TWI407146B - 電濕潤顯示器之結構與其製法 - Google Patents
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- G02B26/004—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on a displacement or a deformation of a fluid
Description
本發明係有關於顯示器,且特別是有關於一種電濕潤顯示器之結構與其製法。
隨著光電技術的快速發展,各種顯示器亦隨之蓬勃發展。電濕潤顯示器(electro-wetting display,EWD)由於具有高對比(contrast ratio)、高應答速度(response time)、耗電量小與高解析度的優點而受到高度的重視。
電濕潤顯示器最早由Liquavista公司所發展,此顯示器包括非極性油滴、極性水溶液、疏水層與親水性擋牆(rib),其中非極性油滴滴於疏水層上,且非極性油滴由親水性擋牆隔開,另外於非極性油滴之上為極性水溶液。其操作原理如下:當未施加電壓於顯示器時,非極性油滴會平鋪於疏水層之上,因此會呈現油滴的色彩。當施加電壓於顯示器時,疏水層上產生的電荷會吸引極性水溶液,因此使得油滴被擠壓到角落,此時呈現油滴下層基板的顏色。
歐洲專利公開號WO2005098524揭露一種電濕潤顯示器,其中顯示器包括極性溶液、油滴、上基板與下基板,其中油滴僅有複數個擋牆隔開,容易有油滴溢流的問題。
美國專利公開號US 20060285067提出一種電濕潤顯示器,其藉由高深寬比(aspect ratio)的擋牆形成一封閉式結構,然而製作高深寬比的擋牆會有製程上的困難。
美國專利公開號US 20050151709提出一種電濕潤顯示器,其中擋牆具有上下兩部分,下部分的擋牆具有疏水性,用以幫助油滴置入,而上部分的擋牆具有親水性,有助於抑制油滴溢流。
然而,由於親水性擋牆係形成於疏水層結構上,因為兩者極性不同的關係,因此製程上難以大面積化,且會有擋牆黏著性不佳的問題。此外,一般親水性擋牆之材質多由樹脂所組成,其表面親水性不佳,無法有效抑制油滴溢流的問題。
為了解決上述問題,業界亟需提出一種電濕潤顯示器結構,其能提高擋牆的附著性且解決油滴溢流的問題。
本發明提供一種電濕潤顯示器之結構,包括:一第一基板;一第一電極,形成於該第一基板之上;一介電層,形成於該第一電極之上;複數個擋牆,形成於該介電層之上;一疏水層,形成於該介電層之上且介於該些擋牆之間;一第二基板,與該第一基板相對設置;一第二電極,形成於該第二基板之上;複數個支撐物,形成於該第二電極之上,且對應於該些擋牆,其中該些擋牆與該些支撐物構成一密閉空間;以及一極性溶液與一非極性溶液,置於該密閉空間。
本發明另外提供一種電濕潤顯示器之製法,包括以下步驟:提供一第一基板;形成一第一電極於該第一基板之上;形成一介電層於該第一基板之上;形成複數個擋牆直接位於該介電層之上;形成一疏水層於該介電層之上且介於該些擋牆之間;置入一非極性溶液於該些擋牆之間;提供一第二基板;形成一第二電極於該第二基板之上;形成複數個支撐物於該第二基板之上;置入一極性溶液於第一基板與第二基板之間;以及組合該第一基板與該第二基板,使該些擋牆對應於該些支撐物以形成一密閉空間。
本發明亦提供一種電濕潤顯示器之製法,包括以下步驟:提供一第一基板;形成一第一電極於該第一基板之上;形成一介電層於該第一基板之上;形成一圖案化疏水層於該介電層之上,其中該圖案化疏水層具有複數個開口,該些開口曝露該介電層;形成複數個擋牆於該些開口上;置入一非極性溶液於該些擋牆之間;提供一第二基板;形成一第二電極於該第二基板之上;形成複數個支撐物於該第二基板之上;置入一極性溶液於該第一與該第二基板間;以及組合該第一基板與該第二基板,使該些擋牆對應於該些支撐物以形成一密閉空間。
為讓本發明能更明顯易懂,下文特舉出較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下:
請參見第1圖,為本發明實施例之電濕潤顯示器之結構,其包括一第一基板100。第一基板100可以是玻璃、高分子基材或金屬。於一實施例中,第一基板100為可撓式軟性基板,例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(poly(ethylene terephthalate),PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylenenaphthalate,PEN)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚醚砜(Polyethersulfone,PES)或聚亞醯胺(Polyimide,PI)。
第一電極102形成於第一基板100之上,其中第一電極102包括金屬或氧化物,例如鋁、銀、氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、鉬鎢合金(molybdenum tungsten,MoW)或氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)。
介電層104形成於第一電極102之上,其中介電層104包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁(Al2
O3
)、氧化鉭(Ta2
O3
)、氧化鈦(TiO2
)、鈦酸鋇(barium titanate,BaTiO3
)、聚偏二氟乙烯樹脂(polyvinylidene difluoride,PVDF)、或上述之組合。
複數個擋牆106形成於介電層104之上,其中擋牆106作用在於區隔非極性溶液110,用以界定畫素(pixel)的範圍。擋牆106之材質包括正光阻、負光阻、光固性樹脂(photosetting resin)或熱固性樹脂(thermosetting resin),而其厚度為約1~50μm,較佳為約10~30μm,此外,擋牆106之折射係數較佳與極性溶液206相同,以避免從顯示器上方俯視時,因折射現象造成呈色的干擾。
疏水層108形成於介電層104之上且介於擋牆106之間,其中疏水層108包括含氟高分子、類鑽碳膜或自聚性矽烷分子。含氟高分子例如為Teflon AF-1600(Dupont)、商品名稱為”Cytop”的含氟高分子(公司:ASAHI Glass CO.,LTD)或商品名稱為“Cytonix”的含氟高分子(公司:Cytonix corporation)。而自聚性矽烷分子包括十八烷基三氯矽烷(octadecyl trichlorosilane,OTS)、3,3,3-三氟丙基甲基二氯矽烷(3,3,3 trifluoro-propylmethyl dichlorosilane,PMDCS)、十三氟-1,1,2,2-四氫辛烷基三氯矽烷(tridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrooctyl trichlorosilane,FOTS)、十七氟-,1,1,2,2-四氫癸烷基三氯矽烷(heptadecafluoro-1,1,2,2,-tetrahydrodecyl trichlorosilane,FDTS),癸烷基三氯矽烷(dodecyl trichlorosilane,DDTCS),二甲基二氯矽烷(dimethyldichlorosilane,DDMS),乙烯基十一烷基三氯矽烷(vinylundecyl tirchlorosilane,V11TCS)或胺基丙基三甲氧基矽烷(aminopropyl trimethoxysilane,APTMS)。
此處須注意的是,習知技術通常是在疏水層上製作親水性擋牆以界定畫素,但在疏水性表面上製作親水性擋牆有附著性不佳的問題,使得可靠度不佳,難以大面積化,且附著性不佳的問題在可撓式顯示器中更為嚴重。而本發明之疏水層108係於擋牆106之後形成,亦即親水性擋牆106係形成於介電層104之上,由於介電層104非疏水性,兩者的極性接近,因此,本發明之擋牆106與介電層104之間具有較佳的黏著性。
另外提供一第二基板200,與第一基板100相對設置。第二基板200之材質包括玻璃、高分子基材或金屬。於一實施例中,第二基板200為透明基板。於其他實施例中,第二基板200為可撓式軟性基板,例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(poly(ethylene terephthalate),PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylenenaphthalate,PEN)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚醚砜(Polyethersulfone,PES)或聚亞醯胺(Polyimide,PI)。
第二電極202形成於第二基板200之上,其中第二電極202之材質可使用與第一電極102類似之材質,在此不再贅述。複數個支撐物204形成於第二電極202之上,且支撐物204對應於擋牆106的形成位置,因此,擋牆106與支撐物204之間形成一密閉空間。其中支撐物204之材質包括包括正光阻、負光阻、光固性樹脂(photosetting resin)或熱固性樹脂(thermosetting resin),而其厚度為約5~50μm,較佳為約10~40μm。此外,支撐物204之折射係數較佳與極性溶液206相同,以避免從顯示器上方俯視時,因折射現象造成呈色的干擾。
此處須注意的是,藉由第二基板200上支撐物204的設計,使其與擋牆106相對應,以形成一密閉空間,可避免非極性溶液溢流的問題。特別是當基板100與200皆為可撓性基板時,更可避免軟性基板彎曲時造成非極性溶液溢流的問題。
非極性溶液110與極性溶液206設置於密閉空間中,其中非極性溶液被擋牆106所區隔。非極性溶液110中可包括矽油(silicon oil)、C10~C16之烷類、染料(dye)或顏料(pigment)。其中C10~C16之烷類例如癸烷(decane)、十二烷(dodecane)、十四烷(tetradecane)或十六烷(hexadecane)。而極性溶液206包括水、水溶液或醇類,此外於極性溶液206之中尚可加入電解質,例如氯化鉀(KCl)或氯化鈉(NaCl)以增加離子導電度,另外,也可加入界面活性劑(surfactant),用以降低溶液的表面張力。於一實施例中,非極性溶液110之高度為約1~50μm,較佳為約2~20μm,而極性溶液206之高度為約10~200μm,較佳為約20~50μm。
請參見第2圖,此為本發明電濕潤顯示器的另一實施例,為簡化圖式,僅繪出局部結構,圖中標號與第1圖相同者代表相同元件,而與第1圖之差異在於,於擋牆106與支撐物204之間尚包括一黏著層300,此黏著層300作用在於提高擋牆106與支撐物204之間的黏著性,其材質包括光硬化膠材、壓力硬化膠材或水硬化膠材。
請參見第3圖,此為本發明之第三實施例,圖中標號與第2圖相同者代表相同元件,而與第2圖之差異在於,擋牆107為一黑色遮光物質,選擇黑色遮光物質之優點在於能提高顯示器的對比(contrast)。於一實施例中,可選擇黑色矩陣(black matrix)作為黑色遮光物質。
請參見第4A圖,此為本發明之第四實施例,此實施例之特徵在於擋牆106與介電層104之間尚包括一黑色遮光物質107,此黑色遮光物質107之高度為約0.1~10μm。另外,請參見第4B圖,此黑色遮光物質107可延伸至擋牆106之外,其中黑色遮光物質107之延伸部分正下方的電極102為挖空的狀態。另外,請參見第4C圖,當對電極施
加電壓時,此挖空區域並不會產生電荷分佈而吸引極性溶液親和,因此利於非極性溶液110收縮至黑色遮光物質的區域,進一步提高顯示器的對比。
請參見第5A圖,此為本發明之第五實施例,此實施例之特徵在於支撐物204具有凹槽結構,此凹槽結構用以容納幫助黏合的黏著層300。另外,請參見第5B圖,黑色遮光物質107可具有凹槽結構,此凹槽同樣作為容納黏著層300之用途。
請參見第6圖,此為本發明之第六實施例,此實施例之特徵在於第一基板100之外側尚包括一膠膜130,此膠膜130具有黏性,可使顯示器能隨處黏貼,用以增加顯示器的便利性。
本發明尚包括一種電濕潤顯示器之製作,請參見第7A至第7D圖,首先提供一第一基板100與一第二基板200,接下來於第一基板100與第二基板200彼此組合之前,可分別同時、分別不同時或依序進行下述的製程步驟,本發明所屬技術領域之人士,可依實際製程之需求對製程步驟作調整。
接著,請參見第7A圖,於第一基板100之上先形成第一電極102,形成之方法包括電鍍或濺鍍,之後於電極102之上形成介電層104,形成之方法例如為化學氣相沉積法、原子層沈積法(Atomic layer deposition,ALD)、旋轉塗佈法或其他形成薄膜之技術。
之後,請參見第7B圖,形成複數個擋牆106直接位於介電層104之上,形成擋牆106之方法例如微影製程、模具成型、反轉印刷法(reverse printing)或模板印刷法(stencil printing)。於一實施例中,使用微影製程製作擋牆106,首先將擋牆106之材料層全面性地形成於介電層104之上,其上再形成一光阻(圖中未顯示),經由習知的曝光、顯影步驟,使上述光阻成為蝕刻罩幕,再將未被罩幕覆蓋的材料層經由例如蝕刻步驟移除,再移除上述蝕刻罩幕而形成擋牆106。於另一實施例中,將擋牆106之材料全面性地形成於介電層104之後,直接使用微影製程製作擋牆106。於另一實施例中,使用模具成型技術,係先將基板100置入以事先製作好的模具中,藉由射出成型等技術,在介電層104的特定位置上,選擇性地形成符合上述條件的擋牆106。
接著,請參見第7C圖,形成一疏水層108於介電層104之上且介於該些擋牆106之間,疏水層108之形成方法包括對介電層104與該些擋牆106進行表面處理,其中表面處理之方法包括電漿處理、蒸鍍法、濺鍍法或浸泡法。接著於介電層104與擋牆106之上形成含氟高分子或自聚性(self-assembly)矽烷分子,以形成該疏水層108,其中含氟高分子與自聚性矽烷分子同前所述。
於一實施例中,介電層108材料可為氧化矽,擋牆106材料可為PMMA樹酯,當對第一基板100表面進行氧氣電漿處理後可在氧化矽介電層108上形成緻密的OH官能基,但相同氧氣電漿處理在PMMA樹酯擋牆106上形成的OH官能基數量較少。接續再將具有電極102、擋牆106與介電層108之第一基板100浸泡至十八烷基三氯矽烷(octadecyl trichlorosilane,OTS)之溶液中,十八烷基三氯矽烷分子會自動組裝至含有緻密OH官能基之介電層104表面,而露出末端的CH3
官能基,形成一疏水層,特定氧氣電漿處理對不同材料所造成的表面處理效果不同會進一步影響到自聚性矽烷分子的成膜緻密性與疏水層的表面疏水特性。
此處需注意的是,由於習知技術之擋牆通常形成於疏水層之後,因此,親水性擋牆與疏水層之間的附著性不佳,然而本發明的檔牆106係在疏水層108之前形成,亦即親水性擋牆106係形成於介電層104之上,由於擋牆106與介電層104的極性接近,因此,本發明之擋牆106與介電層104之間具有較佳的黏著性。
另外於第二基板200之上形成第二電極202,接著,於第二電極202之上形成複數個支撐物204。之後,請參見第7D圖,置入一非極性溶液110於擋牆106之間;另外置入一極性溶液206於第一基板100與第二基板200之間。置入非極性溶液110或極性溶液206之方法包括包括旋轉塗佈(spin coating)、棒狀塗佈(bar coating)、浸漬塗佈(dip coating)、滾筒塗佈(roll coating)、噴霧塗佈(spray coating)、凹版式塗佈(gravure coating)、噴墨印刷(ink jet printing)、狹縫塗佈(slot coating)或刮刀塗佈(blade coating)。
在一實施例中,係於一極性溶液206中組合第一基板100與第二基板200,使擋牆106對應於支撐物204形成一密閉空間,以避免非極性溶液110溢流的問題。
為了幫助第一基板100與第二基板200之組裝,尚可製作一黏著層(圖中未顯示)於擋牆106或支撐物204之上,以幫助兩基板之組裝,而黏著層之製作方法包括轉印法、噴墨法或微影製程。另外,擋牆106或支撐物204可為一凹槽結構(圖中未顯示),用以容納黏著層。
本發明所提供之電濕潤顯示器之製法中,其中擋牆106係直接形成於介電層104之上,因此黏著性較佳。此外,尚可於形成擋牆106之後,對介電層104進行一表面處理,使介電層104表面帶有親水性官能基,更有利於後續疏水層108之形成,其中表面處理之方法包括電漿處理、蒸鍍法、濺鍍法或浸泡法。於一實施例中,在進行擋牆106製作之後,使用氧氣電漿使介電層104表面帶有OH官能基,接續將具有電極102、擋牆106與介電層104之第一基板100浸泡至十八烷基三氯矽烷之溶液中,使介電層104表面形成疏水層108。
另外,也可於形成支撐物204之後,對支撐物204進行表面處理,使支撐物204表面具有親水性官能基,以利於極性溶液206之吸附,並可避免非極性溶液110之溢流。
本發明亦提供電濕潤顯示器之製作方法之另一實施例,請參見第8A至第8C圖,首先於第一基板100之上先形成第一電極102,之後於電極102之上形成介電層104,其中第一電極102與介電層104之材料與形成方法同前所述,在此不再贅述。
接著,請參見第8B圖,形成一圖案化疏水層108a於介電層104上,其中圖案化疏水層108a具有複數個開口109,這些開口109曝露介電層104。
之後,請參見第8C圖,形成複數個擋牆106於開口109上,後續進行如第7D圖所述之製程。此處須注意的是,本實施例中由於圖案化疏水層108a之開口109曝露出介電層104,因此擋牆106仍然形成於介電層104之上,同樣能解決習知技術擋牆與疏水層之間附著性不佳的問題。
於一實施例中,形成圖案化疏水層108a之方法如第9A-9E圖所示,請參見第9A圖,於第一基板100之上先形成第一電極102,之後於電極102之上形成介電層104。接著,請參見第9B圖,形成一圖案化光阻900於介電層104之上,形成圖案化光阻800之方法係利用習知之微影蝕刻(photolithography)製程。
接著,請參見第9C圖,形成一疏水層108於圖案化光阻800與介電層104之上。請參見第9D圖,移除圖案化光阻800以形成圖案化疏水層108a,其中圖案化疏水層108a包括複數個開口109,此開口109曝露介電層104。請參見第9E圖,形成複數個擋牆106於開口109上,接著進行如第7D圖所述之製程。
於另一實施例中,形成圖案化疏水層108a之方法包括轉印法(printing),此方法係使用一凸狀模組,於凸狀模組上沾印上疏水層108,再將疏水層108轉印到介電層104上。然而,形成圖案化疏水層108a之方法並不以此為限,其他能將疏水層形成於特定區域之方法亦在本發明所保護之範圍中。
綜上所述,本發明之電濕潤顯示器具有下述特徵:
(1)於介電層之上製作親水性擋牆,用以增加介電層與擋牆之間的黏著性,以提高顯示器的可靠度。
(2)藉由擋牆與支撐物形成一密閉空間,可避免非極性溶液溢流的問題。
(3)於擋牆或支撐物上製作凹槽結構,以容納幫助黏合的黏著層。
雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作任意之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100...第一基板
102...第一電極
104...介電層
106...擋牆
107...黑色遮光層
108...疏水層
108a...圖案化疏水層
109...開口
110...非極性溶液
130...膠膜
200...第二基板
202...第二電極
204...支撐物
206...極性溶液
300...黏著層
900...圖案化光阻
第1圖為一系列剖面圖,用以說明本發明之濕潤顯示器結構。
第2圖為一剖面圖,用以說明本發明電濕潤顯示器之第二實施例。
第3圖為一剖面圖,用以說明本發明電濕潤顯示器之第三實施例。
第4A~4C圖為一系列剖面圖,用以說明本發明電濕潤顯示器之第四實施例。
第5A~5B圖為一系列剖面圖,用以說明本發明電濕潤顯示器之第五實施例。
第6圖為一剖面圖,用以說明本發明電濕潤顯示器之第六實施例。
第7A~7D圖為一系列剖面圖,用以說明本發明電濕潤顯示器之製作方法之一實施例。
第8A~8C、9A~9E圖為一系列剖面圖,用以說明本發明電濕潤顯示器之製作方法之第二實施例。
100...第一基板
102...第一電極
104...介電層
106...擋牆
108...疏水層
110...非極性溶液
200...第二基板
202...第二電極
204...支撐物
206...極性溶液
Claims (35)
- 一種電濕潤顯示器之結構,包括:一第一基板;一第一電極,形成於該第一基板之上;一介電層,形成於該第一電極之上;複數個擋牆,直接形成於該介電層之上;一疏水層,形成於該介電層之上且介於該些擋牆之間;一第二基板,與該第一基板相對設置;一第二電極,形成於該第二基板之上;複數個支撐物,形成於該第二電極之上,且對應於該些擋牆,其中該些擋牆、該些支撐物、該第一基板及該第二基板構成一密閉空間;以及一極性溶液與一非極性溶液,置於該密閉空間。
- 如申請專利範圍第1項所述之電濕潤顯示器之結構,其中該第一基板與第二基板各自包括玻璃、高分子基材或金屬。
- 如申請專利範圍第1項所述之電濕潤顯示器之結構,其中該極性溶液包括水、水溶液或醇類。
- 如申請專利範圍第1項所述之電濕潤顯示器之結構,其中該非極性溶液包括矽油(silicon oil)、C10~C16之烷類、染料(dye)或顏料(pigment)。
- 如申請專利範圍第1項所述之電濕潤顯示器之結構,其中該第一電極與該第二電極各自包括金屬或金屬氧化物。
- 如申請專利範圍第1項所述之電濕潤顯示器之結構,其中該介電層包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁(Al2 O3 )、氧化鉭(Ta2 O3 )、氧化鈦(TiO2 )、鈦酸鋇(BaTiO3 )、聚偏二氟乙烯樹脂(polyvinylidene difluoride,PVDF)、或上述之組合。
- 如申請專利範圍第1項所述之電濕潤顯示器之結構,其中該擋牆之材質包括正光阻、負光阻、光固性樹脂(photosetting resin)或熱固性樹脂(thermosetting resin)。
- 如申請專利範圍第1項所述之電濕潤顯示器之結構,其中該疏水層包括含氟高分子、類鑽碳膜或自聚性(self-assembly)矽烷分子。
- 如申請專利範圍第8項所述之電濕潤顯示器之結構,其中該自聚性矽烷分子包括十八烷基三氯矽烷(octadecyl trichlorosilane,OTS)、3,3,3-三氟丙基甲基二氯矽烷(3,3,3 trifluoro-propylmethyl dichlorosilane,PMDCS)、十三氟-1,1,2,2-四氫辛烷基三氯矽烷(tridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrooctyl trichlorosilane,FOTS)、十七氟-,1,1,2,2-四氫癸烷基三氯矽烷(heptadecafluoro-1,1,2,2,-tetrahydrodecyl trichlorosilane,FDTS)、癸烷基三氯矽烷(dodecyl trichlorosilane,DDTCS)、二甲基二氯矽烷(dimethyldichlorosilane,DDMS)、乙烯基十一烷基三氯矽烷(vinylundecyl tirchlorosilane,VllTCS)或胺基丙基三甲氧基矽烷(aminopropyl trimethoxysilane,APTMS)。
- 如申請專利範圍第1項所述之電濕潤顯示器之結 構,其中該擋牆為一黑色遮光物質。
- 如申請專利範圍第1項所述之電濕潤顯示器之結構,其中該擋牆與該介電層之間尚包括一黑色遮光物質。
- 如申請專利範圍第11項所述之電濕潤顯示器之結構,其中該黑色遮光物質延伸至該擋牆之外。
- 如申請專利範圍第1項所述之電濕潤顯示器之結構,其中該擋牆之厚度為約1~50μm。
- 如申請專利範圍第1項所述之電濕潤顯示器之結構,其中該擋牆具有一凹槽結構。
- 如申請專利範圍第1項所述之電濕潤顯示器之結構,其中該擋牆之折射係數與該極性溶液之折射係數相同。
- 如申請專利範圍第1項所述之電濕潤顯示器之結構,其中該支撐物之材質包括正光阻、負光阻、光固性樹脂(photosetting resin)或熱固性樹脂(thermosetting resin)。
- 如申請專利範圍第1項所述之電濕潤顯示器之結構,其中該支撐物之厚度為約5~50μm。
- 如申請專利範圍第1項所述之電濕潤顯示器之結構,其中該支撐物具有一凹槽結構。
- 如申請專利範圍第1項所述之電濕潤顯示器之結構,其中該支撐物之折射係數與該極性溶液之折射係數相同。
- 如申請專利範圍第1項所述之電濕潤顯示器之結構,其中該擋牆與該支撐物之間尚包括一黏著層。
- 如申請專利範圍第20項所述之電濕潤顯示器之結構,其中該黏著層包括光硬化膠材、壓力硬化膠材或水硬 化膠材。
- 如申請專利範圍第1項所述之電濕潤顯示器之結構,其中該第一基材之外側尚包括一膠膜。
- 一種電濕潤顯示器之製法,包括以下步驟:提供一第一基板;形成一第一電極於該第一基板之上;形成一介電層於該第一基板之上;形成複數個擋牆直接位於該介電層之上;形成一疏水層於該介電層之上且介於該些擋牆之間;置入一非極性溶液於該些擋牆之間;提供一第二基板;形成一第二電極於該第二基板之上;形成複數個支撐物於該第二基板之上;置入一極性溶液於該第一與該第二基板間;以及組合該第一基板與該第二基板,使該些擋牆對應於該些支撐物,以使得該些擋牆、該些支撐物、該第一基板及該第二基板形成一密閉空間,且使該極性溶液與該非極性溶液設置於該密閉空間內。
- 如申請專利範圍第23項所述之電濕潤顯示器之製法,其中形成該些擋牆之後,尚包括對介電層進行一表面處理。
- 如申請專利範圍第24項所述之電濕潤顯示器之製法,其中該表面處理包括電漿處理、蒸鍍法、濺鍍法或浸泡法。
- 如申請專利範圍第23項所述之電濕潤顯示器之製 法,其中該形成該疏水層之步驟包括:對該介電層與該些擋牆進行一表面處理;以及於該介電層與該些擋牆之上形成含氟高分子或自聚性(self-assembly)矽烷分子,以形成該疏水層。
- 如申請專利範圍第26項所述之電濕潤顯示器之製法,其中該表面處理包括電漿處理、蒸鍍法、濺鍍法或浸泡法。
- 如申請專利範圍第23項所述之電濕潤顯示器之製法,其中形成複數個支撐物之後,尚包括對該些支撐物進行一表面處理。
- 如申請專利範圍第28項所述之電濕潤顯示器之製法,其中該表面處理包括電漿處理、蒸鍍法、濺鍍法或浸泡法。
- 如申請專利範圍第23項所述之電濕潤顯示器之製法,其中該置入該非極性溶液或該極性溶液之方法包括旋轉塗佈(spin coating)、棒狀塗佈(bar coating)、浸漬塗佈(dip coating)、滾筒塗佈(roll coating)、噴霧塗佈(spray coating)、凹版式塗佈(gravure coating)、噴墨印刷(ink jet printing)、狹縫塗佈(slot coating)或刮刀塗佈(blade coating)。
- 如申請專利範圍第23項所述之電濕潤顯示器之製法,其中組合該第一基板與該第二基板之前,尚包括製作一黏著層於該擋牆或該支撐物之上。
- 如申請專利範圍第31項所述之電濕潤顯示器之製法,其中該黏著層之製作方法包括轉印法、噴墨法或微影製程。
- 一種電濕潤顯示器之製法,包括以下步驟:提供一第一基板;形成一第一電極於該第一基板之上;形成一介電層於該第一基板之上;形成一圖案化疏水層於該介電層之上,其中該圖案化疏水層具有複數個開口,該些開口曝露該介電層;形成複數個擋牆於該些開口上,且該些擋牆係直接位於該介電層之上;置入一非極性溶液於該些擋牆之間;提供一第二基板;形成一第二電極於該第二基板之上;形成複數個支撐物於該第二基板之上;置入一極性溶液於該第一與該第二基板間;以及組合該第一基板與該第二基板,使該些擋牆對應於該些支撐物,以使得該些擋牆、該些支撐物、該第一基板及該第二基板形成一密閉空間,且使該極性溶液與該非極性溶液設置於該密閉空間內。
- 如申請專利範圍第33項所述之電濕潤顯示器之製法,其中形成該圖案化疏水層之方法包括:形成一圖案化光阻於該介電層之上;形成一疏水層於該圖案化光阻與該介電層之上;移除該圖案化光阻,以形成該圖案化疏水層。
- 如申請專利範圍第33項所述之電濕潤顯示器之製法,其中形成該圖案化疏水層之方法包括轉印法(printing)。
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