；以及一共用電極，位於該覆蓋層上。
5. 如申請專利範圍第1項所述之液晶面板，其中該次畫素區具有一反射區以及一穿透區，該電極係位於該反射區中，該第一基板更包括：一穿透電極位於該平坦層上並位於穿透區中，與該電極電性連接。
6. 一種基板，包括：一第一基底；一開關元件陣列形成於該第一基底上，其中該開關元件陣列包括一第一開關元件；一平坦層形成於該開關元件陣列上，具有一接觸孔；一電極，與該第一開關元件電性連接；以及一填充件，填滿該接觸孔，其中該填充件之光感材料特性與該平坦層相反。
7. 如申請專利範圍第6項所述之基板，其中該電極係設置於該平坦層上並藉由該接觸孔與該第一開關元件電性連接。
8. 一種液晶面板之製造方法，包括： 提供一第一基板，包括：形成一開關元件於一第一基底上；形成一平坦層於該開關元件上；圖案化該平坦層使得該平坦層具有一接觸孔；形成一電極與該開關元件電性連接；以及形成一填充層於該電極上並填滿該接觸孔，其中該填充層之光感材料特性與該平坦層相反；提供一第二基板；以及形成一液晶層於該第一基板以及該第二基板之間。
9. 如申請專利範圍第8項所述之製造方法，更包括形成該電極於該平坦層上並藉由該接觸孔與該開關元件電性連接。
10. 如申請專利範圍第8項所述之製造方法，更包括圖案化該填充層以形成一第一區塊，位於該接觸孔內；以及形成一第二區塊於該第一區塊上，該第二區塊之厚度約等於該液晶層之厚度。
11. 如申請專利範圍第8項所述之製造方法，其中提供該第二基板之步驟係包括：形成一共用電極於一第二基底上；形成一第一絕緣層於該共用電極上；以及圖案化該第一絕緣層以形成一凸塊，其中該凸塊係與該填充層接觸並大體位於該接觸洞正上方。